JPH065700B2 - 電子回路デバイスの冷却装置 - Google Patents
電子回路デバイスの冷却装置Info
- Publication number
- JPH065700B2 JPH065700B2 JP62181028A JP18102887A JPH065700B2 JP H065700 B2 JPH065700 B2 JP H065700B2 JP 62181028 A JP62181028 A JP 62181028A JP 18102887 A JP18102887 A JP 18102887A JP H065700 B2 JPH065700 B2 JP H065700B2
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- JP
- Japan
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- electronic circuit
- fluid
- cooling
- chip
- circuit device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/40—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids
- H10W40/47—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing liquids, e.g. forced water cooling
- H10W40/475—Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing liquids, e.g. forced water cooling using jet impingement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2029—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant with phase change in electronic enclosures
- H05K7/20345—Sprayers; Atomizers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSIなどの電子回路デバイスを冷却する装
置に係り、特に上記デバイスの温度を高精度に保持し、
多数の被検査デバイスを常に安定に冷却するのに好適な
電子回路デバイスの冷却装置に関する。
置に係り、特に上記デバイスの温度を高精度に保持し、
多数の被検査デバイスを常に安定に冷却するのに好適な
電子回路デバイスの冷却装置に関する。
従来のこの種の冷却装置は、ファンなどにより電子回路
デバイスの表面に直接空気を吹付けて、デバイス自体の
発熱によるデバイスの温度上昇を押えていた。しかし、
近年、電子回路デバイス、特に半導体集積回路等では高
集積、高電力化が進み、デバイスを充分に冷却すること
ができなくなって来た。そこで、常温空気に変えて、低
温空気を用いることが提案されている。しかし、低温空
気を作り出すのは、大掛かりな装置が必要となると共
に、低温にすると装置が結露し易く、電気絶縁性が低下
するなど心配される。
デバイスの表面に直接空気を吹付けて、デバイス自体の
発熱によるデバイスの温度上昇を押えていた。しかし、
近年、電子回路デバイス、特に半導体集積回路等では高
集積、高電力化が進み、デバイスを充分に冷却すること
ができなくなって来た。そこで、常温空気に変えて、低
温空気を用いることが提案されている。しかし、低温空
気を作り出すのは、大掛かりな装置が必要となると共
に、低温にすると装置が結露し易く、電気絶縁性が低下
するなど心配される。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭61−247061号公報などが挙げられる。
特開昭61−247061号公報などが挙げられる。
一方、特公昭56−31743号では、冷却特性を高め
るため、水などによって冷却される冷却板をLSIチッ
プに押し当てて冷却する方法が提案されている。
るため、水などによって冷却される冷却板をLSIチッ
プに押し当てて冷却する方法が提案されている。
上記の従来技術は、空気中で使用しようとすると、冷却
板及び電子回路デバイスとの接触面を高精度に仕上げ、
数μm以下の表面粗さと反りにしても、空気の熱伝導率
が小さく、接触面荷重が大きくとれないため、上記接触
面間の熱抵抗は大きい。また、表面粗さや反りがわずか
に変化しても、接触熱抵抗は大きく変動してしまう。こ
のため、被特性評価・選別用デバイスの温度を高精度に
保ちながら冷却することは難しい。更に、多数のデバイ
スを次々に検査するような場合、冷却板の表面は傷がつ
いてしまう。したがって、デバイスを常に安定に冷却す
るにも、上記の方法は難しい。
板及び電子回路デバイスとの接触面を高精度に仕上げ、
数μm以下の表面粗さと反りにしても、空気の熱伝導率
が小さく、接触面荷重が大きくとれないため、上記接触
面間の熱抵抗は大きい。また、表面粗さや反りがわずか
に変化しても、接触熱抵抗は大きく変動してしまう。こ
のため、被特性評価・選別用デバイスの温度を高精度に
保ちながら冷却することは難しい。更に、多数のデバイ
スを次々に検査するような場合、冷却板の表面は傷がつ
いてしまう。したがって、デバイスを常に安定に冷却す
るにも、上記の方法は難しい。
本発明の目的は、多数の電子回路デバイスを常に安定に
かつ高精度の温度範囲に保つように冷却することのでき
る冷却装置を提供することにある。
かつ高精度の温度範囲に保つように冷却することのでき
る冷却装置を提供することにある。
本発明の特徴は、電子回路デバイスを保持する基板と、
前記電子回路デバイスの周囲に間隙を介して設けた部材
と、前記電子回路デバイスの冷却面に第1の流体を供給
噴出させて前記デバイスを冷却する第1の流体供給手段
と、前記第1の流体の噴出方向とは反対方向から前記間
隙を通過して第1の流体側にこの第1の流体とは種類が
異なり電気絶縁性を有する第2の流体を供給する第2の
流体供給手段とを備えた点にある。
前記電子回路デバイスの周囲に間隙を介して設けた部材
と、前記電子回路デバイスの冷却面に第1の流体を供給
噴出させて前記デバイスを冷却する第1の流体供給手段
と、前記第1の流体の噴出方向とは反対方向から前記間
隙を通過して第1の流体側にこの第1の流体とは種類が
異なり電気絶縁性を有する第2の流体を供給する第2の
流体供給手段とを備えた点にある。
上記のような構成にすることにより、電子回路デバイス
に噴射された冷却用の第1の流体の流れ、あるいは飛
沫、蒸気などが電子回路デバイスあるいはデバイス検査
用測定回路の方に行くことを、第2の流体の流れが阻止
するように作用する。それによって、上記電気回路等の
電気絶縁性が低下することがなくなる。また、第1の流
体による汚染なども防止することができる。
に噴射された冷却用の第1の流体の流れ、あるいは飛
沫、蒸気などが電子回路デバイスあるいはデバイス検査
用測定回路の方に行くことを、第2の流体の流れが阻止
するように作用する。それによって、上記電気回路等の
電気絶縁性が低下することがなくなる。また、第1の流
体による汚染なども防止することができる。
一方、第1の流体の噴流は、デバイスの冷却面の粗さや
反り、あるいは噴流ノズルとデバイス間の距離などが多
少変動しても、デバイスを常に安定に冷却することがで
きる。特に、第1の流体に純水を用いれば、低流速の噴
流を効果的に冷却でき、第2の流体に空気を使用すれ
ば、特別の装置を必要せずに第2の流体の流れを作り出
すことができる。
反り、あるいは噴流ノズルとデバイス間の距離などが多
少変動しても、デバイスを常に安定に冷却することがで
きる。特に、第1の流体に純水を用いれば、低流速の噴
流を効果的に冷却でき、第2の流体に空気を使用すれ
ば、特別の装置を必要せずに第2の流体の流れを作り出
すことができる。
更に、単に第1の流体だけを発熱体に噴き付けて冷却す
る場合より、第2の流体を流すことにより発熱体上の第
1の流体の流れを乱されるので、発熱体である電子回路
デバイスを一層効果的に冷却することができる。このよ
うに、第1の流体と第2の流体との流れによって、電子
回路デバイスは、高精度、高安定な温度範囲内に効率良
く冷却しながら、デバイスの特性を評価したり、デバイ
スの選別検査を行うことができる。
る場合より、第2の流体を流すことにより発熱体上の第
1の流体の流れを乱されるので、発熱体である電子回路
デバイスを一層効果的に冷却することができる。このよ
うに、第1の流体と第2の流体との流れによって、電子
回路デバイスは、高精度、高安定な温度範囲内に効率良
く冷却しながら、デバイスの特性を評価したり、デバイ
スの選別検査を行うことができる。
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図により説明
する。
する。
第1図及び第2図において、1は特性評価・選別の電子
回路デバイスで特に半導体集積回路又は半導体パッケー
ジ(以下、チップと総称する)、2はチップ1と非常に
小さな半田球3によってCCB接続(Controlled Colla
pse Bondingの略称)するセラミック基板(以下、基板
と略称する)、4はチップ1に給電したり、信号の入出
力を行うパッド、5はパッド4と接触し、電気的接続を
行うプローブ6を多数設けているプリント基板、7は基
板2を保持する支持体、8は基板2と支持体7との間に
空気を流すための突起状のスペーサ、9は基板2の位置
決めを行うピン、10は支持体に保持され、チップ1を
冷却する第1の冷却液体噴射ノズル、11は支持体7の
上面でチップ1の周囲に設けられた間隙、12は支持体
7に設けた空気吸引口、13は第1の冷却液体の排出
口、14は冷却液体用ポンプ、15は冷却液体を一定温
度にする恒温槽、16はブロワー、17は気液分離器、
18はチップ1に附着した冷却液体を乾燥させるための
高温空気噴射ノズル、19は高温空気用送風機、20は
空気加熱器、21は間隙11内に吸引される空気の流れ
方向を表わす矢印である。
回路デバイスで特に半導体集積回路又は半導体パッケー
ジ(以下、チップと総称する)、2はチップ1と非常に
小さな半田球3によってCCB接続(Controlled Colla
pse Bondingの略称)するセラミック基板(以下、基板
と略称する)、4はチップ1に給電したり、信号の入出
力を行うパッド、5はパッド4と接触し、電気的接続を
行うプローブ6を多数設けているプリント基板、7は基
板2を保持する支持体、8は基板2と支持体7との間に
空気を流すための突起状のスペーサ、9は基板2の位置
決めを行うピン、10は支持体に保持され、チップ1を
冷却する第1の冷却液体噴射ノズル、11は支持体7の
上面でチップ1の周囲に設けられた間隙、12は支持体
7に設けた空気吸引口、13は第1の冷却液体の排出
口、14は冷却液体用ポンプ、15は冷却液体を一定温
度にする恒温槽、16はブロワー、17は気液分離器、
18はチップ1に附着した冷却液体を乾燥させるための
高温空気噴射ノズル、19は高温空気用送風機、20は
空気加熱器、21は間隙11内に吸引される空気の流れ
方向を表わす矢印である。
本実施例では、チップ1の特性を評価したり、チップの
良品と不良品とを選択する際、第1図の様に、チップ1
を支持体7の間隙11を形成するように下向きにセット
し、恒温槽15から一定温度に保たれた冷却液体をポン
プ14によって冷却液体噴射ノズル9からチップ1に向
って噴き付ける。このため、チップ1の温度は一定範囲
内に保持することができる。ノズル10から流出した冷
却液体がチップ1の冷却面以外の不必要な所まで行かな
いように、支持体7に設けた空気吸引口12より気液分
離器17を通り、ブロワー16によって空気を排出する
と、第1図に示した装置の外側の常温常湿度の空気が、
基板2と支持体7との間隙を矢印21で示すように通
り、チップ1と支持体7との間隙11とのすき間を流れ
る。この際、チップ1を包み込むようにチップ1のまわ
りには、いわゆるエアーカーテン22が形成される。エ
アーカーテンと噴流液体との流れ方向は互いに対向する
ように形成されているので、チップ1に噴流した冷却液
体の流れ、液体の飛沫、液体の蒸気などは、エアーカー
テンによって下流に追し流されてしまう。このため、支
持体7の上部にあるチップ1の電気回路、基板2やプリ
ント基板5などの電気回路に冷却液体が流れて行くのを
阻止することができる。
良品と不良品とを選択する際、第1図の様に、チップ1
を支持体7の間隙11を形成するように下向きにセット
し、恒温槽15から一定温度に保たれた冷却液体をポン
プ14によって冷却液体噴射ノズル9からチップ1に向
って噴き付ける。このため、チップ1の温度は一定範囲
内に保持することができる。ノズル10から流出した冷
却液体がチップ1の冷却面以外の不必要な所まで行かな
いように、支持体7に設けた空気吸引口12より気液分
離器17を通り、ブロワー16によって空気を排出する
と、第1図に示した装置の外側の常温常湿度の空気が、
基板2と支持体7との間隙を矢印21で示すように通
り、チップ1と支持体7との間隙11とのすき間を流れ
る。この際、チップ1を包み込むようにチップ1のまわ
りには、いわゆるエアーカーテン22が形成される。エ
アーカーテンと噴流液体との流れ方向は互いに対向する
ように形成されているので、チップ1に噴流した冷却液
体の流れ、液体の飛沫、液体の蒸気などは、エアーカー
テンによって下流に追し流されてしまう。このため、支
持体7の上部にあるチップ1の電気回路、基板2やプリ
ント基板5などの電気回路に冷却液体が流れて行くのを
阻止することができる。
エアーカーテンの作用を効果的に発揮させ、冷却液体が
支持体7の間隙11から外に飛び出さないようにするた
めチップ1の冷却面は、支持体7の開口面(間隙11の
部分)よりも支持体7の内部(図では下方)に突出し、
あるいは間隙11の側壁面は、開口面より末広がり状に
開口面積が大きくなるように傾斜面としている。
支持体7の間隙11から外に飛び出さないようにするた
めチップ1の冷却面は、支持体7の開口面(間隙11の
部分)よりも支持体7の内部(図では下方)に突出し、
あるいは間隙11の側壁面は、開口面より末広がり状に
開口面積が大きくなるように傾斜面としている。
冷却液体の噴射ノズル内の口径は、チップの冷却面の大
きさにより小さく設定する方が、エアーカーテンの流速
を比較的小さく押えることができる。更に、本実施例の
例の場合、外部の空気を間隙(開口)11から支持体7
内に吸引して、エアーカーテンを作っているので、間隙
(開口)11内部の圧力は、支持体7の外の大気圧力よ
り負圧となり、基板2を支持体7の押し付ける力が作用
する。この力は、冷却流体噴射ノズル10の流れによっ
てチップ1が吹き飛ばされずに、チップ1を支持体7に
固定することができ、特別の固定装置は不必要となる。
更に、基板1のチップ実装面と反対側に設けたパット4
の電気接続を行うプローブ6は、冷却液体の噴流による
不必要な力を受けることなく、安定に電気的接続を行う
ことができるなどの特徴を有する。
きさにより小さく設定する方が、エアーカーテンの流速
を比較的小さく押えることができる。更に、本実施例の
例の場合、外部の空気を間隙(開口)11から支持体7
内に吸引して、エアーカーテンを作っているので、間隙
(開口)11内部の圧力は、支持体7の外の大気圧力よ
り負圧となり、基板2を支持体7の押し付ける力が作用
する。この力は、冷却流体噴射ノズル10の流れによっ
てチップ1が吹き飛ばされずに、チップ1を支持体7に
固定することができ、特別の固定装置は不必要となる。
更に、基板1のチップ実装面と反対側に設けたパット4
の電気接続を行うプローブ6は、冷却液体の噴流による
不必要な力を受けることなく、安定に電気的接続を行う
ことができるなどの特徴を有する。
また、冷却流体に純水を用いると、チップ1の冷却性能
を著しく向上させることができる。更に純水であるた
め、チップ1を汚染することもない。なお、チップ1の
冷却がそれほど必要でない場合は、冷却液体を露状にし
空気と一緒に流す。いわゆるミスト流を、冷却液体噴射
ノズル10から噴射してもよい。この場合、冷却液体の
噴射量を制御して、チップ1の冷却特性を調整すること
が可能となる。また、ミスト流は冷却液体流と比べ、密
度が小さいので、エアーカーテンの流速を小さくするこ
とができる特徴がある。
を著しく向上させることができる。更に純水であるた
め、チップ1を汚染することもない。なお、チップ1の
冷却がそれほど必要でない場合は、冷却液体を露状にし
空気と一緒に流す。いわゆるミスト流を、冷却液体噴射
ノズル10から噴射してもよい。この場合、冷却液体の
噴射量を制御して、チップ1の冷却特性を調整すること
が可能となる。また、ミスト流は冷却液体流と比べ、密
度が小さいので、エアーカーテンの流速を小さくするこ
とができる特徴がある。
第3図は、本発明の他の実施例を示す。第1図の実施例
と異なる点は、冷却液体の噴流のまわりに形成するエア
ーカーテンを空気の吸引によって行う代りに、圧縮空気
を圧送したり、あるいは送風機によって空気を送風する
ことによって形成した点である。この場合、チップ1の
周囲に一様なエアーカーテンができるように、空気室2
3、エアーノズル25が設けられている。他の点は、第
1図と同様である。
と異なる点は、冷却液体の噴流のまわりに形成するエア
ーカーテンを空気の吸引によって行う代りに、圧縮空気
を圧送したり、あるいは送風機によって空気を送風する
ことによって形成した点である。この場合、チップ1の
周囲に一様なエアーカーテンができるように、空気室2
3、エアーノズル25が設けられている。他の点は、第
1図と同様である。
なお、上記各実施例では、チップ1を下向きに設置した
状態を示したが、チップ1を横向きに設置してもよい。
更に、本発明は単に電子回路デバイスの特性評価・選択
などの検査工程の冷却に限らず、一般的な電子回路デバ
イスの冷却にも充分適用し得るものである。また、電子
回路デバイスが一個の場合について説明したが、複数の
デバイスが配置された場合にも、本発明を同様に適用す
ることができる。
状態を示したが、チップ1を横向きに設置してもよい。
更に、本発明は単に電子回路デバイスの特性評価・選択
などの検査工程の冷却に限らず、一般的な電子回路デバ
イスの冷却にも充分適用し得るものである。また、電子
回路デバイスが一個の場合について説明したが、複数の
デバイスが配置された場合にも、本発明を同様に適用す
ることができる。
本実施例の冷却装置の性能を調べた結果、内径4mmのノ
ズルから純水を噴流すると、伝熱面と噴流純水との熱抵
抗Rは、ノズル出口流速が0.1〜0.5m/sの範囲で
2〜1℃/wが得られる。電子回路デバイスと間隙から噴
出する空気流速は6m/sあれば、充分間隙から上に純水
が飛び出ることがない。また、純水の噴流によりデバイ
スが受ける荷重は数gと非常に小さい。
ズルから純水を噴流すると、伝熱面と噴流純水との熱抵
抗Rは、ノズル出口流速が0.1〜0.5m/sの範囲で
2〜1℃/wが得られる。電子回路デバイスと間隙から噴
出する空気流速は6m/sあれば、充分間隙から上に純水
が飛び出ることがない。また、純水の噴流によりデバイ
スが受ける荷重は数gと非常に小さい。
以上説明したように、本発明によれば、電子回路デバイ
スの冷却伝熱面の表面粗さや反りが数十μm程度存在し
ても、噴流の冷却性能は影響を受けず、また、冷却流体
噴射ノズルと電子回路デバイスとの距離が数mm程度狂っ
ても、同様にほとんど変化しない。このように、電子回
路デバイスの設置精度が悪くても、多数のデバイスを常
に安定にかつ高精度の温度範囲に保つように、冷却する
ことができる。
スの冷却伝熱面の表面粗さや反りが数十μm程度存在し
ても、噴流の冷却性能は影響を受けず、また、冷却流体
噴射ノズルと電子回路デバイスとの距離が数mm程度狂っ
ても、同様にほとんど変化しない。このように、電子回
路デバイスの設置精度が悪くても、多数のデバイスを常
に安定にかつ高精度の温度範囲に保つように、冷却する
ことができる。
第1図は本発明の第1図の実施例を示す縦断面図、第2
図は第1図のA−A線矢視図、第3図は本発明の第2の
実施例を示す縦断面図である。 1…電子回路デバイス、2…セラミック基板、7…支持
体、8…スペーサ、10…冷却液体噴射ノズル、11…
間隙(開口)、25…エアノズル。
図は第1図のA−A線矢視図、第3図は本発明の第2の
実施例を示す縦断面図である。 1…電子回路デバイス、2…セラミック基板、7…支持
体、8…スペーサ、10…冷却液体噴射ノズル、11…
間隙(開口)、25…エアノズル。
Claims (2)
- 【請求項1】電子回路デバイスを保持する基板と、前記
電子回路デバイスの周囲に間隙を介して設けた部材と、
前記電子回路デバイスの冷却面に第1の流体を供給噴出
させて前記デバイスを冷却する第1の流体供給手段と、
前記第1の流体の噴出方向とは反対方向から前記間隙を
通過して第1の流体側にこの第1の流体とは種類が異な
り、電気絶縁性を有する第2の流体を供給する第2の流
体供給手段と、を備えることを特徴とする電子回路デバ
イスの冷却装置。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項において、電子回路
デバイスはLSIチップまたはLSIパッケージのうち
のいずれか一つ、前記第1の流体は純水、前記第2の流
体は空気であることを特徴とする電子回路デバイスの冷
却装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181028A JPH065700B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 電子回路デバイスの冷却装置 |
| US07/221,098 US4897762A (en) | 1987-07-22 | 1988-07-19 | Cooling system and method for electronic circuit devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62181028A JPH065700B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 電子回路デバイスの冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6425447A JPS6425447A (en) | 1989-01-27 |
| JPH065700B2 true JPH065700B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=16093505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62181028A Expired - Lifetime JPH065700B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 電子回路デバイスの冷却装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4897762A (ja) |
| JP (1) | JPH065700B2 (ja) |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CA2053055C (en) * | 1990-10-11 | 1997-02-25 | Tsukasa Mizuno | Liquid cooling system for lsi packages |
| US5131233A (en) * | 1991-03-08 | 1992-07-21 | Cray Computer Corporation | Gas-liquid forced turbulence cooling |
| US5186238A (en) * | 1991-04-25 | 1993-02-16 | International Business Machines Corporation | Liquid film interface cooling chuck for semiconductor wafer processing |
| US5088006A (en) * | 1991-04-25 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing |
| JP2748732B2 (ja) * | 1991-07-19 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 液体冷媒循環システム |
| JP2852148B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 集積回路パッケージの冷却構造 |
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| JP2801998B2 (ja) * | 1992-10-12 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 電子機器の冷却装置 |
| US5515910A (en) * | 1993-05-03 | 1996-05-14 | Micro Control System | Apparatus for burn-in of high power semiconductor devices |
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