JPH0657455A - 黄銅用化学研磨液 - Google Patents
黄銅用化学研磨液Info
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- JPH0657455A JPH0657455A JP23520792A JP23520792A JPH0657455A JP H0657455 A JPH0657455 A JP H0657455A JP 23520792 A JP23520792 A JP 23520792A JP 23520792 A JP23520792 A JP 23520792A JP H0657455 A JPH0657455 A JP H0657455A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 めっき前処理としての黄銅の化学研磨液であ
って、過酸化水素水中に安定剤としてのオキシキノリ
ン、錯化剤、界面活性剤を配合した黄銅用化学研磨液。 【効果】 キリンス系の液のようなガスの発生、液配合
の困難さ、脱亜鉛現象による素材不良を防止出来、ま
た、過酸化水素水系のような金属イオン蓄積による過酸
化水素水の分解もなく、連続作業が可能であり、研磨液
の調整、選択的研磨による梨地仕上げができる化学研磨
液が得られる。
って、過酸化水素水中に安定剤としてのオキシキノリ
ン、錯化剤、界面活性剤を配合した黄銅用化学研磨液。 【効果】 キリンス系の液のようなガスの発生、液配合
の困難さ、脱亜鉛現象による素材不良を防止出来、ま
た、過酸化水素水系のような金属イオン蓄積による過酸
化水素水の分解もなく、連続作業が可能であり、研磨液
の調整、選択的研磨による梨地仕上げができる化学研磨
液が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は黄銅にめっき処理を施す
場合の前処理用として使用する化学研磨液に関する。
場合の前処理用として使用する化学研磨液に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】従来、黄銅のめっき前
処理用の化学研磨液としては、キリンスと呼ばれる硫
酸、硝酸、塩酸の混合液、あるいは、過酸化水素水に硫
酸のみを添加した過酸化水素系の液が使用されている。
処理用の化学研磨液としては、キリンスと呼ばれる硫
酸、硝酸、塩酸の混合液、あるいは、過酸化水素水に硫
酸のみを添加した過酸化水素系の液が使用されている。
【０００３】しかし、キリンス系の液では、硝酸を使用
するため分解による亜硝酸ガスが大量に発生して作業環
境の悪化が生じ、液の混合時に発熱を伴うために配合の
難しさを有し、さらには６−３黄銅のような二相合金の
場合には脱亜鉛現象が生じる等の問題点を有するもので
ある。また、過酸化水素系の液では、素材から溶出した
金属イオンが過酸化水素水の分解を促進し、安定的な処
理が出来にくいものである。
するため分解による亜硝酸ガスが大量に発生して作業環
境の悪化が生じ、液の混合時に発熱を伴うために配合の
難しさを有し、さらには６−３黄銅のような二相合金の
場合には脱亜鉛現象が生じる等の問題点を有するもので
ある。また、過酸化水素系の液では、素材から溶出した
金属イオンが過酸化水素水の分解を促進し、安定的な処
理が出来にくいものである。
【０００４】本発明は上記従来の化学研磨液の有する問
題点を解決し、キリンスのような亜硝酸ガスの発生、液
配合時の発熱、脱亜鉛現象を防止し、また、金属イオン
蓄積による過酸化水素水の分解もない黄銅のめっき前処
理用の化学研磨液を提供することを目的とするものであ
る。
題点を解決し、キリンスのような亜硝酸ガスの発生、液
配合時の発熱、脱亜鉛現象を防止し、また、金属イオン
蓄積による過酸化水素水の分解もない黄銅のめっき前処
理用の化学研磨液を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明の化学研磨液
は、過酸化水素水中にオキシキノリン、錯化剤、界面活
性剤を配合したことを特徴とするものであり、これによ
り前記問題点を解決したものである。
は、過酸化水素水中にオキシキノリン、錯化剤、界面活
性剤を配合したことを特徴とするものであり、これによ
り前記問題点を解決したものである。
【０００６】本発明では、上記のような組成のものに、
さらに必要に応じて、リン酸、硫酸を添加することが出
来、この添加量により研磨速度と選択的研磨により表面
状態を光沢面あるいは梨地仕上げ面のいずれかに変化さ
せることができる。
さらに必要に応じて、リン酸、硫酸を添加することが出
来、この添加量により研磨速度と選択的研磨により表面
状態を光沢面あるいは梨地仕上げ面のいずれかに変化さ
せることができる。
【０００７】本発明に係る化学研磨液の組成を示せば、 過酸化水素水 ５〜２０重量％ 安定剤（オキシキノリン） ０．１〜２０ｇ／ｌ 錯化剤（有機酸） １０〜４００ｇ／ｌ 非イオン性界面活性剤 ０．０１〜１容量％ である。
【０００８】このように、本発明では、過酸化水素水の
安定剤としてオキシキノリンを配合し、さらに錯化剤と
を配合したものであるため、溶出した金属イオンは錯化
剤に捕集され、過酸化水素の分解促進が回避できる。ま
た、界面活性剤は素材表面の濡れ性の向上と、研磨液面
での気泡発生によるミスト防止効果を有する。さらに、
酸を添加する場合には、黄銅の粒界に発生する電位差か
らの局部的な研磨速度を変え、表面状態を梨地仕上げと
する作用を促進する。
安定剤としてオキシキノリンを配合し、さらに錯化剤と
を配合したものであるため、溶出した金属イオンは錯化
剤に捕集され、過酸化水素の分解促進が回避できる。ま
た、界面活性剤は素材表面の濡れ性の向上と、研磨液面
での気泡発生によるミスト防止効果を有する。さらに、
酸を添加する場合には、黄銅の粒界に発生する電位差か
らの局部的な研磨速度を変え、表面状態を梨地仕上げと
する作用を促進する。
【０００９】
【発明の効果】以上のような本発明によれば、キリンス
系の液のようなガスの発生、液配合の困難さ、脱亜鉛現
象による素材不良を防止出来、また、従来の過酸化水素
水系のような金属イオン蓄積による過酸化水素水の分解
もなく、連続作業が可能であり、研磨液の調整、選択的
研磨による梨地仕上げできる化学研磨液が得られる。以
下に本発明を実施例に基づいて説明する。
系の液のようなガスの発生、液配合の困難さ、脱亜鉛現
象による素材不良を防止出来、また、従来の過酸化水素
水系のような金属イオン蓄積による過酸化水素水の分解
もなく、連続作業が可能であり、研磨液の調整、選択的
研磨による梨地仕上げできる化学研磨液が得られる。以
下に本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１０】
【実施例】黄銅（ＪＩＳ Ｃ２７００Ｔ，63.0％Ｃｕ−
0.07％Ｐｂ−0.05％Ｆｅ−残部Ｚｎ）の化学研磨を表１
に示す研磨液を用いて、液温を室温とし、処理時間を代
えて外観観察を行なった。その結果を表２に示す。
0.07％Ｐｂ−0.05％Ｆｅ−残部Ｚｎ）の化学研磨を表１
に示す研磨液を用いて、液温を室温とし、処理時間を代
えて外観観察を行なった。その結果を表２に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
Claims (1)
- 【請求項１】 めっき前処理としての黄銅の化学研磨液
であって、過酸化水素水中にオキシキノリン、錯化剤、
界面活性剤を配合したことを特徴とする黄銅用化学研磨
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23520792A JP3378033B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 黄銅用化学研磨液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23520792A JP3378033B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 黄銅用化学研磨液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657455A true JPH0657455A (ja) | 1994-03-01 |
| JP3378033B2 JP3378033B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=16982670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23520792A Expired - Fee Related JP3378033B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 黄銅用化学研磨液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3378033B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562719B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| JP2004068068A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nippon Parkerizing Co Ltd | 複合材、その製造方法 |
| US6774041B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US7237331B2 (en) | 2002-12-24 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Electronic part manufacturing method and electronic part |
| JP2009094534A (ja) * | 2008-12-26 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 |
| US7987590B2 (en) | 2003-02-27 | 2011-08-02 | Tdk Corporation | Method for manufacturing an electronic part |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP23520792A patent/JP3378033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774041B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-08-10 | Renesas Technology Corp. | Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US7183212B2 (en) | 1999-12-27 | 2007-02-27 | Renesas Technology Corp. | Polishing method, metallization fabrication method, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US6562719B2 (en) | 2000-08-04 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| US6750128B2 (en) | 2000-08-04 | 2004-06-15 | Renesas Technology Corporation | Methods of polishing, interconnect-fabrication, and producing semiconductor devices |
| JP2004068068A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nippon Parkerizing Co Ltd | 複合材、その製造方法 |
| US7237331B2 (en) | 2002-12-24 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Electronic part manufacturing method and electronic part |
| US7987590B2 (en) | 2003-02-27 | 2011-08-02 | Tdk Corporation | Method for manufacturing an electronic part |
| JP2009094534A (ja) * | 2008-12-26 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3378033B2 (ja) | 2003-02-17 |
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