JPH0659464U - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH0659464U JPH0659464U JP655093U JP655093U JPH0659464U JP H0659464 U JPH0659464 U JP H0659464U JP 655093 U JP655093 U JP 655093U JP 655093 U JP655093 U JP 655093U JP H0659464 U JPH0659464 U JP H0659464U
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- JP
- Japan
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- target
- substrate
- fixed
- terminal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 動力源及びイオンビームのオン,オフと基板
の動きとの連動制御を要しなく、基板を移動又は回転す
る。 【構成】 イオン源11からのイオンビーム18が照射
されるターゲット12と、ターゲット12からのスパッ
タ粒子19が付着する基板10と、基板10を保持した
保持体17と、保持体17を移動又は回転する移動体1
6と、移動体16と固定体14との間に張架された復帰
ばね26と、ターゲット12に接続されターゲット12
に到達したビーム電流が流れる固定端子20と、移動体
16に設けられ固定端子20に接離する移動端子22
と、移動端子22と固定体14との間に設けられ,固定
端子20,移動端子22を経たビーム電流による加熱に
より伸長する形状記憶合金からなる伸縮体24とを備え
る。
の動きとの連動制御を要しなく、基板を移動又は回転す
る。 【構成】 イオン源11からのイオンビーム18が照射
されるターゲット12と、ターゲット12からのスパッ
タ粒子19が付着する基板10と、基板10を保持した
保持体17と、保持体17を移動又は回転する移動体1
6と、移動体16と固定体14との間に張架された復帰
ばね26と、ターゲット12に接続されターゲット12
に到達したビーム電流が流れる固定端子20と、移動体
16に設けられ固定端子20に接離する移動端子22
と、移動端子22と固定体14との間に設けられ,固定
端子20,移動端子22を経たビーム電流による加熱に
より伸長する形状記憶合金からなる伸縮体24とを備え
る。
Description
【0001】
本考案は、成膜室におけるイオンビームスパッタリング中の基板を、移動又は 回転し、均一な成膜分布を得る成膜装置に関する。
【0002】
従来の成膜装置は、図5に示す構成になっている。同図において、1は成膜室 、2は成膜室1の底板、3は磁気シール4を介して成膜室1に導入された駆動軸 、5は成膜室1の外部に設けられ駆動軸3を正,逆回転するサーボモータ,ステ ッピングモータ等のモータ、6は駆動軸3の先端に固着されたかさ歯車である。
【0003】 7は成膜室1に設けられた2個のプーリ、8は両プーリ7に巻回されたスチー ルベルト、9は一方のプーリ7に固着され,かさ歯車6に歯合したかさ歯車、1 0はスチールベルト8に保持された基板である。 そして、モータ5の正,逆回転により、駆動軸3,両かさ歯車6,9,両プー リ7を介してスチールベルト8が左右に移動し、基板10が往復動し、基板10 にイオンビームがスパッタリングされ、均一な膜厚に成膜される。
【0004】
従来の前記成膜装置の場合、基板10を左右に往復動させるために、サーボモ ータ或いはステッピングモータ等の高価な動力源を要し、高価になる。さらに、 イオンビームのオン,オフと、基板10の往復動,即ちモータ5のオン,オフ, 正転,逆転等との連動制御を要するという問題点がある。 本考案は、前記の点に留意し、高価な動力源を要しなく、かつ、イオンビーム のオン,オフと、基板の動きとの連動制御を要しない成膜装置を提供することを 目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】 前記課題を解決するために、本考案の成膜装置はイオン源からのイオンビーム が照射されるターゲットと、ターゲットからのスパッタ粒子が付着する基板と、 基板を保持した保持体と、保持体を移動又は回転する移動体と、移動体と固定体 との間に張架された復帰ばねと、ターゲットに接続されターゲットに到達したビ ーム電流が流れる固定端子と、移動体に設けられ固定端子に接離する移動端子と 、移動端子と固定体との間に設けられ,固定端子,移動端子を経たビーム電流に よる加熱により伸長する形状記憶合金からなる伸縮体とを備えたものである。
【0006】
前記のように構成された本考案の成膜装置は、ターゲットに到達したビーム電 流が、固定端子,移動端子を介して形状記憶合金からなる伸縮体に流れ、ジュー ル熱により伸縮体が加熱され、所定温度になると、伸縮体が変形前の形状に復元 して伸長する。そして、移動端子が固定端子から離れ、前記ビーム電流が伸縮体 に流れず、伸縮体の温度が低下し始め、伸縮体が復元力を次第に失い、復帰ばね のばね力より低下すると、復帰ばねにより伸縮体が縮小し、移動端子が再び固定 端子に接触し、復帰ばねにより縮小した伸縮体が再び加熱され、伸縮体が伸長す る。
【0007】 即ち、形状記憶合金からなる伸縮体と復帰ばねとにより、移動体が移動して基 板が移動し、基板に均一な薄膜が得られる。 そして、イオンビームのターゲットへの照射が終了すると、伸縮体も加熱され ず、移動体の移動も停止する。
【0008】
実施例について図1ないし図4を参照して説明する。それらの図において図5 と同一符号は同一もしくは相当するものを示し、まず、1実施例を示した図1及 び図2において、11はイオン源、12は絶縁体13により支持されたターゲッ ト、14は成膜室1の底板2に立設された固定体、15は底板2に平行に設けら れた軸状のガイド、16はガイド15に沿い移動自在に設けられた移動体、17 は移動体16に固着され基板10を保持した保持体であり、イオン源11からの イオンビーム18がターゲット12に照射され、ターゲット12からのスパッタ 粒子19が基板10に付着し、成膜される。
【0009】 20は電流導入線21によりターゲット12に接続された固定端子であり、ガ イド15の上方に位置し、ターゲット12に到達したビーム電流が流れる。22 は絶縁体23を介して移動体16に固設された移動端子であり、固定端子20に 接離する。24はコイル状の伸縮体であり、一端が移動端子22に接続され、他 端が絶縁体25を介して固定体14に接続され、ニッケル−チタン系合金或いは 銅−アルミ系合金等の形状記憶合金からなる。26は固定体14と移動体16と の間に張架された復帰ばねである。
【0010】 そして、図1の状態において、イオン源11からイオンビーム18がターゲッ ト12に照射され、スパッタ粒子19により基板10に成膜が行われる。このと き、ターゲット12に到達したビーム電流が、電流導入線21,固定端子20, 移動端子22を介して形状記憶合金からなる伸縮体24に流れ、ジュール熱によ り伸縮体24が加熱され、所定温度になると、伸縮体24が復帰ばね26に抗し て変形前の形状に復元して伸長し、移動体16がガイド15に沿って左方へ移動 し、移動端子が固定端子から離れ、前記ビーム電流が伸縮体24に流れず、伸縮 体24の温度が低下し始め、伸縮体24が復元力を次第に失い、復帰ばね26の ばね力より低下すると、復帰ばね26により伸縮体24が縮小し、移動端子22 が再び固定端子20に接触し、ターゲット12からのビーム電流により縮小した 伸縮体24が再び加熱され、伸縮体24が伸長し、伸縮体24の伸縮の繰返しに より基板10が左右に繰返し移動し、基板10に均一な薄膜が得られる。 そして、成膜が終了し、イオン源11からのイオンビーム18の照射が停止す ると、固定端子20への電流が流れず、移動体16の移動が自動的に停止する。
【0011】 つぎに、他の実施例を示した図3及び図4について説明する。27は図1の移 動体16の上端にガイド15に平行に固着されたラック、28は保持体17の自 転軸29に設けられたピニオンであり、ラック27に歯合する。 即ち、移動体16と共に左右に移動するラック27によりピニオン28を介し て保持体17が正,逆回転し、基板10が正,逆に繰返し回転する。
【0012】
本考案は、以上説明したように構成されているため、つぎに記載する効果を奏 する。 本考案の成膜装置は、ターゲット12に到達したビーム電流が、固定端子20 ,移動端子22を介して形状記憶合金からなる伸縮体24に流れ、ジュール熱に より伸縮体24が加熱され、伸縮体24が伸長し、移動端子22が固定端子20 から離れ、ターゲット12からのビーム電流が伸縮体24に流れず、伸縮体24 の温度が低下し、伸縮体24が復元力を次第に失い、復帰ばね26のばね力によ り伸縮体24が縮小し、移動端子22が固定端子20に接触し、伸縮体24が再 び加熱され、伸縮体24が伸長し、伸縮体24の伸縮により移動体16が左右に 移動して基板10が移動し、基板10に均一な薄膜を得ることができ、かつ、イ オンビーム18のターゲット12への照射が終了すると、伸縮体24も加熱され ず、移動体16の移動も停止する。
【0013】 即ち、従来のような高価な動力源及びイオンビームのオン,オフと基板の動き との連動制御を要することなく、自動的に基板10を左右に移動或いは正,逆回 転することが可能である。
【図1】本考案の1実施例の切断正面図である。
【図2】図1の他の状態の一部の切断正面図である。
【図3】本考案の他の実施例の一部の切断正面図であ
る。
る。
【図4】図3の一部の切断上面図である。
【図5】従来例の切断正面図である。
10 基板 11 イオン源 12 ターゲット 14 固定体 16 移動体 17 保持体 18 イオンビーム 19 スパッタ粒子 20 固定端子 22 移動端子 24 伸縮体 26 復帰ばね
Claims (1)
- 【請求項1】 イオン源からのイオンビームが照射され
るターゲットと、該ターゲットからのスパッタ粒子が付
着する基板と、該基板を保持した保持体と、該保持体を
移動又は回転する移動体と、該移動体と固定体との間に
張架された復帰ばねと、前記ターゲットに接続され前記
ターゲットに到達したビーム電流が流れる固定端子と、
前記移動体に設けられ前記固定端子に接離する移動端子
と、該移動端子と前記固定体との間に設けられ,前記固
定端子,前記移動端子を経た前記ビーム電流による加熱
により伸長する形状記憶合金からなる伸縮体とを備えた
成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP655093U JPH0659464U (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP655093U JPH0659464U (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0659464U true JPH0659464U (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11641446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP655093U Pending JPH0659464U (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659464U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010531391A (ja) * | 2007-06-27 | 2010-09-24 | ドゥーサン メカテック シーオー エルティディ | 蒸着装置 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP655093U patent/JPH0659464U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010531391A (ja) * | 2007-06-27 | 2010-09-24 | ドゥーサン メカテック シーオー エルティディ | 蒸着装置 |
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