JPH065973A - 半導体レーザ劣化検出器 - Google Patents
半導体レーザ劣化検出器Info
- Publication number
- JPH065973A JPH065973A JP4160657A JP16065792A JPH065973A JP H065973 A JPH065973 A JP H065973A JP 4160657 A JP4160657 A JP 4160657A JP 16065792 A JP16065792 A JP 16065792A JP H065973 A JPH065973 A JP H065973A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser
- deterioration
- monitoring
- output
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザが劣化したことを検出する。
【構成】 半導体レーザの駆動電流の飽和点を監視する
手段とこの半導体レーザのレーザ出力を監視している光
センサとその出力電流の低下を監視する手段とを備え、
半導体レーザの駆動電流が飽和しかつ光センサーの電流
が低下したことをもって劣化検出信号を出力する手段を
設けることにより、半導体レーザの劣化を正確に検出す
ることができる、半導体レーザ劣化検出器。
手段とこの半導体レーザのレーザ出力を監視している光
センサとその出力電流の低下を監視する手段とを備え、
半導体レーザの駆動電流が飽和しかつ光センサーの電流
が低下したことをもって劣化検出信号を出力する手段を
設けることにより、半導体レーザの劣化を正確に検出す
ることができる、半導体レーザ劣化検出器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームプリン
タ、レーザファクス、レーザディスク等、半導体レーザ
を使用する機器に関するものである。
タ、レーザファクス、レーザディスク等、半導体レーザ
を使用する機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザは、小型、低消費電
力、高出力と多くの優れた特徴を兼ね備えているためレ
ーザプリンタに代表される印写機器や光磁気ディスク等
の記録機器等に使われその応用範囲は枚挙にいとまがな
い。
力、高出力と多くの優れた特徴を兼ね備えているためレ
ーザプリンタに代表される印写機器や光磁気ディスク等
の記録機器等に使われその応用範囲は枚挙にいとまがな
い。
【０００３】以下図面を参照しながら、上述した半導体
レーザのを用いたレーザファクスの書き込み部の一例に
ついて説明する。
レーザのを用いたレーザファクスの書き込み部の一例に
ついて説明する。
【０００４】図４は従来のレーザファツクス等に用いら
れているレーザ書き込み部を示すものである。図４にお
いて、７は半導体レーザ、８〜１１は結像レンズ群で、
１２、１３は折返しミラー１４はポリゴンミラ１５は感
光体である。
れているレーザ書き込み部を示すものである。図４にお
いて、７は半導体レーザ、８〜１１は結像レンズ群で、
１２、１３は折返しミラー１４はポリゴンミラ１５は感
光体である。
【０００５】以上のように構成されたレーザファクスの
書き込み部について、以下その動作について説明する。
書き込み部について、以下その動作について説明する。
【０００６】まず半導体レーザから出力されたレーザ光
は結像レンズ群によって感光体上に結像する。感光体上
に結像したレーザビームは回転するポリゴンミラーによ
って感光体上を走査し静電潜像を感光体上に形成する。
は結像レンズ群によって感光体上に結像する。感光体上
に結像したレーザビームは回転するポリゴンミラーによ
って感光体上を走査し静電潜像を感光体上に形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、長時間半導体レーザを使用し続けると、
半導体レーザが劣化し、レーザーの出力が低下してくる
ためファクスの画像濃度が低下し、さらには全く画像が
出力されないということが発生していた。特にファクス
は無人運転されることが多く、このような事態が発生す
ると転送されてきた重要な通信内容は全て無駄になって
しまうと言う課題を有していた。
うな構成では、長時間半導体レーザを使用し続けると、
半導体レーザが劣化し、レーザーの出力が低下してくる
ためファクスの画像濃度が低下し、さらには全く画像が
出力されないということが発生していた。特にファクス
は無人運転されることが多く、このような事態が発生す
ると転送されてきた重要な通信内容は全て無駄になって
しまうと言う課題を有していた。
【０００８】本発明は上記課題に鑑み半導体レーザが劣
化しだすと、それを検知し、検出信号を発生させる機能
を安価に提供するものである。
化しだすと、それを検知し、検出信号を発生させる機能
を安価に提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体レーザ劣化検出装置は、 半導体レー
ザの駆動電流の飽和点を監視する手段とこの半導体レー
ザのレーザ出力を監視している光センサとその出力電流
の低下を監視する手段とを備え、半導体レーザの駆動電
流が飽和しかつ光センサーの電流が低下したことをもっ
て劣化検出信号を出力する手段を持つという構成を備え
たものである。
に本発明の半導体レーザ劣化検出装置は、 半導体レー
ザの駆動電流の飽和点を監視する手段とこの半導体レー
ザのレーザ出力を監視している光センサとその出力電流
の低下を監視する手段とを備え、半導体レーザの駆動電
流が飽和しかつ光センサーの電流が低下したことをもっ
て劣化検出信号を出力する手段を持つという構成を備え
たものである。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって、その半導体レ
ーザが劣化し出力が低下することを検出することで、半
導体レーザが組み込まれたシステムが半導体レーザの出
力低下によりその機能を果たせなくなることによる被害
を最小限にくいとめることができることとなる。
ーザが劣化し出力が低下することを検出することで、半
導体レーザが組み込まれたシステムが半導体レーザの出
力低下によりその機能を果たせなくなることによる被害
を最小限にくいとめることができることとなる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例のレーザファクス等に
使うレーザ駆動部に本発明である半導体レーザ劣化検出
器を用いた場合について、図面を参照しながら説明す
る。
使うレーザ駆動部に本発明である半導体レーザ劣化検出
器を用いた場合について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１２】図１は実施例におけるレーザ駆動部にレー
ザ劣化検出器を接続した場合のブロック図である。また
図２は本発明の具体的な回路構成、図３は本発明のレー
ザの劣化検出の原理をしめしたものである。
ザ劣化検出器を接続した場合のブロック図である。また
図２は本発明の具体的な回路構成、図３は本発明のレー
ザの劣化検出の原理をしめしたものである。
【００１３】図２において、３は半導体レーザで４はそ
の光出力を検知するピンフォトダイオード５、６は比較
器を示している。
の光出力を検知するピンフォトダイオード５、６は比較
器を示している。
【００１４】以上のように構成された半導体レーザ劣化
検出回路について、以下図１、図２及び図３を用いてそ
の動作を説明する。
検出回路について、以下図１、図２及び図３を用いてそ
の動作を説明する。
【００１５】図１にしめしたブロック図のようにレーザ
ファックスに用いるレーザ駆動回路は半導体レーザのパ
ワーを一定にするようにレーザ出力を監視するピンフォ
トダイオードからの信号によってパワーを一定にするオ
ートパワーコントロールを使い、温度等によって変動す
るレーザの出力を一定に保っている。
ファックスに用いるレーザ駆動回路は半導体レーザのパ
ワーを一定にするようにレーザ出力を監視するピンフォ
トダイオードからの信号によってパワーを一定にするオ
ートパワーコントロールを使い、温度等によって変動す
るレーザの出力を一定に保っている。
【００１６】図３にＬＤが劣化していくにしたがって、
このピンフォトダイオードの出力電流をＩPD 半導体レ
ーザの駆動電流をＩLDとした場合のその変化を示す。
このピンフォトダイオードの出力電流をＩPD 半導体レ
ーザの駆動電流をＩLDとした場合のその変化を示す。
【００１７】レーザの劣化が始まると前述のオートパワ
ーコントロールにより一定の光量を保つためＩLDは増加
し、最後にはレーザの光量は低下しはじめる。ＩPDはＩ
LDが飽和して光量が低下しはじめると減少し始める。本
発明はこの性質を利用してＩ PDとＩLDを監視してＩPDが
飽和しかつＩLDが飽和するＡ点を検知し半導体レーザの
劣化を検出する。ＩPDとＩLDのいずれか一方のみの監視
では温度によってＩPDが低下したりＩLDが飽和したよう
な挙動をしめすことがあるので、両方を監視することで
レーザの劣化を正確に把握できる。
ーコントロールにより一定の光量を保つためＩLDは増加
し、最後にはレーザの光量は低下しはじめる。ＩPDはＩ
LDが飽和して光量が低下しはじめると減少し始める。本
発明はこの性質を利用してＩ PDとＩLDを監視してＩPDが
飽和しかつＩLDが飽和するＡ点を検知し半導体レーザの
劣化を検出する。ＩPDとＩLDのいずれか一方のみの監視
では温度によってＩPDが低下したりＩLDが飽和したよう
な挙動をしめすことがあるので、両方を監視することで
レーザの劣化を正確に把握できる。
【００１８】図１の半導体レーザ劣化検出部のブロック
図にしめすようにＩPDとＩLDの両方があるしきい値にな
った時に半導体レーザの劣化検出信号を出力する。
図にしめすようにＩPDとＩLDの両方があるしきい値にな
った時に半導体レーザの劣化検出信号を出力する。
【００１９】図２にしめすように具体的にＩLDとＩPDの
監視はそれを電圧変換したＶref1、Ｖref2により最適に
設定されたしきい値を両方が越えた時比較器によってそ
れを把握し検出信号を出力する。
監視はそれを電圧変換したＶref1、Ｖref2により最適に
設定されたしきい値を両方が越えた時比較器によってそ
れを把握し検出信号を出力する。
【００２０】以上のように本実施例によれば、半導体レ
ーザの駆動電流ＩLDの飽和点を監視する手段とレーザ出
力を監視している光センサの電流ＩPDが低下するのを監
視する手段とを備え、ＩPDが飽和しかつＩLD低下したこ
とをもって劣化検出信号を出力する手段を設けることに
より半導体レーザの劣化を正確に検出することができ
る。
ーザの駆動電流ＩLDの飽和点を監視する手段とレーザ出
力を監視している光センサの電流ＩPDが低下するのを監
視する手段とを備え、ＩPDが飽和しかつＩLD低下したこ
とをもって劣化検出信号を出力する手段を設けることに
より半導体レーザの劣化を正確に検出することができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザ劣化
検出器は半導体レーザの駆動電流の飽和点を監視する手
段とこの半導体レーザのレーザ出力を監視している光セ
ンサとその出力電流の低下を監視する手段とを備え、半
導体レーザの駆動電流が飽和しかつ光センサーの電流が
低下したことをもって劣化検出信号を出力する手段を設
けることにより、半導体レーザの劣化を正確に検出する
ことができる。
検出器は半導体レーザの駆動電流の飽和点を監視する手
段とこの半導体レーザのレーザ出力を監視している光セ
ンサとその出力電流の低下を監視する手段とを備え、半
導体レーザの駆動電流が飽和しかつ光センサーの電流が
低下したことをもって劣化検出信号を出力する手段を設
けることにより、半導体レーザの劣化を正確に検出する
ことができる。
【図１】実施例のブロック図
【図２】実施例の回路構成図
【図３】発明の原理図
【図４】従来の例の概略図
１ 半導体レーザ ２ ピンフォトダイオード ３ 半導体レーザ ４ ピンフォトダイオード ５ 比較器I ６ 比較器II ７ 半導体レーザ ８ 結像レンズ ９ 結像レンズ １０ 結像レンズ １１ 結像レンズ １２ 折返しミラーI １３ 折返しミラーII １４ ポリゴンミラー １５ 感光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾花 昇 大阪府大阪市中央区備後町３丁目６番２号 ＫＦセンタービルディング８階 株式会 社メイテック西部事業部内
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザの駆動電流の飽和点を監視す
る手段と前記半導体レーザのレーザ出力を監視している
光センサと前記光センサの出力電流の低下を監視する手
段とを備え、前記半導体レーザの駆動電流が飽和しかつ
前記光センサーの電流が低下したことをもって劣化検出
信号を出力する手段を持つことを特徴とする半導体レー
ザ劣化検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160657A JPH065973A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体レーザ劣化検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4160657A JPH065973A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体レーザ劣化検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065973A true JPH065973A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15719678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160657A Pending JPH065973A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体レーザ劣化検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065973A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004254240A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード管理装置およびレーザダイオード管理方法 |
| JP2012018311A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP4160657A patent/JPH065973A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004254240A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード管理装置およびレーザダイオード管理方法 |
| JP2012018311A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Sharp Corp | 画像形成装置 |
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