JPH0660219B2 - ポリアセチレンの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレンの製造方法Info
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- JPH0660219B2 JPH0660219B2 JP11390488A JP11390488A JPH0660219B2 JP H0660219 B2 JPH0660219 B2 JP H0660219B2 JP 11390488 A JP11390488 A JP 11390488A JP 11390488 A JP11390488 A JP 11390488A JP H0660219 B2 JPH0660219 B2 JP H0660219B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気材料に関するもので、さらに詳しくは、
電気伝導性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機材料の製造方法に関するものである。
電気伝導性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機材料の製造方法に関するものである。
従来の技術 アセチレン誘導体のポリマーは、π電子共役系を持つた
め、電気伝導性や非線形光学効果を示すことから、電気
機能材料、光学機能材料として広く研究されている。
め、電気伝導性や非線形光学効果を示すことから、電気
機能材料、光学機能材料として広く研究されている。
これまでのポリアセチレンの製造方法としては、白川法
と呼ばれる触媒を利用した重合法がよく知られている。
と呼ばれる触媒を利用した重合法がよく知られている。
一方、親水性基と疎水性基をもつ両親媒性のアセチレン
誘導体を用いれば、ラングミュアーブロジェット法（以
下、ＬＢ法と称する。）によりオングストロームオーダ
ーの超薄膜であるアセチレン誘導体の単分子膜を形成で
き、さらに、累積膜を形成することもできる。そのた
め、ＬＢ法を用いたポリアセチレンの研究が盛んに行わ
れている。
誘導体を用いれば、ラングミュアーブロジェット法（以
下、ＬＢ法と称する。）によりオングストロームオーダ
ーの超薄膜であるアセチレン誘導体の単分子膜を形成で
き、さらに、累積膜を形成することもできる。そのた
め、ＬＢ法を用いたポリアセチレンの研究が盛んに行わ
れている。
発明が解決しようとする課題 ところが、単に、親水性基と疎水性基をもつ両親媒性の
アセチレン誘導体を水面上に展開しただけでは、単分子
膜＜１００＞を形成している直鎖状炭化水素分子内のア
セチレン基＜１０１＞の向きが、各々の分子で様々な方
向を向いており、そののちのエネルギービームの照射に
よる重合反応では、重合によって形成される共役二重結
合の形成方向が、アセチレン基の向きによるため、一方
向に長い共役二重接合を持つポリアセチレン＜１０２＞
を形成できる可能性はほとんどなく、また、それを解決
する方法も見いだされてなかった。＜第２１図＞ 課題を解決するための手段 本発明では、有機溶剤に溶解させたアセチレン基およ
び、分極率の大きい置換基、または、不対電子をもつ置
換基をふくむ直鎖状炭化水素分子でその分子の両端の一
方が親水基からなり、また、他方が疎水基からなる有機
分子を水面上に展開し、前記有機溶剤を蒸発させたの
ち、水面上に残った前記アセチレン基を含む有機分子を
水面上で水面方向にバリアでかき集め、所定の表面圧力
を加えながら、水面上に単分子膜をを形成する。この
時、単分子膜に対して、所定の角度で、また、所定の強
度の磁場をかける。つぎに、前記単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、もしくは、水面上に形成した単分子
膜の状態でエネルギービームを照射して重合反応を行
う。この時も、単分子膜に対して。所定の角度で、ま
た、所定の強度の磁場をかける。以上の処理によりポリ
アセチレンを形成する。
アセチレン誘導体を水面上に展開しただけでは、単分子
膜＜１００＞を形成している直鎖状炭化水素分子内のア
セチレン基＜１０１＞の向きが、各々の分子で様々な方
向を向いており、そののちのエネルギービームの照射に
よる重合反応では、重合によって形成される共役二重結
合の形成方向が、アセチレン基の向きによるため、一方
向に長い共役二重接合を持つポリアセチレン＜１０２＞
を形成できる可能性はほとんどなく、また、それを解決
する方法も見いだされてなかった。＜第２１図＞ 課題を解決するための手段 本発明では、有機溶剤に溶解させたアセチレン基およ
び、分極率の大きい置換基、または、不対電子をもつ置
換基をふくむ直鎖状炭化水素分子でその分子の両端の一
方が親水基からなり、また、他方が疎水基からなる有機
分子を水面上に展開し、前記有機溶剤を蒸発させたの
ち、水面上に残った前記アセチレン基を含む有機分子を
水面上で水面方向にバリアでかき集め、所定の表面圧力
を加えながら、水面上に単分子膜をを形成する。この
時、単分子膜に対して、所定の角度で、また、所定の強
度の磁場をかける。つぎに、前記単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、もしくは、水面上に形成した単分子
膜の状態でエネルギービームを照射して重合反応を行
う。この時も、単分子膜に対して。所定の角度で、ま
た、所定の強度の磁場をかける。以上の処理によりポリ
アセチレンを形成する。
作用 本発明で用いるアセチレン基を持つ直鎖状炭化水素分子
には分極率の大きい基、または、不対電子持つ基があ
り、外部からかけられる磁場の角度およびその強度に応
じて前記の基の向きが定められる。したがって、水面上
に展開された前記有機分子をバリアでかき集めるときに
磁場をかけると前記基の向きが一定となり、そのため、
前記直鎖状炭化水素分子の炭素原子および水素原子の立
体的位置は一意的に定まる。同時に、前記直鎖状炭化水
素分子内のアセチレン基の立体的向きも一意的に定ま
る。この状態はすべての直鎖状炭化水素分子に共通であ
るため、すべてのアセチレン基の立体的向きは同一方向
となり、非常に整った単分子膜が形成される。さらに、
エネルギービームを前述した単分子膜に照射して、アセ
チレンモノマーを重合反応させポリアセチレンを形成す
るときも、同様に磁場をかけることにより同じ効果が生
じ、非常に長い共役二重結合を持つポリアセチレンを形
成することができる。
には分極率の大きい基、または、不対電子持つ基があ
り、外部からかけられる磁場の角度およびその強度に応
じて前記の基の向きが定められる。したがって、水面上
に展開された前記有機分子をバリアでかき集めるときに
磁場をかけると前記基の向きが一定となり、そのため、
前記直鎖状炭化水素分子の炭素原子および水素原子の立
体的位置は一意的に定まる。同時に、前記直鎖状炭化水
素分子内のアセチレン基の立体的向きも一意的に定ま
る。この状態はすべての直鎖状炭化水素分子に共通であ
るため、すべてのアセチレン基の立体的向きは同一方向
となり、非常に整った単分子膜が形成される。さらに、
エネルギービームを前述した単分子膜に照射して、アセ
チレンモノマーを重合反応させポリアセチレンを形成す
るときも、同様に磁場をかけることにより同じ効果が生
じ、非常に長い共役二重結合を持つポリアセチレンを形
成することができる。
実施例 以下に、本発明の第１の実施例を模式図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
本発明に使用したアセチレン基を含む直鎖状炭化水素分
子１はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣｌ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
には塩素原子が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
１をクロロホルムに溶解させ、水面２上に滴下し、展開
させる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア３でも
って、前記直鎖状炭化水素分子１をかき集め、一定の表
面圧を加えて水面上に単分子膜４を形成する。このと
き、同時に水面に平行に磁場５をかけておく。磁場の影
響により、前記直鎖状炭化水素分子１内の塩素原子６は
炭素原子７−塩素原子６間の分極により磁場のプラス側
８に向く。
子１はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣｌ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
には塩素原子が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
１をクロロホルムに溶解させ、水面２上に滴下し、展開
させる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア３でも
って、前記直鎖状炭化水素分子１をかき集め、一定の表
面圧を加えて水面上に単分子膜４を形成する。このと
き、同時に水面に平行に磁場５をかけておく。磁場の影
響により、前記直鎖状炭化水素分子１内の塩素原子６は
炭素原子７−塩素原子６間の分極により磁場のプラス側
８に向く。
したがって、同直鎖状炭化水素分子１内にあるアセチレ
ン基９の立体的向きも一意的に定められる。このアセチ
レン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分子内のア
セチレン基に共通である。＜第１図および第２図（ただ
し、第２図は第１図の円内の拡大図である）＞ つぎに、水面上に形成された単分子膜４にエネルギービ
ームとしてＸ線１０を照射する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。Ｘ線１０の照射によりアセチ
レンは重合反応を起こし、ポリアセチレン１１を形成す
る。＜第３図および第４図（ただし、第４図は第３図の
円内の拡大図である。）＞ つぎに、水面上に形成したポリアセチレンを含むポリマ
ー１２を基板１３上に移し取り、ポリアセチレン膜１４
を形成する。＜第５図＞ 以下に、本発明の第２の実施例を模式図面（第２図）を
用いて詳細に説明する。
ン基９の立体的向きも一意的に定められる。このアセチ
レン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分子内のア
セチレン基に共通である。＜第１図および第２図（ただ
し、第２図は第１図の円内の拡大図である）＞ つぎに、水面上に形成された単分子膜４にエネルギービ
ームとしてＸ線１０を照射する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。Ｘ線１０の照射によりアセチ
レンは重合反応を起こし、ポリアセチレン１１を形成す
る。＜第３図および第４図（ただし、第４図は第３図の
円内の拡大図である。）＞ つぎに、水面上に形成したポリアセチレンを含むポリマ
ー１２を基板１３上に移し取り、ポリアセチレン膜１４
を形成する。＜第５図＞ 以下に、本発明の第２の実施例を模式図面（第２図）を
用いて詳細に説明する。
発明に使用したアセチレン基を含む直鎖状炭化水素分子
２０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣＮ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
にはシアノ基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
２０をクロロホルムに溶解させ、水面２１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア２
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子２０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜２３を形成す
る。このとき、同時に水面に平行に磁場２４をかけてお
く。磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子２０内
のシアノ基２５はシアノ基内の窒素原子の不対電子のス
ピン効果により反磁性となり磁場のプラス側２６に向
く。したがって、同直鎖状炭化水素分子２０内にあるア
セチレン基２７の立体的向きも一意的に定められる。こ
のアセチレン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基に共通である。＜第６図および第７
図（ただし、第７図は第６図の円内の拡大図である）＞ つぎに、水面上に形成された単分子膜２３にエネルギー
ビームとしてＸ線２８を照射する。この時も、前述と同
様に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立
体的向きを一定にしておく。Ｘ線２８の照射によりアセ
チレンは重合反応を起こし、ポリアセチレン２９を形成
する。＜第８図および第９図（ただし、第９図は第８図
の円内の拡大図である。）＞ つぎに、水面上に形成したポリアセチレンを含むポリマ
ー３０を基板３１上に移し取り、ポリアセチレン膜３２
を形成する。＜第１０図＞ 以下に、本発明の第３の実施例を模式図面を用いて詳細
に説明する。
２０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣＮ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
にはシアノ基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
２０をクロロホルムに溶解させ、水面２１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア２
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子２０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜２３を形成す
る。このとき、同時に水面に平行に磁場２４をかけてお
く。磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子２０内
のシアノ基２５はシアノ基内の窒素原子の不対電子のス
ピン効果により反磁性となり磁場のプラス側２６に向
く。したがって、同直鎖状炭化水素分子２０内にあるア
セチレン基２７の立体的向きも一意的に定められる。こ
のアセチレン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基に共通である。＜第６図および第７
図（ただし、第７図は第６図の円内の拡大図である）＞ つぎに、水面上に形成された単分子膜２３にエネルギー
ビームとしてＸ線２８を照射する。この時も、前述と同
様に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立
体的向きを一定にしておく。Ｘ線２８の照射によりアセ
チレンは重合反応を起こし、ポリアセチレン２９を形成
する。＜第８図および第９図（ただし、第９図は第８図
の円内の拡大図である。）＞ つぎに、水面上に形成したポリアセチレンを含むポリマ
ー３０を基板３１上に移し取り、ポリアセチレン膜３２
を形成する。＜第１０図＞ 以下に、本発明の第３の実施例を模式図面を用いて詳細
に説明する。
発明に使用したアセチレン基を含む直鎖状炭化水素分子
４０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣｌ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
には塩素原子が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
４０をクロロホルムに溶解させ、水面４１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア４
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子４０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜４３を形成す
る。
４０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣｌ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
には塩素原子が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
４０をクロロホルムに溶解させ、水面４１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア４
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子４０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜４３を形成す
る。
このとき、同時に水面に平行に磁場４４をかけておく。
磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子４０内の塩
素原子４５は炭素原子４６−塩素原子４５間の分極によ
り磁場のプラス側４７に向く。したがって、同直鎖状炭
化水素分子４０内にあるアセチレン基４８の立体的向き
も一意的に定められる。このアセチレン基の立体的向き
は全ての直鎖状炭化水素分子内のアセチレン基に共通で
ある。＜第１１図および第１２図（ただし、第１２図は
第１１図の円内の拡大図である）＞ つぎに、一定な表面圧を加えながら水面４１上に形成さ
れた単分子膜４３を基板４９上にうつしとる。＜第１３
図＞ つぎに、基板４９上に移し取られた単分子膜４３にエネ
ルギービームとしてＸ線５０を照射する。Ｘ線照射によ
り単分子膜内のアセチレン基４８は重合反応を起こしポ
リアセチレン膜５１を形成する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。＜第１４図および第１５図
（ただし、第１５図は第１４図の円内の拡大図であ
る。）＞ 以下に、本発明の第４の実施例を模式図面を用いて詳細
に説明する。
磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子４０内の塩
素原子４５は炭素原子４６−塩素原子４５間の分極によ
り磁場のプラス側４７に向く。したがって、同直鎖状炭
化水素分子４０内にあるアセチレン基４８の立体的向き
も一意的に定められる。このアセチレン基の立体的向き
は全ての直鎖状炭化水素分子内のアセチレン基に共通で
ある。＜第１１図および第１２図（ただし、第１２図は
第１１図の円内の拡大図である）＞ つぎに、一定な表面圧を加えながら水面４１上に形成さ
れた単分子膜４３を基板４９上にうつしとる。＜第１３
図＞ つぎに、基板４９上に移し取られた単分子膜４３にエネ
ルギービームとしてＸ線５０を照射する。Ｘ線照射によ
り単分子膜内のアセチレン基４８は重合反応を起こしポ
リアセチレン膜５１を形成する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。＜第１４図および第１５図
（ただし、第１５図は第１４図の円内の拡大図であ
る。）＞ 以下に、本発明の第４の実施例を模式図面を用いて詳細
に説明する。
発明に使用したアセチレン基を含む直鎖状炭化水素分子
６０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣＮ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
にはシアノ基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
６０をクロロホルムに溶解させ、水面６１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア６
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子６０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜６３を形成す
る。このとき、同時に水面に平行に磁場６４をかけてお
く。磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子６０内
のシアノ基６５はシアノ基内の窒素原子の不対電子のス
ピン効果により反磁性となり磁場のプラス側６６に向
く。したがって、同直鎖状炭化水素分子６０内にあるア
セチレン基６７の立体的向きも一意的に定められる。こ
のアセチレン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基に共通である。＜第１６図および第
１７図（ただし、第１７図は第１６図の円内の拡大図で
ある）＞ つぎに、一定な表面圧を加えながら水面６１上に形成さ
れた単分子膜６３を基板６９上にうつしとる。＜第１８
図＞ つぎに、基板６９上に移し取られた単分子膜６３にエネ
ルギービームとしてＸ線７０を照射する。Ｘ線照射によ
り単分子膜内のアセチレン基６８は重合反応を起こしポ
リアセチレン膜７１を形成する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。＜第１９図および第２０図
（ただし、第２０図は第１９図の円内の拡大図であ
る。）＞ なお、本発明の実施例では磁場をかけながら単分子膜を
形成し、そののち、基板上に単分子膜を移し取り、磁場
をかけながらエネルギービームを照射し重合反応させ、
ポリアセチレンを形成する例と磁場をかけながら単分子
膜を形成し、そののち、磁場をかけながらエネルギービ
ームを照射し重合反応させ、水面上でポリアセチレンを
形成し、基板上に単分子膜を移し取る例をポリアセチレ
ンを含む直鎖状炭化水素誘導体として分極率を有する置
換基の例とポリアセチレンを含む直鎖状炭化水素誘導体
として不対電子を有する置換基の例について示したが、
そのほか、水面上に形成された単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、磁場をかけた状態で前記単分子膜に
エネルギービームを照射する例、磁場をかけた状態で
水面上に単分子膜を形成し、前記単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、エネルギービームを前記単分子膜に
照射する例、水面上に形成された単分子膜に磁場をか
けた状態でエネルギービームを照射し、そののち、水面
上の重合されたポリアセチレンを基板に移し取る例、
磁場をかけた状態で水面上に単分子膜を形成し、かつ、
水面上に形成された単分子膜にエネルギービームを照射
し、そののち、水面上に重合されたポリアセチレンを基
板に移し取る例は、第１の実施例、第２の実施例、第３
の実施例、第４の実施例の構成要素であることは明白で
ある。
６０はω−トリコシノイック膜（ＣＨ≡Ｃ−ＣＨＣＮ−
（ＣＨ２）１９−ＣＯＯＨ）で、３位の位置の炭素原子
にはシアノ基が配位している。前記直鎖状炭化水素分子
６０をクロロホルムに溶解させ、水面６１上に滴下し、
展開ぅせる。クロロホルムを蒸発させたのち、バリア６
２でもって、前記直鎖状炭化水素分子６０をかき集め、
一定の表面圧を加えて水面上に単分子膜６３を形成す
る。このとき、同時に水面に平行に磁場６４をかけてお
く。磁場の影響により、前記直鎖状炭化水素分子６０内
のシアノ基６５はシアノ基内の窒素原子の不対電子のス
ピン効果により反磁性となり磁場のプラス側６６に向
く。したがって、同直鎖状炭化水素分子６０内にあるア
セチレン基６７の立体的向きも一意的に定められる。こ
のアセチレン基の立体的向きは全ての直鎖状炭化水素分
子内のアセチレン基に共通である。＜第１６図および第
１７図（ただし、第１７図は第１６図の円内の拡大図で
ある）＞ つぎに、一定な表面圧を加えながら水面６１上に形成さ
れた単分子膜６３を基板６９上にうつしとる。＜第１８
図＞ つぎに、基板６９上に移し取られた単分子膜６３にエネ
ルギービームとしてＸ線７０を照射する。Ｘ線照射によ
り単分子膜内のアセチレン基６８は重合反応を起こしポ
リアセチレン膜７１を形成する。この時も、前述と同様
に、同方向、同強度の磁場をかけ、アセチレン基の立体
的向きを一定にしておく。＜第１９図および第２０図
（ただし、第２０図は第１９図の円内の拡大図であ
る。）＞ なお、本発明の実施例では磁場をかけながら単分子膜を
形成し、そののち、基板上に単分子膜を移し取り、磁場
をかけながらエネルギービームを照射し重合反応させ、
ポリアセチレンを形成する例と磁場をかけながら単分子
膜を形成し、そののち、磁場をかけながらエネルギービ
ームを照射し重合反応させ、水面上でポリアセチレンを
形成し、基板上に単分子膜を移し取る例をポリアセチレ
ンを含む直鎖状炭化水素誘導体として分極率を有する置
換基の例とポリアセチレンを含む直鎖状炭化水素誘導体
として不対電子を有する置換基の例について示したが、
そのほか、水面上に形成された単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、磁場をかけた状態で前記単分子膜に
エネルギービームを照射する例、磁場をかけた状態で
水面上に単分子膜を形成し、前記単分子膜を所定の基板
に移し取ったのち、エネルギービームを前記単分子膜に
照射する例、水面上に形成された単分子膜に磁場をか
けた状態でエネルギービームを照射し、そののち、水面
上の重合されたポリアセチレンを基板に移し取る例、
磁場をかけた状態で水面上に単分子膜を形成し、かつ、
水面上に形成された単分子膜にエネルギービームを照射
し、そののち、水面上に重合されたポリアセチレンを基
板に移し取る例は、第１の実施例、第２の実施例、第３
の実施例、第４の実施例の構成要素であることは明白で
ある。
また、本発明の実施例では、アセチレン基を含む直鎖状
炭化水素分子としてω−トリコシノイック酸（ＣＨ≡Ｃ
−（ＣＨ２）２０−ＣＯＯＨ）誘導体を用いたが、これ
関わらず、アセチレン基を含むその他の直鎖状炭化水素
分子であってもよい。
炭化水素分子としてω−トリコシノイック酸（ＣＨ≡Ｃ
−（ＣＨ２）２０−ＣＯＯＨ）誘導体を用いたが、これ
関わらず、アセチレン基を含むその他の直鎖状炭化水素
分子であってもよい。
さらになお、分極率の大きい基として本発明の実施例で
は、塩素原子の例を示したが、その他の分極率の大きい
基として−Ｆ、−ＮＯ２基、−ＣＨＯ基などであっても
よい。
は、塩素原子の例を示したが、その他の分極率の大きい
基として−Ｆ、−ＮＯ２基、−ＣＨＯ基などであっても
よい。
さらにまた、不対電子を持つ基として本発明の実施例で
は−ＣＮ基の例を示したが、その他の不対電子を持ち、
高スピン多重度を有する置換基であればよい、その例と
してカルベンを含む基などがある。
は−ＣＮ基の例を示したが、その他の不対電子を持ち、
高スピン多重度を有する置換基であればよい、その例と
してカルベンを含む基などがある。
さらにさらになお、本発明の実施例では、アセチレンの
Ｘ線照射により機能性膜としてポリアセチレンを形成す
る例を示したが、そのほか、様々な機能性膜を形成でき
る。その例として、ジアセチレンの重合反応によりポリ
ジアセチレンを形成することができる。
Ｘ線照射により機能性膜としてポリアセチレンを形成す
る例を示したが、そのほか、様々な機能性膜を形成でき
る。その例として、ジアセチレンの重合反応によりポリ
ジアセチレンを形成することができる。
さらにさらにまた、本発明の実施例では、磁場を用いて
直鎖状炭化水素分子の配列を整列したが、そのほか、電
場を用いて直鎖状炭化水素分子の配列を整列してもよ
い。
直鎖状炭化水素分子の配列を整列したが、そのほか、電
場を用いて直鎖状炭化水素分子の配列を整列してもよ
い。
さらにさらにさらになお、本発明の実施例では、ＬＢ法
により単分子膜による例を示したが、ＬＢ法により形成
された累積膜であっても本発明による効果が得られるこ
とは明白である。
により単分子膜による例を示したが、ＬＢ法により形成
された累積膜であっても本発明による効果が得られるこ
とは明白である。
さらにさらにさらにまた、本発明の実施例では、アセチ
レン基を含み、末端にカルボン酸のある直鎖状炭化水素
分子の用いてＬＢ法により単分子膜を形成したが、−Ｓ
ｉＣｌ３のような水に対して活性な基を付加させて置け
ばＬＢ法の代わりに化学吸着法の使用が可能なことは言
うまでもない。
レン基を含み、末端にカルボン酸のある直鎖状炭化水素
分子の用いてＬＢ法により単分子膜を形成したが、−Ｓ
ｉＣｌ３のような水に対して活性な基を付加させて置け
ばＬＢ法の代わりに化学吸着法の使用が可能なことは言
うまでもない。
発明の効果 本発明を用いることにより、電気伝導性や非線形光学効
果の優れたポリアセチレンを効率よく製造することがで
きる。さらに、この製造方法では、理論的には共役二重
結合が連続して形成できるため、従来得られなかった非
常に長い直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も
可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの
製作には極めて有効である。また。超共役二重結合は超
伝導性を有すると考えられており、本発明により常温超
伝導物質が製作できる可能性がある。
果の優れたポリアセチレンを効率よく製造することがで
きる。さらに、この製造方法では、理論的には共役二重
結合が連続して形成できるため、従来得られなかった非
常に長い直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も
可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの
製作には極めて有効である。また。超共役二重結合は超
伝導性を有すると考えられており、本発明により常温超
伝導物質が製作できる可能性がある。
第１図から第５図は本発明の第１の実施例を示す模式
図、第６図から第１０図は本発明の第２の実施例を示す
模式図、第１１図から第１５図は本発明の第３の実施例
を示す模式図、第１６図から第２０図は本発明の第４の
実施例を示す模式図、第２１図は従来例を示す模式図で
ある。 １，２０，４０，６０……直鎖状炭化水素分子、４，２
３，４３，６３……単分子膜、５，２４，４４，６４…
…磁場、６，４５……塩素原子、７，４６……炭素原
子、９，２７，４８，６７……アセチレン基、１０，２
８，５０，７０……Ｘ線、１４，３２，５１，７１……
ポリアセチレン膜、２５，６５……シアノ基。
図、第６図から第１０図は本発明の第２の実施例を示す
模式図、第１１図から第１５図は本発明の第３の実施例
を示す模式図、第１６図から第２０図は本発明の第４の
実施例を示す模式図、第２１図は従来例を示す模式図で
ある。 １，２０，４０，６０……直鎖状炭化水素分子、４，２
３，４３，６３……単分子膜、５，２４，４４，６４…
…磁場、６，４５……塩素原子、７，４６……炭素原
子、９，２７，４８，６７……アセチレン基、１０，２
８，５０，７０……Ｘ線、１４，３２，５１，７１……
ポリアセチレン膜、２５，６５……シアノ基。
Claims (8)
- 【請求項１】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、単分子膜を所定の基板に移し取ったの
ち、磁場をかけた状態で前記単分子膜にエネルギービー
ムを照射することを特徴としたポリアセチレンの製造方
法。 - 【請求項２】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、磁場をかけた状態で水面上に単分子膜
を形成し、前記単分子膜を所定の基板に移し取ったの
ち、エネルギービームを前記単分子膜に照射することを
特徴としたポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項３】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、磁場をかけた状態で水面上に単分子膜
を形成し、前記単分子膜を所定の基板に移し取ったの
ち、磁場をかけた状態でエネルギービームを照射するこ
とを特徴としたポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項４】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、水面上に形成された単分子膜に磁場を
かけた状態でエネルギービームを照射し、そののち、水
面上の重合されたポリアセチレンを基板に移し取ること
を特徴としたポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項５】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、磁場をかけた状態で水面上に単分子膜
を形成し、かつ、水面上に形成された単分子膜にエネル
ギービームを照射し、そののち、水面上の重合されたポ
リアセチレンを基板に移し取ることを特徴としたポリア
セチレンの製造方法。 - 【請求項６】有機溶剤に溶解させたアセチレン基（−Ｃ
≡Ｃ−）を含む有機分子を水面上に展開し、前記有機溶
剤を蒸発させたのち、前記水面上に展開した前記アセチ
レン基を含む有機分子を集め、所定の表面圧力を加え
て、有機分子の単分子膜を水面上に形成する工程と、前
記単分子膜を所定の基板に移し取る工程と、エネルギー
ビームを前記単分子膜に照射し前記有機分子内のアセチ
レン基を重合させる工程とからなるポリアセチレンの製
造方法において、磁場をかけた状態で水面上に単分子膜
を形成し、かつ、水面上に形成された単分子膜に磁場を
かけた状態でエネルギービームを照射し、そののち、水
面上の重合されたポリアセチレンを基板に移し取ること
を特徴としたポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項７】アセチレン基を含む有機分子が直鎖状炭化
水素分子からなり、その末端の一方が親水基からなり、
また、他方が疎水基からなり、かつ、前記直鎖状炭化水
素分子中の任意の位置に分極率の大きい置換基を持つこ
とを特徴とした特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれ
かに記載のポリアセチレンの製造方法。 - 【請求項８】アセチレン基を含む有機分子が直鎖状炭化
水素分子からなり、その末端の一方が親水基からなり、
また、他方が疎水基からなり、かつ、前記直鎖状炭化水
素分子中の任意の位置に不対電子を持つ置換基を持つこ
とを特徴とした特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれ
かに記載のポリアセチレンの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11390488A JPH0660219B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ポリアセチレンの製造方法 |
| US07/347,213 US5019303A (en) | 1988-05-11 | 1989-05-04 | Process for producing polyacetylene |
| DE8989108432T DE68905518T2 (de) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Verfahren zur herstellung von polyacetylen. |
| EP89108432A EP0341697B1 (en) | 1988-05-11 | 1989-05-10 | Process for producing polyacetylene |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11390488A JPH0660219B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ポリアセチレンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01284511A JPH01284511A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0660219B2 true JPH0660219B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=14624081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11390488A Expired - Lifetime JPH0660219B2 (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ポリアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660219B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11390488A patent/JPH0660219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01284511A (ja) | 1989-11-15 |
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