JPH0660321B2 - 金属粉末の酸化物除去方法 - Google Patents
金属粉末の酸化物除去方法Info
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- JPH0660321B2 JPH0660321B2 JP1094286A JP9428689A JPH0660321B2 JP H0660321 B2 JPH0660321 B2 JP H0660321B2 JP 1094286 A JP1094286 A JP 1094286A JP 9428689 A JP9428689 A JP 9428689A JP H0660321 B2 JPH0660321 B2 JP H0660321B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は金属粒子がプラズマ流によって噴射されるプラ
ズマ装置に関し、特にプラズマ流内に導入された粉末状
金属粒子から酸化物を除去する方法に関する。
ズマ装置に関し、特にプラズマ流内に導入された粉末状
金属粒子から酸化物を除去する方法に関する。
［従来の技術］ チタン及びタンタル、そしてアルミニウムをも含む耐火
性物質をその粒子の表面に酸化層が存在しないように粉
末状に生産することは難しい。このような粉体を形成す
る典型的な製法には、その金属を溶融させてガス流にそ
の溶融金属を導入するという手法を伴なう。このような
金属粒子が形成されるに伴なって、その物質の高度な被
酸化性の性質により此等粒子の外側には酸化層が形成さ
れる。このような酸化は他の粉末形成方法によって最少
とすることができるが、そのような方法は相対的にコス
ト高となる傾向にある。
性物質をその粒子の表面に酸化層が存在しないように粉
末状に生産することは難しい。このような粉体を形成す
る典型的な製法には、その金属を溶融させてガス流にそ
の溶融金属を導入するという手法を伴なう。このような
金属粒子が形成されるに伴なって、その物質の高度な被
酸化性の性質により此等粒子の外側には酸化層が形成さ
れる。このような酸化は他の粉末形成方法によって最少
とすることができるが、そのような方法は相対的にコス
ト高となる傾向にある。
［発明が解決しようとする課題］ 金属粉末、特に高度な被酸化性の特質を有する金属粉末
をプラズマ流を用いることによってある基板上にコーテ
ィングさせる場合には更なる問題が発生する。酸化物は
比較的に除去された形でこのような粉末が形成された場
合でさえ、基板上にコーティングをなすためにプラズマ
流内に該粉末を単に導入する方法では典型的にはその粉
末粒子にいくらかの酸化物を含ませる結果となる。この
ことは、チタン、タンタル、及びアルミニウム等の高度
な被酸化性の物質に特に当てはまる。殆どの金属粒子は
プラズマ流内に噴射されると共に何等かの酸化を受ける
傾向にあることを当業者は認識してきた。これに対する
当然の反応としては粉末物質を急激に噴射して実質的な
酸化が起こる前にこれらを基板上に堆積させるとする要
望であった。しかし、酸化工程の速度を決定することは
難しかった。更には、低静圧をもたらす真空源の使用を
通じてプラズマの超音波速度が作り出された場合でさ
え、金属粒子に何等かの酸化物が依然観察される。
をプラズマ流を用いることによってある基板上にコーテ
ィングさせる場合には更なる問題が発生する。酸化物は
比較的に除去された形でこのような粉末が形成された場
合でさえ、基板上にコーティングをなすためにプラズマ
流内に該粉末を単に導入する方法では典型的にはその粉
末粒子にいくらかの酸化物を含ませる結果となる。この
ことは、チタン、タンタル、及びアルミニウム等の高度
な被酸化性の物質に特に当てはまる。殆どの金属粒子は
プラズマ流内に噴射されると共に何等かの酸化を受ける
傾向にあることを当業者は認識してきた。これに対する
当然の反応としては粉末物質を急激に噴射して実質的な
酸化が起こる前にこれらを基板上に堆積させるとする要
望であった。しかし、酸化工程の速度を決定することは
難しかった。更には、低静圧をもたらす真空源の使用を
通じてプラズマの超音波速度が作り出された場合でさ
え、金属粒子に何等かの酸化物が依然観察される。
従来の調音速プラズマ装置の一例は、1982年５月４日に
発行されて本願と共通する譲受人を有するところのミュ
ールバーガー等に対する米国特許第4,328,257号によっ
て提供されている。ミュールバーガー等の特許は、真空
源がプラズマ銃と該プラズマ銃の下流に位置するワーク
ピースとを含むエンクロージャ内を低静圧になしている
プラズマ装置を記載している。このプラズマ銃はプラズ
マ流を作り出すために不活性ガスをイオン化している。
プラズマ流は、真空源によって作り出された低静圧の
下、超音速でプラズマ銃からワークピースへ流れる。プ
ラズマ銃に隣接する部位におけるプラズマ流内へ導入さ
れた金属粉末はワークピースに運ばれて該ワークピース
上にコーティングとして堆積される。
発行されて本願と共通する譲受人を有するところのミュ
ールバーガー等に対する米国特許第4,328,257号によっ
て提供されている。ミュールバーガー等の特許は、真空
源がプラズマ銃と該プラズマ銃の下流に位置するワーク
ピースとを含むエンクロージャ内を低静圧になしている
プラズマ装置を記載している。このプラズマ銃はプラズ
マ流を作り出すために不活性ガスをイオン化している。
プラズマ流は、真空源によって作り出された低静圧の
下、超音速でプラズマ銃からワークピースへ流れる。プ
ラズマ銃に隣接する部位におけるプラズマ流内へ導入さ
れた金属粉末はワークピースに運ばれて該ワークピース
上にコーティングとして堆積される。
ミュールバーガー等の特許に記載されているプラズマ装
置は、ワークピースの浄化の目的をもって該ワークピー
スに初期的な負極或は陰極の条件を設定するために好都
合に用いられる切換可能な複数のトランスファーアーク
電源を採用している。その後にワークピースは、プラズ
マ流内に導入された金属粉末の該ワークピース上への堆
積を高めるためにプラズマ銃に対して正極化されてい
る。しかし、プラズマ流の超音速度にも拘わらず、プラ
ズマ流に沿っての進行と共に金属粉末にはいくらかの酸
化物が依然として生ずることが観察された。このこと
は、プラズマ流中に比較的純粋で且つ酸化物の無い状態
で導入された時でさえ高度な被酸化性の耐火性物質の場
合には特に当てはまる。先に注記したように、金属粉末
を生産する費用のより安い方法ではプラズマ流に導入す
らする前に酸化コーティングを伴なう粉末粒子を供給す
る結果となると共に、このような物質をその粒子上に酸
化コーティングを形成することなく粉末状に生成するこ
とは難しい。これは全てワークピース上に形成されるコ
ーティング中の実質上の酸化物となる。
置は、ワークピースの浄化の目的をもって該ワークピー
スに初期的な負極或は陰極の条件を設定するために好都
合に用いられる切換可能な複数のトランスファーアーク
電源を採用している。その後にワークピースは、プラズ
マ流内に導入された金属粉末の該ワークピース上への堆
積を高めるためにプラズマ銃に対して正極化されてい
る。しかし、プラズマ流の超音速度にも拘わらず、プラ
ズマ流に沿っての進行と共に金属粉末にはいくらかの酸
化物が依然として生ずることが観察された。このこと
は、プラズマ流中に比較的純粋で且つ酸化物の無い状態
で導入された時でさえ高度な被酸化性の耐火性物質の場
合には特に当てはまる。先に注記したように、金属粉末
を生産する費用のより安い方法ではプラズマ流に導入す
らする前に酸化コーティングを伴なう粉末粒子を供給す
る結果となると共に、このような物質をその粒子上に酸
化コーティングを形成することなく粉末状に生成するこ
とは難しい。これは全てワークピース上に形成されるコ
ーティング中の実質上の酸化物となる。
プラズマ流へ金属粉末を噴射して酸化物を最少とする他
にとるべき方法又はアプローチとしては、本願と同様の
譲受人を有して1987年８月25日に発行されたミュールバ
ーガーの米国特許第4,689,468号に記載されている。こ
のミュールバーガーの‘468号特許では、ワークピース
又は基板の酸化物は無視できない程度に減少又は還元す
るという結果を伴なって、主プラズマ銃と副プラズマ銃
又は浄化プラズマ銃とが共通のワークピース又は基板に
同時に反対極性のトランスファーアークを供給してい
る。しかし、このような酸化物減少は副プラズマ銃やそ
のための別組の電源を必要とする複雑な装置の代価であ
る。
にとるべき方法又はアプローチとしては、本願と同様の
譲受人を有して1987年８月25日に発行されたミュールバ
ーガーの米国特許第4,689,468号に記載されている。こ
のミュールバーガーの‘468号特許では、ワークピース
又は基板の酸化物は無視できない程度に減少又は還元す
るという結果を伴なって、主プラズマ銃と副プラズマ銃
又は浄化プラズマ銃とが共通のワークピース又は基板に
同時に反対極性のトランスファーアークを供給してい
る。しかし、このような酸化物減少は副プラズマ銃やそ
のための別組の電源を必要とする複雑な装置の代価であ
る。
従って、単一プラズマ銃の使用のみで高度な被酸化性金
属粒子から酸化コーティングを除去する方法を提供する
ことが好都合である。更には、金属粒子から酸化コーテ
ィングを除去すると共に、そのような粒子のワークピー
ス又は基板上への噴射をなすための方法を提供すること
が好都合である。
属粒子から酸化コーティングを除去する方法を提供する
ことが好都合である。更には、金属粒子から酸化コーテ
ィングを除去すると共に、そのような粒子のワークピー
ス又は基板上への噴射をなすための方法を提供すること
が好都合である。
［課題を解決するための手段］ 本発明は以上のような問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的は単一プラズマ銃の使用のみで高度な被酸
化性金属粒子から酸化コーティングを除去する方法を提
供することである。また、金属粒子から酸化コーティン
グを除去すると共に、そのような粒子のワークピース又
は基板上への浄化を伴なっての噴射をなすための方法を
提供することである。
り、その目的は単一プラズマ銃の使用のみで高度な被酸
化性金属粒子から酸化コーティングを除去する方法を提
供することである。また、金属粒子から酸化コーティン
グを除去すると共に、そのような粒子のワークピース又
は基板上への浄化を伴なっての噴射をなすための方法を
提供することである。
よって、本発明の金属粉末の酸化物除去方法は、プラズ
マ流を発生する工程と、上記プラズマ流に関連して該プ
ラズマ流の一部に沿って負性トランスファーアークを連
続的に維持する工程と、上記プラズマ流に金属粒子を導
入する工程と、上記金属粒子が上記プラズマ流の一部に
沿って進行した後に該金属粒子を回収する工程と、を含
むことを特徴とする金属粒子から酸化物を浄化する方法
である。
マ流を発生する工程と、上記プラズマ流に関連して該プ
ラズマ流の一部に沿って負性トランスファーアークを連
続的に維持する工程と、上記プラズマ流に金属粒子を導
入する工程と、上記金属粒子が上記プラズマ流の一部に
沿って進行した後に該金属粒子を回収する工程と、を含
むことを特徴とする金属粒子から酸化物を浄化する方法
である。
また、前記金属粒子を回収する工程は容器を設ける工程
を含み、前記プラズマ流を発生する工程はプラズマ流を
前記容器へ方向付けるべくプラズマ銃を操作する工程を
含み、前記金属粒子をプラズマ流に導入する工程は前記
プラズマ銃に隣接する部位のプラズマ流内に酸化された
金属粒子を導入する工程を含み、そして、前記プラズマ
流に関連して該プラズマ流の一部に沿って負性トランス
ファーアークを連続的に維持する工程は前記容器に隣接
するプラズマ流内に電極を設置して前記プラズマ銃と電
極との間に負性トランスファーアークを供給するために
該両者間に連続的に負性トランスファーアーク電源を連
結する工程を含むことを特徴としている。
を含み、前記プラズマ流を発生する工程はプラズマ流を
前記容器へ方向付けるべくプラズマ銃を操作する工程を
含み、前記金属粒子をプラズマ流に導入する工程は前記
プラズマ銃に隣接する部位のプラズマ流内に酸化された
金属粒子を導入する工程を含み、そして、前記プラズマ
流に関連して該プラズマ流の一部に沿って負性トランス
ファーアークを連続的に維持する工程は前記容器に隣接
するプラズマ流内に電極を設置して前記プラズマ銃と電
極との間に負性トランスファーアークを供給するために
該両者間に連続的に負性トランスファーアーク電源を連
結する工程を含むことを特徴としている。
更に、前記金属粒子をプラズマ流に導入する工程はチタ
ン、タンタル、アルミニウムから成るクループから選択
した粉末状金属を導入することを含む、前記プラズマ流
の一部に沿って進行した後に金属粒子を回収する工程は
前記プラズマ流内に基板を設置することを含み、そし
て、前記プラズマ流を発生する工程は該プラズマ流を前
記基板へ方向付けるべくプラズマ銃を操作し、低静圧を
供給するために前記プラズマ銃から前記基板の下流に真
空源を設置し、前記低静圧の下で前記基板へ向って超音
速で進行するプラズマ流を提供するために前記プラズマ
銃内のガス流をイオン化することを特徴としている。
ン、タンタル、アルミニウムから成るクループから選択
した粉末状金属を導入することを含む、前記プラズマ流
の一部に沿って進行した後に金属粒子を回収する工程は
前記プラズマ流内に基板を設置することを含み、そし
て、前記プラズマ流を発生する工程は該プラズマ流を前
記基板へ方向付けるべくプラズマ銃を操作し、低静圧を
供給するために前記プラズマ銃から前記基板の下流に真
空源を設置し、前記低静圧の下で前記基板へ向って超音
速で進行するプラズマ流を提供するために前記プラズマ
銃内のガス流をイオン化することを特徴としている。
［作用］ 連続的な負性トランスファーアークの存在下でのプラズ
マ流内への金属粒子の導入をなす本発明に係る方法を採
用することにより、粉末状の金属粒子からは酸化コーテ
ィングが除去される。このプラズマ流はプラズマ銃内の
不活性ガスをイオン化することによって作り出されてい
る。このプラズマ流は、大気圧程度の大きさの圧力でも
よいが低静圧を作り出す真空源を使用することによって
調音速度を伴って好適に提供される。連続的な負性トラ
ンスファーアークは、プラズマ銃と該プラズマ銃の下流
に位置するカソード（陰極）との間を負性トランスファ
ーアーク電源で連続的に連結することによって作り出さ
れる。
マ流内への金属粒子の導入をなす本発明に係る方法を採
用することにより、粉末状の金属粒子からは酸化コーテ
ィングが除去される。このプラズマ流はプラズマ銃内の
不活性ガスをイオン化することによって作り出されてい
る。このプラズマ流は、大気圧程度の大きさの圧力でも
よいが低静圧を作り出す真空源を使用することによって
調音速度を伴って好適に提供される。連続的な負性トラ
ンスファーアークは、プラズマ銃と該プラズマ銃の下流
に位置するカソード（陰極）との間を負性トランスファ
ーアーク電源で連続的に連結することによって作り出さ
れる。
プラズマ銃とカソードの間にあるプラズマ流の一部に沿
っての負極性トランスファーアークの連続的な存在はカ
ソードからの電子放出を提供している。この電子放出は
電子電流の電磁的伝播を提供するものである。この電磁
的伝播は、プラズマ銃とカソードとの間のプラズマ流中
を進行する金属粒子上に既存する酸化コーティングの大
部分を除去又は削除することと、金属粒子が比較的純粋
で且つ酸化物が無い状態でプラズマ流に導入されるよう
な実例においてはこのような酸化層の形成を防止するこ
とが認知されてきた。カソードにおいては連続的な清浄
化及び酸化物除去の工程が生じており、よってカソード
が基板を含む場合においては該カソード内に形成された
金属コーティングは連続的に清浄化されるように働く。
っての負極性トランスファーアークの連続的な存在はカ
ソードからの電子放出を提供している。この電子放出は
電子電流の電磁的伝播を提供するものである。この電磁
的伝播は、プラズマ銃とカソードとの間のプラズマ流中
を進行する金属粒子上に既存する酸化コーティングの大
部分を除去又は削除することと、金属粒子が比較的純粋
で且つ酸化物が無い状態でプラズマ流に導入されるよう
な実例においてはこのような酸化層の形成を防止するこ
とが認知されてきた。カソードにおいては連続的な清浄
化及び酸化物除去の工程が生じており、よってカソード
が基板を含む場合においては該カソード内に形成された
金属コーティングは連続的に清浄化されるように働く。
本発明に従えば、連続的トランスファーアークは酸化コ
ーティングを除去することによって金属粒子を単に清浄
するためにのみ使用することができ、そのときはプラズ
マ流中の清浄化金属粒子はカソードの下流に位置する回
収器に集められる。このような場合、カソードとして
は、プラズマ流中に配置された中空で且つ略々リング形
状の電極等によって構成することが好ましく、そのた
め、プラズマ流はその内部中空を通過することになる。
ーティングを除去することによって金属粒子を単に清浄
するためにのみ使用することができ、そのときはプラズ
マ流中の清浄化金属粒子はカソードの下流に位置する回
収器に集められる。このような場合、カソードとして
は、プラズマ流中に配置された中空で且つ略々リング形
状の電極等によって構成することが好ましく、そのた
め、プラズマ流はその内部中空を通過することになる。
更に本発明に従えば、連続的な負性トランスファーアー
クは金属粒子が基板又は他のワークピース上にコーティ
ングとして形成されるのに先行して該金属粒子から酸化
コーティングを除去するために使用される。これは基板
をカソードとして連結することによって達成される。酸
化コーティングの除去に続いて、その清浄化粒子は基板
上に到達して該基板上に比較的酸化物の無いコーティン
グとして形成されることになる。
クは金属粒子が基板又は他のワークピース上にコーティ
ングとして形成されるのに先行して該金属粒子から酸化
コーティングを除去するために使用される。これは基板
をカソードとして連結することによって達成される。酸
化コーティングの除去に続いて、その清浄化粒子は基板
上に到達して該基板上に比較的酸化物の無いコーティン
グとして形成されることになる。
［実施例］ 第１図は本発明に係る方法を実施するためのプラズマ装
置の概略斜視図である。第１図のプラズマ装置は、密封
された真空保持・耐圧性絶縁エンクロジャーであるプラ
ズマチャンバー１０を備える。チャンバー１０は円筒形
の主本体部分１２とこれに連結した上方の蓋体部分１３
とによって画成されている。プラズマチャンバー１０の
本体部分１２は望ましい雰囲気圧を保持して排出ガスや
微粒子を処理するための関連装置へ案内し且つこれと連
通する底部コレクタコーン１４を備えている。
置の概略斜視図である。第１図のプラズマ装置は、密封
された真空保持・耐圧性絶縁エンクロジャーであるプラ
ズマチャンバー１０を備える。チャンバー１０は円筒形
の主本体部分１２とこれに連結した上方の蓋体部分１３
とによって画成されている。プラズマチャンバー１０の
本体部分１２は望ましい雰囲気圧を保持して排出ガスや
微粒子を処理するための関連装置へ案内し且つこれと連
通する底部コレクタコーン１４を備えている。
下方へ方向付けられたプラズマ流は、チャンバーの蓋体
１３の内部に配置されてプラズマ銃作動機構１８により
その姿勢制御がなされるプラズマ銃１６によって確立さ
れている。プラズマチャンバー１０の此等両部分は二重
壁の水冷エンクロジャーとして有益に構成されおり、蓋
体１３は作動パーツ等の受け入れのために着脱自在であ
る。銃作動機構１８はチャンバー蓋体１３の壁部材内の
密閉ベアリング及びカップリングを介してプラズマ銃１
６を支持及び制御している。このチャンバー蓋体１３に
は更に、プラズマ銃１６に連結した可撓性チューブを介
してプラズマ流内への加熱粉末の制御供給をなすための
粉末供給機構２０が連結されている。粉末供給機構２０
は、本発明に従って金属粉末上の酸化コーティングを清
浄化させるためか或は比較的に酸化物が無い状態を維持
させるために、金属粉末をプラズマ流内へ導入するため
に採用されている。
１３の内部に配置されてプラズマ銃作動機構１８により
その姿勢制御がなされるプラズマ銃１６によって確立さ
れている。プラズマチャンバー１０の此等両部分は二重
壁の水冷エンクロジャーとして有益に構成されおり、蓋
体１３は作動パーツ等の受け入れのために着脱自在であ
る。銃作動機構１８はチャンバー蓋体１３の壁部材内の
密閉ベアリング及びカップリングを介してプラズマ銃１
６を支持及び制御している。このチャンバー蓋体１３に
は更に、プラズマ銃１６に連結した可撓性チューブを介
してプラズマ流内への加熱粉末の制御供給をなすための
粉末供給機構２０が連結されている。粉末供給機構２０
は、本発明に従って金属粉末上の酸化コーティングを清
浄化させるためか或は比較的に酸化物が無い状態を維持
させるために、金属粉末をプラズマ流内へ導入するため
に採用されている。
下方へ方向付けられたプラズマ流はワークピースホルダ
２５上に支持されたワークピース２４に衝突する。ワー
クピースホルダ２５は、チャンバー本体１２を介して外
部のワークピース作動機構２６へ延びるシャフトによっ
て、その作動中に位置付け及び移動させられる内部冷却
された導電性部材である。チャンバー本体１２の側壁を
通じてダミースティング作動機構３０に連結されている
ダミーワークピース又はダミースティング２８は同様に
内部冷却されてワークピース２４の端部に間隙を介して
隣接させてある。ワークピースホルダ２５とダミーステ
ィング２８の両部材はチャンバー１０の中心軸に対して
挿入位置が調整可能であり且つ電気的導電性を有するの
で、操作の種々の相状態の間、トランスファーアーク発
生のために選択電位レベルに保持し得る。ワークピース
ホルダ２５とダミースティング２８の配置位置の下方で
は、コレクタコーン１４が過度に噴射されたガス状及び
微粒子物質をバッファ／フィルタ・モジュール３２内へ
と案内している。このバッファ／フィルタ・モジュール
３２は過噴射物を初期的に結合させるための水冷バッフ
ァ部とこれと一直線状に配列した引きずられた粒子物質
の大多数を抽出するためのフィルタ部とを有する。バッ
ファ／フィルタ・モジュールを通過した流れは次に他の
水冷ユニットである熱交換モジュール３６を介して流れ
に依然として残る略々全ての微粒子を抽出す過噴射フィ
ルタ／コレクタ・ユニット４０を備える真空マニホルド
３８へ向う。真空マニホルド３８はチャンバー１０内の
望ましい雰囲気圧力を保持するには充分な容量を有する
真空ポンプ４２，４２と連通している。典型的には０．
６気圧から０．００１気圧の範囲内であるこの雰囲気圧
力は超音速のプラズマ流を作り出すに充分な静圧を提供
している。
２５上に支持されたワークピース２４に衝突する。ワー
クピースホルダ２５は、チャンバー本体１２を介して外
部のワークピース作動機構２６へ延びるシャフトによっ
て、その作動中に位置付け及び移動させられる内部冷却
された導電性部材である。チャンバー本体１２の側壁を
通じてダミースティング作動機構３０に連結されている
ダミーワークピース又はダミースティング２８は同様に
内部冷却されてワークピース２４の端部に間隙を介して
隣接させてある。ワークピースホルダ２５とダミーステ
ィング２８の両部材はチャンバー１０の中心軸に対して
挿入位置が調整可能であり且つ電気的導電性を有するの
で、操作の種々の相状態の間、トランスファーアーク発
生のために選択電位レベルに保持し得る。ワークピース
ホルダ２５とダミースティング２８の配置位置の下方で
は、コレクタコーン１４が過度に噴射されたガス状及び
微粒子物質をバッファ／フィルタ・モジュール３２内へ
と案内している。このバッファ／フィルタ・モジュール
３２は過噴射物を初期的に結合させるための水冷バッフ
ァ部とこれと一直線状に配列した引きずられた粒子物質
の大多数を抽出するためのフィルタ部とを有する。バッ
ファ／フィルタ・モジュールを通過した流れは次に他の
水冷ユニットである熱交換モジュール３６を介して流れ
に依然として残る略々全ての微粒子を抽出す過噴射フィ
ルタ／コレクタ・ユニット４０を備える真空マニホルド
３８へ向う。真空マニホルド３８はチャンバー１０内の
望ましい雰囲気圧力を保持するには充分な容量を有する
真空ポンプ４２，４２と連通している。典型的には０．
６気圧から０．００１気圧の範囲内であるこの雰囲気圧
力は超音速のプラズマ流を作り出すに充分な静圧を提供
している。
過噴射フィルタ／コレクタ４０と共にバッファ／フィル
タ・モジュール３２及び熱交換モジュール３６は、好ま
しくは二重壁の水冷構造物であり、プラズマ装置等にお
いて広く使用されている周知の如何なるタイプのものも
採用できる。そして、装置全体は、装置に異なるパーツ
の取扱いや該パーツの供給簡便のため、ローラ上に搭載
しレールに沿って移動可能であってよい。通常の監視
窓、水冷アクセスドア、電気的接続のための絶縁供給プ
レート等の図示や詳細な説明は図面の簡略化のために省
略する。ワークピースの支持・作動制御システムは、便
宜上、チャンバー本体１２に蝶着されたフロントアクセ
スドア４３内に搭載されている。
タ・モジュール３２及び熱交換モジュール３６は、好ま
しくは二重壁の水冷構造物であり、プラズマ装置等にお
いて広く使用されている周知の如何なるタイプのものも
採用できる。そして、装置全体は、装置に異なるパーツ
の取扱いや該パーツの供給簡便のため、ローラ上に搭載
しレールに沿って移動可能であってよい。通常の監視
窓、水冷アクセスドア、電気的接続のための絶縁供給プ
レート等の図示や詳細な説明は図面の簡略化のために省
略する。ワークピースの支持・作動制御システムは、便
宜上、チャンバー本体１２に蝶着されたフロントアクセ
スドア４３内に搭載されている。
電気エネルギーはチャンバー蓋体１３の上部に固定設置
されたバスバー４４を介して装置の各操作部分へ供給さ
れている。プラズマ流発生の為に水冷式の可撓性ケーブ
ルが、プラズマ電源４６、高周波電源４８、及び負性ト
ランスファーアーク電源５０をバスバー４４を介してプ
ラズマ銃１６に連結している。プラズマ電源４６はプラ
ズマ銃１６の電極間に必須の電気的電位差を供給する。
高周波電源４８はプラズマ電源４６を含む直流電源にお
いて高周波電圧放電を重畳することによってプラズマ銃
１６内にアークを開始させるべく使用される。その後、
プラズマ銃１６とワークピース２４との間に連結されて
いる負性トランスファーアーク電源は本発明に従ってそ
の間に連続的な負性トランスファーアークを供給してい
る。
されたバスバー４４を介して装置の各操作部分へ供給さ
れている。プラズマ流発生の為に水冷式の可撓性ケーブ
ルが、プラズマ電源４６、高周波電源４８、及び負性ト
ランスファーアーク電源５０をバスバー４４を介してプ
ラズマ銃１６に連結している。プラズマ電源４６はプラ
ズマ銃１６の電極間に必須の電気的電位差を供給する。
高周波電源４８はプラズマ電源４６を含む直流電源にお
いて高周波電圧放電を重畳することによってプラズマ銃
１６内にアークを開始させるべく使用される。その後、
プラズマ銃１６とワークピース２４との間に連結されて
いる負性トランスファーアーク電源は本発明に従ってそ
の間に連続的な負性トランスファーアークを供給してい
る。
プラズマ銃１６の操作には、プラズマ銃１６の内部を介
して充分な冷却水を供給する為のウォーターブースター
ポンプ５２の使用を必ず伴なう。プラズマガス源５４は
プラズマ流発生の為に適切なイオン化されるガスを供給
している。ここにおいて採用されているプラズマガスは
ヘリウムを伴なうアルゴン又はヘリウムが撒布されてい
るアルゴンであるが、当業界によく知られた他のガスを
採用することもできる。
して充分な冷却水を供給する為のウォーターブースター
ポンプ５２の使用を必ず伴なう。プラズマガス源５４は
プラズマ流発生の為に適切なイオン化されるガスを供給
している。ここにおいて採用されているプラズマガスは
ヘリウムを伴なうアルゴン又はヘリウムが撒布されてい
るアルゴンであるが、当業界によく知られた他のガスを
採用することもできる。
第１図の装置のシーケンスや各種の作動機構の速度及び
振幅の制御はシステム制御コンソール５６によって管理
されている。プラズマ銃１６はプラズマ制御コンソール
５８の制御の下で個別に操作されている。上述したよう
にコンソール又は回路等によって実行される機能はよく
理解されているものであるので詳細な図示や説明は省略
する。尚、トランスファーアーク制御回路６０は負性ト
ランスファーアーク電源５０の制御に使用してもよい。
振幅の制御はシステム制御コンソール５６によって管理
されている。プラズマ銃１６はプラズマ制御コンソール
５８の制御の下で個別に操作されている。上述したよう
にコンソール又は回路等によって実行される機能はよく
理解されているものであるので詳細な図示や説明は省略
する。尚、トランスファーアーク制御回路６０は負性ト
ランスファーアーク電源５０の制御に使用してもよい。
第１図に関連する図示及び記載の内の殆どのものは先に
言及したミュールバーガーの米国特許第4,328,257号に
記載されたプラズマ装置と略々同様であり、このプラズ
マ装置の内のいくつかの部分に関して更なる説明が必要
な場合には上記米国特許を参照のこと。
言及したミュールバーガーの米国特許第4,328,257号に
記載されたプラズマ装置と略々同様であり、このプラズ
マ装置の内のいくつかの部分に関して更なる説明が必要
な場合には上記米国特許を参照のこと。
第２図はワークピース２４が基板７０を有するところの
第１図のプラズマ装置の一部分を理想化且つ簡略化した
概略図である。図示するように、第２図は基板７０上に
コーティングを形成すべく金属粉末を噴射する為の１つ
のプラズマ機構を示している。プラズマ銃１６は前述し
たよう該プラズマ銃１６と基板７０との間に延在するプ
ラズマ流を供給するために不活性ガスをイオン化してい
る。このプラズマ流は連続的な破線７２で描かれてい
る。
第１図のプラズマ装置の一部分を理想化且つ簡略化した
概略図である。図示するように、第２図は基板７０上に
コーティングを形成すべく金属粉末を噴射する為の１つ
のプラズマ機構を示している。プラズマ銃１６は前述し
たよう該プラズマ銃１６と基板７０との間に延在するプ
ラズマ流を供給するために不活性ガスをイオン化してい
る。このプラズマ流は連続的な破線７２で描かれてい
る。
負性トランスファーアーク電源５０はプラズマ銃１６と
基板７０との間に接続的に連結されている。負性トラン
スファーアーク電源５０はプラズマ銃１６に連続された
正極端子７４と基板７０に接続された負極端子７６とを
有している。この結果、基板７０は陰極又はカソードと
して働く。従って、負性トランスファーアーク電源５０
は、プラズマ銃１６と基板７０との間のプラズマ流７２
の一部に沿って該プラズマ流７２と連合又は結合する連
続的な負性トランスファーアークを供給することにな
る。基板７０上にコーティングされる金属粉末は第１図
に関連して先に記載したように粉末供給機構２０によっ
て供給されている。第２図に示されていないが粉末供給
機構２０は、金属粉末がプラズマ流７２内へ供給される
べくプラズマ銃１６内で終結する粉末配送チューブ７８
を備える。
基板７０との間に接続的に連結されている。負性トラン
スファーアーク電源５０はプラズマ銃１６に連続された
正極端子７４と基板７０に接続された負極端子７６とを
有している。この結果、基板７０は陰極又はカソードと
して働く。従って、負性トランスファーアーク電源５０
は、プラズマ銃１６と基板７０との間のプラズマ流７２
の一部に沿って該プラズマ流７２と連合又は結合する連
続的な負性トランスファーアークを供給することにな
る。基板７０上にコーティングされる金属粉末は第１図
に関連して先に記載したように粉末供給機構２０によっ
て供給されている。第２図に示されていないが粉末供給
機構２０は、金属粉末がプラズマ流７２内へ供給される
べくプラズマ銃１６内で終結する粉末配送チューブ７８
を備える。
本発明に従えば、負性トランスファーアーク電源５０の
効力で基板７０はプラズマ銃１６に対してカソードとし
て機能してためにそこから電子を放出している。これは
基板７０とプラズマ銃１６との間における電子電流の電
磁的伝播という結果をもたらしている。粉末状金属の金
属粒子がプラズマ流内をプラズマ銃１６から基板７０へ
と進行すると共に、基板７０からの負性電子の流れは此
等金属粒子と出会い、該粒子上に現われている如何なる
酸化コーティングも全て又は少なくとも略々全てを除去
する。その粒子が基板７０に到達して該基板上にコーテ
ィングを形成した時に、該粒子は酸化物に関しては略々
無縁のものとなっている。加えて、１つの連続的清浄作
用が基板７０上のコーティングに提供され、そのために
そのコーティング上に現われている如何なる酸化物もそ
こから除去され続ける。
効力で基板７０はプラズマ銃１６に対してカソードとし
て機能してためにそこから電子を放出している。これは
基板７０とプラズマ銃１６との間における電子電流の電
磁的伝播という結果をもたらしている。粉末状金属の金
属粒子がプラズマ流内をプラズマ銃１６から基板７０へ
と進行すると共に、基板７０からの負性電子の流れは此
等金属粒子と出会い、該粒子上に現われている如何なる
酸化コーティングも全て又は少なくとも略々全てを除去
する。その粒子が基板７０に到達して該基板上にコーテ
ィングを形成した時に、該粒子は酸化物に関しては略々
無縁のものとなっている。加えて、１つの連続的清浄作
用が基板７０上のコーティングに提供され、そのために
そのコーティング上に現われている如何なる酸化物もそ
こから除去され続ける。
この酸化物コーティングの除去はチタン、タンタルそし
てアルミニウムにまで及ぶような高度の被酸化性の耐火
金属の場合に特に好適であることがわかってきた。この
ような金属の粒子がプラズマ流７２内に導入された場
合、粉末形成工程の結果として既にその粒子上に典型的
に現われている酸化コーティングは基板７０へ向う進行
に伴なって除去されて、非常に低い酸化物含有量を有し
て基板７０上の金属コーティングとなる。プラズマ流７
２内へ比較的に純粋で酸化物が無い形で導入された金属
粒子は、此等粒子がプラズマ流７２に沿って基板７０に
進む間はその状態を持続しようとする傾向にある。この
ようにして、本発明に従った方法は高度に被酸化性であ
るもの及び相当により低い率で酸化するものを含む全て
のタイプの金属粒子に都合よく使用される。
てアルミニウムにまで及ぶような高度の被酸化性の耐火
金属の場合に特に好適であることがわかってきた。この
ような金属の粒子がプラズマ流７２内に導入された場
合、粉末形成工程の結果として既にその粒子上に典型的
に現われている酸化コーティングは基板７０へ向う進行
に伴なって除去されて、非常に低い酸化物含有量を有し
て基板７０上の金属コーティングとなる。プラズマ流７
２内へ比較的に純粋で酸化物が無い形で導入された金属
粒子は、此等粒子がプラズマ流７２に沿って基板７０に
進む間はその状態を持続しようとする傾向にある。この
ようにして、本発明に従った方法は高度に被酸化性であ
るもの及び相当により低い率で酸化するものを含む全て
のタイプの金属粒子に都合よく使用される。
本発明に従う連続負性トランスファーアークの使用によ
って提供される酸化物削減又は酸化物還元は、第４図乃
至第７図の顕微鏡写真に言及することによってより高く
評価されることができる。
って提供される酸化物削減又は酸化物還元は、第４図乃
至第７図の顕微鏡写真に言及することによってより高く
評価されることができる。
第４図は、第２図に示す基板７０のような１つの基板上
のチタンコーティングの１００倍に拡大された顕微鏡写
真である。このチタンコーティングは負性トランスファ
ーアークを使用することなしに基板上に設けられた。こ
のチタンコーティングには多くは比較的大きい多数のダ
ークスポット（暗斑点）が観察される。ダークスポット
はコーティング内における空隙や酸化物である。第４図
の例のコーティングは幾分多孔質であり、望ましくない
かなり高い酸化物含有量を有するものと見られる。
のチタンコーティングの１００倍に拡大された顕微鏡写
真である。このチタンコーティングは負性トランスファ
ーアークを使用することなしに基板上に設けられた。こ
のチタンコーティングには多くは比較的大きい多数のダ
ークスポット（暗斑点）が観察される。ダークスポット
はコーティング内における空隙や酸化物である。第４図
の例のコーティングは幾分多孔質であり、望ましくない
かなり高い酸化物含有量を有するものと見られる。
第５図は第４図に示す基板のチタンコーティングの一部
を４００倍に拡大した顕微鏡写真であり、一層詳細にそ
のチタンコーティング内に現われている重大な空隙や相
当量の酸化物が示されている。
を４００倍に拡大した顕微鏡写真であり、一層詳細にそ
のチタンコーティング内に現われている重大な空隙や相
当量の酸化物が示されている。
第６図はある基板上のチタンコーティングを１００倍に
拡大した顕微鏡写真である。第６図に示されたチタンコ
ーティングは、第２図に関連して説明した手法の下、連
続的負性トランスファーアークを使用して設けられたも
のである。第４図と比較した場合、第６図のチタンコー
ティングは相当により低い空隙及び酸化物含有量を有し
ていることが観察される。第６図の大きさにおいて、空
隙や酸化物を示すダークスポットは相当数減少し且つ小
さくなっている。
拡大した顕微鏡写真である。第６図に示されたチタンコ
ーティングは、第２図に関連して説明した手法の下、連
続的負性トランスファーアークを使用して設けられたも
のである。第４図と比較した場合、第６図のチタンコー
ティングは相当により低い空隙及び酸化物含有量を有し
ていることが観察される。第６図の大きさにおいて、空
隙や酸化物を示すダークスポットは相当数減少し且つ小
さくなっている。
第７図は、第６図のチタンコーティング及び基板の一部
を４００倍に拡大した顕微鏡写真である。第７図は、特
に第５図に示された同倍率の顕微鏡写真と比較した場合
には、本発明に従って設けられたチタンコーティングの
低い空隙及び酸化物含有量がより詳細に示されている。
を４００倍に拡大した顕微鏡写真である。第７図は、特
に第５図に示された同倍率の顕微鏡写真と比較した場合
には、本発明に従って設けられたチタンコーティングの
低い空隙及び酸化物含有量がより詳細に示されている。
第２図に再度戻れば、本発明に係る工程にはプラズマ銃
１６を用いてプラズマ流７２のような１つのプラズマ流
を発生させる工程が含まれていることが理解できよう。
プラズマ流７２の一部に沿って該プラズマ流７２に連合
又は結合する１つの負性トランスファーアークを連続的
に維持するために負性トランスファーアーク電源５０又
は他の適切な該当手段が採用されている。第２図の例に
おける負性トランスファーアークは、プラズマ銃１６と
基板７０との間のプラズマ流７２の全長に亙って該プラ
ズマ流７２と関連して維持されている。粉末状金属のプ
ラズマ流７２への導入に先行して、もし必要であれば、
基板７０表面の清浄化のために負性トランスファーアー
クを連合させてプラズマ流７２を用いてもよい。粉末状
金属の粒子がプラズマ銃１６内においてプラズマ流７２
へ導入されるに伴なって、その金属粒子はプラズマ流７
２に引きずられこれと共に基板７０へ向って流れ、そし
てその工程で先に記述したようにその粒子上の如何なる
酸化コーティングをも清浄化されている。金属粒子は基
板７０によって受け止められてその上にコーティングを
形成する。
１６を用いてプラズマ流７２のような１つのプラズマ流
を発生させる工程が含まれていることが理解できよう。
プラズマ流７２の一部に沿って該プラズマ流７２に連合
又は結合する１つの負性トランスファーアークを連続的
に維持するために負性トランスファーアーク電源５０又
は他の適切な該当手段が採用されている。第２図の例に
おける負性トランスファーアークは、プラズマ銃１６と
基板７０との間のプラズマ流７２の全長に亙って該プラ
ズマ流７２と関連して維持されている。粉末状金属のプ
ラズマ流７２への導入に先行して、もし必要であれば、
基板７０表面の清浄化のために負性トランスファーアー
クを連合させてプラズマ流７２を用いてもよい。粉末状
金属の粒子がプラズマ銃１６内においてプラズマ流７２
へ導入されるに伴なって、その金属粒子はプラズマ流７
２に引きずられこれと共に基板７０へ向って流れ、そし
てその工程で先に記述したようにその粒子上の如何なる
酸化コーティングをも清浄化されている。金属粒子は基
板７０によって受け止められてその上にコーティングを
形成する。
プラズマ流７２は好ましくは超音速を伴なう。これは、
プラズマチャンバー１０内のプラズマ銃１６、ワークピ
ース２４、又は基板７０の領域に比較的低い静圧を供給
するべく下流に真空ポンプ４２の使用によって第１図に
関連して先に記載したように達成される。しかし、本発
明に係る方法は大気圧すら含まれるような高い静圧の下
でも同様に使用できることも理解されるべきである。
プラズマチャンバー１０内のプラズマ銃１６、ワークピ
ース２４、又は基板７０の領域に比較的低い静圧を供給
するべく下流に真空ポンプ４２の使用によって第１図に
関連して先に記載したように達成される。しかし、本発
明に係る方法は大気圧すら含まれるような高い静圧の下
でも同様に使用できることも理解されるべきである。
第２図の例では、金属粒子が不純且つ酸化コーティング
が設けられた状態でプラズマ流７２に導入された場合に
は酸化コーティングが清浄化されると共に、金属粒子は
相対的に酸化物が無い形で基板７０表面上にコーティン
グされる。ある場合においては、金属粒子を基板上のコ
ーティングとして噴射することなしに、該金属粒子から
酸化物コーティングを除去することによって該粒子を浄
化することが望まれることもある。金属粒子のこのよう
に清浄化する構成を理想化簡略図である第３図に示す。
が設けられた状態でプラズマ流７２に導入された場合に
は酸化コーティングが清浄化されると共に、金属粒子は
相対的に酸化物が無い形で基板７０表面上にコーティン
グされる。ある場合においては、金属粒子を基板上のコ
ーティングとして噴射することなしに、該金属粒子から
酸化物コーティングを除去することによって該粒子を浄
化することが望まれることもある。金属粒子のこのよう
に清浄化する構成を理想化簡略図である第３図に示す。
第３図の構成におけるカソードは中空の略々リング形状
の電極８０によって設けられていることを除いては第２
図の構成と同様である。負性トランスファーアーク電源
５０の陰極端子７６に連結された電極８０はプラズマ流
７２の流路内に配置されていることから、該プラズマ流
７２はその中空内部を通過することになる。負性トラン
スファーアーク電源５０は、プラズマ銃１６から電極８
０へ延在するプラズマ流７２の部分に沿って負性トラン
スファーアークを維持する。電極８０は、金属粒子がプ
ラズマ銃１６から電極８０へのプラズマ流７２によって
運搬されている時に該粒子から酸化物コーティングを除
去する電子流の電磁的伝播を供給すべく、第２図の構成
の基板７０と同様に電子を放出する。そして、清浄化さ
れた金属粒子は電極は８０の下流のプラズマ流７２の流
路内に配置する容器８２によって集められる。このよう
にして、プラズマ銃１６内でプラズマ流７２に導入され
た金属粉末はその上の如何なる酸化コーティングをも清
浄化され、そして比較的に純粋な形で容器８２内に集め
られる。
の電極８０によって設けられていることを除いては第２
図の構成と同様である。負性トランスファーアーク電源
５０の陰極端子７６に連結された電極８０はプラズマ流
７２の流路内に配置されていることから、該プラズマ流
７２はその中空内部を通過することになる。負性トラン
スファーアーク電源５０は、プラズマ銃１６から電極８
０へ延在するプラズマ流７２の部分に沿って負性トラン
スファーアークを維持する。電極８０は、金属粒子がプ
ラズマ銃１６から電極８０へのプラズマ流７２によって
運搬されている時に該粒子から酸化物コーティングを除
去する電子流の電磁的伝播を供給すべく、第２図の構成
の基板７０と同様に電子を放出する。そして、清浄化さ
れた金属粒子は電極は８０の下流のプラズマ流７２の流
路内に配置する容器８２によって集められる。このよう
にして、プラズマ銃１６内でプラズマ流７２に導入され
た金属粉末はその上の如何なる酸化コーティングをも清
浄化され、そして比較的に純粋な形で容器８２内に集め
られる。
［発明の効果］ 本発明においては、プラズマ銃とカソードの間にあるプ
ラズマ流の一部に沿っての負極性トランスファーアーク
の連続的な存在はカソードからの電子放出を提供してい
る。この電子放出は電子電流の電磁的伝播を提供するも
のである。この電磁的伝播は、プラズマ銃とカソードと
の間のプラズマ流中を進行する金属粒子上に既存する酸
化コーティングの大部分を除去又は削除することと、金
属粒子が比較的純粋で且つ酸化物が無い状態でプラズマ
流に導入されるような実例においてはこのような酸化層
の形成を防止する効果がある。カソードにおいては連続
的な清浄化及び酸化物除去の工程が生じており、よって
カソードが基板を含む場合においては該カソード内に形
成された金属コーティングは連続的に清浄化されるよう
に働く。
ラズマ流の一部に沿っての負極性トランスファーアーク
の連続的な存在はカソードからの電子放出を提供してい
る。この電子放出は電子電流の電磁的伝播を提供するも
のである。この電磁的伝播は、プラズマ銃とカソードと
の間のプラズマ流中を進行する金属粒子上に既存する酸
化コーティングの大部分を除去又は削除することと、金
属粒子が比較的純粋で且つ酸化物が無い状態でプラズマ
流に導入されるような実例においてはこのような酸化層
の形成を防止する効果がある。カソードにおいては連続
的な清浄化及び酸化物除去の工程が生じており、よって
カソードが基板を含む場合においては該カソード内に形
成された金属コーティングは連続的に清浄化されるよう
に働く。
本発明に従えば、連続的トランスファーアークは酸化コ
ーティングを除去することによって金属粒子を単に清浄
するためにのみ使用することができ、そのときはプラズ
マ流中の清浄化金属粒子はカソードの下流に位置する回
収器に集められる。このような場合、カソードとして
は、プラズマ流中に配置された中空で且つ略々リング形
状の電極等によって構成することが好ましく、そのた
め、プラズマ流はその内部中空を通過することになる。
ーティングを除去することによって金属粒子を単に清浄
するためにのみ使用することができ、そのときはプラズ
マ流中の清浄化金属粒子はカソードの下流に位置する回
収器に集められる。このような場合、カソードとして
は、プラズマ流中に配置された中空で且つ略々リング形
状の電極等によって構成することが好ましく、そのた
め、プラズマ流はその内部中空を通過することになる。
更に本発明に従えば、連続的な負性トランスファーアー
クは金属粒子が基板又は他のワークピース上にコーティ
ングとして形成されるのに先行して該金属粒子から酸化
コーティングを除去するために使用される。これは基板
をカソードとして連結することによって達成される。酸
化コーティングの除去に続いて、その清浄化粒子は基板
上に到達して該基板上に比較的酸化物の無いコーティン
グとして形成されることになる。
クは金属粒子が基板又は他のワークピース上にコーティ
ングとして形成されるのに先行して該金属粒子から酸化
コーティングを除去するために使用される。これは基板
をカソードとして連結することによって達成される。酸
化コーティングの除去に続いて、その清浄化粒子は基板
上に到達して該基板上に比較的酸化物の無いコーティン
グとして形成されることになる。
以上、種々の形式及び変更例を説明したが本発明はこれ
に限定されものではなく、付随の特許請求の範囲内に係
る全ての手段及び変更を含むものである。
に限定されものではなく、付随の特許請求の範囲内に係
る全ての手段及び変更を含むものである。
第１図は本発明に従う方法が実施され得る破断部分を含
むプラズマ装置の斜視図及び組合せブロック図、第２図
は金属粒子が基板上にコーティングを形成する前に酸化
コーティングが浄化されるところの本発明に係る部分的
なプラズマ噴射構成の理想化且つ簡略された概略図、第
３図は金属粒子が酸化コーティングに関して浄化されて
粉末状態で集められるところの本発明に係る部分的なプ
ラズマ噴射構成の理想化且つ簡略された概略図、第４図
は先行技術における従来方法を用いて基板上に形成され
たチタンコーティングの金属粒子組織１００倍に拡大し
て示す顕微鏡写真、第５図は第４図に示されたチタンコ
ーティング金属粒子組織及び基板の一部を４００倍に拡
大して示す顕微鏡写真、第６図は本発明による方法を用
いて基板上に形成されたチタンコーティングの金属粒子
組織を１００倍に拡大して示す顕微鏡写真、そして第７
図は第６図に示されたチタンコーティング金属粒子組織
及び基板の一部を４００倍に拡大して示す顕微鏡写真で
ある。 １０……プラズマチャンバー、４６……プラズマ電源、
１６……プラズマ銃、１８……プラズマ銃作動機構、５
０……負性トランスファーアーク電源、７２……プラズ
マ流、２４……ワークピース、２５……ワークピースホ
ルダ、２６……ワークピース作動機構、５４……プラズ
マガス源、２０……粉末供給機構、７０……基板又はカ
ソード、７８……粉末配送チューブ、８０……電極、８
２……容器
むプラズマ装置の斜視図及び組合せブロック図、第２図
は金属粒子が基板上にコーティングを形成する前に酸化
コーティングが浄化されるところの本発明に係る部分的
なプラズマ噴射構成の理想化且つ簡略された概略図、第
３図は金属粒子が酸化コーティングに関して浄化されて
粉末状態で集められるところの本発明に係る部分的なプ
ラズマ噴射構成の理想化且つ簡略された概略図、第４図
は先行技術における従来方法を用いて基板上に形成され
たチタンコーティングの金属粒子組織１００倍に拡大し
て示す顕微鏡写真、第５図は第４図に示されたチタンコ
ーティング金属粒子組織及び基板の一部を４００倍に拡
大して示す顕微鏡写真、第６図は本発明による方法を用
いて基板上に形成されたチタンコーティングの金属粒子
組織を１００倍に拡大して示す顕微鏡写真、そして第７
図は第６図に示されたチタンコーティング金属粒子組織
及び基板の一部を４００倍に拡大して示す顕微鏡写真で
ある。 １０……プラズマチャンバー、４６……プラズマ電源、
１６……プラズマ銃、１８……プラズマ銃作動機構、５
０……負性トランスファーアーク電源、７２……プラズ
マ流、２４……ワークピース、２５……ワークピースホ
ルダ、２６……ワークピース作動機構、５４……プラズ
マガス源、２０……粉末供給機構、７０……基板又はカ
ソード、７８……粉末配送チューブ、８０……電極、８
２……容器
Claims (3)
- 【請求項１】プラズマ流を発生する工程と、 上記プラズマ流に関連して該プラズマ流の一部に沿って
負性トランスファーアークを連続的に維持する工程と、 上記プラズマ流に金属粒子を導入する工程と、 上記金属粒子が上記プラズマ流の一部に沿って進行した
後に該金属粒子を回収する工程と、 を含む金属粒子から酸化物を除去する方法。 - 【請求項２】前記金属粒子を回収する工程は容器を設け
る工程を含み、前記プラズマ流を発生する工程はプラズ
マ流を前記容器へ方向付けるべくプラズマ銃を操作する
工程を含み、前記金属粒子をプラズマ流に導入する工程
は前記プラズマ銃に隣接する部位のプラズマ流内に酸化
された金属粒子を導入する工程を含み、そして、前記プ
ラズマ流に関連して該プラズマ流の一部に沿って負性ト
ランスファーアークを連続的に維持する工程は前記容器
に隣接するプラズマ流内に電極を設置して前記プラズマ
銃と電極との間に負性トランスファーアークを供給する
ために該両者間に連続的に負性トランスファーアーク電
源を連結する工程を含むことから成る請求項１に記載の
除去方法。 - 【請求項３】前記金属粒子をプラズマ流に導入する工程
はチタン、タンタル、アルミニウムから成るクループか
ら選択した粉末状金属を導入することを含む、前記プラ
ズマ流の一部に沿って進行した後に金属粒子を回収する
工程は前記プラズマ流内に基板を設置することを含み、
そして、前記プラズマ流を発生する工程は該プラズマ流
を前記基板へ方向付けるべくプラズマ銃を操作し、低静
圧を供給するために前記プラズマ銃から前記基板の下流
に真空源を設置し、前記低静圧の下で前記基板へ向って
超音速で進行するプラズマ流を提供するために前記プラ
ズマ銃内のガス流をイオン化することを含むことから成
る請求項１に記載の除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US181,400 | 1988-04-13 | ||
| US07/181,400 US4877640A (en) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Method of oxide removal from metallic powder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250901A JPH0250901A (ja) | 1990-02-20 |
| JPH0660321B2 true JPH0660321B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=22664120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094286A Expired - Lifetime JPH0660321B2 (ja) | 1988-04-13 | 1989-04-13 | 金属粉末の酸化物除去方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4877640A (ja) |
| EP (1) | EP0341835B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0660321B2 (ja) |
| CA (1) | CA1337486C (ja) |
| DE (1) | DE68904804T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5176938A (en) * | 1988-11-23 | 1993-01-05 | Plasmacarb Inc. | Process for surface treatment of pulverulent material |
| US5254237A (en) * | 1991-03-01 | 1993-10-19 | Snaper Alvin A | Plasma arc apparatus for producing diamond semiconductor devices |
| US5439498A (en) * | 1992-11-10 | 1995-08-08 | Exide Corporation | Process and system for the on-site remediation of lead-contaminated soil and waste battery casings |
| US5284503A (en) * | 1992-11-10 | 1994-02-08 | Exide Corporation | Process for remediation of lead-contaminated soil and waste battery |
| WO1997010774A1 (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-27 | Exide Corporation | Process for the destruction of chemical agents and munitions |
| US5681486A (en) * | 1996-02-23 | 1997-10-28 | The Boeing Company | Plasma descaling of titanium and titanium alloys |
| US5942023A (en) * | 1997-02-12 | 1999-08-24 | Exide Corporation | Process for recovering metals from electric arc furnace (EAF) dust |
| US6043451A (en) * | 1997-11-06 | 2000-03-28 | Promet Technologies, Inc. | Plasma spraying of nickel-titanium compound |
| US6915964B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-07-12 | Innovative Technology, Inc. | System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation |
| US7691177B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-04-06 | Niotan, Inc. | Method and an apparatus of plasma processing of tantalum particles |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB740368A (en) * | 1951-11-22 | 1955-11-09 | Martin Von Schulthess | A method for the spraying of metals |
| GB1153787A (en) * | 1965-09-01 | 1969-05-29 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method and apparatus for Glow Cleaning |
| US3429691A (en) * | 1966-08-19 | 1969-02-25 | Aerojet General Co | Plasma reduction of titanium dioxide |
| US3839618A (en) * | 1972-01-03 | 1974-10-01 | Geotel Inc | Method and apparatus for effecting high-energy dynamic coating of substrates |
| US3989511A (en) * | 1975-03-10 | 1976-11-02 | Westinghouse Electric Corporation | Metal powder production by direct reduction in an arc heater |
| US4328257A (en) * | 1979-11-26 | 1982-05-04 | Electro-Plasma, Inc. | System and method for plasma coating |
| US4642440A (en) * | 1984-11-13 | 1987-02-10 | Schnackel Jay F | Semi-transferred arc in a liquid stabilized plasma generator and method for utilizing the same |
| DE3538390A1 (de) * | 1985-10-29 | 1987-04-30 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Beschichtung fuer ein substrat und verfahren zu dessen herstellung |
| US4784159A (en) * | 1986-08-19 | 1988-11-15 | Cordis Corporation | Process for making an implantable device having plasma sprayed metallic porous surface |
-
1988
- 1988-04-13 US US07/181,400 patent/US4877640A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-12 CA CA000596423A patent/CA1337486C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-13 JP JP1094286A patent/JPH0660321B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-13 EP EP89303674A patent/EP0341835B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-13 DE DE8989303674T patent/DE68904804T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68904804D1 (de) | 1993-03-25 |
| EP0341835A1 (en) | 1989-11-15 |
| DE68904804T2 (de) | 1993-05-27 |
| JPH0250901A (ja) | 1990-02-20 |
| EP0341835B1 (en) | 1993-02-10 |
| CA1337486C (en) | 1995-10-31 |
| US4877640A (en) | 1989-10-31 |
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