JPH0660406B2 - ハフニウム酸化膜の気相成長法 - Google Patents
ハフニウム酸化膜の気相成長法Info
- Publication number
- JPH0660406B2 JPH0660406B2 JP7128987A JP7128987A JPH0660406B2 JP H0660406 B2 JPH0660406 B2 JP H0660406B2 JP 7128987 A JP7128987 A JP 7128987A JP 7128987 A JP7128987 A JP 7128987A JP H0660406 B2 JPH0660406 B2 JP H0660406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- gas
- hafnium oxide
- film
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 24
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 8
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 6
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はハフニウム酸化膜の気相成長法に関し、特に半
導体装置の容量素子に用いるハフニウム酸化膜の気相成
長法に関する。
導体装置の容量素子に用いるハフニウム酸化膜の気相成
長法に関する。
半導体基板、特にシリコン半導体基板上に形成される集
積回路は高集積化・大容量化の一途をたどり、メモリー
素子の様な集積回路では４Ｍビットまたはそれ以上へと
集積度が増大している。ダイナミックランダムアクセス
メモリー(ＲＡＭ)の様に基本セルとして１つのトランジ
スタと１つの容量素子とから構成されるＩＣメモリーを
高集積化するには特に容量素子部面積の縮小が最も有効
な手段になる。
積回路は高集積化・大容量化の一途をたどり、メモリー
素子の様な集積回路では４Ｍビットまたはそれ以上へと
集積度が増大している。ダイナミックランダムアクセス
メモリー(ＲＡＭ)の様に基本セルとして１つのトランジ
スタと１つの容量素子とから構成されるＩＣメモリーを
高集積化するには特に容量素子部面積の縮小が最も有効
な手段になる。
しかし、容量素子部の面積を縮小し容量値が低下する
と、α線等によるソフトエラー（メモリの誤動作）に対
する信頼性が劣化することから、容量値は５０fＦ以上
にする必要がある。そのため従来は、面積縮小による容
量値の減少を容量絶縁膜の薄膜化で補ってきた。しか
し、従来用いられているシリコン酸化膜は100 Å以下に
なると絶縁耐圧は電源電圧５Ｖに耐えらず、使用不可能
になる。
と、α線等によるソフトエラー（メモリの誤動作）に対
する信頼性が劣化することから、容量値は５０fＦ以上
にする必要がある。そのため従来は、面積縮小による容
量値の減少を容量絶縁膜の薄膜化で補ってきた。しか
し、従来用いられているシリコン酸化膜は100 Å以下に
なると絶縁耐圧は電源電圧５Ｖに耐えらず、使用不可能
になる。
このため、基板に溝を形成し、この溝の内壁部に容量素
子を形成したり、容量素子を積層構造（スタックト構
造）にしたりする方法で、従来と同じ容量値を維持しな
がらも平面的には容量素子部の面積を縮小し高集積化を
行うことが検討されている。また、シリコン酸化膜の代
わりにTa2O5,ＴiＯ2,ＨfＯ2,ＺrＯ2等の高誘電率材料を
容量膜に用いることも検討されている。
子を形成したり、容量素子を積層構造（スタックト構
造）にしたりする方法で、従来と同じ容量値を維持しな
がらも平面的には容量素子部の面積を縮小し高集積化を
行うことが検討されている。また、シリコン酸化膜の代
わりにTa2O5,ＴiＯ2,ＨfＯ2,ＺrＯ2等の高誘電率材料を
容量膜に用いることも検討されている。
１６Ｍビット以上の大容量ダイナミックＲＡＭでは、容
量素子を溝構造あるいは積層構造にしかつ高誘電材料を
容量膜に用いることが必須の技術である。Ｔa2Ｏ5,Ｔi
Ｏ2,ＨfＯ2等の高誘電率材料を薄膜で溝内部あるいは積
層にして形成するためには凹凸部の被服性が優れている
必要があり、従って膜形成方法としては、気相成長法が
優れた方法である。また、Ｔa2Ｏ5，ＴiＯ2，ＨfＯ2，
ＺrＯ2等の高誘電率材料の中で、熱力学的に安定な性質
をもつＨfＯ2が、容量膜としては有望である。
量素子を溝構造あるいは積層構造にしかつ高誘電材料を
容量膜に用いることが必須の技術である。Ｔa2Ｏ5,Ｔi
Ｏ2,ＨfＯ2等の高誘電率材料を薄膜で溝内部あるいは積
層にして形成するためには凹凸部の被服性が優れている
必要があり、従って膜形成方法としては、気相成長法が
優れた方法である。また、Ｔa2Ｏ5，ＴiＯ2，ＨfＯ2，
ＺrＯ2等の高誘電率材料の中で、熱力学的に安定な性質
をもつＨfＯ2が、容量膜としては有望である。
従来の化学気相成長によるＨfＯ2膜形成の方法は、Ｈf
(ＯＣ4Ｈ9)4等のアルコラートやＨf(ＯＣ(ＣＨ3)＝ＣＨ
ＣＯＣＨ3)4等のβ−ジケトナートを原料に用いて常圧
で成長するのが一般的である。例えばProc. 2nd Int. C
onf. on CVD, LosAngeles, P619(1970)やThin Solid Fi
lms, 41, 247(1977)に記述されている。
(ＯＣ4Ｈ9)4等のアルコラートやＨf(ＯＣ(ＣＨ3)＝ＣＨ
ＣＯＣＨ3)4等のβ−ジケトナートを原料に用いて常圧
で成長するのが一般的である。例えばProc. 2nd Int. C
onf. on CVD, LosAngeles, P619(1970)やThin Solid Fi
lms, 41, 247(1977)に記述されている。
上述した従来の気相成長法により形成したＨfＯ2膜は、
例えば電界強度１ＭＶ／cm印加時に電流密度１０-2Ａ／
cm2流れるように、非常にクリーク電流が多いという欠
点を有する。そのため、従来の気相成長法によるＨfＯ2
膜は、半導体装置の容量膜としては未だ実用化されてい
ない。
例えば電界強度１ＭＶ／cm印加時に電流密度１０-2Ａ／
cm2流れるように、非常にクリーク電流が多いという欠
点を有する。そのため、従来の気相成長法によるＨfＯ2
膜は、半導体装置の容量膜としては未だ実用化されてい
ない。
本発明のハフニウム酸化膜の気相成長法はＨｆ(ＯＣ3Ｈ
7)４を原料とし、減圧下で成長を行なう。原料として用
いるＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４は室温で固体であり、この原料を
１００〜２００℃に加熱し液体状態にしてＡr,Ｎ2等の
不活性ガスを当該原料中に吹き込みバブリングを行うこ
とにより原料を反応炉内に導入する。０．１〜１０torr
の減圧下、４００〜６００℃の成長温度でＨfＯ2膜を気
相成長することが好ましい。
7)４を原料とし、減圧下で成長を行なう。原料として用
いるＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４は室温で固体であり、この原料を
１００〜２００℃に加熱し液体状態にしてＡr,Ｎ2等の
不活性ガスを当該原料中に吹き込みバブリングを行うこ
とにより原料を反応炉内に導入する。０．１〜１０torr
の減圧下、４００〜６００℃の成長温度でＨfＯ2膜を気
相成長することが好ましい。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の気相成長法の第１の実施例に用いる
気相成長装置の構造模式断面図である。この装置はガス
の導入管１１，１２，キャリヤーガスの導入管１３，真
空ポンプ１５，排気口１６，バルブ２１，２２，２３，
２４，反応炉５，ヒータ６，７，ウェハー８，原料Ｈｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４を充てんした気化室９を有している。
気相成長装置の構造模式断面図である。この装置はガス
の導入管１１，１２，キャリヤーガスの導入管１３，真
空ポンプ１５，排気口１６，バルブ２１，２２，２３，
２４，反応炉５，ヒータ６，７，ウェハー８，原料Ｈｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４を充てんした気化室９を有している。
本発明の気相成長法によりハウニウム酸化膜をシリコン
基板上に気相成長する手順を説明する。まず、気化室９
に充てんされた室温で固体である原料のＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)
４をヒーター７で１００〜２００℃に加熱し液体状態に
する。また、反応炉内のウェハー８もヒータ６で４００
〜６００℃に真空中で加熱する。
基板上に気相成長する手順を説明する。まず、気化室９
に充てんされた室温で固体である原料のＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)
４をヒーター７で１００〜２００℃に加熱し液体状態に
する。また、反応炉内のウェハー８もヒータ６で４００
〜６００℃に真空中で加熱する。
Ｈｆ(ＯＣ3Ｈ7)４及びウェハー８が充分に加熱されたな
らば、原料を運ぶキャリヤーガスとしてＡｒを用い、ガ
ス導入管１３から気化室９の液体状態にされているＨｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４にキャリヤーガスＡｒを吸き込みバブリン
グすることによりＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４を含むガス（以後原
料ガスと略す）を反応炉５内に導入し、反応炉５内の圧
力は０．１〜１０Torrに、ウェハー８の温度は４００〜
６００℃に保った状態でウェハー８上にハフニウム酸化
膜を成長させる。
らば、原料を運ぶキャリヤーガスとしてＡｒを用い、ガ
ス導入管１３から気化室９の液体状態にされているＨｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４にキャリヤーガスＡｒを吸き込みバブリン
グすることによりＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４を含むガス（以後原
料ガスと略す）を反応炉５内に導入し、反応炉５内の圧
力は０．１〜１０Torrに、ウェハー８の温度は４００〜
６００℃に保った状態でウェハー８上にハフニウム酸化
膜を成長させる。
この時、ハフニウム酸化膜の成長速度や膜質の向上のた
めＯ２ガスをガス導入管１２により反応炉５内に導入し
ても良い。さらに膜成長時の反応炉内の圧力を０．１〜
１０torrに調節するためにベースガスＡｒをガス導入管
１１から反応炉内に導入しても良い。これらガスの流量
の一例として、原料輸送のキャリアガスが１００〜２０
０cc／分，Ｏ２ガスが１／分，ベースＡｒガスが１
／分である。全ガス流量は気相成長装置の排気能力によ
り異なるので反応炉内の圧力が０．１〜１０torrになる
ように調節すればよい。なお、ベースＡｒガスを用いず
にＯ２ガスで圧力を調節してもよい。
めＯ２ガスをガス導入管１２により反応炉５内に導入し
ても良い。さらに膜成長時の反応炉内の圧力を０．１〜
１０torrに調節するためにベースガスＡｒをガス導入管
１１から反応炉内に導入しても良い。これらガスの流量
の一例として、原料輸送のキャリアガスが１００〜２０
０cc／分，Ｏ２ガスが１／分，ベースＡｒガスが１
／分である。全ガス流量は気相成長装置の排気能力によ
り異なるので反応炉内の圧力が０．１〜１０torrになる
ように調節すればよい。なお、ベースＡｒガスを用いず
にＯ２ガスで圧力を調節してもよい。
以上説明した本発明の気相成長法で形成されたハフニウ
ム酸化膜のリーク電流特性を第２図に示す。図におい
て、横軸はハフニウム酸化膜に印加されている電界強度
を、縦軸はハフニウム酸化膜中を流れる電流密度を示
す。また従来の気相成長法で形成された膜のリーク電流
特性も合わせて第２図に示す。本発明の気相成長法によ
り形成されたハフニウム酸化膜は、従来法に比較してリ
ーク電流を数桁以上大巾に低減させることができた。
ム酸化膜のリーク電流特性を第２図に示す。図におい
て、横軸はハフニウム酸化膜に印加されている電界強度
を、縦軸はハフニウム酸化膜中を流れる電流密度を示
す。また従来の気相成長法で形成された膜のリーク電流
特性も合わせて第２図に示す。本発明の気相成長法によ
り形成されたハフニウム酸化膜は、従来法に比較してリ
ーク電流を数桁以上大巾に低減させることができた。
また、得られたハフニウム酸化膜の比誘電率は２０〜２
５であり、これは従来法による膜の比誘電率とほぼ同じ
値である。
５であり、これは従来法による膜の比誘電率とほぼ同じ
値である。
このように本発明の気相成長法により高誘電率でかつリ
ーク電流の少ないハフニウム酸化膜が形成できる。
ーク電流の少ないハフニウム酸化膜が形成できる。
次に、本発明の第２の実施例として、シリコン基板上に
設けられた高融点金属電極上にハフニウム酸化膜を気相
成長する場合の成膜手順を説明する。第２の実施例に用
いる気相成長装置も、第１図に示す気相成長装置と同じ
ものを用いる。
設けられた高融点金属電極上にハフニウム酸化膜を気相
成長する場合の成膜手順を説明する。第２の実施例に用
いる気相成長装置も、第１図に示す気相成長装置と同じ
ものを用いる。
第１の実施例と同様に、まず気化室９に充てんされてい
る原料のＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４をヒーター７で１００〜２０
０℃に加熱し液体状態にする。また反応炉内のウェハー
８もヒーター６で400〜600℃に真空中で加熱する。Ｈｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４及びウェハー８が充分に加熱されたなら
ば、原料を運ぶキャリヤーガスとしてＡｒを用い、ガス
導入管13から気化室９内の液体状態にされているＨｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４にキャリヤーガスＡｒを吹き込みバブリン
グすることにより原料ガスを反応炉５内に導入し、反応
炉５内の圧力は０．１〜１０Torrに、ウェハー８の温度
は４００〜６００℃に保った状態でウェハー８上の高融
点金属電極上にハフニウム酸化膜を成長させる。
る原料のＨｆ(ＯＣ3Ｈ7)４をヒーター７で１００〜２０
０℃に加熱し液体状態にする。また反応炉内のウェハー
８もヒーター６で400〜600℃に真空中で加熱する。Ｈｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４及びウェハー８が充分に加熱されたなら
ば、原料を運ぶキャリヤーガスとしてＡｒを用い、ガス
導入管13から気化室９内の液体状態にされているＨｆ
(ＯＣ3Ｈ7)４にキャリヤーガスＡｒを吹き込みバブリン
グすることにより原料ガスを反応炉５内に導入し、反応
炉５内の圧力は０．１〜１０Torrに、ウェハー８の温度
は４００〜６００℃に保った状態でウェハー８上の高融
点金属電極上にハフニウム酸化膜を成長させる。
本実施例では反応炉内にＯ２ガスが含まれていると高融
点金属がＯ２ガスで酸化されやすいため、第１の実施例
と異なり、Ｏ２ガスを反応炉内に導入しないで膜成長を
行う。即ち、膜成長時の反応炉内の圧力を０．１〜１０
torrに調節するためにベースガスＡｒをガス導入管１１
から導入すると共に原料ガスを反応炉内に導入して膜成
長を行う。
点金属がＯ２ガスで酸化されやすいため、第１の実施例
と異なり、Ｏ２ガスを反応炉内に導入しないで膜成長を
行う。即ち、膜成長時の反応炉内の圧力を０．１〜１０
torrに調節するためにベースガスＡｒをガス導入管１１
から導入すると共に原料ガスを反応炉内に導入して膜成
長を行う。
本実施例では、Ｏ２ガスを膜成長に用いないため、膜の
成長速度や膜質が第１の実施例に比較するとやや落ちる
が、従来の気相成長法による膜のリーク電流に比較する
と、本実施例の膜のリーク電流は大巾に小さい。
成長速度や膜質が第１の実施例に比較するとやや落ちる
が、従来の気相成長法による膜のリーク電流に比較する
と、本実施例の膜のリーク電流は大巾に小さい。
本発明の気相成長法により第１の実施例と同様なリーク
電流の少なくかつ高誘電率のハフニウム酸化膜を高融点
金属電極上に形成できる。
電流の少なくかつ高誘電率のハフニウム酸化膜を高融点
金属電極上に形成できる。
また、高融点金属電極上にハフニウム酸化膜を形成する
場合、本実施例ではＯ２ガスを用いない気相成長法を説
明したが、高融点金属電極が酸化するのを防止するた
め、膜の成長初期にはＯ２ガスを反応炉には導入せずに
ベースＡｒガスと原料ガスのみ導入することにより、ハ
フニウム酸化膜を５０〜１００Å程度気相成長後、前記
ガスに加えてＯ２ガスも反応炉に導入し膜質の良いハフ
ニウム酸化膜を気相成長することも一法である。さら
に、Ｏ２ガスを反応炉に導入するタイミングを原料ガス
の導入タイミングより数秒遅らせても本発明の効果は変
わらない。
場合、本実施例ではＯ２ガスを用いない気相成長法を説
明したが、高融点金属電極が酸化するのを防止するた
め、膜の成長初期にはＯ２ガスを反応炉には導入せずに
ベースＡｒガスと原料ガスのみ導入することにより、ハ
フニウム酸化膜を５０〜１００Å程度気相成長後、前記
ガスに加えてＯ２ガスも反応炉に導入し膜質の良いハフ
ニウム酸化膜を気相成長することも一法である。さら
に、Ｏ２ガスを反応炉に導入するタイミングを原料ガス
の導入タイミングより数秒遅らせても本発明の効果は変
わらない。
なお、第１及び第２の実施例ではハフニウム酸化膜をシ
リコン基板あるいは高融点金属上に形成したが、他の半
導体基板や多結晶シリコン，シリサイド，ポリサイド上
に形成しても、本発明の効果は同じである。また、本発
明の気相成長法ではキャリヤーガスとしてＡｒを用いた
が、Ｎ2やＨe等の不活性ガスを用いてもよい。また本発
明に用いる気相成長装置は、コールド・ウォール型及び
ホット・ウォール型のどちらの型でもよい。
リコン基板あるいは高融点金属上に形成したが、他の半
導体基板や多結晶シリコン，シリサイド，ポリサイド上
に形成しても、本発明の効果は同じである。また、本発
明の気相成長法ではキャリヤーガスとしてＡｒを用いた
が、Ｎ2やＨe等の不活性ガスを用いてもよい。また本発
明に用いる気相成長装置は、コールド・ウォール型及び
ホット・ウォール型のどちらの型でもよい。
以上説明したように本発明は、原料としてＨｆ（ＯＣ3
Ｈ7）４を用い、当該原料を１００〜２００℃に加熱
し、ＡrやＮ2等の不活性ガスを当該原料中に吹き込みバ
ブリングすることにより原料を反応炉内に導入し、０．
１〜１０torrの減圧下で400〜600℃の成長温度でハフニ
ウム酸化膜を気相成長することで、ハフニウム酸化膜の
リーク電流を大巾に低減させ、低リーク電流でかつ高誘
電率の容量膜を形成できる効果がある。
Ｈ7）４を用い、当該原料を１００〜２００℃に加熱
し、ＡrやＮ2等の不活性ガスを当該原料中に吹き込みバ
ブリングすることにより原料を反応炉内に導入し、０．
１〜１０torrの減圧下で400〜600℃の成長温度でハフニ
ウム酸化膜を気相成長することで、ハフニウム酸化膜の
リーク電流を大巾に低減させ、低リーク電流でかつ高誘
電率の容量膜を形成できる効果がある。
第１図は本発明の気相成長法に用いる気相成長装置の模
式縦断面図，第２図は本発明の気相成長法により形成さ
れたハフニウム酸化膜のリーク電流特性を示す図であ
る。１１，１２……ガスの導入管、１３……キャリヤー
ガスの導入管、１５……真空ポンプ、１６……排気口、
２１，２２，２３，２４……バルブ、５……反応炉、
６，７１……ヒーター、８……ウェハー、９１……１原
料Ｈｆ(ＯＣ3Ｈ7)4を充てんした気化室。
式縦断面図，第２図は本発明の気相成長法により形成さ
れたハフニウム酸化膜のリーク電流特性を示す図であ
る。１１，１２……ガスの導入管、１３……キャリヤー
ガスの導入管、１５……真空ポンプ、１６……排気口、
２１，２２，２３，２４……バルブ、５……反応炉、
６，７１……ヒーター、８……ウェハー、９１……１原
料Ｈｆ(ＯＣ3Ｈ7)4を充てんした気化室。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｈｆ(ＯＣ3Ｈ7)４を原料とし、減圧下で成
長を行なうことを特徴とするハフニウム酸化膜の気相成
長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128987A JPH0660406B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | ハフニウム酸化膜の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128987A JPH0660406B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | ハフニウム酸化膜の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236335A JPS63236335A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0660406B2 true JPH0660406B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=13456385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128987A Expired - Lifetime JPH0660406B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | ハフニウム酸化膜の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660406B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2721222B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1998-03-04 | 古河電気工業株式会社 | プラズマｃｖｄ用原料ガス供給装置 |
| KR100531464B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 원자층 증착법을 이용한 하프니움산화막 형성방법 |
| JP5290488B2 (ja) | 2000-09-28 | 2013-09-18 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 酸化物、ケイ酸塩及びリン酸塩の気相成長 |
| KR100463633B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2004-12-29 | 주식회사 아이피에스 | 하프늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
| US6884685B2 (en) * | 2003-02-14 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductors, Inc. | Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process |
| TW200526804A (en) | 2003-10-30 | 2005-08-16 | Tokyo Electron Ltd | Method of manufacturing semiconductor device, film-forming apparatus, and storage medium |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP7128987A patent/JPH0660406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63236335A (ja) | 1988-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5552337A (en) | Method for manfacturing a capacitor for a semiconductor memory device having a tautalum oxide film | |
| KR100222455B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| US6130451A (en) | High dielectric constant material containing tantalum, process for forming high dielectric constant film containing tantalum, and semiconductor device using the same | |
| US5254505A (en) | Process of forming capacitive insulating film | |
| US6544900B2 (en) | In situ dielectric stacks | |
| US5438012A (en) | Method of fabricating capacitor element in super-LSI | |
| JP3611392B2 (ja) | キャパシタおよび高容量キャパシタの製造方法 | |
| US5376593A (en) | Method for fabricating stacked layer Si3 N4 for low leakage high capacitance films using rapid thermal nitridation | |
| US20020197793A1 (en) | Low thermal budget metal oxide deposition for capacitor structures | |
| JPH08139043A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| IE914500A1 (en) | Process for producing a smooth, polycrystalline silicon¹layer doped with arsenic for highly integrated circuits | |
| TW455949B (en) | Epitaxially grown lead germanate film and deposition method | |
| US5470398A (en) | Dielectric thin film and method of manufacturing same | |
| JP2778451B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05243524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100550168B1 (ko) | 산화 비스무스의 생성 방법, 산화물막의 형성 방법, 및 반도체 소자의 캐패시터 구조의 제작 방법 | |
| JPH0660406B2 (ja) | ハフニウム酸化膜の気相成長法 | |
| JP2001203339A (ja) | 半導体素子のキャパシタ製造方法 | |
| JPH05167008A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US20020012222A1 (en) | Dielectric-constant-enhanced capacitor | |
| JP3137004B2 (ja) | 半導体素子のキャパシタ構造の作製方法 | |
| JPH06163519A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| JPH0982666A (ja) | 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06163527A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
| US7132300B2 (en) | Method for forming ferroelectric film and semiconductor device |