JPH0660442A - スタンパ裏面研磨法および研磨装置 - Google Patents
スタンパ裏面研磨法および研磨装置Info
- Publication number
- JPH0660442A JPH0660442A JP22931892A JP22931892A JPH0660442A JP H0660442 A JPH0660442 A JP H0660442A JP 22931892 A JP22931892 A JP 22931892A JP 22931892 A JP22931892 A JP 22931892A JP H0660442 A JPH0660442 A JP H0660442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- stamper
- turntable
- back surface
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク用スタンパ（電鋳膜）をガラス基
板から剥離してスタンパ裏面を研磨する方法および装置
において、スタンパに反り等の変形が生じていても、容
易かつ均一に鏡面研磨できるスタンパ裏面研磨方法およ
び装置を提供する。 【構成】 円環状の研磨パッド１をターンテーブル２の
回転中心と同心状に固定して円環状空間５を形成し、こ
の円環状空間５に調圧タンク９を介してコンプレッサ１
０に連絡する。スタンパの表面側には保護膜を形成し、
該保護膜を介して回転ホルダー３２のスタンパ保持板３
３に固定する。研磨に際しては、円環状空間５に圧縮空
気を供給し、該圧縮空気層の厚さを２〜３ｍｍ、絶対圧
を１〜２ａｔｍとし研磨圧力を１００ｇ／ｃｍ2 とし
て、反りが生じている電鋳膜裏面を研磨する。
板から剥離してスタンパ裏面を研磨する方法および装置
において、スタンパに反り等の変形が生じていても、容
易かつ均一に鏡面研磨できるスタンパ裏面研磨方法およ
び装置を提供する。 【構成】 円環状の研磨パッド１をターンテーブル２の
回転中心と同心状に固定して円環状空間５を形成し、こ
の円環状空間５に調圧タンク９を介してコンプレッサ１
０に連絡する。スタンパの表面側には保護膜を形成し、
該保護膜を介して回転ホルダー３２のスタンパ保持板３
３に固定する。研磨に際しては、円環状空間５に圧縮空
気を供給し、該圧縮空気層の厚さを２〜３ｍｍ、絶対圧
を１〜２ａｔｍとし研磨圧力を１００ｇ／ｃｍ2 とし
て、反りが生じている電鋳膜裏面を研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク製造用のス
タンパ裏面研磨法および研磨装置（メカノケミカルポリ
ッシング装置）に関する。
タンパ裏面研磨法および研磨装置（メカノケミカルポリ
ッシング装置）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスク用スタンパの裏面研磨
では、Ｎｉ等による電鋳膜（電鋳層）をガラス基板（ガ
ラス原盤）から剥離し、ベルト状エメリーテープを用い
るペーパー研磨機や、水性砥粒を供給しながらポリッシ
ュする装置を使用して、電鋳膜単体の形で裏面を研磨す
る方法がとられてきた。ところが最近では、砥粒粒子サ
イズを途中で交換せず、１回の研磨（１５〜２０分間）
で鏡面（０．１Ｓ）状態が容易に得られる、砥粒研磨と
化学研磨の複合加工を利用したメカノケミカルポリッシ
ングが多用されている。
では、Ｎｉ等による電鋳膜（電鋳層）をガラス基板（ガ
ラス原盤）から剥離し、ベルト状エメリーテープを用い
るペーパー研磨機や、水性砥粒を供給しながらポリッシ
ュする装置を使用して、電鋳膜単体の形で裏面を研磨す
る方法がとられてきた。ところが最近では、砥粒粒子サ
イズを途中で交換せず、１回の研磨（１５〜２０分間）
で鏡面（０．１Ｓ）状態が容易に得られる、砥粒研磨と
化学研磨の複合加工を利用したメカノケミカルポリッシ
ングが多用されている。
【０００３】このメカノケミカルポリッシングの骨子は
図３に示すとおりで、吸着孔３１を設けた回転ホルダー
３２によりスタンパ保持板３３を真空吸着保持し、スタ
ンパ３４の表面には保護膜３５を塗布し、該表面側を軟
質板３６を介して粘着テープ３７，３８で前記スタンパ
保持板３３に固定する。一方、研磨パッド３９は、粘着
テープ４０によりターンテーブル（回転定盤）４１に貼
着固定する。そして、研磨に際しては、ターンテーブル
４１を回転させると共に、回転ホルダー３２をターンテ
ーブル４１に自由回転状態で押し当て、メカノケミカル
ポリッシャー液を供給しつつ研磨を行う。
図３に示すとおりで、吸着孔３１を設けた回転ホルダー
３２によりスタンパ保持板３３を真空吸着保持し、スタ
ンパ３４の表面には保護膜３５を塗布し、該表面側を軟
質板３６を介して粘着テープ３７，３８で前記スタンパ
保持板３３に固定する。一方、研磨パッド３９は、粘着
テープ４０によりターンテーブル（回転定盤）４１に貼
着固定する。そして、研磨に際しては、ターンテーブル
４１を回転させると共に、回転ホルダー３２をターンテ
ーブル４１に自由回転状態で押し当て、メカノケミカル
ポリッシャー液を供給しつつ研磨を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板から剥離した電鋳膜（スタンパ）は、細かく観察す
れば、電着応力や剥離時の外力によって複雑な反りを有
しており、また部分的に板厚差が生じている。このた
め、研磨時に研磨パッドとスタンパ裏面とで密着度のム
ラが発生し、外観上ではスタンパ裏面全面が鏡面状態に
仕上がっていても、シャドーグラフ等の光学的検査では
研磨ムラが生じていることが確認される。このように、
従来の研磨技術では、反り等の生じたスタンパ裏面を均
一に鏡面研磨することが難しいという問題点があった。
基板から剥離した電鋳膜（スタンパ）は、細かく観察す
れば、電着応力や剥離時の外力によって複雑な反りを有
しており、また部分的に板厚差が生じている。このた
め、研磨時に研磨パッドとスタンパ裏面とで密着度のム
ラが発生し、外観上ではスタンパ裏面全面が鏡面状態に
仕上がっていても、シャドーグラフ等の光学的検査では
研磨ムラが生じていることが確認される。このように、
従来の研磨技術では、反り等の生じたスタンパ裏面を均
一に鏡面研磨することが難しいという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、スタンパに反り等が生じていても、該スタンパ裏面
を簡便、的確に研磨できる研磨方法、およびそのための
装置を提供することを目的とするものである。
で、スタンパに反り等が生じていても、該スタンパ裏面
を簡便、的確に研磨できる研磨方法、およびそのための
装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスタンパ裏面研
磨法は、ガラス基板上に光ディスク用スタンパとなる電
鋳膜を形成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離して研
磨機のターンテーブルに設けた研磨パッドにより研磨す
る方法において、前記ターンテーブルと研磨パッドとの
対向間隙に流体を調圧供給して研磨することを特徴とす
る。
磨法は、ガラス基板上に光ディスク用スタンパとなる電
鋳膜を形成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離して研
磨機のターンテーブルに設けた研磨パッドにより研磨す
る方法において、前記ターンテーブルと研磨パッドとの
対向間隙に流体を調圧供給して研磨することを特徴とす
る。
【０００７】また、本発明のスタンパ裏面研磨装置は、
ガラス基板上に光ディスク用スタンパとなる電鋳膜を形
成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離して研磨機のタ
ーンテーブルに設けた研磨パッドにより研磨するように
した研磨装置において、円環状の研磨パッドをターンテ
ーブルの回転中心と同心状に設けると共に、研磨パッド
とターンテーブルとで形成された円環状空間を、ターン
テーブルに形成した貫通孔を介して流体の調圧タンクに
連絡し、さらにこの調圧タンクを流体加圧装置に連絡し
たことを特徴とする。
ガラス基板上に光ディスク用スタンパとなる電鋳膜を形
成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離して研磨機のタ
ーンテーブルに設けた研磨パッドにより研磨するように
した研磨装置において、円環状の研磨パッドをターンテ
ーブルの回転中心と同心状に設けると共に、研磨パッド
とターンテーブルとで形成された円環状空間を、ターン
テーブルに形成した貫通孔を介して流体の調圧タンクに
連絡し、さらにこの調圧タンクを流体加圧装置に連絡し
たことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明のスタンパ裏面研磨法においては、ター
ンテーブルと研磨パッドとの間隙に流体を充填したの
で、該流体充填部がクッション材として作用し、電鋳膜
を研磨パッドに圧接させた際に研磨パッドがガラス基板
の反りや凹凸形状を吸収する。このため、スタンパ裏面
の被研磨領域全体を研磨パッドに均一圧力で密着圧接さ
せることが可能となり、効率良く均一に研磨することが
できる。
ンテーブルと研磨パッドとの間隙に流体を充填したの
で、該流体充填部がクッション材として作用し、電鋳膜
を研磨パッドに圧接させた際に研磨パッドがガラス基板
の反りや凹凸形状を吸収する。このため、スタンパ裏面
の被研磨領域全体を研磨パッドに均一圧力で密着圧接さ
せることが可能となり、効率良く均一に研磨することが
できる。
【０００９】また、本発明のスタンパ裏面研磨装置で
は、研磨パッドとターンテーブルとで形成された円環状
空間に流体を充填したので、前記研磨法と同じく、反り
等の生じたスタンパ裏面を的確に研磨することができ
る。そして、前記円環状空間を流体の調圧タンクおよび
流体加圧装置に連絡したので、研磨パッドの表面柔軟性
の調節が可能となるため、研磨圧力を所望の値に設定す
ることが容易となる。さらに、スタンパ裏面の被研磨領
域全体を研磨パッドに均一圧力で密着させることが可能
となるため、研磨砥粒および反応性物質の供給を均一に
行うことができる。
は、研磨パッドとターンテーブルとで形成された円環状
空間に流体を充填したので、前記研磨法と同じく、反り
等の生じたスタンパ裏面を的確に研磨することができ
る。そして、前記円環状空間を流体の調圧タンクおよび
流体加圧装置に連絡したので、研磨パッドの表面柔軟性
の調節が可能となるため、研磨圧力を所望の値に設定す
ることが容易となる。さらに、スタンパ裏面の被研磨領
域全体を研磨パッドに均一圧力で密着させることが可能
となるため、研磨砥粒および反応性物質の供給を均一に
行うことができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明を図面に示す実施例により、さ
らに詳細に説明する。図１は研磨機の全体構造を示して
おり、中心部に円孔を開口した円環状の研磨パッド１を
ターンテーブル２上面にその回転中心と同心状に置き、
外周固定枠３および内周固定枠４により固定して、研磨
パッド１とターンテーブル２とで円環状空間５を形成す
る。ターンテーブル２およびその回転軸６に貫通孔を形
成して加圧流体供給路７とし、この加圧流体供給路７の
上端部を前記円環状空間５に連絡し、下端部は配管８を
介して調圧タンク９に連絡し、この調圧タンク９はコン
プレッサ１０（または液体加圧装置）に連絡する。ま
た、ターンテーブル２の中心部に研磨水剤の排出孔１１
を開口し、この排出孔１１を、前記加圧流体供給路７内
に設けた排液管１２を介して研磨水剤廃液タンク１３に
連絡し、ターンテーブル２を囲む排液受け１４を設け、
そのドレン管１５も前記廃液タンク１３に連絡する。１
６はターンテーブル２の回転支持部材である。
らに詳細に説明する。図１は研磨機の全体構造を示して
おり、中心部に円孔を開口した円環状の研磨パッド１を
ターンテーブル２上面にその回転中心と同心状に置き、
外周固定枠３および内周固定枠４により固定して、研磨
パッド１とターンテーブル２とで円環状空間５を形成す
る。ターンテーブル２およびその回転軸６に貫通孔を形
成して加圧流体供給路７とし、この加圧流体供給路７の
上端部を前記円環状空間５に連絡し、下端部は配管８を
介して調圧タンク９に連絡し、この調圧タンク９はコン
プレッサ１０（または液体加圧装置）に連絡する。ま
た、ターンテーブル２の中心部に研磨水剤の排出孔１１
を開口し、この排出孔１１を、前記加圧流体供給路７内
に設けた排液管１２を介して研磨水剤廃液タンク１３に
連絡し、ターンテーブル２を囲む排液受け１４を設け、
そのドレン管１５も前記廃液タンク１３に連絡する。１
６はターンテーブル２の回転支持部材である。
【００１１】前記研磨機によりスタンパ裏面を研磨する
に際しては図２に示すように、スタンパ３４の表面側を
図３と同じ要領でスタンパ保持板３３に固定し、前記円
環状空間５にはコンプレッサ１０から絶対圧１〜２ａｔ
ｍに調圧された圧縮空気を供給して圧縮空気層の厚さを
２〜３ｍｍとし、スタンパ３４裏面を圧力９５〜１３０
ｇ／ｃｍ2 （研磨圧力）で研磨パッド３９に密着させ、
研磨水剤を研磨パッド３９表面に供給しながら研磨を行
う。
に際しては図２に示すように、スタンパ３４の表面側を
図３と同じ要領でスタンパ保持板３３に固定し、前記円
環状空間５にはコンプレッサ１０から絶対圧１〜２ａｔ
ｍに調圧された圧縮空気を供給して圧縮空気層の厚さを
２〜３ｍｍとし、スタンパ３４裏面を圧力９５〜１３０
ｇ／ｃｍ2 （研磨圧力）で研磨パッド３９に密着させ、
研磨水剤を研磨パッド３９表面に供給しながら研磨を行
う。
【００１２】この実施例装置と図３に示す装置を使用
し、同一仕様のスタンパ複数枚について研磨圧力その他
の条件を同一にして研磨実験を行ったところ、実施例装
置ではスタンパ裏面のうち被研磨部分全面が鏡面状態に
研磨され、シャドーグラフによる光学的検査でも研磨ム
ラが殆ど生じていないことが確認されたのに対し、図３
の装置では全面が鏡面に仕上げられていたものの、シャ
ドーグラフにより研磨ムラが検出された。
し、同一仕様のスタンパ複数枚について研磨圧力その他
の条件を同一にして研磨実験を行ったところ、実施例装
置ではスタンパ裏面のうち被研磨部分全面が鏡面状態に
研磨され、シャドーグラフによる光学的検査でも研磨ム
ラが殆ど生じていないことが確認されたのに対し、図３
の装置では全面が鏡面に仕上げられていたものの、シャ
ドーグラフにより研磨ムラが検出された。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
スタンパ裏面研磨法およびスタンパ裏面研磨装置によれ
ば、ターンテーブルと研磨パッドとの間隙に流体を充填
し、電鋳膜裏面を研磨パッドに圧接して研磨するように
したから、電鋳膜裏面に反り等があっても、この反り等
に順応して、前記流体充填部が変形して、電鋳膜裏面の
うち被研磨部分全面が研磨パッドと均一の接圧で密着す
るため、被研磨面を均一に鏡面研磨することができ、各
種の高精度平面研磨技術として広く応用できるものであ
る。なお、本発明の研磨法、研磨装置のいずれも、電鋳
膜をガラス基板から剥離することなく、このガラス基板
を回転ホルダーに適宜の部材により固定（その周面を挟
持）して、電鋳膜裏面を研磨する場合にも、有効に適用
できるものである。
スタンパ裏面研磨法およびスタンパ裏面研磨装置によれ
ば、ターンテーブルと研磨パッドとの間隙に流体を充填
し、電鋳膜裏面を研磨パッドに圧接して研磨するように
したから、電鋳膜裏面に反り等があっても、この反り等
に順応して、前記流体充填部が変形して、電鋳膜裏面の
うち被研磨部分全面が研磨パッドと均一の接圧で密着す
るため、被研磨面を均一に鏡面研磨することができ、各
種の高精度平面研磨技術として広く応用できるものであ
る。なお、本発明の研磨法、研磨装置のいずれも、電鋳
膜をガラス基板から剥離することなく、このガラス基板
を回転ホルダーに適宜の部材により固定（その周面を挟
持）して、電鋳膜裏面を研磨する場合にも、有効に適用
できるものである。
【図１】本発明装置の実施例を示す断面図である。
【図２】図１実施例における研磨部の断面図である。
【図３】従来の研磨機における研磨部の断面図である。
１ 研磨パッド ２ ターンテーブル ３ 外周固定枠 ４ 内周固定枠 ５ 円環状空間 ６ 回転軸 ７ 加圧流体供給路 ８ 配管 ９ 調圧タンク １０ コンプレッサ １１ 排出孔 １２ 排液管 １３ 研磨水剤廃液タンク １４ 排液受け １５ ドレン管 １６ 回転支持部材 ３１ 吸着孔 ３２ 回転ホルダー ３３ スタンパ保持板 ３４ スタンパ ３５ 保護膜 ３６ 軟質板 ３７，３８，４０ 粘着テープ ３９ 研磨パッド ４１ ターンテーブル
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に光ディスク用スタンパと
なる電鋳膜を形成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離
して研磨機のターンテーブルに設けた研磨パッドにより
研磨する方法において、前記ターンテーブルと研磨パッ
ドとの対向間隙に流体を調圧供給して研磨することを特
徴とするスタンパ裏面研磨法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に光ディスク用スタンパと
なる電鋳膜を形成し、この電鋳膜をガラス基板から剥離
して研磨機のターンテーブルに設けた研磨パッドにより
研磨するようにした研磨装置において、円環状の研磨パ
ッドをターンテーブルの回転中心と同心状に設けると共
に、研磨パッドとターンテーブルとで形成された円環状
空間を、ターンテーブルに形成した貫通孔を介して流体
の調圧タンクに連絡し、さらにこの調圧タンクを流体加
圧装置に連絡したことを特徴とするスタンパ裏面研磨装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931892A JPH0660442A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スタンパ裏面研磨法および研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22931892A JPH0660442A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スタンパ裏面研磨法および研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660442A true JPH0660442A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16890264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22931892A Pending JPH0660442A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スタンパ裏面研磨法および研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000006003A (ja) * | 1998-04-21 | 2000-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | 板状材への加圧方法及び加圧装置 |
| WO2007037319A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Seikoh Giken Co., Ltd. | ディスク状部材の研磨治具、裏面研磨方法および裏面研磨機 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP22931892A patent/JPH0660442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000006003A (ja) * | 1998-04-21 | 2000-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | 板状材への加圧方法及び加圧装置 |
| WO2007037319A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Seikoh Giken Co., Ltd. | ディスク状部材の研磨治具、裏面研磨方法および裏面研磨機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5851140A (en) | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate | |
| US6036587A (en) | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
| US5951374A (en) | Method of polishing semiconductor wafers | |
| TW379378B (en) | CMP wafer carrier for preferential polishing of a wafer | |
| US6764392B2 (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
| JPH0335063B2 (ja) | ||
| JP3042293B2 (ja) | ウエーハのポリッシング装置 | |
| JPH0413568A (ja) | バッキングパッド、その精密平面加工方法およびそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH01216768A (ja) | 半導体基板の研磨方法及びその装置 | |
| JP2001510739A (ja) | ラップ仕上げ、ホーニング、およびポリッシングの間に加工部品を保持するための装置 | |
| CN101827684A (zh) | 研磨头、研磨装置以及工件的剥离方法 | |
| JP3623122B2 (ja) | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 | |
| EP2472571A2 (en) | Wafer-supporting member, method for manufacturing same, and wafer-polishing unit comprising same | |
| EP0835723A1 (en) | A carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
| JPH0660442A (ja) | スタンパ裏面研磨法および研磨装置 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JP2004063880A (ja) | ウェーハ接着装置およびウェーハ接着方法 | |
| JP4793680B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
| JPH09141550A (ja) | 薄板状基板の研磨方法及びそのための研磨装置 | |
| JP3183204B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JPH10217108A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JPS634937B2 (ja) | ||
| JP2001105307A (ja) | ウェハー研磨装置 | |
| JPH10270398A (ja) | ウェーハの研磨装置 |