JPH0660458A - 単板光ディスクとその記録再生方法 - Google Patents
単板光ディスクとその記録再生方法Info
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- JPH0660458A JPH0660458A JP13033992A JP13033992A JPH0660458A JP H0660458 A JPH0660458 A JP H0660458A JP 13033992 A JP13033992 A JP 13033992A JP 13033992 A JP13033992 A JP 13033992A JP H0660458 A JPH0660458 A JP H0660458A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- -1 iron group transition metal Chemical class 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017141 AlTa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015371 AuCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000604 Ferrochrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】記録感度がよくかつ信号品質もよいオーバライ
ト書換え可能であり、耐候性に優れるものを提供する。 【構成】ディスク基板１上に、透明干渉層２と、ＧｄＦ
ｅＣｏの第１の光磁気層３１と、ＴｂＦｅＣｒの第２の
光磁気層３２と、誘電体保護層４と、金属放熱層とを積
層して単板光ディスクを作製する。この単板光ディスク
に、高パワーのレーザー光照射とともに、変調磁界を印
加することにより、情報を記録し、低パワーのレーザー
光照射により情報を再生する。
ト書換え可能であり、耐候性に優れるものを提供する。 【構成】ディスク基板１上に、透明干渉層２と、ＧｄＦ
ｅＣｏの第１の光磁気層３１と、ＴｂＦｅＣｒの第２の
光磁気層３２と、誘電体保護層４と、金属放熱層とを積
層して単板光ディスクを作製する。この単板光ディスク
に、高パワーのレーザー光照射とともに、変調磁界を印
加することにより、情報を記録し、低パワーのレーザー
光照射により情報を再生する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単板光ディスクとその
記録再生方法に関し、特に磁界を変調することにより情
報の書込みを行い磁気光学効果を利用してレーザー光に
より情報の読出しを行う単板光ディスクとその記録再生
方法に関する。
記録再生方法に関し、特に磁界を変調することにより情
報の書込みを行い磁気光学効果を利用してレーザー光に
より情報の読出しを行う単板光ディスクとその記録再生
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の読出しを行う光
ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置と
して優れた特徴を有している。特に単板光ディスクはそ
のコンパクト性のため期待されている。
ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置と
して優れた特徴を有している。特に単板光ディスクはそ
のコンパクト性のため期待されている。
【０００３】一般に書換可能な光ディスクとしては、カ
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
【０００４】次に、従来例の単板光ディスクについて図
面を参照して説明する。
面を参照して説明する。
【０００５】図７は従来例の単板光ディスクの基本構造
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【０００６】この図７は、従来の代表的な単板光ディス
クの一例を示している。
クの一例を示している。
【０００７】図７に示す単板光ディスクは、ディスク基
板１０１の上に透明干渉層１０２、その上に鉄族遷移金
属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体から
なる垂直磁化可能な光磁気層１０３、その上に誘電体保
護層１０４、その上にＡｌ合金等の金属反射層１０５、
その上に有機物の保護層１０６を順に設けたものであ
る。
板１０１の上に透明干渉層１０２、その上に鉄族遷移金
属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体から
なる垂直磁化可能な光磁気層１０３、その上に誘電体保
護層１０４、その上にＡｌ合金等の金属反射層１０５、
その上に有機物の保護層１０６を順に設けたものであ
る。
【０００８】書込みおよび読出し用のレーザー光は、デ
ィスク基板１０１を通して入射し、光磁気層１０３の近
傍でおよそφ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光される。レーザー光源としては波長８
３００オングストローム前後の半導体レーザーが用いら
れる。
ィスク基板１０１を通して入射し、光磁気層１０３の近
傍でおよそφ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光される。レーザー光源としては波長８
３００オングストローム前後の半導体レーザーが用いら
れる。
【０００９】情報の書込みは、情報に対応させて高パワ
ーのレーザー光を照射することにより、光磁気層１０３
にレーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネル
ギーに変換させてキュリー温度近傍に昇温させ、そし
て、この部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけてお
くことにより、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向
に配向せしめて行う。
ーのレーザー光を照射することにより、光磁気層１０３
にレーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネル
ギーに変換させてキュリー温度近傍に昇温させ、そし
て、この部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけてお
くことにより、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向
に配向せしめて行う。
【００１０】情報の読出しは、直線偏光した低いパワー
のレーザー光を光磁気層１０３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することにより行
う。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転さ
せる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θk が光
磁気層１０３の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
のレーザー光を光磁気層１０３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することにより行
う。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転さ
せる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θk が光
磁気層１０３の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
【００１１】光磁気層１０３の材料としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提
案されている（特公平１−２３９２７）。このような光
磁気材料は非常に酸化されやすいので、透明干渉層１０
２と誘電体保護層１０４とで挟みこむことにより、光磁
気層１０３が酸化することを防いでいる。
ＴｂＦｅＣｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提
案されている（特公平１−２３９２７）。このような光
磁気材料は非常に酸化されやすいので、透明干渉層１０
２と誘電体保護層１０４とで挟みこむことにより、光磁
気層１０３が酸化することを防いでいる。
【００１２】光磁気材料のθk は通常小さいので、透明
干渉層１０２と誘電体保護層１０４と金属反射層１０５
とによる多重干渉効果によって読出し信号の増幅が行わ
れる。
干渉層１０２と誘電体保護層１０４と金属反射層１０５
とによる多重干渉効果によって読出し信号の増幅が行わ
れる。
【００１３】一方別の情報書込み方法として、高いパワ
ーのレーザー光をディスク基板１０１を通して光磁気層
１０３に照射するとともにレーザー光とは反対側から記
録したい２値情報に対応させて極性の異なる磁界を印加
することにより、情報に対応させて磁化を配向せしめる
という方法が提案されている（特公昭６０−４８８０
６）。
ーのレーザー光をディスク基板１０１を通して光磁気層
１０３に照射するとともにレーザー光とは反対側から記
録したい２値情報に対応させて極性の異なる磁界を印加
することにより、情報に対応させて磁化を配向せしめる
という方法が提案されている（特公昭６０−４８８０
６）。
【００１４】この方法は磁界変調法と呼ばれ、オーバラ
イト書換が可能なことから注目されている。
イト書換が可能なことから注目されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の単板光
ディスクおよびその記録再生方法では、記録感度が良好
でかつ信号品質が良好でかつ耐候性に優れた真に実用的
な光ディスクおよびその記録再生方法はなかった。
ディスクおよびその記録再生方法では、記録感度が良好
でかつ信号品質が良好でかつ耐候性に優れた真に実用的
な光ディスクおよびその記録再生方法はなかった。
【００１６】本発明の目的は、ディスク基板上に、少な
くとも、透明干渉層とＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層と
ＴｂＦｅＣｒの第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放
熱層とを積層して単板光ディスクを作製することによ
り、上記の欠点を解消し、記録感度がよくかつ信号品質
がよくかつオーバライト書換え可能であり、耐候性にも
優れた実用的な単板光ディスクとその記録再生方法を提
供することにある。
くとも、透明干渉層とＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層と
ＴｂＦｅＣｒの第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放
熱層とを積層して単板光ディスクを作製することによ
り、上記の欠点を解消し、記録感度がよくかつ信号品質
がよくかつオーバライト書換え可能であり、耐候性にも
優れた実用的な単板光ディスクとその記録再生方法を提
供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本第一の発明の単板光デ
ィスクでは、ディスク基板上に透明干渉層と第１の光磁
気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層とを
少なくともこの順に設け、高いパワーのレーザー光をデ
ィスク基板を通して第１の光磁気層に集束して照射する
とともにその照射領域に２値情報に対応させて極性の異
なる磁界を印加することにより情報の書込みを行い、低
いパワーのレーザー光をディスク基板を通して前記第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出しを行うようにした単板光ディスクであっ
て、第１の光磁気層がＧｄＦｅＣｏであり、第２の光磁
気層がＴｂＦｅＣｒであるように構成している。
ィスクでは、ディスク基板上に透明干渉層と第１の光磁
気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層とを
少なくともこの順に設け、高いパワーのレーザー光をデ
ィスク基板を通して第１の光磁気層に集束して照射する
とともにその照射領域に２値情報に対応させて極性の異
なる磁界を印加することにより情報の書込みを行い、低
いパワーのレーザー光をディスク基板を通して前記第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出しを行うようにした単板光ディスクであっ
て、第１の光磁気層がＧｄＦｅＣｏであり、第２の光磁
気層がＴｂＦｅＣｒであるように構成している。
【００１８】本第二の発明の単板光ディスクでは、上記
第一の発明の単板光ディスクの金属放熱層の上に有機物
の保護層を設けている。
第一の発明の単板光ディスクの金属放熱層の上に有機物
の保護層を設けている。
【００１９】本第三の発明の単板光ディスクでは、上記
第二の発明の単板光ディスクの金属放熱層と有機物の保
護層との間にＮｉＣｒ合金の保護層を設けている。
第二の発明の単板光ディスクの金属放熱層と有機物の保
護層との間にＮｉＣｒ合金の保護層を設けている。
【００２０】本第四の発明の単板光ディスクでは、上記
第一から第三の発明のいずれか一つの単板光ディスクの
透明干渉層が窒化シリコンであり、誘電体保護層が窒化
シリコンであるよう構成している。
第一から第三の発明のいずれか一つの単板光ディスクの
透明干渉層が窒化シリコンであり、誘電体保護層が窒化
シリコンであるよう構成している。
【００２１】本第五の発明の単板光ディスクでは、上記
第一から第三の発明のいずれか一つの単板光ディスクの
透明干渉層が水素化炭化シリコンであり、誘電体保護層
が水素化炭化シリコンであるように構成している。
第一から第三の発明のいずれか一つの単板光ディスクの
透明干渉層が水素化炭化シリコンであり、誘電体保護層
が水素化炭化シリコンであるように構成している。
【００２２】本第六の発明の単板光ディスクでは、上記
第一から第五のいずれか一つの発明の単板光ディスクの
透明干渉層と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 のバッ
クコート層を設けている。
第一から第五のいずれか一つの発明の単板光ディスクの
透明干渉層と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 のバッ
クコート層を設けている。
【００２３】本第七の発明の単板光ディスクの記録再生
方法では、ディスク基板上に、少なくとも、透明干渉層
と、ＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層と、ＴｂＦｅＣｒの
第２の光磁気層と、誘電体保護層と、金属放熱層とを、
この順序に積層して構成した単板光ディスクに対して２
値情報を記録再生する方法であって、高いパワーのレー
ザー光をディスク基板を通して第１の光磁気層に集束し
て照射するとともに記録したい２値情報に対応させて極
性の異なる磁界を印加することにより情報の書込みを行
い、低いパワーのレーザー光をディスク基板を通して第
１の光磁気層に集束して移動させながら照射することに
より情報の読出しを行っている。
方法では、ディスク基板上に、少なくとも、透明干渉層
と、ＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層と、ＴｂＦｅＣｒの
第２の光磁気層と、誘電体保護層と、金属放熱層とを、
この順序に積層して構成した単板光ディスクに対して２
値情報を記録再生する方法であって、高いパワーのレー
ザー光をディスク基板を通して第１の光磁気層に集束し
て照射するとともに記録したい２値情報に対応させて極
性の異なる磁界を印加することにより情報の書込みを行
い、低いパワーのレーザー光をディスク基板を通して第
１の光磁気層に集束して移動させながら照射することに
より情報の読出しを行っている。
【００２４】本第八の発明の単板光ディスクの記録再生
方法では、上記第七の発明の単板光ディスクの記録再生
方法で、情報の書込みを行うときのレーザー光のパワー
を変調させている。
方法では、上記第七の発明の単板光ディスクの記録再生
方法で、情報の書込みを行うときのレーザー光のパワー
を変調させている。
【００２５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２６】図１は本第一の発明の一実施例の単板光デ
ィスクの基本構造を示した断面図、図２は本第二の発明
の一実施例の単板光ディスクの基本構造を示した断面
図、図３は本第三の発明の一実施例の単板光ディスクの
基本構造を示した断面図、図４は本第四の発明の一実施
例の単板光ディスクの基本構造を示した断面図、図５は
本第五の発明の一実施例の単板光ディスクの基本構造を
示した断面図、図６は本第六の発明の一実施例の単板光
ディスクの基本構造を示した断面図である。
ィスクの基本構造を示した断面図、図２は本第二の発明
の一実施例の単板光ディスクの基本構造を示した断面
図、図３は本第三の発明の一実施例の単板光ディスクの
基本構造を示した断面図、図４は本第四の発明の一実施
例の単板光ディスクの基本構造を示した断面図、図５は
本第五の発明の一実施例の単板光ディスクの基本構造を
示した断面図、図６は本第六の発明の一実施例の単板光
ディスクの基本構造を示した断面図である。
【００２７】図１に示す単板光ディスクは、ディスク基
板１の上に透明干渉層２を設け、その上にＧｄＦｅＣｏ
の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の
光磁気層３１、その上にＴｂＦｅＣｒの非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層３２、その上に誘電体保護層４を順に設け、その
上に金属膜の放熱層５を設けたものである。
板１の上に透明干渉層２を設け、その上にＧｄＦｅＣｏ
の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の
光磁気層３１、その上にＴｂＦｅＣｒの非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層３２、その上に誘電体保護層４を順に設け、その
上に金属膜の放熱層５を設けたものである。
【００２８】単板光ディスクは、図１のような構成のま
まで、レーザー光をディスク基板１を通して入射するこ
とにより情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、図
２のように金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層６
を設ける場合もある。さらにまた、図３のように金属放
熱層５と有機物の保護層６との間にＮｉＣｒ合金の保護
層７を設ける場合もある。
まで、レーザー光をディスク基板１を通して入射するこ
とにより情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、図
２のように金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層６
を設ける場合もある。さらにまた、図３のように金属放
熱層５と有機物の保護層６との間にＮｉＣｒ合金の保護
層７を設ける場合もある。
【００２９】信頼性をさらに向上させた単板光ディスク
としては、図４および図５および図６のように透明干渉
層２と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 のバックコー
ト層９を設ける場合もある。
としては、図４および図５および図６のように透明干渉
層２と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 のバックコー
ト層９を設ける場合もある。
【００３０】また、信頼性を向上させた別の単板光ディ
スクとしては、有機物の保護層６の表面形状を鏡面では
なく微細に荒す場合もある。
スクとしては、有機物の保護層６の表面形状を鏡面では
なく微細に荒す場合もある。
【００３１】ディスク基板１としては、ポリカーボネイ
ト樹脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォ
トポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。このディ
スク基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案
内ピットを形成しておくことが望ましい。トラックピッ
チはおよそ０．８〜１．６μｍである。透明干渉層２の
材料としては、窒化シリコンまたは水素化炭化シリコン
がとくに望ましい。
ト樹脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォ
トポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。このディ
スク基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案
内ピットを形成しておくことが望ましい。トラックピッ
チはおよそ０．８〜１．６μｍである。透明干渉層２の
材料としては、窒化シリコンまたは水素化炭化シリコン
がとくに望ましい。
【００３２】誘電体保護層４の材料としても、窒化シリ
コンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
コンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
【００３３】金属放熱層５の材料としては、Ａｌ合金，
Ａｕ合金が望ましいが、ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ
Ｃｒ，ＡｌＴａ，ＡｕＣｕがとくに望ましい。
Ａｕ合金が望ましいが、ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ
Ｃｒ，ＡｌＴａ，ＡｕＣｕがとくに望ましい。
【００３４】ＮｉＣｒ保護層７の合金としては、Ｎｉ含
有量が８０重量％のものがとくに望ましい。
有量が８０重量％のものがとくに望ましい。
【００３５】書込みおよび読出し用のレーザー光は、デ
ィスク基板１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近
傍でおよそφ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォー
カシング・サーボにより集光する。
ィスク基板１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近
傍でおよそφ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォー
カシング・サーボにより集光する。
【００３６】レーザー光源としては、波長６７００〜８
３００オングストローム前後の半導体レーザーを用い
る。
３００オングストローム前後の半導体レーザーを用い
る。
【００３７】第１の光磁気層３１の膜の保磁力は読出し
を行う温度では比較的小さくし、第２の光磁気層３２の
膜の保磁力は読出しを行う温度では比較的大きいように
し、読出しを行う温度では第１の光磁気層３１と第２の
光磁気層３２とは交換結合するようにし、書込みを行う
初期の温度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気層３
２とはほとんど交換結合しないようにする。
を行う温度では比較的小さくし、第２の光磁気層３２の
膜の保磁力は読出しを行う温度では比較的大きいように
し、読出しを行う温度では第１の光磁気層３１と第２の
光磁気層３２とは交換結合するようにし、書込みを行う
初期の温度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気層３
２とはほとんど交換結合しないようにする。
【００３８】情報の書込みは、高いパワーのレーザー光
をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１に集束し
て照射することにより、少なくとも第１の光磁気層３１
にレーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネル
ギーに変換させてその熱で第２の光磁気層３２をキュリ
ー温度近傍に昇温させ、そして、この状態のときにこの
部分を含む領域に記録したい２値情報に対応させた極性
の磁界を印加することにより、第２の光磁気層３２の垂
直磁化の向きを２値情報に対応させて行う。
をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１に集束し
て照射することにより、少なくとも第１の光磁気層３１
にレーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネル
ギーに変換させてその熱で第２の光磁気層３２をキュリ
ー温度近傍に昇温させ、そして、この状態のときにこの
部分を含む領域に記録したい２値情報に対応させた極性
の磁界を印加することにより、第２の光磁気層３２の垂
直磁化の向きを２値情報に対応させて行う。
【００３９】高いパワーのレーザー光の照射後の温度が
下がった状態では、この書き込まれた第２の光磁気層３
２の垂直磁化の向きは高キュリー温度の第１の光磁気層
３１に転写される。
下がった状態では、この書き込まれた第２の光磁気層３
２の垂直磁化の向きは高キュリー温度の第１の光磁気層
３１に転写される。
【００４０】高いパワーのレーザー光の照射の仕方は、
一定のパワーではなく断続的に照射したり、または記録
初期から最後になるにしたがってパワーを減少させるよ
うに照射すると、高密度に情報を書き込むことができる
ようになる。
一定のパワーではなく断続的に照射したり、または記録
初期から最後になるにしたがってパワーを減少させるよ
うに照射すると、高密度に情報を書き込むことができる
ようになる。
【００４１】情報の読出しは、直線偏光した低いパワー
の集束レーザー光を第１の光磁気層３１に照射し、そこ
からの反射光を検光子を介して光学的に検出することに
より行う。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を
回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θ
k が光磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
の集束レーザー光を第１の光磁気層３１に照射し、そこ
からの反射光を検光子を介して光学的に検出することに
より行う。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を
回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θ
k が光磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
【００４２】書込み・読出し特性を良好なものとし、か
つ高温高湿度保存耐性を良好なものとする第１の光磁気
層３１の材料と第２の光磁気層３２の材料との組合せ
は、その詳細な理由は定かではないが第１の光磁気層３
１としてＧｄＦｅＣｏ，第２の光磁気層３２としてＴｂ
ＦｅＣｒであることがわかり、本発明に到った。
つ高温高湿度保存耐性を良好なものとする第１の光磁気
層３１の材料と第２の光磁気層３２の材料との組合せ
は、その詳細な理由は定かではないが第１の光磁気層３
１としてＧｄＦｅＣｏ，第２の光磁気層３２としてＴｂ
ＦｅＣｒであることがわかり、本発明に到った。
【００４３】以下具体例について説明する。 ［具体例１］案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
７オングストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタ
することにより８００オングストローム厚の窒化シリコ
ンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲ
ット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．
５原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１
７０オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１
の光磁気膜３１を設け、ひきつづきＴｂＦｅＣｒターゲ
ット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．６：７９．４：２．０
原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより７０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｒの非晶質の第２の
光磁気膜３２を設けた。その上にシリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保護
層４を設けた。その上にＡｌＣｒ合金ターゲット（Ｃｒ
の含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでスパッタす
ることにより２００オングストローム厚の金属放熱層５
を設けた。この後、スパッタ装置から大気中に取り出
し、金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート
し、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚
の保護層６を設け、図２のような構成の単板光ディスク
を作製した。
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
７オングストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタ
することにより８００オングストローム厚の窒化シリコ
ンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲ
ット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．
５原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１
７０オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１
の光磁気膜３１を設け、ひきつづきＴｂＦｅＣｒターゲ
ット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．６：７９．４：２．０
原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより７０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｒの非晶質の第２の
光磁気膜３２を設けた。その上にシリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保護
層４を設けた。その上にＡｌＣｒ合金ターゲット（Ｃｒ
の含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでスパッタす
ることにより２００オングストローム厚の金属放熱層５
を設けた。この後、スパッタ装置から大気中に取り出
し、金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート
し、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚
の保護層６を設け、図２のような構成の単板光ディスク
を作製した。
【００４４】この単板光ディスクを３６００ｒｐｍで回
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４ｍＷのレーザー
パワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１
ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバ
ライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照
射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが得ら
れ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディスク
およびその記録再生方法であることが確認された。
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４ｍＷのレーザー
パワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１
ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバ
ライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照
射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが得ら
れ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディスク
およびその記録再生方法であることが確認された。
【００４５】この単板光ディスクを８０℃８０％の高温
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例２］案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
７オングストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタ
することにより８００オングストローム厚の窒化シリコ
ンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲ
ット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．
５原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１
７０オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１
の光磁気膜３１を設け、ひきつづきＴｂＦｅＣｒターゲ
ット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．６：７９．４：２．０
原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより７０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｒの非晶質の第２の
光磁気膜３２を設けた。その上にシリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保護
層４を設けた。その上にＡｌＣｒ合金ターゲット（Ｃｒ
の含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでスパッタす
ることにより２００オングストローム厚の金属放熱層５
を設けた。その上にＮｉＣｒ合金ターゲット（Ｎｉの含
有量は８０重量％）をアルゴンガスでスパッタすること
により３００オングストローム厚の保護層７を設けた。
この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、ＮｉＣｒ
の保護層７の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層
６を設け、図３のような構成の単板光ディスクを作製し
た。
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例２］案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下
に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
７オングストローム程度逆スパッタし、しかる後シリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタ
することにより８００オングストローム厚の窒化シリコ
ンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲ
ット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．
５原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１
７０オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１
の光磁気膜３１を設け、ひきつづきＴｂＦｅＣｒターゲ
ット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．６：７９．４：２．０
原子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより７０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｒの非晶質の第２の
光磁気膜３２を設けた。その上にシリコンターゲットを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることにより
８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保護
層４を設けた。その上にＡｌＣｒ合金ターゲット（Ｃｒ
の含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでスパッタす
ることにより２００オングストローム厚の金属放熱層５
を設けた。その上にＮｉＣｒ合金ターゲット（Ｎｉの含
有量は８０重量％）をアルゴンガスでスパッタすること
により３００オングストローム厚の保護層７を設けた。
この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、ＮｉＣｒ
の保護層７の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層
６を設け、図３のような構成の単板光ディスクを作製し
た。
【００４６】この単板光ディスクを３６００ｒｐｍで回
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレー
ザーパワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波
数１ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオ
ーバライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワー
を照射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディ
スクおよびその記録再生方法であることが確認された。
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレー
ザーパワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波
数１ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオ
ーバライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワー
を照射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディ
スクおよびその記録再生方法であることが確認された。
【００４７】この単板光ディスクを８０℃８０％の高温
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例３］案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、まず案内溝と反対側のポ
リカーボネイト樹脂表面をおよそ７オングストローム程
度逆スパッタし、しかる後シリコンターゲットをアルゴ
ンと酸素との混合ガスでスパッタすることによりおよそ
５００オングストローム厚のＳｉＯ2 のバックコート層
９を設けた。次に、案内溝と同じ側のポリカーボネイト
樹脂表面をおよそ７オングストローム程度逆スパッタ
し、しかる後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスでスパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を設けた。次に、
ＧｄＦｅＣｏターゲット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．
５：６５．０：１４．５原子％）をアルゴンガスでスパ
ッタすることにより１７０オングストローム厚のＧｄＦ
ｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設け、ひきつづ
きＴｂＦｅＣｒターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．
６：７９．４：２．０原子％）をアルゴンガスでスパッ
タすることにより７００オングストローム厚のＴｂＦｅ
Ｃｒの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上に
シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでス
パッタすることにより８００オングストローム厚の窒化
シリコンの誘電体保護層４を設けた。その上にＡｌＣｒ
合金ターゲット（Ｃｒの含有量は１．０重量％）をアル
ゴンガスでスパッタすることにより２００オングストロ
ーム厚の金属放熱層５を設けた。その上にＮｉＣｒ合金
ターゲット（Ｎｉの含有量は８０重量％）をアルゴンガ
スでスパッタすることにより３００オングストローム厚
の保護層７を設けた。この後、スパッタ装置から大気中
に取り出し、ＮｉＣｒの保護層７の上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ厚の保護層６を設け、図６のような構成の単
板光ディスクを作製した。
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例３］案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、まず案内溝と反対側のポ
リカーボネイト樹脂表面をおよそ７オングストローム程
度逆スパッタし、しかる後シリコンターゲットをアルゴ
ンと酸素との混合ガスでスパッタすることによりおよそ
５００オングストローム厚のＳｉＯ2 のバックコート層
９を設けた。次に、案内溝と同じ側のポリカーボネイト
樹脂表面をおよそ７オングストローム程度逆スパッタ
し、しかる後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスでスパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を設けた。次に、
ＧｄＦｅＣｏターゲット（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．
５：６５．０：１４．５原子％）をアルゴンガスでスパ
ッタすることにより１７０オングストローム厚のＧｄＦ
ｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設け、ひきつづ
きＴｂＦｅＣｒターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｒ＝１８．
６：７９．４：２．０原子％）をアルゴンガスでスパッ
タすることにより７００オングストローム厚のＴｂＦｅ
Ｃｒの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上に
シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでス
パッタすることにより８００オングストローム厚の窒化
シリコンの誘電体保護層４を設けた。その上にＡｌＣｒ
合金ターゲット（Ｃｒの含有量は１．０重量％）をアル
ゴンガスでスパッタすることにより２００オングストロ
ーム厚の金属放熱層５を設けた。その上にＮｉＣｒ合金
ターゲット（Ｎｉの含有量は８０重量％）をアルゴンガ
スでスパッタすることにより３００オングストローム厚
の保護層７を設けた。この後、スパッタ装置から大気中
に取り出し、ＮｉＣｒの保護層７の上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ厚の保護層６を設け、図６のような構成の単
板光ディスクを作製した。
【００４８】この単板光ディスクを３６００ｒｐｍで回
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレー
ザーパワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波
数１ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオ
ーバライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワー
を照射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディ
スクおよびその記録再生方法であることが確認された。
転させ、波長７８００オングストロームの半導体レーザ
ー光をディスク基板１を通して第１の光磁気層３１上で
およそφ１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調し
て印加した。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレー
ザーパワーを照射しながらデューティ５０％で変調周波
数１ＭＨｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオ
ーバライト書込みを行い、０．５ｍＷのレーザーパワー
を照射して読出しを行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディ
スクおよびその記録再生方法であることが確認された。
【００４９】この単板光ディスクを８０℃８０％の高温
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例４］具体例１と同様にして、透明干渉層２と誘
電体保護層４のみをそれぞれ７５０オングストローム厚
と７５０オングストローム厚の水素化炭化シリコンに変
更した単板光ディスクを作製した。
高湿環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に
問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその記
録再生方法であることが確認された。 ［具体例４］具体例１と同様にして、透明干渉層２と誘
電体保護層４のみをそれぞれ７５０オングストローム厚
と７５０オングストローム厚の水素化炭化シリコンに変
更した単板光ディスクを作製した。
【００５０】具体例１と同様に記録再生を行ったとこ
ろ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディスク
およびその記録再生方法であることが確認された。
ろ、記録感度がよくかつ信号品質もよい単板光ディスク
およびその記録再生方法であることが確認された。
【００５１】この単板光ディスクを８０℃８０％の高温
高湿度環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生
に問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその
記録再生方法であることが確認された。
高湿度環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生
に問題はなく、実用に供せる単板光ディスクおよびその
記録再生方法であることが確認された。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の単板光デ
ィスクおよびその記録再生方法は、ディスク基板上に、
少なくとも、透明干渉層とＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気
層とＴｂＦｅＣｒの第２の光磁気層と誘電体保護層と金
属放熱層とを積層して作製した単板光ディスクに、高パ
ワーのレーザー光照射とともに、変調磁界を印加し、情
報を記録し、低パワーのレーザー光照射により情報を再
生することにより、記録感度がよくかつ信号品質がよく
かつオーバライト書換が可能となると共に耐候性にも優
れるものになるという効果がある。
ィスクおよびその記録再生方法は、ディスク基板上に、
少なくとも、透明干渉層とＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気
層とＴｂＦｅＣｒの第２の光磁気層と誘電体保護層と金
属放熱層とを積層して作製した単板光ディスクに、高パ
ワーのレーザー光照射とともに、変調磁界を印加し、情
報を記録し、低パワーのレーザー光照射により情報を再
生することにより、記録感度がよくかつ信号品質がよく
かつオーバライト書換が可能となると共に耐候性にも優
れるものになるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本第一の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図２】本第二の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図３】本第三の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図４】本第四の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図５】本第五の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図６】本第六の発明の一実施例の単板光ディスクの基
本構造を示した断面図である。
本構造を示した断面図である。
【図７】従来例の単板光ディスクの基本構造を示した断
面図である。
面図である。
１，１０１ ディスク基板 ２，１０２ 透明干渉層 ３１ ＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層 ３２ ＴｂＦｅＣｒの第２の光磁気層 ４，１０４ 誘電体保護層 ５ 金属放熱層 ６，１０６ 有機物の保護層 ７ ＮｉＣｒの保護層 ９ ＳｉＯ2 のバックコート層 １０３ 光磁気層 １０５ 金属反射層
Claims (8)
- 【請求項１】 ディスク基板上に透明干渉層と第１の光
磁気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層と
を少なくともこの順に設け、高いパワーのレーザー光を
前記ディスク基板を通して前記第１の光磁気層に集束し
て照射するとともにその照射領域に２値情報に対応させ
て極性の異なる磁界を印加することにより情報の書込み
を行い、低いパワーのレーザー光を前記ディスク基板を
通して前記第１の光磁気層に集束して移動させながら照
射することにより情報の読出しを行うようにした単板光
ディスクであって、 前記第１の光磁気層がＧｄＦｅＣｏであり、前記第２の
光磁気層がＴｂＦｅＣｒであることを特徴とする単板光
ディスク。 - 【請求項２】前記金属放熱層の上に有機物の保護層を設
けたことを特徴とする請求項１記載の単板光ディスク。 - 【請求項３】前記金属放熱層と前記有機物の保護層との
間にＮｉＣｒ合金の保護層を設けたことを特徴とする請
求項２記載の単板光ディスク。 - 【請求項４】前記透明干渉層が窒化シリコンであり、前
記誘電体保護層が窒化シリコンであることを特徴とする
請求項１から請求項３のいずれか１項記載の単板光ディ
スク。 - 【請求項５】前記透明干渉層が水素化炭化シリコンであ
り、前記誘電体保護層が水素化炭化シリコンであること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項記載
の単板光ディスク。 - 【請求項６】前記透明干渉層と反対側のディスク基板上
にＳｉＯ2 のバックコート層を設けたことを特徴とする
請求項１から請求項５のいずれか１項記載の単板光ディ
スク。 - 【請求項７】ディスク基板上に、少なくとも、透明干渉
層と、ＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層と、ＴｂＦｅＣｒ
の第２の光磁気層と、誘電体保護層と、金属放熱層と
を、この順序に積層して構成した単板光ディスクに対し
て２値情報を記録再生する方法であって、 高いパワーのレーザー光を前記ディスク基板を通して前
記第１の光磁気層に集束して照射するとともに記録した
い２値情報に対応させて極性の異なる磁界を印加するこ
とにより情報の書込みを行い、低いパワーのレーザー光
を前記ディスク基板を通して前記第１の光磁気層に集束
して移動させながら照射することにより情報の読出しを
行うことを特徴とする単板光ディスクの記録再生方法。 - 【請求項８】情報の書込みを行うときのレーザー光のパ
ワーを変調させることを特徴とする請求項７に記載の単
板光ディスクの記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13033992A JPH0660458A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 単板光ディスクとその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13033992A JPH0660458A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 単板光ディスクとその記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660458A true JPH0660458A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=15032018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13033992A Pending JPH0660458A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 単板光ディスクとその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660458A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615333B2 (en) * | 2005-11-10 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Write-once optical disk and optical recording method |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13033992A patent/JPH0660458A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615333B2 (en) * | 2005-11-10 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Write-once optical disk and optical recording method |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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