JPH0664749B2 - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

光ピツクアツプ装置

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JPH0664749B2
JPH0664749B2 JP61031640A JP3164086A JPH0664749B2 JP H0664749 B2 JPH0664749 B2 JP H0664749B2 JP 61031640 A JP61031640 A JP 61031640A JP 3164086 A JP3164086 A JP 3164086A JP H0664749 B2 JPH0664749 B2 JP H0664749B2
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昌彦 中山
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は情報記録担体に記録された記録ビットにより情
報を光学的に記録する光学的情報記録再生装置に関し、
さらに詳細には光ピックアップ装置に関する。
従来技術 光ピックアップ装置においては一般にフォーカス及びト
ラック誤差信号の検出が行なわれている。第3図にその
一例を示す。半導体レーザ1から出射したレーザ光はカ
ップリングレンズ2により平行光となり偏光ビームスプ
リッタ3と1/4波長板4及び対物レンズ5を介して情
報記録担体6に集光される。前記情報記録担体6からの
反射光は対物レンズ5を通過し1/4波長板4により偏
光面を変えられ偏光ビームスプリッタ3により入射光と
分離される。分離された反射光は集光レンズ7により収
束光に変換されトラッキングディテクタ8によりトラッ
ク誤差信号を検出する。残りの光束はフォーカシングデ
ィテクタ9に到達する。フォーカシングディテクタ9は
集光レンンズ7の焦点近傍に設置され分割線L1で分割さ
れた2個のPINフォトダイオード等で構成され両者の差
信号を検出しフォーカス誤差信号を得る。
ここでフォーカス誤差信号検出法について述べる。第4
図はフォーカス誤差信号検出法の原理を示すものであ
り、トラッキングディテクタ8の稜線Sがナイフエッジ
効果を有し、同図(a)の様に対物レンズ5と情報記録
担体6の関係が合焦時はフォーカシングディテクタ9の
A,Bの出力が集光レンズ7の焦点位置で等しくなる様に
調整されており、焦光点Pがフォーカシングディテクタ
9の前方にある場合には、両素子A,Bのそれぞれの出力P
a,PbはPa<Pbとなる。逆に集光点Pがフォーカスディテ
クタ9の後方にある場合は、両素子A,Bの出力はPa>Pb
となる。この様に両素子A,Bの出力比較によって合焦状
態を判断し対物レンズ5と情報記録担体6の間隔を一定
に保つフォーカスサーボを行なう。
しかしながら、上記の光ピックアップ装置においては第
5図(a)に示す様に、半導体レーザ1の発光点Oはカ
ップリングレンズ2の焦点位置に設置され、半導体レー
ザ1からの発散光をカップリングレンズ2で平行光に変
換するが、同図(b)に示す様に、環境温度変化による
半導体レーザ1とカップリングレンズ2を支持する支持
部材10の熱膨張等によって、半導体レーザ1の発光点O
がカップリングレンズ2の焦点位置からずれ、カップリ
ングレンズ2を通過した光は平行光とはならない。これ
により、各光学素子を通過しフォーカシングディテクタ
に到達した光は、焦点位置がずれ、フォーカス誤差信号
に誤差を生じるという問題がある。
目的 本発明の目的は、上記問題点を解消したもので、環境温
度の変化に伴う半導体レーザの発光点と対物レンズとの
距離の変化が生じても、半導体レーザからの発散光をカ
ップリングレンズにより平行光とすることができる光ピ
ックアップ装置を提供するものである。
構成 以下本発明にについて具体的に説明する。
第5図において(a)図は環境温度Tの時の半導体レー
ザ1とカップリングレンズ2及び保持部材10との位置関
係を示すものであり、半導体レーザ1の発光点Oとカッ
プリングレンズ2の主点Hとの距離Lはカップリングレ
ンズ2の焦点距離と等しくなっている。又同図(b)は
環境温度がT+ΔTになった時の半導体レーザ1とカッ
プリングレンズ2及び保持部材10との位置関係を示すも
ので、半導体レーザ1の発光点Oとカップリングレンズ
2の主点Hとの距離Lは、保持部材10の熱膨張によって
L+ΔLとなる。この関係を第1図(a)に示す。
また第1図(b)に示す様に半導体レーザ1の波長は環
境温度によって変化するということは周知である。さら
に同図(c)の様に半導体レーザの波長によってカップ
リングレンズの焦点距離も変化する。ここで、この直線
の傾きはカップリングレンズにおけるレンズの材質の組
み合わせ、すなわちレンズ設計の違いによって異なる。
第1図(b)及び(c)図より、環境温度とカップリン
グレンズの焦点距離の関係が求まり、同図(d)の様に
示される。
以上より、環境温度の変化によってカップリングレンズ
2の焦点距離が変化し、又半導体レーザ1の発光点Oと
カップリングレンズ2の主点Hとの距離も変化する。こ
こで前記環境温度の変化による半導体レーザ1の発光点
Oとカップリングレンズ2の主点Hとの距離の変化量
と、カップリングレンズ2の焦点距離の変化量とを一致
させると、すなわち第1図(a)の直線と同図(d)を
近似した直線を一致させる様にカップリングレンズ2の
レンズ設計を行なうと、環境温度の変化が発生しても、
カップリングレンズ2の焦点距離と,半導体レーザ1の
発光点Oとカップリングレンズ2の主点Hとの距離が等
しくなり、半導体レーザ1から出射した発散光はカップ
リングレンズ2を通過すると平行光となり、正常なフォ
ーカス誤差信号を検出することができる。
環境温度がTの時のカップリングレンズ2の焦点距離を
fc,対物レンズ5の焦点距離をfo,半導体レーザ1の発光
点Oとカップリングレンズ2の主点Hとの距離をLと
し、環境温度がT+ΔTの時のカップリングレンズ2の
焦点距離をL+ΔLとする。又、半導体レーザ1とカッ
プリングレンズ2を支持する支持部材100の線熱膨張率
をβ,フォーカスエラーをFとする。
支持部材10の線熱膨張率βは β=1/L・(ΔL/ΔT) で表わされる。したがって、環境温度変化による半導体
レーザ1の発光点Oとカップリングレンズ2の主点Hと
の距離の変化量ΔLは ΔL=β・L・ΔT となる。前述したごとく、環境温度変化によるカップリ
ングレンズ2の焦点距離の変化量Δfcが上記ΔLにに等
しくなければよいが、このΔfcにはある程度の誤差が許
される為、この誤差を±ΔCとすると、焦点距離の変化
量Δfcは Δfc=β・L・ΔT±ΔC したがって、 ±ΔC=Δfc−β・L・ΔT となる。ここでフォーカスエラーFは、 F=1/2・(fo/fc)・ΔC で表わされる。一般に環境温度の変化によるフォーカス
エラーFは、±0.2×10 mmまで許容可能であるの
で、 ΔC<0.4(fc/fo)×10 mm となる。以上より、 |Δfc−β・L・ΔT| <0.4(fc−fo)×10 mm となる。よって、環境温度がΔT変化した時にカップリ
ングレンズの焦点距離の変化量Δfcが上式を満足するカ
ップリングレンズを使用すると、正常なフォーカス誤差
信号が検出できる。
さらに具体的数値を用いて説明する。
環境温度T=25℃の時のカップリングレンズ2の焦点距
離fc=12.0mm、対物レンズ5の焦点距離fo=4.5mm、半
導体レーザ1の発光点Oとカップリングレンズ2の主点
Hと距離L=12.0mmとする。又、支持部材10の線熱膨張
率β=23.2×10 mm/℃とする。ここで環境温度がΔ
T=20℃だけ上昇したとすると、 |Δfc−β・L・ΔT| <0.4(fc/fo)×10 より、上記数値を代入すると、 |Δfc−23.2×10 ×20×12| <0.4×(12/4.5)×10 上式を整理すると、 |Δfc−5.57×10 | <2.84×10 よって 2.73×1 mm< Δfc<8.41×10 mm すなわち第2図(a)に示す様に、基準温度(T=25
℃)から20℃環境温度が上昇した時のカップリングレン
ズの焦点距離の変化量を2.73×10 mmから8.14×10
mmの範囲になる様にカップリングレンズのレンズ設計
を行なう。
ここで前述したごとく、環境温度変化によるカップリン
グレンズの焦点距離の変化は環境温度変化による半導体
レーザの波長の変化によるものであるから、基準温度
(T=25℃)の時の半導体レーザの波長を780nm、基準
温度よΔTだけ上昇した時の環境温度(T+ΔT=45
℃)での半導体レーザの波長を785nmとすると、上記式
より、半導体レーザの波長が780nmから785nmに変化した
時に第2図(b)に示すごとくカップリングレンズの焦
点距離の変化を2.73×10 mmから8.41×10 mmの範
囲に入いる様にカップリングレンズのレンズ設計を行な
う。
効果 以上の様に本発明では、環境温度の変化によって生じる
半導体レーザ光の波長の変化によるカップリングレンズ
の焦点距離の変化量と、環境温度変化によって生じる半
導体レーザとカップリングレンズの距離の変化量を一致
させることにより、環境温度変化が生じてもカップリン
グレンズを通過した半導体レーザからの発散光は平行光
となり、正常なフォーカス誤差信号を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は環境温度と、カップリングレンズの主点
と半導体レーザ発光点の距離との関係図、同図(b)は
環境温度と半導体レーザ波長との関係図、同図(c)は
半導体レーザ波長とカップリングレンズの焦点距離との
関係図、同図(d)は環境温度とカップリングレンズの
焦点距離との関係図、第2図(a)は本発明の環境温度
変化に対するカップリングレンズの焦点距離の許容範囲
を表わす図、同図(b)は本発明の半導体レーザ波長の
変化に対するカップリングレズの焦点距離の許容範囲を
表わす図、第3図は従来の光ピックアップ装置の原理を
示す概略構成図、第4図はフォーカス誤差信号検出方法
を示す図、第5図(a)は基準温度での半導体レーザ,
カップリングレンズ及び光束の関係を示す図、同図
(b)は環境温度が上昇した時の半導体レーザ,カップ
リングレンズ及び光束の関係を示す図である。 1……半導体レーザ、2……カップリングレンズ、3…
…1/4波長板、4……偏光ビームスプリツタ、5……
対物レンズ、6……情報記録担体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザより出射した光束を、カップ
    リングレンズにより平行光とし、1/4波長板及び偏光
    ビームスプリッタを介し、対物レンズにより集光し、情
    報記録担体上に微小なスポットを形成して、その反射光
    により情報の記録・再生を行なう光ピックアップ装置に
    おいて、 環境温度の変化によって生じる半導体レーザ光の波長の
    変化による該カップリングレンズの焦点距離の変化量
    と、前記環境温度の変化によつて生じる該半導体レーザ
    と該カップリングレンズとの距離の変化量とを、略一致
    させることを特徴とする光ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】上記カップリングレンズは、不等式 |Δfc−ΔT・β・L| <0.4(fc/fo)×10 を満足することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の光ピックアップ装置。 Δfc:環境温度変化によって生じる半導体レーザ波長の
    変化によるカップリングレンズ焦点距離の変化量 ΔT:環境温度の変化量 β:半導体レーザとカップリングレンズ支持部材の線熱
    膨張率 L:半導体レーザ発光点とカップリングレンズ主点との距
    離 fc:カップリングレンズの焦点距離 fo:対物レンズの焦点距離
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