JPH066483Y2 - ボテンショメータ - Google Patents
ボテンショメータInfo
- Publication number
- JPH066483Y2 JPH066483Y2 JP1989049375U JP4937589U JPH066483Y2 JP H066483 Y2 JPH066483 Y2 JP H066483Y2 JP 1989049375 U JP1989049375 U JP 1989049375U JP 4937589 U JP4937589 U JP 4937589U JP H066483 Y2 JPH066483 Y2 JP H066483Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- magnet
- axial direction
- movable shaft
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Adjustable Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案はポテンショメータに関し、特に、非接触の状
態で抵抗値を変化させることができる耐久性に優れるポ
テンショメータに関するものである。
態で抵抗値を変化させることができる耐久性に優れるポ
テンショメータに関するものである。
従来の一般的なポテンショメータは、第９図に示すよう
に、金属抵抗線等を巻いて作られた導体である抵抗体１
２と、この抵抗体１２に接触しつつ摺動する摺動子１３
とを有しており、前記抵抗体１２にリードａ、リードｃ
が連結され、また前記摺動子１３にリードｂが連結され
ている。
に、金属抵抗線等を巻いて作られた導体である抵抗体１
２と、この抵抗体１２に接触しつつ摺動する摺動子１３
とを有しており、前記抵抗体１２にリードａ、リードｃ
が連結され、また前記摺動子１３にリードｂが連結され
ている。
そして、リードａとリードｂとの間の抵抗値を変えるに
は、前記摺動子１３を抵抗体１２に接触しつつ摺動さ
せ、これにより摺動子１３の抵抗体１２での位置に応じ
てリードａとリードｂの間の抵抗値が変わるものとなっ
ている。
は、前記摺動子１３を抵抗体１２に接触しつつ摺動さ
せ、これにより摺動子１３の抵抗体１２での位置に応じ
てリードａとリードｂの間の抵抗値が変わるものとなっ
ている。
しかしながら、上記のように構成される従来のポテンシ
ョメータにあっては、摺動子１３は抵抗体１２に接触し
つつ摺動するものであるため、摺動子１３と抵抗体１２
との間で摩擦が生じ、このため摺動子１３や抵抗体１２
などが摩耗して接触不良を起こすことがあり、また、電
気回路などに組み込まれた場合、この接触不良により出
力電圧の不安定化が引き起こされるという問題点を有し
ていた。
ョメータにあっては、摺動子１３は抵抗体１２に接触し
つつ摺動するものであるため、摺動子１３と抵抗体１２
との間で摩擦が生じ、このため摺動子１３や抵抗体１２
などが摩耗して接触不良を起こすことがあり、また、電
気回路などに組み込まれた場合、この接触不良により出
力電圧の不安定化が引き起こされるという問題点を有し
ていた。
本考案は上記のような従来のもののもつ問題点を解決し
たものであって、非接触で抵抗体の抵抗値を変えること
ができるようにすることによって、耐久性を向上させる
ことのできるポテンショメータを提供することを目的と
するものである。
たものであって、非接触で抵抗体の抵抗値を変えること
ができるようにすることによって、耐久性を向上させる
ことのできるポテンショメータを提供することを目的と
するものである。
本考案は上記の問題点を解決するため、円筒状をなすケ
ースの内部に、その軸線方向に移動可能に可動軸を設け
るとともに、前記ケースの内面に、その軸線方向の一端
から他端にかけて、長さの異なる複数の帯状の磁気抵抗
素子片を長さの順に所定の間隔ごとに、かつそれぞれが
軸線方向と直交するように設け、さらに、隣接する磁気
抵抗素子片の一端または他端どうしを導通させて全体で
一本の磁気抵抗素子とするとともに、前記可動軸に磁力
線が軸線方向に形成されるように円板状の磁石を一体に
設け、前記磁石が可動軸と一体に移動した際、その移動
位置における磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子片の長さに
応じて磁気抵抗素子の抵抗値が変化するように構成した
手段を有している。
ースの内部に、その軸線方向に移動可能に可動軸を設け
るとともに、前記ケースの内面に、その軸線方向の一端
から他端にかけて、長さの異なる複数の帯状の磁気抵抗
素子片を長さの順に所定の間隔ごとに、かつそれぞれが
軸線方向と直交するように設け、さらに、隣接する磁気
抵抗素子片の一端または他端どうしを導通させて全体で
一本の磁気抵抗素子とするとともに、前記可動軸に磁力
線が軸線方向に形成されるように円板状の磁石を一体に
設け、前記磁石が可動軸と一体に移動した際、その移動
位置における磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子片の長さに
応じて磁気抵抗素子の抵抗値が変化するように構成した
手段を有している。
本考案は上記の手段を採用したことにより、円筒状をな
すケースの内面には、長さの異なる複数の帯状の磁気抵
抗素子片が長さの順に所定の間隔ごとに、かつ、それぞ
れが軸線方向と直交するように設けられるとともに、隣
接する磁気抵抗素子片の一端または他端どうしが互いに
導通されることにより、複数の磁気抵抗素子片からなる
一本の磁気抵抗素子が形成されることになる。そして、
ケースの内部に軸線方向に移動可能に設けられる可動軸
に所定の変位を与えると、可動軸と一体に円板状の磁石
が変位し、そのときの磁石の位置に応じて磁気抵抗素子
の抵抗値が変化することになる。すなわち、磁石の位置
に応じて磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子の磁気抵抗素子
片の量が異なるので、それに応じた抵抗値が得られるこ
とになる。
すケースの内面には、長さの異なる複数の帯状の磁気抵
抗素子片が長さの順に所定の間隔ごとに、かつ、それぞ
れが軸線方向と直交するように設けられるとともに、隣
接する磁気抵抗素子片の一端または他端どうしが互いに
導通されることにより、複数の磁気抵抗素子片からなる
一本の磁気抵抗素子が形成されることになる。そして、
ケースの内部に軸線方向に移動可能に設けられる可動軸
に所定の変位を与えると、可動軸と一体に円板状の磁石
が変位し、そのときの磁石の位置に応じて磁気抵抗素子
の抵抗値が変化することになる。すなわち、磁石の位置
に応じて磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子の磁気抵抗素子
片の量が異なるので、それに応じた抵抗値が得られるこ
とになる。
以下、図面に示す本考案の実施例について説明する。
第１図には、本考案によるポテンショメータの一実施例
による縦断面図が示されていて、このポテンショメータ
は、両端が開口する円筒状のケース１と、このケース１
の両端部に配設されてそこを閉塞する蓋２、３と、この
蓋２、３の中心部に配設される軸受４、５と、前記軸受
４、５を挿通して軸線方向に移動可能に配設される可動
軸６と、この可動軸６に嵌合され、前記両蓋２、３の内
面に当接する範囲内で可動軸６と一体に軸線方向に移動
可能な円板状の磁石９と、前記ケース１の内面に配設さ
れる磁気抵抗素子８とを具えている。
による縦断面図が示されていて、このポテンショメータ
は、両端が開口する円筒状のケース１と、このケース１
の両端部に配設されてそこを閉塞する蓋２、３と、この
蓋２、３の中心部に配設される軸受４、５と、前記軸受
４、５を挿通して軸線方向に移動可能に配設される可動
軸６と、この可動軸６に嵌合され、前記両蓋２、３の内
面に当接する範囲内で可動軸６と一体に軸線方向に移動
可能な円板状の磁石９と、前記ケース１の内面に配設さ
れる磁気抵抗素子８とを具えている。
前記磁気抵抗素子８は、第２図に展開図で示すように、
前記ケース内面７に、その軸線方向の一端から他端にか
けて、長さの異なる複数の帯状の強磁性体などの材料か
らなる磁気抵抗素子片８ａを長さの順（一端から他端に
かけて順次長くなるように）に所定の間隔ごとに、かつ
それぞれが軸線方向と直交するように設けるとともに、
隣接する磁気抵抗素子片８ａ、８ａの一端または他端ど
うしを互いに軸線方向に導通して、全体でジグザグ状を
なす一本の磁気抵抗素子８に形成したものである。
前記ケース内面７に、その軸線方向の一端から他端にか
けて、長さの異なる複数の帯状の強磁性体などの材料か
らなる磁気抵抗素子片８ａを長さの順（一端から他端に
かけて順次長くなるように）に所定の間隔ごとに、かつ
それぞれが軸線方向と直交するように設けるとともに、
隣接する磁気抵抗素子片８ａ、８ａの一端または他端ど
うしを互いに軸線方向に導通して、全体でジグザグ状を
なす一本の磁気抵抗素子８に形成したものである。
前記磁石９は、その全周に渡って前記可動軸６の軸線方
向に磁力線が形成されるよになっており、前記各磁気抵
抗素子片８ａを流れる電流ｉと直交する方向に磁界Ｈが
形成されるようになっている（第３図、第４図参照）。
向に磁力線が形成されるよになっており、前記各磁気抵
抗素子片８ａを流れる電流ｉと直交する方向に磁界Ｈが
形成されるようになっている（第３図、第４図参照）。
すなわち、一般に、強磁性体からなる磁気抵抗素子は、
そこを流れる電流と直交する方向に磁化されると、抵抗
が減少する性質を有しているため、上記のように磁気抵
抗素子８をジグザグ状に形成し、かつ、円板状の磁石９
を使用することで、磁石９の移動位置に応じて磁気抵抗
素子８の磁化面積を増大または減少させることができ、
この磁化面積の変化により磁気抵抗素子８の抵抗値を減
少または増加させることができることになり、この抵抗
値の変化により出力電圧を変化させることができるもの
である。
そこを流れる電流と直交する方向に磁化されると、抵抗
が減少する性質を有しているため、上記のように磁気抵
抗素子８をジグザグ状に形成し、かつ、円板状の磁石９
を使用することで、磁石９の移動位置に応じて磁気抵抗
素子８の磁化面積を増大または減少させることができ、
この磁化面積の変化により磁気抵抗素子８の抵抗値を減
少または増加させることができることになり、この抵抗
値の変化により出力電圧を変化させることができるもの
である。
次に、前記のものの作用について説明する。
第５図には、この実施例によるポテンショメータの結線
図の一例が示されていて、ポテンショメータにバイアス
抵抗１０が付設され、電源１１からケース１内の磁気抵
抗素子８に電流を流すことで出力電圧Ｖ０が出力される
ようになっている。
図の一例が示されていて、ポテンショメータにバイアス
抵抗１０が付設され、電源１１からケース１内の磁気抵
抗素子８に電流を流すことで出力電圧Ｖ０が出力される
ようになっている。
そして、上記のように結線されたこの実施例によるポテ
ンショメータの出力電圧Ｖ０を測定するには、まず、一
方の蓋２の内面に磁石９が当接するよう可動軸６を移動
させる。ここで、可動軸６の軸線方向への移動距離（図
中右方向）をＸとし、前記結線回路に電流を供給する
と、可動軸６の軸線方向への移動がない状態では、ケー
ス内面７において可動軸６に配設されている磁石９の周
囲を囲む磁気抵抗素子片８ａは少なく（磁石９の磁界と
直交する磁気抵抗素子片８ａは少なく）、磁気抵抗素子
８全体としての抵抗値は変化せず、第６図に示すよう
に、出力電圧Ｖ０はバイアス抵抗１０による出力電圧Ｖ
１のみとなる。
ンショメータの出力電圧Ｖ０を測定するには、まず、一
方の蓋２の内面に磁石９が当接するよう可動軸６を移動
させる。ここで、可動軸６の軸線方向への移動距離（図
中右方向）をＸとし、前記結線回路に電流を供給する
と、可動軸６の軸線方向への移動がない状態では、ケー
ス内面７において可動軸６に配設されている磁石９の周
囲を囲む磁気抵抗素子片８ａは少なく（磁石９の磁界と
直交する磁気抵抗素子片８ａは少なく）、磁気抵抗素子
８全体としての抵抗値は変化せず、第６図に示すよう
に、出力電圧Ｖ０はバイアス抵抗１０による出力電圧Ｖ
１のみとなる。
次に、可動軸６に軸線方向の変位を与え、可動軸６と一
体に磁石９を移動させると、磁石９の周囲を囲む磁気抵
抗素子片８ａは多く（磁石９の磁界と直交する磁気抵抗
素子片８ａは多く）なり、磁気抵抗素子８全体としての
抵抗値が減少し、出力電圧Ｖ０が増大する。
体に磁石９を移動させると、磁石９の周囲を囲む磁気抵
抗素子片８ａは多く（磁石９の磁界と直交する磁気抵抗
素子片８ａは多く）なり、磁気抵抗素子８全体としての
抵抗値が減少し、出力電圧Ｖ０が増大する。
したがって、磁石９の移動位置に応じて磁気抵抗素子８
の抵抗値を変化させることができ、磁石９の移動位置に
応じた出力電圧Ｖ０が得られることになり、この場合、
磁石９は磁気抵抗素子８に対して非接触の状態となって
いるので、磁石９や磁気抵抗素子８が摩耗するおそれは
全くなく、耐久性が高まることになる。
の抵抗値を変化させることができ、磁石９の移動位置に
応じた出力電圧Ｖ０が得られることになり、この場合、
磁石９は磁気抵抗素子８に対して非接触の状態となって
いるので、磁石９や磁気抵抗素子８が摩耗するおそれは
全くなく、耐久性が高まることになる。
なお、前記磁気抵抗素子８の抵抗値の変化は、磁気抵抗
素子８の全長に対する磁気抵抗素子片８ａの長さの増加
率を適宜の値に設定することにより、所望のものとする
ことができるものである。すなわち、第７図に示すよう
に増加率を小さくすれば移動距離Ｘに対する抵抗値の変
化は小さくなり、第８図に示すように増加率を大きくす
れば移動距離Ｘに対する抵抗値の変化は大きくなる。
素子８の全長に対する磁気抵抗素子片８ａの長さの増加
率を適宜の値に設定することにより、所望のものとする
ことができるものである。すなわち、第７図に示すよう
に増加率を小さくすれば移動距離Ｘに対する抵抗値の変
化は小さくなり、第８図に示すように増加率を大きくす
れば移動距離Ｘに対する抵抗値の変化は大きくなる。
また、この実施例においては、磁気抵抗素子８を構成す
る磁気抵抗素子片８ａを強磁性体で構成したが、これに
限定することなく、半導体を材料として構成してもよい
ものであり、その場合には磁石９の図中右方向への変位
に対して半導体からなる磁気抵抗素子８の抵抗値は増加
することになる。
る磁気抵抗素子片８ａを強磁性体で構成したが、これに
限定することなく、半導体を材料として構成してもよい
ものであり、その場合には磁石９の図中右方向への変位
に対して半導体からなる磁気抵抗素子８の抵抗値は増加
することになる。
さらに、前記の説明では、複数の磁気抵抗素子片８ａを
連結して一本の磁気抵抗素子８を構成したが、一本の磁
気抵抗素子片８ａをジグザグ状に折り曲げて磁気抵抗素
子８としてもよいものであり、平板状をなすものからジ
グザグ状に打ち抜いて磁気抵抗素子８を構成してもよい
ものであり、また、ケース内面７に幅数１０μｍの磁気
抵抗素子８を形成し、（ケース内面に強磁性体をマスク
パターンを用いて蒸着、あるいはケース内面に蒸着しレ
ーザを用いてパターンを形成する）微小な磁石９を組合
わせることにより微小な移動距離Ｘを検出できる。
連結して一本の磁気抵抗素子８を構成したが、一本の磁
気抵抗素子片８ａをジグザグ状に折り曲げて磁気抵抗素
子８としてもよいものであり、平板状をなすものからジ
グザグ状に打ち抜いて磁気抵抗素子８を構成してもよい
ものであり、また、ケース内面７に幅数１０μｍの磁気
抵抗素子８を形成し、（ケース内面に強磁性体をマスク
パターンを用いて蒸着、あるいはケース内面に蒸着しレ
ーザを用いてパターンを形成する）微小な磁石９を組合
わせることにより微小な移動距離Ｘを検出できる。
この考案は上記のように構成したことにより、円板状の
磁石の移動位置に応じて磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子
の磁気抵抗素子片の量（磁石の磁界と直交する磁気抵抗
素子片の量）を変化させることができることになる。し
たがって、磁石の移動位置に応じて磁気抵抗素子の抵抗
値を非接触の状態で変化させることができることにな
り、これにより、磁石および磁気抵抗素子の各磁気抵抗
素子片の摩耗を防止することができ、耐久性を著しく向
上させることができることになる。また、非接触の状態
で磁石を移動させるので、磁石を移動させる際に必要と
する作用力も少なくてすみ、消費エネルギーを大幅に削
減することができることになる。さらに、長さの異なる
複数の磁気抵抗素子片を長さの順に、かつ軸線方向と直
交するように並べて、隣接する磁気抵抗素子片の一端ま
たは他端どうしを軸線方向に導通させて、全体で一体の
磁気抵抗素子としたので、磁気抵抗素子の全長に対する
磁気抵抗素子片の長さの増加率を適宜の値に設定するこ
とにより、磁気抵抗素子の抵抗値の変化率を所望のもの
とすることができることになり、これにより、汎用性を
高めることができることになる等の優れた効果を有する
ものである。
磁石の移動位置に応じて磁石の周囲を囲む磁気抵抗素子
の磁気抵抗素子片の量（磁石の磁界と直交する磁気抵抗
素子片の量）を変化させることができることになる。し
たがって、磁石の移動位置に応じて磁気抵抗素子の抵抗
値を非接触の状態で変化させることができることにな
り、これにより、磁石および磁気抵抗素子の各磁気抵抗
素子片の摩耗を防止することができ、耐久性を著しく向
上させることができることになる。また、非接触の状態
で磁石を移動させるので、磁石を移動させる際に必要と
する作用力も少なくてすみ、消費エネルギーを大幅に削
減することができることになる。さらに、長さの異なる
複数の磁気抵抗素子片を長さの順に、かつ軸線方向と直
交するように並べて、隣接する磁気抵抗素子片の一端ま
たは他端どうしを軸線方向に導通させて、全体で一体の
磁気抵抗素子としたので、磁気抵抗素子の全長に対する
磁気抵抗素子片の長さの増加率を適宜の値に設定するこ
とにより、磁気抵抗素子の抵抗値の変化率を所望のもの
とすることができることになり、これにより、汎用性を
高めることができることになる等の優れた効果を有する
ものである。
第１図は本考案によるポテンショメータの一実施例の縦
断面図、第２図は第１図に示すものを磁気抵抗素子が切
断されないように展開した説明図、第３図は第１図に示
すものの磁気抵抗素子片と磁界との関係を示す説明図、
第４図は第１図に示すものの磁石の磁力線の方向を示す
説明図、第５図は第１図に示すものの結線の一例を示す
説明図、第６図は第１図に示すものの磁石の移動量と出
力電圧との関係を示す説明図、第７図および第８図は磁
気抵抗素子の全長と磁気抵抗素子片の長さの増加率との
関係を示す説明図、第９図は従来のポテンショメータの
回路図である。 １……ケース ２、３……蓋 ４、５……軸受 ６……可動軸 ７……ケース内面 ８……磁気抵抗素子 ８ａ……磁気抵抗素子片 ９……磁石 １０……バイアス抵抗 １１……電源 １２……抵抗体 １３……摺動子 ａ、ｂ、ｃ……リード Ｖ０、Ｖ１……出力電圧 Ｈ……磁界 ｉ……電流
断面図、第２図は第１図に示すものを磁気抵抗素子が切
断されないように展開した説明図、第３図は第１図に示
すものの磁気抵抗素子片と磁界との関係を示す説明図、
第４図は第１図に示すものの磁石の磁力線の方向を示す
説明図、第５図は第１図に示すものの結線の一例を示す
説明図、第６図は第１図に示すものの磁石の移動量と出
力電圧との関係を示す説明図、第７図および第８図は磁
気抵抗素子の全長と磁気抵抗素子片の長さの増加率との
関係を示す説明図、第９図は従来のポテンショメータの
回路図である。 １……ケース ２、３……蓋 ４、５……軸受 ６……可動軸 ７……ケース内面 ８……磁気抵抗素子 ８ａ……磁気抵抗素子片 ９……磁石 １０……バイアス抵抗 １１……電源 １２……抵抗体 １３……摺動子 ａ、ｂ、ｃ……リード Ｖ０、Ｖ１……出力電圧 Ｈ……磁界 ｉ……電流
Claims (1)
- 【請求項１】円筒状をなすケースの内部に、その軸線方
向に移動可能に可動軸を設けるとともに、前記ケースの
内面に、その軸線方向の一端から他端にかけて、長さの
異なる複数の帯状の磁気抵抗素子片を長さの順に所定の
間隔ごとに、かつそれぞれが軸線方向と直交するように
設け、さらに、隣接する磁気抵抗素子片の一端または他
端どうしを導通させて全体で一本の磁気抵抗素子とする
とともに、前記可動軸に磁力線が軸線方向に形成される
ように円板状の磁石を一体に設け、前記磁石が可動軸と
一体に移動した際、その移動位置における磁石の周囲を
囲む磁気抵抗素子片に応じて磁気抵抗素子の抵抗値が変
化するように構成したことを特徴とするポテンショメー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989049375U JPH066483Y2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | ボテンショメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989049375U JPH066483Y2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | ボテンショメータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140802U JPH02140802U (ja) | 1990-11-26 |
| JPH066483Y2 true JPH066483Y2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=31567009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989049375U Expired - Lifetime JPH066483Y2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | ボテンショメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066483Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032877A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Kaabyutekku Japan:Kk | 非接触式ポテンショメータ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631887Y2 (ja) * | 1973-10-31 | 1981-07-29 |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1989049375U patent/JPH066483Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02140802U (ja) | 1990-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |