JPH0665217B2 - トランジスタ - Google Patents
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- JPH0665217B2 JPH0665217B2 JP57025711A JP2571182A JPH0665217B2 JP H0665217 B2 JPH0665217 B2 JP H0665217B2 JP 57025711 A JP57025711 A JP 57025711A JP 2571182 A JP2571182 A JP 2571182A JP H0665217 B2 JPH0665217 B2 JP H0665217B2
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- emitter
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/80—Heterojunction BJTs
- H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs
- H10D10/881—Resonant tunnelling transistors
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体結晶中に少数キャリアを注入，走行さ
せて動作する半導体装置、具体的にはバイポーラトラン
ジスタ等における新規な構造に関する。
せて動作する半導体装置、具体的にはバイポーラトラン
ジスタ等における新規な構造に関する。
現在高周波用のバイポーラトランジスタは、専らSiのnp
nトランジスタが実用化されている。ここで高周波特性
を制限している大きな要素は、ベース拡がり抵抗の大き
なことであり、これを減少し、高周波特性を向上させる
ことが望まれている。またGaAs,InAs等のIII−Ｖ化合物
半導体は電子移動度が大きいので、バイポーラトランジ
スタに応用し、Siトランジスタより高速性を向上させる
ことが考えられる。しかしながら、III−Ｖ化合物半導
体においては、正孔の移動度が小さいので、従来のSiト
ランジスタと同様な構造ではベース抵抗がさらに大きく
なり、III−Ｖ化合物半導体を用いたからといって、高
周波特性が向上しない可能性が大きいものと考えられ
る。ベース抵抗を小さくする手段はベースのキャリア濃
度を増加させるか、あるいはベース幅を大きくすること
である。しかしながら、ベース濃度を増加させると、エ
ミッタ注入効率を減じないためにエミッタのキャリア密
度すなわち不純物濃度をそれ以上に増加させる必要があ
り、ベース−エミッタ逆耐圧の点から、むやみにベース
濃度を増加させることはできない。たベース幅を大きく
することは高周波特性の劣化をもたらす。したがって従
来構造のバイポーラトランジスタでは、高周波特性を損
わずに、ベース拡がり抵抗を効果的に減ずることはでき
ない。
nトランジスタが実用化されている。ここで高周波特性
を制限している大きな要素は、ベース拡がり抵抗の大き
なことであり、これを減少し、高周波特性を向上させる
ことが望まれている。またGaAs,InAs等のIII−Ｖ化合物
半導体は電子移動度が大きいので、バイポーラトランジ
スタに応用し、Siトランジスタより高速性を向上させる
ことが考えられる。しかしながら、III−Ｖ化合物半導
体においては、正孔の移動度が小さいので、従来のSiト
ランジスタと同様な構造ではベース抵抗がさらに大きく
なり、III−Ｖ化合物半導体を用いたからといって、高
周波特性が向上しない可能性が大きいものと考えられ
る。ベース抵抗を小さくする手段はベースのキャリア濃
度を増加させるか、あるいはベース幅を大きくすること
である。しかしながら、ベース濃度を増加させると、エ
ミッタ注入効率を減じないためにエミッタのキャリア密
度すなわち不純物濃度をそれ以上に増加させる必要があ
り、ベース−エミッタ逆耐圧の点から、むやみにベース
濃度を増加させることはできない。たベース幅を大きく
することは高周波特性の劣化をもたらす。したがって従
来構造のバイポーラトランジスタでは、高周波特性を損
わずに、ベース拡がり抵抗を効果的に減ずることはでき
ない。
本発明は、以上述べた様に従来素子では実現不可能であ
ったベース拡がり抵抗の大きな減少をもたらすととも
に、ベース拡がり抵抗を減じた効果以上に高周波特性の
向上をもたらす新規な構造のバイポーラトランジスタを
提供するものである。
ったベース拡がり抵抗の大きな減少をもたらすととも
に、ベース拡がり抵抗を減じた効果以上に高周波特性の
向上をもたらす新規な構造のバイポーラトランジスタを
提供するものである。
本発明のバイポーラトランジスタは、第１図にその熱平
衡状態におけるエネルギーバンド状態図を示すように、
第１の半導体のｐ型層12Aと第２の半導体のｐ型層12Bと
が交互に繰り返して構成されたベース12を備え、前記第
１の半導体のエネルギーギャップは前記第２の半導体の
エネルギーギャップよりも大きく、また、前記第１の半
導体の電子親和力とエネルギーギャップの和が、前記第
２の半導体の電子親和力とエネルギーギャップの和とほ
ぼ同等であり、エミッタ11の半導体のバンドギャップは
前記第２の半導体のバンドギャップ以上であり、かつ、
前記第１の半導体の各層の厚さが電子がトンネル効果で
前記各層を通過できるように充分薄くしたことを特徴と
するものである。第１の半導体層12Aは第２の半導体層1
2Bの電子に対しポテンシャル障壁をなす。また第１図中
ＥＣ,EＦおよびＥＶは、それぞれ伝導帯，フェルミレベ
ル，および価電子帯のエネルギーレベルを表わし、11は
エミッタ、13はコレクタである。本発明のバイポーラト
ランジスタにおいて、ベースに注入された電子は、第１
の半導体のｐ型層12Aはトンネル効果によって速かに移
動し、第２の半導体のｐ型層は通常のバイポーラトラン
ジスタと同様に拡散で走行する。トンネル効果による走
行時間は極めて短く無視できるから、ベース内走行時間
を増加させないで、第１の半導体のｐ型層の分だけベー
ス抵抗を減ずることができる。それのみならず、第２の
半導体のｐ型層12Bの単位層の厚さを薄くし、各層の繰
返し数を適当に多くすることによって、従来素子よりベ
ース拡がり抵抗を大きく低減させたことはもちろん、ベ
ース走行時間も短縮した、高周波特性を大きく向上させ
ることができる。
衡状態におけるエネルギーバンド状態図を示すように、
第１の半導体のｐ型層12Aと第２の半導体のｐ型層12Bと
が交互に繰り返して構成されたベース12を備え、前記第
１の半導体のエネルギーギャップは前記第２の半導体の
エネルギーギャップよりも大きく、また、前記第１の半
導体の電子親和力とエネルギーギャップの和が、前記第
２の半導体の電子親和力とエネルギーギャップの和とほ
ぼ同等であり、エミッタ11の半導体のバンドギャップは
前記第２の半導体のバンドギャップ以上であり、かつ、
前記第１の半導体の各層の厚さが電子がトンネル効果で
前記各層を通過できるように充分薄くしたことを特徴と
するものである。第１の半導体層12Aは第２の半導体層1
2Bの電子に対しポテンシャル障壁をなす。また第１図中
ＥＣ,EＦおよびＥＶは、それぞれ伝導帯，フェルミレベ
ル，および価電子帯のエネルギーレベルを表わし、11は
エミッタ、13はコレクタである。本発明のバイポーラト
ランジスタにおいて、ベースに注入された電子は、第１
の半導体のｐ型層12Aはトンネル効果によって速かに移
動し、第２の半導体のｐ型層は通常のバイポーラトラン
ジスタと同様に拡散で走行する。トンネル効果による走
行時間は極めて短く無視できるから、ベース内走行時間
を増加させないで、第１の半導体のｐ型層の分だけベー
ス抵抗を減ずることができる。それのみならず、第２の
半導体のｐ型層12Bの単位層の厚さを薄くし、各層の繰
返し数を適当に多くすることによって、従来素子よりベ
ース拡がり抵抗を大きく低減させたことはもちろん、ベ
ース走行時間も短縮した、高周波特性を大きく向上させ
ることができる。
また、本発明においてベース内を走行する少数キャリア
が正孔の場合には、第２図に示すように第１の半導体の
ｎ型層22Aと第２の半導体のｎ型層22Bとが交互に繰り返
して構成されたベース22を備え、前記第１の半導体のエ
ネルギーギャップは前記第２の半導体のエネルギーギャ
ップよりも大きく、また、前記第１の半導体の電子親和
力が、前記第２の半導体の電子親和力とほぼ同等であ
り、エミッタ21の半導体のバンドギャップは前記第２の
半導体のバンドギャップ以上であり、かつ、前記第１の
半導体の各層の厚さが正孔がトンネル効果で前記各層を
通過できるように充分薄くしたことを特徴とするもので
ある。第１の半導体層22Aは第２の半導体層22Bの正孔に
対しポテンシャル障壁をなす。ここで21はエミッタ、23
はコレクタである。
が正孔の場合には、第２図に示すように第１の半導体の
ｎ型層22Aと第２の半導体のｎ型層22Bとが交互に繰り返
して構成されたベース22を備え、前記第１の半導体のエ
ネルギーギャップは前記第２の半導体のエネルギーギャ
ップよりも大きく、また、前記第１の半導体の電子親和
力が、前記第２の半導体の電子親和力とほぼ同等であ
り、エミッタ21の半導体のバンドギャップは前記第２の
半導体のバンドギャップ以上であり、かつ、前記第１の
半導体の各層の厚さが正孔がトンネル効果で前記各層を
通過できるように充分薄くしたことを特徴とするもので
ある。第１の半導体層22Aは第２の半導体層22Bの正孔に
対しポテンシャル障壁をなす。ここで21はエミッタ、23
はコレクタである。
次に本発明の具体例を説明し、本発明のトランジスタの
動作および効果について詳述する。第１の例では、ベー
スを構成する第１の半導体の単位のP+層11Aは、有効ア
クセプタ密度１×1018cm-3厚さ50ÅのGa0.7Al0.3As層、
第２の半導体の単位のp+層11Bは有効アクセプタ密度１
×1018cm-3厚さ50ÅのGaAs層である。エミッタ11は有効
ドナー密度２×1018cm-3のn+−GaAs、コレクタは有効ド
ナー密度１×1015cm-3のn-−GaAsで構成される。第３図
は本トランジスタの構造の一例を示すものであり、31は
エミッタ電極、32はベース電極であり、トランジスタの
主体はコレクタ領域を兼ねるn+−GaAs基板33上に形成さ
れる。34はコレクタ電極である。11,12および13の多層
結晶は例えば分子線エピタキシ（MBE）によって成長で
きる。本トランジスタの熱平衡状態におけるエネルギー
バンド状態図は第４図(a)であり、各電極にバイアスし
てトランジスタ動作させたときの状態図が第４図(b)で
ある。ここで黒丸は電子を、白丸は正孔を表わす。ベー
スの第１の半導体のGa0.7Al0.3Asは、第２の半導体のGa
Asよりエネルギーギャップは約0.4eV大きく、電子親和
力は約0.4eV小さい。したがって、ベースには伝導帯に
ポテンシャルウェルの繰返しができている。熱平衡状態
においては、エミッタ−ベース接合のｐ−ｎ接合による
接触電位差（Built−in Potential）によって、ベース
の伝導帯のポテンシャルウェルの底、すなわちP+−GaAs
12Bの伝導帯は、エミッタ11の伝導体よりエネルギーが
大きく、ベースに電子は注入されない。次に第３図(b)
のようにベースに順バイアスすれば、前記p+−GaAsの伝
導帯とエミッタの伝導帯のエネルギー差が減少し、また
p+−GaAlAs層12Aが充分薄いので、エミッタ中の電子の
うち、ベースの伝導帯のポテンシャルウェルの底より大
きいエネルギーを有する電子は、トンネル効果によりp+
−GaAlAs層の障壁を遷移して電子がベースに注入され
る。注入された電子は次々とp+−GaAlAs層12Aはトンネ
ル効果で、p+−GaAs層12B中は拡散でベース中をコレク
タ側へ移動し、ベース−コレクタ接合に達すれば接合の
電界によりコレクタに集められコレクタ電流が流れる。
トランジスタ動作すなわちコレクタ電流の変調は、ベー
ス−エミッタ間の微小電位変位によってエミッタからベ
ースへの電子の注入量を変化して行われる。
動作および効果について詳述する。第１の例では、ベー
スを構成する第１の半導体の単位のP+層11Aは、有効ア
クセプタ密度１×1018cm-3厚さ50ÅのGa0.7Al0.3As層、
第２の半導体の単位のp+層11Bは有効アクセプタ密度１
×1018cm-3厚さ50ÅのGaAs層である。エミッタ11は有効
ドナー密度２×1018cm-3のn+−GaAs、コレクタは有効ド
ナー密度１×1015cm-3のn-−GaAsで構成される。第３図
は本トランジスタの構造の一例を示すものであり、31は
エミッタ電極、32はベース電極であり、トランジスタの
主体はコレクタ領域を兼ねるn+−GaAs基板33上に形成さ
れる。34はコレクタ電極である。11,12および13の多層
結晶は例えば分子線エピタキシ（MBE）によって成長で
きる。本トランジスタの熱平衡状態におけるエネルギー
バンド状態図は第４図(a)であり、各電極にバイアスし
てトランジスタ動作させたときの状態図が第４図(b)で
ある。ここで黒丸は電子を、白丸は正孔を表わす。ベー
スの第１の半導体のGa0.7Al0.3Asは、第２の半導体のGa
Asよりエネルギーギャップは約0.4eV大きく、電子親和
力は約0.4eV小さい。したがって、ベースには伝導帯に
ポテンシャルウェルの繰返しができている。熱平衡状態
においては、エミッタ−ベース接合のｐ−ｎ接合による
接触電位差（Built−in Potential）によって、ベース
の伝導帯のポテンシャルウェルの底、すなわちP+−GaAs
12Bの伝導帯は、エミッタ11の伝導体よりエネルギーが
大きく、ベースに電子は注入されない。次に第３図(b)
のようにベースに順バイアスすれば、前記p+−GaAsの伝
導帯とエミッタの伝導帯のエネルギー差が減少し、また
p+−GaAlAs層12Aが充分薄いので、エミッタ中の電子の
うち、ベースの伝導帯のポテンシャルウェルの底より大
きいエネルギーを有する電子は、トンネル効果によりp+
−GaAlAs層の障壁を遷移して電子がベースに注入され
る。注入された電子は次々とp+−GaAlAs層12Aはトンネ
ル効果で、p+−GaAs層12B中は拡散でベース中をコレク
タ側へ移動し、ベース−コレクタ接合に達すれば接合の
電界によりコレクタに集められコレクタ電流が流れる。
トランジスタ動作すなわちコレクタ電流の変調は、ベー
ス−エミッタ間の微小電位変位によってエミッタからベ
ースへの電子の注入量を変化して行われる。
以上の動作原理から明らかなように、本発明のトランジ
スタにおいては、電子が第１の半導体のp+層を通過する
時間は短く、電子のベース内走行時間の増加にはほとん
ど寄与しないから、従来のトランジスタと比較して走行
時間を増加させずに第１の半導体のp+層の分だけベース
抵抗が減少する。特に第２の半導体のp+層を薄くして繰
返し数を大きくするほどこの効果は大きい。ここでベー
スにおけるかかる伝導帯のポテンシャルウェルを実現す
るためには、第１の半導体のエネルギーギャップが第２
の半導体の該値よりも大きいことが必要であるが、かつ
該ポテンシャルウェルの底が平坦で、電子の走行が速や
かとなるためには、第１の半導体の電子親和力とエネル
ギーギャップの和が第２の半導体の該値とほぼ同等であ
る、すなわち両者のエネルギーギャップの差がほぼ電子
親和力の差であることが望ましい。この点を考慮して前
記実施例では、第１の半導体としてGa0.7Al0.3As、第２
の半導体としてGaAsを用いている。
スタにおいては、電子が第１の半導体のp+層を通過する
時間は短く、電子のベース内走行時間の増加にはほとん
ど寄与しないから、従来のトランジスタと比較して走行
時間を増加させずに第１の半導体のp+層の分だけベース
抵抗が減少する。特に第２の半導体のp+層を薄くして繰
返し数を大きくするほどこの効果は大きい。ここでベー
スにおけるかかる伝導帯のポテンシャルウェルを実現す
るためには、第１の半導体のエネルギーギャップが第２
の半導体の該値よりも大きいことが必要であるが、かつ
該ポテンシャルウェルの底が平坦で、電子の走行が速や
かとなるためには、第１の半導体の電子親和力とエネル
ギーギャップの和が第２の半導体の該値とほぼ同等であ
る、すなわち両者のエネルギーギャップの差がほぼ電子
親和力の差であることが望ましい。この点を考慮して前
記実施例では、第１の半導体としてGa0.7Al0.3As、第２
の半導体としてGaAsを用いている。
次に第２の実施例として、さらに本発明のトランジスタ
の効果を大なるものとする構造について説明する。第５
図の熱平衡状態のエネルギーバンド状態図に示すよう
に、本例ではベース領域の第１の半導体として、電子親
和力とエネルギーギャップの和が第２の半導体の該値よ
り小さい材料を用い、かつ該値の差に応じて第１の半導
体のp+層のドーピングレベルを第２の半導体のp+層のド
ーピングレベルより大きくする。ここでエミッタの半導
体は第２の半導体と同じであるので、第１の半導体のp+
層のドーピングレベルを大きくしても、エミッタ注入効
率は減少しないのでベース抵抗をさらに低減できる。本
例の場合は、例えば前記第１の実施例の第１の半導体の
GaAlAsに変えて、Sbを少し加えたGaAlAsSbを用いれば良
い。またエミッタには第６図に示すように、ベースの第
１の半導体はもちろん、第２の半導体よりもエネルギー
ギャップと電子親和力の和の大きい半導体を用いれば正
孔のエミッタへの注入を極めて小さくすることができ
る。したがってエミッタ注入効率をほぼ１に保ったまま
エミッタの不純物のドーピングレベルを下げ、かつベー
スの第２の半導体のp+層のドーピングレベルをも増加で
きるので、エミッタ接合容量を小さく、ベース抵抗をさ
らに小さくでき、高周波特性は大きく向上する。具体的
にはエミッタとして前記実施例のGaAsに代えてZnSe等を
用いれば良い。また、ベースの第２の半導体のp+層内の
電子の走行時間を短縮して、ベース走行時間をさらに短
縮するためには、第７図に示すようにベース中の各p+層
のドーピングレベルをエミッタ側からコレクタ側へ漸次
減少させる。そうすればベース内にエミッタからコレク
タ方向に電界が生じ、注入された電子がこの電界によっ
て加速されベース走行時間がさらに減少する。
の効果を大なるものとする構造について説明する。第５
図の熱平衡状態のエネルギーバンド状態図に示すよう
に、本例ではベース領域の第１の半導体として、電子親
和力とエネルギーギャップの和が第２の半導体の該値よ
り小さい材料を用い、かつ該値の差に応じて第１の半導
体のp+層のドーピングレベルを第２の半導体のp+層のド
ーピングレベルより大きくする。ここでエミッタの半導
体は第２の半導体と同じであるので、第１の半導体のp+
層のドーピングレベルを大きくしても、エミッタ注入効
率は減少しないのでベース抵抗をさらに低減できる。本
例の場合は、例えば前記第１の実施例の第１の半導体の
GaAlAsに変えて、Sbを少し加えたGaAlAsSbを用いれば良
い。またエミッタには第６図に示すように、ベースの第
１の半導体はもちろん、第２の半導体よりもエネルギー
ギャップと電子親和力の和の大きい半導体を用いれば正
孔のエミッタへの注入を極めて小さくすることができ
る。したがってエミッタ注入効率をほぼ１に保ったまま
エミッタの不純物のドーピングレベルを下げ、かつベー
スの第２の半導体のp+層のドーピングレベルをも増加で
きるので、エミッタ接合容量を小さく、ベース抵抗をさ
らに小さくでき、高周波特性は大きく向上する。具体的
にはエミッタとして前記実施例のGaAsに代えてZnSe等を
用いれば良い。また、ベースの第２の半導体のp+層内の
電子の走行時間を短縮して、ベース走行時間をさらに短
縮するためには、第７図に示すようにベース中の各p+層
のドーピングレベルをエミッタ側からコレクタ側へ漸次
減少させる。そうすればベース内にエミッタからコレク
タ方向に電界が生じ、注入された電子がこの電界によっ
て加速されベース走行時間がさらに減少する。
次に本発明において、ベースでの少数キャリアが正孔で
ある場合、すなわちpnp型トランジスタの例について説
明する。ベースの第１の半導体のn+層22Aとしてn+−GaA
s、第２の半導体のn+層22Bとしてn+−Geを用いる。ここ
でGaAsはGeよりエネルギーギャップは約0.6eV大きく、
かつ電子親和力は同等であるので第２図に示すようなベ
ースでの価電子帯の正孔に対するポテンシャルウェルが
形成される。またエミッタはp+−Ge、コレクタはp-−Ge
を用いることができる。ここでベースの第１の半導体の
GaAsに代えて、Inを少し加えたGaInAsを用いると第２の
半導体のGeより電子親和力が大きくなるので、第１の半
導体のn+層のドーピングレベルを大きくすることができ
る。またエミッタのn+−Geに代えて電子親和力の小さい
GaAlAsを用いれば電子のベースからエミッタへの注入を
極めて小さくすることができる。またベースの各n+層の
ドーピングレベルをエミッタ側からコレクタ側へ漸次減
少されればベース走行時間の短縮に効果のあることはnp
nトランジスタの場合と同様である。
ある場合、すなわちpnp型トランジスタの例について説
明する。ベースの第１の半導体のn+層22Aとしてn+−GaA
s、第２の半導体のn+層22Bとしてn+−Geを用いる。ここ
でGaAsはGeよりエネルギーギャップは約0.6eV大きく、
かつ電子親和力は同等であるので第２図に示すようなベ
ースでの価電子帯の正孔に対するポテンシャルウェルが
形成される。またエミッタはp+−Ge、コレクタはp-−Ge
を用いることができる。ここでベースの第１の半導体の
GaAsに代えて、Inを少し加えたGaInAsを用いると第２の
半導体のGeより電子親和力が大きくなるので、第１の半
導体のn+層のドーピングレベルを大きくすることができ
る。またエミッタのn+−Geに代えて電子親和力の小さい
GaAlAsを用いれば電子のベースからエミッタへの注入を
極めて小さくすることができる。またベースの各n+層の
ドーピングレベルをエミッタ側からコレクタ側へ漸次減
少されればベース走行時間の短縮に効果のあることはnp
nトランジスタの場合と同様である。
なお以上では、ベースが第１の半導体層と第２の半導体
層との多層構造について説明したが、本発明のトランジ
スタの動作原理から、ベースが第１の半導体層と、第２
の半導体層との各一層で構成される場合も本発明の範ち
ゅうに含まれる。
層との多層構造について説明したが、本発明のトランジ
スタの動作原理から、ベースが第１の半導体層と、第２
の半導体層との各一層で構成される場合も本発明の範ち
ゅうに含まれる。
第１図から第７図は本発明によるバイポーラトランジス
タを説明するための図である。ここで第３図はその具体
的構造の一例を示し、他はエネルギーバンド状態図を表
わす。なお第４図(b)はトランジスタ動作するようにバ
イアスした場合で、その他はいずれも熱平衡状態でのエ
ネルギーバンドを表わしている。 図において ＥＦ：フェルミレベル;EＣ：伝導帯;EＶ：価電子帯;11,
21:エミッタ;12,22:ベース;13,23:コレクタ;12A:第１の
半導体のp+層;12B:第２の半導体のp+層;22A:第１の半導
体のn+層;22B:第２の半導体のn+層;31:エミッタ電極;3
2:ベース電極;33:n+基板;34:コレクタ；黒丸：電子；白
丸：正孔
タを説明するための図である。ここで第３図はその具体
的構造の一例を示し、他はエネルギーバンド状態図を表
わす。なお第４図(b)はトランジスタ動作するようにバ
イアスした場合で、その他はいずれも熱平衡状態でのエ
ネルギーバンドを表わしている。 図において ＥＦ：フェルミレベル;EＣ：伝導帯;EＶ：価電子帯;11,
21:エミッタ;12,22:ベース;13,23:コレクタ;12A:第１の
半導体のp+層;12B:第２の半導体のp+層;22A:第１の半導
体のn+層;22B:第２の半導体のn+層;31:エミッタ電極;3
2:ベース電極;33:n+基板;34:コレクタ；黒丸：電子；白
丸：正孔
Claims (6)
- 【請求項１】第１の半導体のｐ型層と第２の半導体のｐ
型層とが交互に繰り返して構成されたベースを備え、前
記第１の半導体のエネルギーギャップは前記第２の半導
体のエネルギーギャップよりも大きく、また、前記第１
の半導体の電子親和力とエネルギーギャップの和が、前
記第２の半導体の電子親和力とエネルギーギャップの和
とほぼ同等であって前記第２の半導体層の電子に対して
前記第１の半導体層がポテンシャル障壁をなし、エミッ
タの半導体のバンドギャップは前記の第２の半導体のバ
ンドギャップ以上であり、かつ、前記第１の半導体の各
層の厚さが電子がトンネル効果で前記各層を通過できる
ように充分薄くしたことを特徴とするトランジスタ。 - 【請求項２】エミッタの半導体の電子親和力とエネルギ
ーギャップの和が、ベースの第１の半導体および第２の
半導体の電子親和力とエネルギーギャップの和よりも大
きい特許請求の範囲第１項記載のトランジスタ。 - 【請求項３】ベースの各ｐ型層のドーピングレベルがエ
ミッタ側からコレクタ側へ漸次減少している特許請求の
範囲第１項または第２項記載のトランジスタ。 - 【請求項４】第１の半導体のｎ型層と第２の半導体のｎ
型層とが交互に繰り返して構成されたベースを備え、前
記第１の半導体のエネルギーギャップは前記第２の半導
体のエネルギーギャップよりも大きく、また、前記第１
の半導体の電子親和力が、前記第２の半導体の電子親和
力とほぼ同等であって、前記第２の半導体層の正孔に対
して前記第１の半導体層がポテンシャル障壁をなし、エ
ミッタの半導体のバンドギャップは前記第２の半導体の
バンドギャップ以上であり、かつ、前記第１の半導体の
各層の厚さが正孔がトンネル効果で前記各層を通過でき
るように充分薄くしたことを特徴とするトランジスタ。 - 【請求項５】エミッタの半導体の電子親和力が、ベース
の第１の半導体および第２の半導体の電子親和力よりも
小さい特許請求の範囲第４項記載のトランジスタ。 - 【請求項６】ベースの各ｎ型層のドーピングレベルがエ
ミッタ側からコレクタ側へ漸次減少している特許請求の
範囲第４項または第５項記載のトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025711A JPH0665217B2 (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025711A JPH0665217B2 (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142574A JPS58142574A (ja) | 1983-08-24 |
| JPH0665217B2 true JPH0665217B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=12173370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025711A Expired - Lifetime JPH0665217B2 (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665217B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63140570A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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-
1982
- 1982-02-19 JP JP57025711A patent/JPH0665217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58142574A (ja) | 1983-08-24 |
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