JPH06656B2 - 耐放射線性光ファイバの製造法 - Google Patents
耐放射線性光ファイバの製造法Info
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- JPH06656B2 JPH06656B2 JP1110799A JP11079989A JPH06656B2 JP H06656 B2 JPH06656 B2 JP H06656B2 JP 1110799 A JP1110799 A JP 1110799A JP 11079989 A JP11079989 A JP 11079989A JP H06656 B2 JPH06656 B2 JP H06656B2
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- furnace
- heating
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、高放射線量の被曝が予想される原子力関連設
備や原子力再処理設備において使用される光ファイバケ
ーブル等に用いられる耐放射線性光ファイバの製造法に
関するものである。
備や原子力再処理設備において使用される光ファイバケ
ーブル等に用いられる耐放射線性光ファイバの製造法に
関するものである。
「従来の技術」 高放射線量下で使用される光ケーブル等に用いられる光
ファイバとしては、純粋石英コア光ファイバが用いられ
ている。この光ファイバは、ＧｅＯ2をドープした通常
の光ファイバと比較すると耐放射線特性がすぐれてい
る。第２図にこのような純粋石英コア光ファイバの例を
示す。この光ファイバは、純粋石英からなるコア１およ
びクラッド２とからなる光ファイバ裸線に変性シリコー
ン樹脂からなる第一次被覆層３と、ナイロン等のプラス
チック材料からなる第二次緩衝被覆層４とからなってい
る。
ファイバとしては、純粋石英コア光ファイバが用いられ
ている。この光ファイバは、ＧｅＯ2をドープした通常
の光ファイバと比較すると耐放射線特性がすぐれてい
る。第２図にこのような純粋石英コア光ファイバの例を
示す。この光ファイバは、純粋石英からなるコア１およ
びクラッド２とからなる光ファイバ裸線に変性シリコー
ン樹脂からなる第一次被覆層３と、ナイロン等のプラス
チック材料からなる第二次緩衝被覆層４とからなってい
る。
「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、このような従来の耐放射線性の良い純粋
石英コア光ファイバにあっても、被曝放射線量が１０6
Ｒ以上になると、その光ファイバ中のＳｉＯ2が放射線
によって破壊されて欠陥Ｓｉ−Ｏが生じ、これに水素ガ
スが反応してＯＨ基が生成される。この時の水素ガスの
発生源としては前記光ファイバの石英中に吸蔵されてい
たものと、第一次被覆層や第二次緩衝被覆層が放射線に
よって分解されて発生したものとが考えられるが、ファ
イバ中のＯＨ基が増加すると、このＯＨ基による光の吸
収によって１．３μｍ帯における光通信の利用が不可能
となる。
石英コア光ファイバにあっても、被曝放射線量が１０6
Ｒ以上になると、その光ファイバ中のＳｉＯ2が放射線
によって破壊されて欠陥Ｓｉ−Ｏが生じ、これに水素ガ
スが反応してＯＨ基が生成される。この時の水素ガスの
発生源としては前記光ファイバの石英中に吸蔵されてい
たものと、第一次被覆層や第二次緩衝被覆層が放射線に
よって分解されて発生したものとが考えられるが、ファ
イバ中のＯＨ基が増加すると、このＯＨ基による光の吸
収によって１．３μｍ帯における光通信の利用が不可能
となる。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、１０6Ｒ以
上の高放射線量下で使用する光ファイバにおいてＯＨ基
の生成をおさえることによって、ＯＨ基による光の吸収
をおさえ、１０6Ｒ以上の放射線量下におても１．３μ
ｍ帯における光通信を可能にすることを目的とする。
上の高放射線量下で使用する光ファイバにおいてＯＨ基
の生成をおさえることによって、ＯＨ基による光の吸収
をおさえ、１０6Ｒ以上の放射線量下におても１．３μ
ｍ帯における光通信を可能にすることを目的とする。
「課題を解決するための手段」 そこで本発明では、光ファイバ裸線をヘリウムガスによ
る加熱、加圧ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中
の水素をヘリウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線
の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形成す
ることを問題解決の手段とした。
る加熱、加圧ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中
の水素をヘリウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線
の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形成す
ることを問題解決の手段とした。
「作用」 光ファイバ裸線中の残留水素がヘリウムガス中の加熱、
加圧によってヘリウムに置換され、さらこの光ファイバ
裸線の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形
成することによって、１０6Ｒ以上の高放射線下で光フ
ァイバ中に欠損Ｓｉ−Ｏが生じてもこのＳｉ−Ｏと結合
する水素が前記光ファイバ中に存在しないためにＯＨ基
が生成されず、ＯＨ基による１．３μｍ帯の光の吸収が
おさえられる。
加圧によってヘリウムに置換され、さらこの光ファイバ
裸線の表面に水素ガスを通過させない物質で被覆層を形
成することによって、１０6Ｒ以上の高放射線下で光フ
ァイバ中に欠損Ｓｉ−Ｏが生じてもこのＳｉ−Ｏと結合
する水素が前記光ファイバ中に存在しないためにＯＨ基
が生成されず、ＯＨ基による１．３μｍ帯の光の吸収が
おさえられる。
以下、図面を参照して本発明の耐放射線性光ファイバの
製造法を詳しく説明する。
製造法を詳しく説明する。
第１図は本発明の耐放射線性光ファイバの製造法に用い
られる製造装置の一例を示すもので、第１図中符号１１
は光ファイバ裸線である。光ファイバ裸線は、光ファイ
バ母材（図示せず）を紡糸炉１２で溶融紡糸したもの
で、光ファイバ裸線１１は紡糸されるとともに、紡糸炉
１２の下段に気密を破らずに設けられた加熱加圧処理炉
１３へ送られるようになっている。この加熱加圧処理炉
１３は紡糸炉１２内で紡糸された光ファイバ裸線１１中
の残留水素をヘリウムガス中で加熱、加圧することによ
りヘリウムと置換するためのものであって、光ファイバ
裸線１１を加熱加圧する加熱加圧管１４とこの加熱加圧
管１４を加熱する発熱耐１５とを設け、さらにこの加熱
加圧管１４内にヘリウムガスを供給するためのヘリウム
ガス供給管１４ａとこのヘリウムガスを排気するための
ヘリウムガス排気管１４ｂを取り付けたものである。加
熱加圧処理炉１３の下段にはＣＶＤ炉１６が気密を保つ
ように設けられている。このＣＶＤ炉１６は、上段の加
熱加圧処理炉１３内で、残留する水素を除去されてヘリ
ウムガスと置換された光ファイバ裸線１１の表面に炭素
被膜をＣＶＤ法によって形成するためのものである。そ
してこのＣＶＤ炉１６は、その内部にてＣＶＤ反応を進
行させて光ファイバ裸線１１に炭素被膜を形成するＣＶ
Ｄ反応管１７と、このＣＶＤ反応管１７を加熱する発熱
体１８とから構成されている。このＣＶＤ反応管１７の
上部には、ＣＶＤ反応管１７へ原料化合物を供給するた
めの原料化合物供給管１７ａが、下部にはＣＶＤ反応管
１７内の間反応ガス等を排気する排気管１７ｂが、それ
ぞれ取り付けられている。またこのＣＶＤ炉１６の下段
には、樹脂液塗布装置１９および熱硬化装置２０とが連
続して設けられており、上記ＣＶＤ炉１６内で形成され
た炭素被膜上に保護被覆層が形成できるようになってい
る。
られる製造装置の一例を示すもので、第１図中符号１１
は光ファイバ裸線である。光ファイバ裸線は、光ファイ
バ母材（図示せず）を紡糸炉１２で溶融紡糸したもの
で、光ファイバ裸線１１は紡糸されるとともに、紡糸炉
１２の下段に気密を破らずに設けられた加熱加圧処理炉
１３へ送られるようになっている。この加熱加圧処理炉
１３は紡糸炉１２内で紡糸された光ファイバ裸線１１中
の残留水素をヘリウムガス中で加熱、加圧することによ
りヘリウムと置換するためのものであって、光ファイバ
裸線１１を加熱加圧する加熱加圧管１４とこの加熱加圧
管１４を加熱する発熱耐１５とを設け、さらにこの加熱
加圧管１４内にヘリウムガスを供給するためのヘリウム
ガス供給管１４ａとこのヘリウムガスを排気するための
ヘリウムガス排気管１４ｂを取り付けたものである。加
熱加圧処理炉１３の下段にはＣＶＤ炉１６が気密を保つ
ように設けられている。このＣＶＤ炉１６は、上段の加
熱加圧処理炉１３内で、残留する水素を除去されてヘリ
ウムガスと置換された光ファイバ裸線１１の表面に炭素
被膜をＣＶＤ法によって形成するためのものである。そ
してこのＣＶＤ炉１６は、その内部にてＣＶＤ反応を進
行させて光ファイバ裸線１１に炭素被膜を形成するＣＶ
Ｄ反応管１７と、このＣＶＤ反応管１７を加熱する発熱
体１８とから構成されている。このＣＶＤ反応管１７の
上部には、ＣＶＤ反応管１７へ原料化合物を供給するた
めの原料化合物供給管１７ａが、下部にはＣＶＤ反応管
１７内の間反応ガス等を排気する排気管１７ｂが、それ
ぞれ取り付けられている。またこのＣＶＤ炉１６の下段
には、樹脂液塗布装置１９および熱硬化装置２０とが連
続して設けられており、上記ＣＶＤ炉１６内で形成され
た炭素被膜上に保護被覆層が形成できるようになってい
る。
上記の装置を用いて本発明の製造法に沿って耐放射線性
光ファイバを製造する方法を以下に示す。まず、石英系
光ファイバ母材を紡糸炉１２内で溶融紡糸して光ファイ
バ裸線１１とする。この石英系光ファイバ母材には、母
材製造時に必然的に残る微量の水素が含まれており、光
ファイバ裸線１１にもしたがって微量の水素まが含まれ
ることになる。ついで、この光ファイバ裸線１１をこの
紡糸炉１２の下段に順次設けられた加熱加圧処理炉１
３、ＣＶＤ炉１６、樹脂塗布装置１９、熱硬化装置２０
へ送り、これらの中心軸上を所定の速度で走行するよう
に供給する。ここで加熱加圧処理炉１３においては、ヘ
リウムガス供給管１４ａからヘリウムガスを供給しつつ
発熱体１５を発熱させて加熱する。加熱温度としては、
５００〜１２００℃程度が好適である。この時、ヘリウ
ムガスの供給速度とヘリウムガス排気管１４ｂからの排
気量とを調節してやることによって、加熱加圧槽１４内
のヘリウムガスの圧力を高く保つようにする。光ファイ
バ裸線１１中に残留している水素ガスは、このような加
熱加圧処理により容易しに除去されヘリウムガスによっ
て置換される。また、ここで供給するヘリウムガスとし
ては、絶乾状態の高純度ヘリウムガスが好適である。こ
のようにして残留水素を除去された光ファイバ裸線１１
は、気密を保ったまま下段のＣＶＤ炉１６内に挿入され
て炭素被膜が形成される。原料化合物供給管１７ａから
炭素被膜を形成するための原料化合物をＣＶＤ反応管１
７に供給してやると共に、発熱体１８によってＣＶＤ反
応管１７を加熱する。原料供給管１７ａから供給する原
料化合物としては、熱分解して炭素被膜を形成する化合
物であれば特に限定されないが形成される炭素被膜の性
状および形成速度の観点から、炭素数１５以下の炭化水
素または、ハロゲン化炭化水素が好適である。これらの
原料化合物はガス状態にして供給するほか、不活性ガス
によて稀釈して供給することもできる。供給速度として
は原料化合物の種類および加熱温度によって適宜選択さ
れるが、通常は０．２〜１．０／分程度が好適であ
る。また発熱体１８の加熱温度としては上記供給化合物
の種類によって適宜選択されるが、通常は４００〜１２
００℃程度である。こうして、ＣＶＤ炉１６内で原料化
合物が熱分解されて光ファイバ裸線１１の表面に水素透
過阻止能力を有する炭素被膜が形成される。このように
して炭素被膜が表面に形成された光ファイバ裸線１１を
下段に設置された樹脂塗布装置１９へ導入して、ついで
熱硬化装置２０へ挿入する。樹脂塗布装置１９では保護
被覆層を形成するための熱硬化性樹脂等が光ファイバ裸
線１１の表面に塗布され、ついでこの樹脂を熱硬化装置
２０において熱処理して硬化させる。
光ファイバを製造する方法を以下に示す。まず、石英系
光ファイバ母材を紡糸炉１２内で溶融紡糸して光ファイ
バ裸線１１とする。この石英系光ファイバ母材には、母
材製造時に必然的に残る微量の水素が含まれており、光
ファイバ裸線１１にもしたがって微量の水素まが含まれ
ることになる。ついで、この光ファイバ裸線１１をこの
紡糸炉１２の下段に順次設けられた加熱加圧処理炉１
３、ＣＶＤ炉１６、樹脂塗布装置１９、熱硬化装置２０
へ送り、これらの中心軸上を所定の速度で走行するよう
に供給する。ここで加熱加圧処理炉１３においては、ヘ
リウムガス供給管１４ａからヘリウムガスを供給しつつ
発熱体１５を発熱させて加熱する。加熱温度としては、
５００〜１２００℃程度が好適である。この時、ヘリウ
ムガスの供給速度とヘリウムガス排気管１４ｂからの排
気量とを調節してやることによって、加熱加圧槽１４内
のヘリウムガスの圧力を高く保つようにする。光ファイ
バ裸線１１中に残留している水素ガスは、このような加
熱加圧処理により容易しに除去されヘリウムガスによっ
て置換される。また、ここで供給するヘリウムガスとし
ては、絶乾状態の高純度ヘリウムガスが好適である。こ
のようにして残留水素を除去された光ファイバ裸線１１
は、気密を保ったまま下段のＣＶＤ炉１６内に挿入され
て炭素被膜が形成される。原料化合物供給管１７ａから
炭素被膜を形成するための原料化合物をＣＶＤ反応管１
７に供給してやると共に、発熱体１８によってＣＶＤ反
応管１７を加熱する。原料供給管１７ａから供給する原
料化合物としては、熱分解して炭素被膜を形成する化合
物であれば特に限定されないが形成される炭素被膜の性
状および形成速度の観点から、炭素数１５以下の炭化水
素または、ハロゲン化炭化水素が好適である。これらの
原料化合物はガス状態にして供給するほか、不活性ガス
によて稀釈して供給することもできる。供給速度として
は原料化合物の種類および加熱温度によって適宜選択さ
れるが、通常は０．２〜１．０／分程度が好適であ
る。また発熱体１８の加熱温度としては上記供給化合物
の種類によって適宜選択されるが、通常は４００〜１２
００℃程度である。こうして、ＣＶＤ炉１６内で原料化
合物が熱分解されて光ファイバ裸線１１の表面に水素透
過阻止能力を有する炭素被膜が形成される。このように
して炭素被膜が表面に形成された光ファイバ裸線１１を
下段に設置された樹脂塗布装置１９へ導入して、ついで
熱硬化装置２０へ挿入する。樹脂塗布装置１９では保護
被覆層を形成するための熱硬化性樹脂等が光ファイバ裸
線１１の表面に塗布され、ついでこの樹脂を熱硬化装置
２０において熱処理して硬化させる。
また、水素透過阻止能力を有する物質として炭素被膜を
用いたが、この発明の製造法に用いられる水素透過阻止
能力を有する物質としては、これに限定されるものでは
なく、例えば炭化ケイ素などがある。
用いたが、この発明の製造法に用いられる水素透過阻止
能力を有する物質としては、これに限定されるものでは
なく、例えば炭化ケイ素などがある。
「実施例１」 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する紡糸炉の
下段に、気密を保つように加熱加圧炉とＣＶＤ炉とを設
け、さらにその下段に樹脂液塗布装置と熱硬化装置とを
設けて第一図に示したと同様の耐放射線性光ファイバの
製造装置を構成した。加熱加圧炉はグラファイト炉を用
いた。またＣＶＤ炉の反応管は石英管とし、電気炉（カ
ンタル線）により加熱を行うようにした。樹脂塗布装置
としては、ダイスポットを用い、この中へ熱硬化性の樹
脂液を熱硬化装置においてはカンタル線を用いて加熱を
行った。
下段に、気密を保つように加熱加圧炉とＣＶＤ炉とを設
け、さらにその下段に樹脂液塗布装置と熱硬化装置とを
設けて第一図に示したと同様の耐放射線性光ファイバの
製造装置を構成した。加熱加圧炉はグラファイト炉を用
いた。またＣＶＤ炉の反応管は石英管とし、電気炉（カ
ンタル線）により加熱を行うようにした。樹脂塗布装置
としては、ダイスポットを用い、この中へ熱硬化性の樹
脂液を熱硬化装置においてはカンタル線を用いて加熱を
行った。
上記紡糸炉内に純石英からなるコア部を有する外径２０
mmの光ファイバ用母材を設置し、この光ファイバ母材を
２２００℃で加熱して６０ｍ／分の紡糸速度で外径１２
５μｍの光ファイバに紡糸した。これと共に加熱加圧炉
を５００℃に加熱し、ヘリウムガス供給管から露点が−
９０℃以下の高純度ヘリウムガスを供給し、加熱加圧管
内を１．５×１０5Ｐａの気圧に保つようにした。さら
にＣＶＤ炉内を４００℃に加熱しつつ原料ガスであるテ
ラアルキルシラン蒸気を０．２／分で供給した。つい
で上記光ファイバ裸線を加熱加圧炉とＣＶＤ炉内を走行
させて、光ファイバ裸線の内部に残留している水素ガス
を除去しさらにヘリウムガスと置換したのちに、その表
面に炭素被膜を被覆した。ついでシリコーン樹脂液が封
入されたダイスポット内にこの光ファイバを挿通して炭
素被膜上にシリコーン樹脂液を塗布し、熱硬化装置内で
電気炉（カンタル線）によって３００℃に加熱して前記
シリコーン樹脂を硬化させてこれを保護被覆層として外
径が４００μｍの光ファイバとした。
mmの光ファイバ用母材を設置し、この光ファイバ母材を
２２００℃で加熱して６０ｍ／分の紡糸速度で外径１２
５μｍの光ファイバに紡糸した。これと共に加熱加圧炉
を５００℃に加熱し、ヘリウムガス供給管から露点が−
９０℃以下の高純度ヘリウムガスを供給し、加熱加圧管
内を１．５×１０5Ｐａの気圧に保つようにした。さら
にＣＶＤ炉内を４００℃に加熱しつつ原料ガスであるテ
ラアルキルシラン蒸気を０．２／分で供給した。つい
で上記光ファイバ裸線を加熱加圧炉とＣＶＤ炉内を走行
させて、光ファイバ裸線の内部に残留している水素ガス
を除去しさらにヘリウムガスと置換したのちに、その表
面に炭素被膜を被覆した。ついでシリコーン樹脂液が封
入されたダイスポット内にこの光ファイバを挿通して炭
素被膜上にシリコーン樹脂液を塗布し、熱硬化装置内で
電気炉（カンタル線）によって３００℃に加熱して前記
シリコーン樹脂を硬化させてこれを保護被覆層として外
径が４００μｍの光ファイバとした。
このようにして得られた光ファイバを用いて１．３μｍ
帯の光通信を行ったところ、１０6Ｒの放射線下におい
てもＯＨ基による光の吸収が起こらずに通信が可能とな
った。
帯の光通信を行ったところ、１０6Ｒの放射線下におい
てもＯＨ基による光の吸収が起こらずに通信が可能とな
った。
さらに１０8Ｒの放射線下におけるまで上記光ファイバ
で１．３μｍ帯における光通信が可能であり、耐放射線
性を有することが確認された。
で１．３μｍ帯における光通信が可能であり、耐放射線
性を有することが確認された。
「実施例３」 光ファイバ母材の紡糸速度を７０ｍ／分、加熱加圧炉の
温度を１１００℃、圧力を１．８×１０5Ｐａとし、テ
トラアルキルシラン蒸気を０．３／分で供給した以外
は蒸気実施例１と全く同様にして光ファイバ裸線表面に
炭素被膜を形成した。
温度を１１００℃、圧力を１．８×１０5Ｐａとし、テ
トラアルキルシラン蒸気を０．３／分で供給した以外
は蒸気実施例１と全く同様にして光ファイバ裸線表面に
炭素被膜を形成した。
ついでこの炭素被膜が形成された光ファイバ裸線を、ウ
レタンアクリレート樹脂液が封入されたダイスポット中
に挿通して、炭素被膜上にウレタンアクリレート樹脂液
を塗布した。この後、紫外線硬化装置内で水銀灯によっ
て紫外線を照射して外径が３００μｍの光ファイバとし
た。
レタンアクリレート樹脂液が封入されたダイスポット中
に挿通して、炭素被膜上にウレタンアクリレート樹脂液
を塗布した。この後、紫外線硬化装置内で水銀灯によっ
て紫外線を照射して外径が３００μｍの光ファイバとし
た。
このようにして得られた光ファイバを用いて、１０6Ｒ
の放射線下で１．３μｍ帯での光通信を行ったところ通
信が可能であり、耐放射線性を有することが確認でき
た。
の放射線下で１．３μｍ帯での光通信を行ったところ通
信が可能であり、耐放射線性を有することが確認でき
た。
さらに放射線量を増加させても、ＯＨ基による伝送損失
の増加は観測されず、１０8Ｒまで安定して通信を行う
ことができた。
の増加は観測されず、１０8Ｒまで安定して通信を行う
ことができた。
「発明の効果」 以上説明したように、この耐放射線性光ファイバの製造
法は、光ファイバ裸線をヘリウムガスによる加熱、加圧
ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中の水素をヘリ
ウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線の表面に水素
ガスを通過させない物質で被覆層を形成するものである
ので、高放射線下で使用されて、光ファイバ内のＳｉＯ
2が放射線によって破壊されて欠陥Ｓｉ−Ｏが生じて
も、これと結合する水素ガスが光ファイバ内に存在しな
いためＯＨ基が生成されす、ＯＨ基による光の吸収がお
こらないため、１０6Ｒ以上の高放射線下においても、
１．３μｍ帯での光通信が可能となる。
法は、光ファイバ裸線をヘリウムガスによる加熱、加圧
ガス雰囲気を通過させて光ファイバ裸線中の水素をヘリ
ウムと置換し、さらにこの光ファイバ裸線の表面に水素
ガスを通過させない物質で被覆層を形成するものである
ので、高放射線下で使用されて、光ファイバ内のＳｉＯ
2が放射線によって破壊されて欠陥Ｓｉ−Ｏが生じて
も、これと結合する水素ガスが光ファイバ内に存在しな
いためＯＨ基が生成されす、ＯＨ基による光の吸収がお
こらないため、１０6Ｒ以上の高放射線下においても、
１．３μｍ帯での光通信が可能となる。
第１図はこの発明の耐放射線光ファイバの製造法の実施
に用いられる光ファイバの製造装置の一例を示す概略構
成図であり、第２図は従来の耐放射線性光ファイバの一
例を示す概略断面図である。 １１……光ファイバ裸線 １３……加熱加圧処理炉 １４……加熱加圧管 １５……発熱体 １６……ＣＶＤ炉 １７……ＣＶＤ反応管 １８……発熱体
に用いられる光ファイバの製造装置の一例を示す概略構
成図であり、第２図は従来の耐放射線性光ファイバの一
例を示す概略断面図である。 １１……光ファイバ裸線 １３……加熱加圧処理炉 １４……加熱加圧管 １５……発熱体 １６……ＣＶＤ炉 １７……ＣＶＤ反応管 １８……発熱体
Claims (1)
- 【請求項１】水素を含有する石英系光ファイバ母材を紡
糸して光ファイバ裸線とし、この光ファイバ裸線をヘリ
ウムガスによる加熱、加圧ガス雰囲気を通過させて、前
記光ファイバ裸線中の水素をヘリウムと置換し、しかる
のち、この光ファイバ裸線表面に水素を通過させない物
質で被覆層を形成することを特徴とする耐放射線性光フ
ァイバの製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110799A JPH06656B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 耐放射線性光ファイバの製造法 |
| US07/938,549 US5269825A (en) | 1989-04-28 | 1992-08-28 | Method of manufacturing radiation-resistant optical fiber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1110799A JPH06656B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 耐放射線性光ファイバの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02293352A JPH02293352A (ja) | 1990-12-04 |
| JPH06656B2 true JPH06656B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14544942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1110799A Expired - Fee Related JPH06656B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 耐放射線性光ファイバの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06656B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195039A (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-03 | Fujikura Ltd | 光フアイバの製造方法 |
| JPS60221337A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-11-06 | Fujikura Ltd | 光フアイバの製造方法 |
| JPS61136940A (ja) * | 1984-12-06 | 1986-06-24 | Hitachi Cable Ltd | 光フアイバ心線の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110799A patent/JPH06656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02293352A (ja) | 1990-12-04 |
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