JPH066759B2 - 銅又は銅合金細線及びその製造方法 - Google Patents
銅又は銅合金細線及びその製造方法Info
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- Conductive Materials (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、銅又は銅合金細線及びその製造方法に関す
る。
る。
［従来の技術］ 現在、電子・電気分野を主として銅線が用いられている
が、これら銅線は製品の小型化に対応しますます線径の
細かさが要求されている。
が、これら銅線は製品の小型化に対応しますます線径の
細かさが要求されている。
銅線は通常、原料として電気銅、スクラップ等を用い、
溶解、鋳造後、押出、圧延、線引き等の工程を経て製造
した荒引線を細線に伸線加工するが、この細線に伸線加
工する工程において発生する断線は生産性を著しく低下
させるため、従来より断線を防止し、伸線性を向上させ
るため数々の検討がなされている。
溶解、鋳造後、押出、圧延、線引き等の工程を経て製造
した荒引線を細線に伸線加工するが、この細線に伸線加
工する工程において発生する断線は生産性を著しく低下
させるため、従来より断線を防止し、伸線性を向上させ
るため数々の検討がなされている。
断線の原因については従来より研究がなされており、溶
銅中に混入する異物が主原因とされている。
銅中に混入する異物が主原因とされている。
従来、異物としてはアルミナ、シリカ、鉄等が知られて
いる。
いる。
このような断線原因につながる異物の混入経路としては
溶銅移送工程中及び移送工程前に外部から混入（原材料
等）が考えられており、溶銅中の異物除去は重要な課題
となっている。
溶銅移送工程中及び移送工程前に外部から混入（原材料
等）が考えられており、溶銅中の異物除去は重要な課題
となっている。
この異物除去手段として従来溶融中の銅をセラミックフ
ォームのフィルターを通過せしめた後に鋳塊となすこと
が行なわれている。
ォームのフィルターを通過せしめた後に鋳塊となすこと
が行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、前記フィルターを用いることによりある程度断
線の発生は減少したが、まだ十分とはいえず、断線発生
率は高い。
線の発生は減少したが、まだ十分とはいえず、断線発生
率は高い。
特に１００μｍ以下あるいは５０μｍ以下の細線にまで
伸線する場合、断線の発生が多く生産性の低下をまねい
ていた。
伸線する場合、断線の発生が多く生産性の低下をまねい
ていた。
また、かりに伸線中に断線を生じない場合でも製造され
た銅線を実際に使用する場合（たとえば芯材にコイル状
に巻回する場合）においても銅線の切断等の問題も発生
する。
た銅線を実際に使用する場合（たとえば芯材にコイル状
に巻回する場合）においても銅線の切断等の問題も発生
する。
また、近時銅線はＩＣ基板の導線として用いられてお
り、銅線は第８図に示すような工程を経てＩＣ基板にボ
ンディングされる。このボンディング工程中、銅線は引
張力によりキャピラリーチップから導出されるが、その
際に導線には引張応力が加わり、従来のフィルターによ
り異物を除去した銅線においてはこの導出時に数多くの
断線を生じる。また、第８図（ａ）に示す工程から第８
図（ｂ）に示す工程に移行する際に銅線にはたわみが生
じ、その際にも断線を生じる。
り、銅線は第８図に示すような工程を経てＩＣ基板にボ
ンディングされる。このボンディング工程中、銅線は引
張力によりキャピラリーチップから導出されるが、その
際に導線には引張応力が加わり、従来のフィルターによ
り異物を除去した銅線においてはこの導出時に数多くの
断線を生じる。また、第８図（ａ）に示す工程から第８
図（ｂ）に示す工程に移行する際に銅線にはたわみが生
じ、その際にも断線を生じる。
さらに、ボンディングに際しては銅線先端を真球状態に
しなければ接合性は悪くなるが、従来のフィルターを用
いてろ過した鋳塊を製造した銅線においては、真球度が
悪く、したがって接合性もよくなかった。
しなければ接合性は悪くなるが、従来のフィルターを用
いてろ過した鋳塊を製造した銅線においては、真球度が
悪く、したがって接合性もよくなかった。
そこで、伸線工程での断線の防止、伸線性の向上及び製
品として数々の用途に使用する際切断等の発生しない銅
細線の出現が強く望まれている。
品として数々の用途に使用する際切断等の発生しない銅
細線の出現が強く望まれている。
［問題点を解決するための手段］ 本発明者は断線の原因について数々の検討を加えた結
果、従来のセラミックフォーム等のフィルターを用いて
異物を除去しても、なおかつ断線が発生しているのは、
異物除去後の溶銅中にＳｉＣが残存しておりおのＳｉＣ
が断線の原因となっていることをつきとめた。
果、従来のセラミックフォーム等のフィルターを用いて
異物を除去しても、なおかつ断線が発生しているのは、
異物除去後の溶銅中にＳｉＣが残存しておりおのＳｉＣ
が断線の原因となっていることをつきとめた。
更にこのＳｉＣは従来提案されているようなフィルター
では除去できず、セラミックス等の無機物質からなる多
数本の線状押出物より構成された成形体を用いることに
より除去できることを知見した。
では除去できず、セラミックス等の無機物質からなる多
数本の線状押出物より構成された成形体を用いることに
より除去できることを知見した。
また、使用時に切断等の発生しない銅線についても数々
検討した結果、銅線中に残存するＳｉＣの量及び平均粒
径の最大値を特定値以下になるよう調整した銅細線は前
記したような使用中の切断等の発生を防止しえるとの知
見を得た。
検討した結果、銅線中に残存するＳｉＣの量及び平均粒
径の最大値を特定値以下になるよう調整した銅細線は前
記したような使用中の切断等の発生を防止しえるとの知
見を得た。
本発明は上記知見にもとづいてなされたものであって、 （第１発明） 本出願に係る第１発明は、ＳｉＣ含有量が０．０６重量
％以下の銅又は銅合金からなり、該含有ＳｉＣの平均粒
径最大値（ｄ）と線直径（Ｄ）との比（ｄ／Ｄ）が０．
４以下であることを特徴とする銅又は銅合金細線であ
る。
％以下の銅又は銅合金からなり、該含有ＳｉＣの平均粒
径最大値（ｄ）と線直径（Ｄ）との比（ｄ／Ｄ）が０．
４以下であることを特徴とする銅又は銅合金細線であ
る。
本出願に係る第１発明においては、ＳｉＣ含有量が０．
０６重量％以下であり、かつ、該含有ＳｉＣの平均粒径
最大値（（ｄ）と線直径（Ｄ）との比（ｄ／Ｄ）が０．
４以下である。
０６重量％以下であり、かつ、該含有ＳｉＣの平均粒径
最大値（（ｄ）と線直径（Ｄ）との比（ｄ／Ｄ）が０．
４以下である。
ＳｉＣ含有量を０．０６重量％以下、ｄ／Ｄを０．４以
下と定めたのは、第９図に示すようにこの条件を同時に
満足するように調整されている銅細線は線表面に傷もな
く、引張強度も良好で、使用時断線等が生じにくいから
である。
下と定めたのは、第９図に示すようにこの条件を同時に
満足するように調整されている銅細線は線表面に傷もな
く、引張強度も良好で、使用時断線等が生じにくいから
である。
ＳｉＣ含有量が０．０６重量％を越え、あるいはｄ／Ｄ
が０．４を越えると使用時断線等が生じやすくなる。
が０．４を越えると使用時断線等が生じやすくなる。
なお、本発明においてｄは銅線中に含まれているＳｉＣ
の平均粒径の最大値を示すが、その測定方法は以下によ
る。
の平均粒径の最大値を示すが、その測定方法は以下によ
る。
ＳｉＣは、多角形状をしているが、平均粒径を算出する
には当該多角形の面積を求め、求めた面積と同じ面積の
円の直径を平均粒径とした。
には当該多角形の面積を求め、求めた面積と同じ面積の
円の直径を平均粒径とした。
又、平均粒径の最大値は銅線１０ｇを溶解し、円柱状サ
ンプルを作成し、任意の３断面で切断し、切断面を湿式
エメリペーパー、ダイヤモンドペーストにより研磨す
る。更に上記サンプルを光学顕微鏡（倍率１０００倍）
にて各断面１０視野、計３０視野観察し、その中で一番
大きい平均粒径のものをｄとする。
ンプルを作成し、任意の３断面で切断し、切断面を湿式
エメリペーパー、ダイヤモンドペーストにより研磨す
る。更に上記サンプルを光学顕微鏡（倍率１０００倍）
にて各断面１０視野、計３０視野観察し、その中で一番
大きい平均粒径のものをｄとする。
なお、ＳｉＣであるか否かのチェックが必要な場合はＥ
ＰＭＡにて元素分析を行なえばよい。
ＰＭＡにて元素分析を行なえばよい。
本発明の線は銅又は銅合金細線である。銅又は銅合金の
種類は特に限定されない。ただ、銅として引張強度等が
より要求されるＣｕ含有量が９９．９重量％以上のタフ
ピッチ銅細線に適用した場合に本発明の効果は特に大き
い。
種類は特に限定されない。ただ、銅として引張強度等が
より要求されるＣｕ含有量が９９．９重量％以上のタフ
ピッチ銅細線に適用した場合に本発明の効果は特に大き
い。
また、銅合金としては、細線として利用されることがあ
る銅合金、たとえばリン青銅も対象となる。
る銅合金、たとえばリン青銅も対象となる。
本発明の対象となる線は、１００μ以下の線径（直径）
の細線である。なお、５０μ以下の線径について適用す
れば本発明の効果は更に大きくなる。
の細線である。なお、５０μ以下の線径について適用す
れば本発明の効果は更に大きくなる。
（第２発明） 本出願に係る第２発明は、溶銅又は溶銅合金を、無機物
質からなる多数本の線状押出物を集合せしめた成形体よ
りなるフィルター中を通過せしめることにより溶銅又は
溶銅合金中のＳｉＣを除去後、鋳塊となし、更に常法に
より伸線加工して銅又は銅合金細線とすることを特徴と
する銅又は銅合金細線の製造方法である。
質からなる多数本の線状押出物を集合せしめた成形体よ
りなるフィルター中を通過せしめることにより溶銅又は
溶銅合金中のＳｉＣを除去後、鋳塊となし、更に常法に
より伸線加工して銅又は銅合金細線とすることを特徴と
する銅又は銅合金細線の製造方法である。
本発明においては、溶銅又は溶銅合金を、無機物質から
なる多数本の線状押出物を集合せしめた成形体よりなる
フィルターを通過せしめる。これにより溶銅又は溶銅合
金中にＳｉＣを除去する。
なる多数本の線状押出物を集合せしめた成形体よりなる
フィルターを通過せしめる。これにより溶銅又は溶銅合
金中にＳｉＣを除去する。
ここにおいて、無機物質からなる多数本の線状押出物を
集合せしめた成形体よりなるフィルターとしては、たと
えば、次のものを用いればよい。もちろん次のものは例
示であり、これに限定されるものではない。
集合せしめた成形体よりなるフィルターとしては、たと
えば、次のものを用いればよい。もちろん次のものは例
示であり、これに限定されるものではない。
多数の線状押出物をそれぞれ螺旋状に巻回積層されると
ともに、該螺旋状巻回積層物がそれぞれ隣接面で相互に
接合させるか又は絡み合わせて集合せしめた成形体であ
る。かかる成形体の断面形状は第１図及び第２図に示す
ような形状をしている。なお、かかる成形体の製造は、
第３図に示すように、無機物質よりなる粘弾性材料Ａ
を、押出ダイス２に設けた多数のノズル穴５から線状に
押出して垂直方向に降下させると共に、押し出された線
状押出物８の積層上面と押出ダイス２の出口端と距離を
略一定に保持しつつ積層させればよい。このようにして
得られる多孔質成形体は、無機物質よりなる多数本の線
状押出物８がそれぞれ螺旋状に巻回積層させると共に、
該螺旋状巻回積層物７がそれぞれ隣接面で相互に接合さ
れるか又は絡み合ってなっている。かかる例の成形体の
代表的な一例を次に示す。
ともに、該螺旋状巻回積層物がそれぞれ隣接面で相互に
接合させるか又は絡み合わせて集合せしめた成形体であ
る。かかる成形体の断面形状は第１図及び第２図に示す
ような形状をしている。なお、かかる成形体の製造は、
第３図に示すように、無機物質よりなる粘弾性材料Ａ
を、押出ダイス２に設けた多数のノズル穴５から線状に
押出して垂直方向に降下させると共に、押し出された線
状押出物８の積層上面と押出ダイス２の出口端と距離を
略一定に保持しつつ積層させればよい。このようにして
得られる多孔質成形体は、無機物質よりなる多数本の線
状押出物８がそれぞれ螺旋状に巻回積層させると共に、
該螺旋状巻回積層物７がそれぞれ隣接面で相互に接合さ
れるか又は絡み合ってなっている。かかる例の成形体の
代表的な一例を次に示す。
線状押出物断面径：１．５ｍｍφ 旋回外周径：７．０ｍｍφ 旋回内周径：４．０ｍｍφ 表面層の開口率：約２５％ かかる例の成形体はその製法上より、線状押出物同志が
相互に力を受けた状態、すなわち、強制的に線状押出物
８を拘束した状況下で積層成形することで成形体になり
得る。
相互に力を受けた状態、すなわち、強制的に線状押出物
８を拘束した状況下で積層成形することで成形体になり
得る。
なお、かかる成形体は特開昭５８−１１６１３４号公報
に開示されている。
に開示されている。
また、他の成形体としては、たとえば、成形体が、多数
本の線状押出物が成形体厚さ方向の略直交する方向の平
面内で波形もしくはループを形成している成形体があ
る。この成形体を図面に基づいてより詳細に説明する。
この成形体は、第４図に示すようにして製作すればよ
い。すなわち、無機物質からなる粘弾性材料Ａを、押出
ダイス２に設けた多数のノズル孔５から押出して単位線
状押出物８を形成し、該単位線状押出物８を垂直に下降
させて受け面１４上へ螺旋状に着床させる。受け面１４
又は押出ダイス２を横方向へ、片道又は往復移動させる
ことにより前記螺旋状物又は波形状物を高さ方向（矢印
Ｈ方向）に積層させて複数層からなる成形体を製造すれ
ばよい。このようにして製造した成形体は、無機物質か
らなる多数の単位線状押出物８より構成される板状成形
体であって、単位線状押出物は、板状成形体の板厚方向
に対し略直交する方向の平面内で、略等ピッチの連続し
た波形もしくはループを形成するとともに、隣接する他
の単位線状押出物の少なくとも１本と接合又は絡み合っ
て配列されている。かかる成形体の表面層の外観を第５
図に示す。また、その形状特性は下記のとおりである。
本の線状押出物が成形体厚さ方向の略直交する方向の平
面内で波形もしくはループを形成している成形体があ
る。この成形体を図面に基づいてより詳細に説明する。
この成形体は、第４図に示すようにして製作すればよ
い。すなわち、無機物質からなる粘弾性材料Ａを、押出
ダイス２に設けた多数のノズル孔５から押出して単位線
状押出物８を形成し、該単位線状押出物８を垂直に下降
させて受け面１４上へ螺旋状に着床させる。受け面１４
又は押出ダイス２を横方向へ、片道又は往復移動させる
ことにより前記螺旋状物又は波形状物を高さ方向（矢印
Ｈ方向）に積層させて複数層からなる成形体を製造すれ
ばよい。このようにして製造した成形体は、無機物質か
らなる多数の単位線状押出物８より構成される板状成形
体であって、単位線状押出物は、板状成形体の板厚方向
に対し略直交する方向の平面内で、略等ピッチの連続し
た波形もしくはループを形成するとともに、隣接する他
の単位線状押出物の少なくとも１本と接合又は絡み合っ
て配列されている。かかる成形体の表面層の外観を第５
図に示す。また、その形状特性は下記のとおりである。
線状押出物断面径：１．５ｍｍφ 旋回外周サイズ：１９ｍｍφ 旋回内周サイズ：１６ｍｍφ 表面層開口率：約６０％ なお、上記例において図面上では単位線状押出物がルー
プをなす場合を示したが、第６図（ａ）に示すような波
状としてもよい。また第６図（ｂ），（ｃ）に示すよう
にループ同志が重なり合わないようなものでもよいが、
第５図に示すものが特に良好な結果が得られた。
プをなす場合を示したが、第６図（ａ）に示すような波
状としてもよい。また第６図（ｂ），（ｃ）に示すよう
にループ同志が重なり合わないようなものでもよいが、
第５図に示すものが特に良好な結果が得られた。
なお、いずれの成形体においてもその線状押出物は多孔
質あるいは非多孔質のいずれでもよい。
質あるいは非多孔質のいずれでもよい。
また、その材質は無機材料であれば特に限定されない。
なお、線状押出物の断面形状としては、円形状はもちろ
ん歯車型等の異形状であっても良い。
ん歯車型等の異形状であっても良い。
溶銅又は溶銅合金を、成形体よりなるフィルターを通過
せしめ方法としては、溶解炉の 部あるいは他の適宜な
位置に成形体を設けておき、溶銅あるいは溶銅合金を鋳
塊に鋳込めばよい。
せしめ方法としては、溶解炉の 部あるいは他の適宜な
位置に成形体を設けておき、溶銅あるいは溶銅合金を鋳
塊に鋳込めばよい。
なお、本発明の方法によってＳｉＣを大幅に除去可能と
なったが、銅線を線引きしていく過程でより断数を少な
くするためには、溶銅をろ過して得られる鋳塊中のＳｉ
Ｃの個数が第１０図に示す様に鋳塊断面積１ｍｍ2あた
り４０個以下であることが望ましい。
なったが、銅線を線引きしていく過程でより断数を少な
くするためには、溶銅をろ過して得られる鋳塊中のＳｉ
Ｃの個数が第１０図に示す様に鋳塊断面積１ｍｍ2あた
り４０個以下であることが望ましい。
［作用］ 以下に本発明の作用を本発明を完成するにいたった経緯
を基に説明する。
を基に説明する。
本発明者は銅細線から使用時切断する原因を知るため
に、市販の銅線を入手し、その組織を調べた結果、全線
種に共通して次のことがわかった。
に、市販の銅線を入手し、その組織を調べた結果、全線
種に共通して次のことがわかった。
銅線の組織はマトリックスである銅、鋳造課程で発生
する共晶化合物（Ｃｕ２Ｏ３，ＣｕＯ）及び共晶以外の
化合物である。
する共晶化合物（Ｃｕ２Ｏ３，ＣｕＯ）及び共晶以外の
化合物である。
共晶以外の化合物は線種によらず観察した個数の９８
％以上はＳｉＣであった。
％以上はＳｉＣであった。
ＳｉＣの形状は角を持つ多角形である。
共晶化合物は鋳造状態では連続した組織であるが、加
工により細かく分散される。
工により細かく分散される。
次に断線に寄与する化合物が共晶化合物かＳｉＣかを明
らかにすべく現状市販品の各種銅線及び製造工程中より
銅鋳塊を入手しその断面組織を光学顕微鏡により観察し
た。
らかにすべく現状市販品の各種銅線及び製造工程中より
銅鋳塊を入手しその断面組織を光学顕微鏡により観察し
た。
その結果次のことがわかった。
ＳｉＣは加工によりその寸法、形状は変化せず、単に
分布状態が変わるのみである。
分布状態が変わるのみである。
ＳｉＣが銅表面に存在する場合、銅線にクラックを生
じさせ、さらに細線とする場合、断線原因となりうる。
じさせ、さらに細線とする場合、断線原因となりうる。
銅線表面にて共晶化合物によるクラックの発生は本調
査内では読みとれなかった。
査内では読みとれなかった。
以上の結果より銅線伸線における断線原因の一つをＳｉ
Ｃと考えた。このためＳｉＣの望ましい存在状態を検討
し、かつ、それを実現させる方法について発明したので
あり、ｄ／Ｄ≦０．４の場合に伸線過程においても断線
が生じないことを知見した。
Ｃと考えた。このためＳｉＣの望ましい存在状態を検討
し、かつ、それを実現させる方法について発明したので
あり、ｄ／Ｄ≦０．４の場合に伸線過程においても断線
が生じないことを知見した。
本発明において何故ＳｉＣが除去できるかの理由は必ず
しも明確ではないが、従来のセラミックスフォームはセ
ラミックスでできたスポンジ状のものであり、一方本発
明において使用するフィルターは線状押出物が重なりあ
ってできた成形体であるため、成形体中に形成される空
隙のでき方、成形体中を通過する溶銅の流れも全く異な
るものであり、その差異によってＳｉＣの除去に差異が
ででくるものと思われる。
しも明確ではないが、従来のセラミックスフォームはセ
ラミックスでできたスポンジ状のものであり、一方本発
明において使用するフィルターは線状押出物が重なりあ
ってできた成形体であるため、成形体中に形成される空
隙のでき方、成形体中を通過する溶銅の流れも全く異な
るものであり、その差異によってＳｉＣの除去に差異が
ででくるものと思われる。
更に鋳塊中に含まれるＳｉＣの平均粒径最大値ｄは製造
する銅線の最終径Ｄμｍとの間にｄ／Ｄ≦０．４の関係
をみたすことが伸線中の断線防止にはより好ましい。
する銅線の最終径Ｄμｍとの間にｄ／Ｄ≦０．４の関係
をみたすことが伸線中の断線防止にはより好ましい。
断線は特に細線まで伸線する時により発生しやすいが、
本発明は線径１００μ以下、更には５０μ以下の細線を
製造する際に特に適用することが望ましい。
本発明は線径１００μ以下、更には５０μ以下の細線を
製造する際に特に適用することが望ましい。
［発明の実施例］ （第１実施例） 本例において銅としてタフピッチ銅を使用した。このタ
フピッチ銅を第７図に示すように溶解炉７１により溶解
し、成形体フィルター７３をとい７２に溶湯の流れ方向
に垂直に配置し１２５０℃において鋳造した。成形体フ
ィルター７３の溶湯処理流量は２０ｔｏｎ／ｈｒとし
た。
フピッチ銅を第７図に示すように溶解炉７１により溶解
し、成形体フィルター７３をとい７２に溶湯の流れ方向
に垂直に配置し１２５０℃において鋳造した。成形体フ
ィルター７３の溶湯処理流量は２０ｔｏｎ／ｈｒとし
た。
フィルター７３としては、第１図に示す成形体を用い
た。その性状は、次のとうりである。
た。その性状は、次のとうりである。
線状押出物断面径：１．５ｍｍφ 旋回外周径：１９ｍｍφ 旋回内周径：１６ｍｍφ 表面層の開口率：約６０％ 鋳造後、鋳塊を押出、圧延、線引き工程を経た荒引線と
し、ついで１００μφ、５０μφ、２５μφ、２０μ
φ、１８μφの各種線径の細線に伸線加工した。
し、ついで１００μφ、５０μφ、２５μφ、２０μ
φ、１８μφの各種線径の細線に伸線加工した。
かかる細線の製造過程及び得られた細線につき次の事項
を調査・試験した。なお、比較のため従来のセラミック
フィルターを用いた場合についても同様の調査・試験を
行なった。
を調査・試験した。なお、比較のため従来のセラミック
フィルターを用いた場合についても同様の調査・試験を
行なった。
ＳｉＣ組織観察 鋳造前に溶湯からサンプリングを行ない、サンプリング
した試料を切断し、その中のＳｉＣの平均粒径最大値及
び個数を調査した（すなわち、この調査はろ過前のＳｉ
Ｃ調査である）。また、鋳造後の鋳塊及び伸線加工後の
細線につきＳｉＣ平均粒径最大値及び個数を調査した
（すなわち、この調査はろ過後のＳｉＣ調査である）。
した試料を切断し、その中のＳｉＣの平均粒径最大値及
び個数を調査した（すなわち、この調査はろ過前のＳｉ
Ｃ調査である）。また、鋳造後の鋳塊及び伸線加工後の
細線につきＳｉＣ平均粒径最大値及び個数を調査した
（すなわち、この調査はろ過後のＳｉＣ調査である）。
ろ過前の試料及びろ過して得た鋳塊についての調査結果
を第１表に示す。また、伸線加工後の細線についての結
果は第２表に示す。
を第１表に示す。また、伸線加工後の細線についての結
果は第２表に示す。
第１表に示すように、従来例では、ＳｉＣは１０％のろ
過率にすぎないのに対し、本例では８０％の過率を示し
ている。また、従来例では、平均粒径最大値ｄは２０μ
φのものが全くろ過されていないのに対し、本例では９
μφ以上のものが全てろ過されている。
過率にすぎないのに対し、本例では８０％の過率を示し
ている。また、従来例では、平均粒径最大値ｄは２０μ
φのものが全くろ過されていないのに対し、本例では９
μφ以上のものが全てろ過されている。
伸線工程における断線率 伸線加工過程において、荒引き線から１００μφ、５０
μφ、２５μφ、２０μφ、１８μφの線径の細線に加
工する際に発生した断線率を調査した。
μφ、２５μφ、２０μφ、１８μφの線径の細線に加
工する際に発生した断線率を調査した。
その結果を第２表に示す。第２表に示すように、従来例
に比較して本例における断線率は極めて低い。特に線径
が小さくなるほどその差異は顕著である。
に比較して本例における断線率は極めて低い。特に線径
が小さくなるほどその差異は顕著である。
伸び率 １００μφ、５０μφ、２５μφ、２０μφ、１８μφ
の各種線径の細線につき引張試験を行い、その伸び率を
測定した。引張試験は１００個の試料につき行なった。
その結果を第３表に示す。
の各種線径の細線につき引張試験を行い、その伸び率を
測定した。引張試験は１００個の試料につき行なった。
その結果を第３表に示す。
真球度試験 真球度は、マニュアル式熱圧着ボンディング装置による
ボールボンディングを実施した。放電後のワイヤ端部ボ
ール成形部の真球度を２０倍の実体顕微鏡並びに２次電
子線像により観察した。なお、放電条件はＮ２＋５％Ｈ
２ガス雰囲気中で１５ｍＡ、４〜６ｍｓｅｃである。試
験結果を第４表に示す。
ボールボンディングを実施した。放電後のワイヤ端部ボ
ール成形部の真球度を２０倍の実体顕微鏡並びに２次電
子線像により観察した。なお、放電条件はＮ２＋５％Ｈ
２ガス雰囲気中で１５ｍＡ、４〜６ｍｓｅｃである。試
験結果を第４表に示す。
第４表に示すように本例においては異形発生回数は０で
あり、従来例に比較して優れていることがわかる。
あり、従来例に比較して優れていることがわかる。
（第２実施例） 銅としてタフピッチ銅を用いた。
また、成形体は、第５図に示す成形体を用いた。成形体
の配置位置等の他の条件は第１実施例と同様にして行な
った。
の配置位置等の他の条件は第１実施例と同様にして行な
った。
第１実施例と同様の事項につき調査を行なった。その結
果を第１表及び第２表に示す。
果を第１表及び第２表に示す。
なお、比較例は第１実施例と同様である。
本例においても、第１実施例と同様の優れた結果が得ら
れた。
れた。
［発明の効果］ 第１発明によればつぎのもろもろの効果が得られる。
伸び或は引張強度のバラツキのない、安定品質が得ら
れる。
れる。
製造時における断線が少なく、効率よく生産すること
ができる。
ができる。
ＩＣ基板等への接合性が良好である。
また、第２発明によれば第１発明に係る細線を製造する
ことができる。
ことができる。
第１図、第２図及び第５図は、第２発明における成形体
例を示す平面図である。第３図及び第４図は第１発明に
係る成形体の製造例を示すための断面図である。第６図
は第２発明に係る成形体の線状押出物の例を示す正面図
である。第７図は第２発明を説明するための断面図であ
る。第８図は銅線のＩＣ基板へのボンディング過程を示
す概念図である。第９図は断線率と（ＳｉＣの平均粒径
最大値／銅線線径）との関係を示すグラフである。第１
０図は断線率とＳｉＣの個数との関係を示すグラフであ
る。
例を示す平面図である。第３図及び第４図は第１発明に
係る成形体の製造例を示すための断面図である。第６図
は第２発明に係る成形体の線状押出物の例を示す正面図
である。第７図は第２発明を説明するための断面図であ
る。第８図は銅線のＩＣ基板へのボンディング過程を示
す概念図である。第９図は断線率と（ＳｉＣの平均粒径
最大値／銅線線径）との関係を示すグラフである。第１
０図は断線率とＳｉＣの個数との関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 1/02 Ａ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１ Ｆ 6918−4Ｍ
Claims (10)
- 【請求項１】ＳｉＣ含有量が０．０６重量％以下の銅又
は銅合金からなり、該含有ＳｉＣの平均粒径最大値
（ｄ）と銅線直径（Ｄ）との比（ｄ／Ｄ）が０．４以下
であり、線の直径が１００μｍ以下であることを特徴と
する銅又は銅合金細線。 - 【請求項２】線の直径が５０μｍ以下である特許請求の
範囲第１項記載の銅又は銅合金細線。 - 【請求項３】銅は、Ｃｕ含有量が９９．９重量％以上の
タフピッチ銅である特許請求の範囲第１項又は第２項に
記載の銅又は銅合金細線。 - 【請求項４】溶銅又は溶銅合金と、無機物質からなる多
数本の線状押出物を集合せしめた成形体よりなるフィル
ターを通過せしめることにより溶銅又は溶銅合金中のＳ
ｉＣを除去後、鋳塊となし、更に常法により伸線加工し
て銅又は銅合金細線とすることを特徴とする銅又は銅合
金細線の製造方法。 - 【請求項５】鋳塊中に含まれているＳｉＣの平均粒径最
大値（ｄ）と、製造する細線の線径（Ｄ）との比（ｄ／
Ｄ）を０．４以下とする特許請求の範囲第４項記載の銅
又は銅合金細線の製造方法。 - 【請求項６】製造する細線の線径が１００μ以下である
特許請求の範囲第４項ないし第５項のいずれかに記載の
銅又は銅合金細線の製造方法。 - 【請求項７】製造する細線の線径が５０μｍ以下である
特許請求の範囲第４項ないし第６項のいずれかに記載の
銅又は銅合金細線の製造方法。 - 【請求項８】成形体が、多数の線状押出物をそれぞれ螺
旋状に巻回積層されるとともに、該螺旋状巻回積層物が
それぞれ隣接面で相互に接合させるか又は絡み合わせて
集合せしめた成形体である特許請求の範囲第４項ないし
第７項のいずれかに記載の銅又は銅合金細線の製造方
法。 - 【請求項９】成形体が、多数本の線状押出物が成形体厚
さ方向の略直交する方向の平面内で波形もしくはループ
を形成している成形体である特許請求の範囲第４項ない
し第７項のいずれかに記載の銅又は銅合金細線の製造方
法。 - 【請求項１０】断面円形の線状押出物からなる成形体を
用いてなる特許請求の範囲第４項ないし第９項のいずれ
かに記載の銅又は銅合金細線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099565A JPH066759B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 銅又は銅合金細線及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099565A JPH066759B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 銅又は銅合金細線及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256927A JPS62256927A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH066759B2 true JPH066759B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=14250656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61099565A Expired - Lifetime JPH066759B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 銅又は銅合金細線及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104353696B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-02-01 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种微细铜银合金线制造方法 |
| CN109628770A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-16 | 芜湖楚江合金铜材有限公司 | 一种生产插针用大卷铜线的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124960A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子結線用線 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61099565A patent/JPH066759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256927A (ja) | 1987-11-09 |
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