JPH0668133B2 - 磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 - Google Patents
磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法Info
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- JPH0668133B2 JPH0668133B2 JP62112408A JP11240887A JPH0668133B2 JP H0668133 B2 JPH0668133 B2 JP H0668133B2 JP 62112408 A JP62112408 A JP 62112408A JP 11240887 A JP11240887 A JP 11240887A JP H0668133 B2 JPH0668133 B2 JP H0668133B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製
造方法に関し、磁気特性中でも磁束密度の有利な改善を
図ろうとするものである。
造方法に関し、磁気特性中でも磁束密度の有利な改善を
図ろうとするものである。
（従来の技術） 主として変圧器や電動機などの鉄心材料として用いられ
る一方向性けい素鋼板に要求される特性は、一定の磁化
力において得られる磁束密度が高いこと、および一定の
磁束密度を与えた場合にその鉄損が低いことである。通
常これらの代表値としては、磁化力800Ａ／ｍにおける
磁束密度Ｂ8（Ｔ：テスラ）および磁束密度1.70Ｔ、周
波数50Hzにおける鉄損W17/50(W/Kg)が採用されている。
る一方向性けい素鋼板に要求される特性は、一定の磁化
力において得られる磁束密度が高いこと、および一定の
磁束密度を与えた場合にその鉄損が低いことである。通
常これらの代表値としては、磁化力800Ａ／ｍにおける
磁束密度Ｂ8（Ｔ：テスラ）および磁束密度1.70Ｔ、周
波数50Hzにおける鉄損W17/50(W/Kg)が採用されている。
これらの両特性を含む磁気特性を向上させるためには、
現在まで多くの研究がなされ、特に素材の成分、熱間お
よび冷間圧延法、熱処理方法等の改善によってそれぞれ
少なからざる成果が得られている。
現在まで多くの研究がなされ、特に素材の成分、熱間お
よび冷間圧延法、熱処理方法等の改善によってそれぞれ
少なからざる成果が得られている。
従来の一方向性けい素鋼板は、通常Si：2.5〜4.5wt%
（以下単に％で示す）を含む低炭素鋼に微量のMn,S,Se,
Sb,Al,Sn,NおよびＢ等のインヒビター形成元素を添加し
た素材を熱間圧延した後、１回もしくは中間焼鈍を挟む
２回以上の冷間圧延を経て、該冷延鋼板に脱炭を兼ねた
１次再結晶焼鈍を施し、しかるのち最終仕上げ焼鈍工程
において２次再結晶処理を施すことによって２次再結晶
粒を{110}〈001〉方位に高度に集積させると共に、引き
続く鈍化焼鈍によって鋼板中の不純物を除去することに
より良好な磁気特性を得ている。
（以下単に％で示す）を含む低炭素鋼に微量のMn,S,Se,
Sb,Al,Sn,NおよびＢ等のインヒビター形成元素を添加し
た素材を熱間圧延した後、１回もしくは中間焼鈍を挟む
２回以上の冷間圧延を経て、該冷延鋼板に脱炭を兼ねた
１次再結晶焼鈍を施し、しかるのち最終仕上げ焼鈍工程
において２次再結晶処理を施すことによって２次再結晶
粒を{110}〈001〉方位に高度に集積させると共に、引き
続く鈍化焼鈍によって鋼板中の不純物を除去することに
より良好な磁気特性を得ている。
この際、２次再結晶粒の方位が{110}〈001〉へ集積する
ほど鋼板の磁束密度は高くなるが、一方で巨大な２次粒
と成り易く、粒内の磁区幅が増し、渦流損の増加により
鉄損特性が劣化する傾向にあった。そこで２次粒を微細
化することを目的とした努力が種々施され、例えば特開
昭60-89521号公報では、再結晶促進域と地帯域を交互に
設け２次粒の核発生を増しかつ成長を阻止することで２
次粒の微細化を図り鉄損を向上させる方法が提案されて
いる。しかしながら、近年物理的な局所歪の導入による
磁区細分化技術（例えば特開昭58-26410号公報）の確立
により、とくに２次粒を微細化せずとも低鉄損が得られ
るようになったため、技術開発の方向は、磁束密度の向
上に傾いている。
ほど鋼板の磁束密度は高くなるが、一方で巨大な２次粒
と成り易く、粒内の磁区幅が増し、渦流損の増加により
鉄損特性が劣化する傾向にあった。そこで２次粒を微細
化することを目的とした努力が種々施され、例えば特開
昭60-89521号公報では、再結晶促進域と地帯域を交互に
設け２次粒の核発生を増しかつ成長を阻止することで２
次粒の微細化を図り鉄損を向上させる方法が提案されて
いる。しかしながら、近年物理的な局所歪の導入による
磁区細分化技術（例えば特開昭58-26410号公報）の確立
により、とくに２次粒を微細化せずとも低鉄損が得られ
るようになったため、技術開発の方向は、磁束密度の向
上に傾いている。
この点、特公昭58-50295号公報では、２次再結晶時に一
方向の温度勾配を与え、{110}〈001〉方位の２次粒を選
択成長させることで高い磁束密度を得る方法が開示され
ている。この方法は、相対的に高温では２次粒の核発生
速度が大きく、一方低温では粒成長速度が大きいとい
う、２次再結晶に特有の現象を利用したものであり、発
生した２次粒を温度勾配を与えながら加熱することによ
って巨大に粒成長させて、鋼板全体の方向性を向上させ
ようとするものである。
方向の温度勾配を与え、{110}〈001〉方位の２次粒を選
択成長させることで高い磁束密度を得る方法が開示され
ている。この方法は、相対的に高温では２次粒の核発生
速度が大きく、一方低温では粒成長速度が大きいとい
う、２次再結晶に特有の現象を利用したものであり、発
生した２次粒を温度勾配を与えながら加熱することによ
って巨大に粒成長させて、鋼板全体の方向性を向上させ
ようとするものである。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記の方法は、最初に発生する２時粒につ
いては何ら工夫が施されていないために、最初に核発生
した２次粒の方位によって板全体の特性が大きく影響さ
れるという、言わば偶然性に負うところが大きく、従っ
て必ずしも常に高いＢ10値が得られるわけではないとこ
ろに問題を残していた。
いては何ら工夫が施されていないために、最初に核発生
した２次粒の方位によって板全体の特性が大きく影響さ
れるという、言わば偶然性に負うところが大きく、従っ
て必ずしも常に高いＢ10値が得られるわけではないとこ
ろに問題を残していた。
この発明は上記の問題を有利に解決するもので、最初に
高い確率の下で{110}〈001〉すなわちゴス方位粒を核発
生させ、ついでこの方位の２次粒を優先的に成長させる
ことによって、２次粒の方位がゴス方位に高度に揃った
ひいては高磁束密度の一方向性けい素鋼板を安定して製
造することができる有利な方法を提案することを目的と
する。
高い確率の下で{110}〈001〉すなわちゴス方位粒を核発
生させ、ついでこの方位の２次粒を優先的に成長させる
ことによって、２次粒の方位がゴス方位に高度に揃った
ひいては高磁束密度の一方向性けい素鋼板を安定して製
造することができる有利な方法を提案することを目的と
する。
（問題点を解決するための手段） さて発明者らは、以上のような観点から、核発生と粒成
長に関する研究を系統的に進めた。
長に関する研究を系統的に進めた。
その結果、鋼板の板面内での集合組織またはインヒビタ
ーによる抑制力を変化させ、より抑制力の強い領域から
温度勾配を与えながら粒成長をさせてやれば、{110}〈0
01〉配向性に優れた２次粒が発生、成長することが判明
した。またこのような抑制力の強い領域では、２次再結
晶が開始する温度ＴSRは低くなっていることも併せて突
止めた。
ーによる抑制力を変化させ、より抑制力の強い領域から
温度勾配を与えながら粒成長をさせてやれば、{110}〈0
01〉配向性に優れた２次粒が発生、成長することが判明
した。またこのような抑制力の強い領域では、２次再結
晶が開始する温度ＴSRは低くなっていることも併せて突
止めた。
この発明は、上記の知見に立脚するものである。
すなわちこの発明は、含けい素鋼スラブを、熱間圧延
し、ついで１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧
延を施して最終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍
を施し、その後鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、
２次再結晶焼鈍ついで純化焼鈍を施す一連の工程によっ
て一方向性けい素鋼板を製造するに当り、 上記の焼鈍分離剤塗布工程において、焼鈍分離剤中にＳ
およびSeならびにそれらの化合物のうちから選んだ少な
くとも一種を含有させるものとし、鋼板の一端から他端
にかけて、連続的に該分離剤中のＳおよび／またはSe濃
度が変化する領域を設けその領域の始めと終わりの濃度
差を0.01％以上とするか、あるいは段階的に該分離剤中
のＳおよび／またはSe濃度が0.01％以上なる領域を形成
させるか、いずれか一方または両方の手段により、板幅
方向ないし長手方向にわたって２次再結晶開始温度に勾
配または手段を与え、 しかるのち上記２次再結晶開始温度の勾配よりも大きい
温度勾配の下に、２次再結晶開始温度が低い鋼板端部か
ら２次再結晶を開始させる傾斜焼鈍を施すことを特徴と
する、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法
である。
し、ついで１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧
延を施して最終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍
を施し、その後鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、
２次再結晶焼鈍ついで純化焼鈍を施す一連の工程によっ
て一方向性けい素鋼板を製造するに当り、 上記の焼鈍分離剤塗布工程において、焼鈍分離剤中にＳ
およびSeならびにそれらの化合物のうちから選んだ少な
くとも一種を含有させるものとし、鋼板の一端から他端
にかけて、連続的に該分離剤中のＳおよび／またはSe濃
度が変化する領域を設けその領域の始めと終わりの濃度
差を0.01％以上とするか、あるいは段階的に該分離剤中
のＳおよび／またはSe濃度が0.01％以上なる領域を形成
させるか、いずれか一方または両方の手段により、板幅
方向ないし長手方向にわたって２次再結晶開始温度に勾
配または手段を与え、 しかるのち上記２次再結晶開始温度の勾配よりも大きい
温度勾配の下に、２次再結晶開始温度が低い鋼板端部か
ら２次再結晶を開始させる傾斜焼鈍を施すことを特徴と
する、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法
である。
以下この発明を具体的に説明する。
まずこの発明の出発素材については、従来公知の一方向
性けい素鋼板の成分たとえば、Ｃ：0.005〜0.15％、S
i：0.1〜7.0％およびMn：0.002〜0.15％を含有する他、
インヒビター形成成分としてＳ：0.005〜0.05％、Se：
0.005〜0.05％、Te：0.003〜0.03％、Sb：0.005〜0.05
％、Sn：0.03〜0.5％、Cu：0.02〜0.3％、Mo：0.005〜
0.05％、Ｂ：0.0003〜0.0040％、Ｎ：0.001〜0.01％、A
l：0.005〜0.05％およびNb：0.001〜0.05％のうちから
選んだ少なくとも一種を含有する素材いずれもが有利に
適合する。
性けい素鋼板の成分たとえば、Ｃ：0.005〜0.15％、S
i：0.1〜7.0％およびMn：0.002〜0.15％を含有する他、
インヒビター形成成分としてＳ：0.005〜0.05％、Se：
0.005〜0.05％、Te：0.003〜0.03％、Sb：0.005〜0.05
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0.05％、Ｂ：0.0003〜0.0040％、Ｎ：0.001〜0.01％、A
l：0.005〜0.05％およびNb：0.001〜0.05％のうちから
選んだ少なくとも一種を含有する素材いずれもが有利に
適合する。
これらの素材は従来公知の製鋼法、たとえば転炉、電気
炉で製鋼され、さらに造塊−分塊法、連続鋳造法、また
はロール急冷法などによってスラブ、シートバーあるい
は直接薄鋼板としたのち、必要に応じて熱間圧延、温間
又は冷間圧延によって含けい素鋼板とする。ついで必要
に応じて均一化焼鈍、さらには中間焼鈍を挟む１回以上
の圧延により最終板厚に仕上げる。これら均一化焼鈍お
よび中間焼鈍は圧延後の結晶組織を均質化する再結晶処
理を目的としていて、通常は800〜1200℃で30秒〜10分
間保持して行う。また仕上げ厚は0.50mm以下とするが２
次再結晶が不安定となる0.23mm以下の薄仕上げ厚におい
てこの発明は特に有効である。
炉で製鋼され、さらに造塊−分塊法、連続鋳造法、また
はロール急冷法などによってスラブ、シートバーあるい
は直接薄鋼板としたのち、必要に応じて熱間圧延、温間
又は冷間圧延によって含けい素鋼板とする。ついで必要
に応じて均一化焼鈍、さらには中間焼鈍を挟む１回以上
の圧延により最終板厚に仕上げる。これら均一化焼鈍お
よび中間焼鈍は圧延後の結晶組織を均質化する再結晶処
理を目的としていて、通常は800〜1200℃で30秒〜10分
間保持して行う。また仕上げ厚は0.50mm以下とするが２
次再結晶が不安定となる0.23mm以下の薄仕上げ厚におい
てこの発明は特に有効である。
次に湿水素中で700〜900℃、１〜15分間程度の焼鈍を施
して鋼中Ｃを除去するとともに、次の焼鈍時にゴス方位
の２次再結晶粒を達成させるのに有利な１次再結晶集合
組織を形成させる。なお出発素材が極低Ｃ材である場合
には脱炭焼鈍は不要である。
して鋼中Ｃを除去するとともに、次の焼鈍時にゴス方位
の２次再結晶粒を達成させるのに有利な１次再結晶集合
組織を形成させる。なお出発素材が極低Ｃ材である場合
には脱炭焼鈍は不要である。
ついで焼鈍分離剤を塗布するわけであるが、このとき焼
鈍分離剤中にＳおよびSeならびにそれらの化合物のうち
から選んだ少なくとも一種を含有させ、この焼鈍分離剤
を塗布する際、鋼板の一端から他端にかけて、連続的に
該分離剤中のＳおよび／またはSe濃度が変化する領域を
設けその領域の初めと終わりの濃度差を0.01％以上とす
るか、あるいは段階的に該分離剤中のＳおよび／または
Se濃度が0.01％以上なる領域を形成させることにより、
換言すれば連続的および／または段階的に分離剤中のＳ
および／またはSeの濃度が0.01以上異なる領域（連続的
な場合はその領域の初めと終わりの濃度差を0.01％以上
とする意味である。以下同じ）を、鋼板の幅方向ないし
長手方向にわたって形成させることにより、２次再結晶
開始温度に勾配または段差を与えることが肝要である。
鈍分離剤中にＳおよびSeならびにそれらの化合物のうち
から選んだ少なくとも一種を含有させ、この焼鈍分離剤
を塗布する際、鋼板の一端から他端にかけて、連続的に
該分離剤中のＳおよび／またはSe濃度が変化する領域を
設けその領域の初めと終わりの濃度差を0.01％以上とす
るか、あるいは段階的に該分離剤中のＳおよび／または
Se濃度が0.01％以上なる領域を形成させることにより、
換言すれば連続的および／または段階的に分離剤中のＳ
および／またはSeの濃度が0.01以上異なる領域（連続的
な場合はその領域の初めと終わりの濃度差を0.01％以上
とする意味である。以下同じ）を、鋼板の幅方向ないし
長手方向にわたって形成させることにより、２次再結晶
開始温度に勾配または段差を与えることが肝要である。
ここにその後の傾斜焼鈍いよって高度に集積した{110}
〈001〉集合組織を得るためには、２次再結晶開始温度T
SRが低い鋼板端部におけるTSRは他の領域よりも10℃以
上低くする必要があり、そのためには該鋼板端部におけ
るＳおよび／またはSeの濃度を、他の領域よりも0.01％
以上濃くする必要がある。
〈001〉集合組織を得るためには、２次再結晶開始温度T
SRが低い鋼板端部におけるTSRは他の領域よりも10℃以
上低くする必要があり、そのためには該鋼板端部におけ
るＳおよび／またはSeの濃度を、他の領域よりも0.01％
以上濃くする必要がある。
なおＳはSe濃度を調整するにはMgOを主成分とする焼鈍
分離剤を塗布し、乾燥する前にＳおよびSeならびにそれ
らの化合物のうちから選んだ少なくとも一種を、板幅方
向ないしは長手方向に連続的および／または階段的に所
望濃度に応じて散布するなどの方法によって容易に達成
できる。
分離剤を塗布し、乾燥する前にＳおよびSeならびにそれ
らの化合物のうちから選んだ少なくとも一種を、板幅方
向ないしは長手方向に連続的および／または階段的に所
望濃度に応じて散布するなどの方法によって容易に達成
できる。
ついで２次再結晶焼鈍を施すが、この２次再結晶焼鈍
は、上記のようにして付与したTSRの勾配よりも大きい
温度勾配の下に、TSRが低い鋼板端部から２次再結晶を
開始させる傾斜焼鈍とする。ここにかような傾斜焼鈍に
おける温度勾配は、単位長さ１cm当り２℃以上とするこ
とが望ましい。
は、上記のようにして付与したTSRの勾配よりも大きい
温度勾配の下に、TSRが低い鋼板端部から２次再結晶を
開始させる傾斜焼鈍とする。ここにかような傾斜焼鈍に
おける温度勾配は、単位長さ１cm当り２℃以上とするこ
とが望ましい。
しかるのち乾水素雰囲気中で1100〜1250℃、５〜２５ｈ
程度の鈍化焼鈍を施す。
程度の鈍化焼鈍を施す。
なお上記したような仕上げ焼鈍は、コイル状の鋼帯を処
理するタイプが工業的に実施されているが、鋼板（切板
を含む）を一枚または積層した状態で連続的に焼鈍する
連続タイプも提案されていて、この発明ではどちらのタ
イプも使用できる。
理するタイプが工業的に実施されているが、鋼板（切板
を含む）を一枚または積層した状態で連続的に焼鈍する
連続タイプも提案されていて、この発明ではどちらのタ
イプも使用できる。
また温度勾配の付与に当っては、炉内に温度勾配をもつ
ゾーンを設けることによって容易に達成でき、さらに温
度勾配の付与方向は、鋼板の板幅方向、長さ方向あるい
はその他任意の方向いずれであっても良い。
ゾーンを設けることによって容易に達成でき、さらに温
度勾配の付与方向は、鋼板の板幅方向、長さ方向あるい
はその他任意の方向いずれであっても良い。
かかる一連の処理を施すことによって磁気特性の効果的
な向上を図ることができるが、この発明では、純化焼鈍
後、鋼板表面に張力付与型の極薄被膜を被成することに
よって磁気特性のより一層の向上を図ることもできる。
な向上を図ることができるが、この発明では、純化焼鈍
後、鋼板表面に張力付与型の極薄被膜を被成することに
よって磁気特性のより一層の向上を図ることもできる。
かかる極薄被膜を被成するためには、まず鈍化焼鈍後の
鋼板表面の非金属物質を除去後、科学研磨あるいは電解
研磨を施して鋼板表面の平滑度を中心線平均粗さRaで0.
4μｍ以下とする。というのはこれ以上の粗さでは、次
に続く極薄被膜付与によっても鉄損の改善効果が望めな
いからである。
鋼板表面の非金属物質を除去後、科学研磨あるいは電解
研磨を施して鋼板表面の平滑度を中心線平均粗さRaで0.
4μｍ以下とする。というのはこれ以上の粗さでは、次
に続く極薄被膜付与によっても鉄損の改善効果が望めな
いからである。
ついでCVD法やPVD法（イオンプレーティングやイオンイ
ンプランテイション）などの蒸着法によって、Ti,Nb,S
i,V,Cr,Al,Mn,B,Ni,Co,Mo,Zr,Ta,Hf,Wの窒化物および／
又は炭化物なにびにAl,Si,Mn,Mg,Zn,Tiの酸化物のうち
から選んだ少くとも一種より主として成る極薄被膜を鋼
板表面に強固に被成するのである。
ンプランテイション）などの蒸着法によって、Ti,Nb,S
i,V,Cr,Al,Mn,B,Ni,Co,Mo,Zr,Ta,Hf,Wの窒化物および／
又は炭化物なにびにAl,Si,Mn,Mg,Zn,Tiの酸化物のうち
から選んだ少くとも一種より主として成る極薄被膜を鋼
板表面に強固に被成するのである。
なおかかる被膜の材質としては、上掲したもののほか、
熱膨脹係数が低く鋼板に強固に付着するものであれば何
であってもよい。
熱膨脹係数が低く鋼板に強固に付着するものであれば何
であってもよい。
さらに必要により常法に従って好ましくは張力付与型低
熱膨脹の上塗り絶縁被膜を被成し、レーザー照射、プラ
ズマジェット照射、放電加工、けがき法およびボールペ
ン加工法等の磁区細分化技術を適用する。
熱膨脹の上塗り絶縁被膜を被成し、レーザー照射、プラ
ズマジェット照射、放電加工、けがき法およびボールペ
ン加工法等の磁区細分化技術を適用する。
（作用） TSRの低い領域からTSRの勾配より大きい温度勾配を付与
しながら鋼板を加熱すると、まず鋼板の端部がTSR以上
の温度に上昇し、配向性の良い粒が少量核発生して、２
次再結晶領域を形成する。かような２次再結晶領域とま
だTSRに達していない領域との間に、狭い範囲で１次再
結晶組織と２次再結晶組織が混在した領域が生じる。そ
して鋼板の温度が上昇するにつれてかかる領域は高温測
へと移動を続けることになり、それに伴って２次再結晶
領域が拡大して行き、粒成長が起こる。
しながら鋼板を加熱すると、まず鋼板の端部がTSR以上
の温度に上昇し、配向性の良い粒が少量核発生して、２
次再結晶領域を形成する。かような２次再結晶領域とま
だTSRに達していない領域との間に、狭い範囲で１次再
結晶組織と２次再結晶組織が混在した領域が生じる。そ
して鋼板の温度が上昇するにつれてかかる領域は高温測
へと移動を続けることになり、それに伴って２次再結晶
領域が拡大して行き、粒成長が起こる。
前述したように、Ｓ、Se濃度が高く抑制力の強い領域か
らゴス方位粒が発生し易いので、上記のような温度勾配
の付与下に昇熱してやれば、通常の均一昇熱の場合に比
較して、より確実にゴス方位粒を発生させることがで
き、また最初の結晶方位粒がスムーズに高温側へ移項す
るので、大きな２次粒を得る上でも有利である。
らゴス方位粒が発生し易いので、上記のような温度勾配
の付与下に昇熱してやれば、通常の均一昇熱の場合に比
較して、より確実にゴス方位粒を発生させることがで
き、また最初の結晶方位粒がスムーズに高温側へ移項す
るので、大きな２次粒を得る上でも有利である。
そしてこの成長を通じて、１次再結晶と２次再結晶の境
界領域の温度は比較的一定に保たれる。
界領域の温度は比較的一定に保たれる。
発明者らの実験によると２次再結晶粒の最初の核生成場
所と遅滞部でのTSRの温度差が10℃以上で、しかも温度
勾配が２℃／cm以上の場合にＢ10の改善により顕著な効
果が見られることが判明した。
所と遅滞部でのTSRの温度差が10℃以上で、しかも温度
勾配が２℃／cm以上の場合にＢ10の改善により顕著な効
果が見られることが判明した。
温度勾配を付与しながら２次再結晶を進行させた場合、
２次再結晶がおこる温度は鋼板の種類や昇熱条件によっ
て一定ではなく、その温度範囲を限定することは出来な
いが、例えばMnSeとSbをインヒビターとする方向性けい
素鋼板の場合850〜950℃の範囲にあり、この発明におい
てはこの境界領域に温度勾配を設ければ良いのであっ
て、その前後は従来採用している処理条件を採用しても
良く、もちろん温度勾配を設けてもよい。
２次再結晶がおこる温度は鋼板の種類や昇熱条件によっ
て一定ではなく、その温度範囲を限定することは出来な
いが、例えばMnSeとSbをインヒビターとする方向性けい
素鋼板の場合850〜950℃の範囲にあり、この発明におい
てはこの境界領域に温度勾配を設ければ良いのであっ
て、その前後は従来採用している処理条件を採用しても
良く、もちろん温度勾配を設けてもよい。
かくして磁気特性とくに磁束密度に優れた一方向性けい
素鋼板を安定して得ることができるようになったのであ
る。
素鋼板を安定して得ることができるようになったのであ
る。
（実施例） 実施例１ Ｃ：0.045％、Si：3.30％、Mn：0.080％、Ｓ：0.003
％、Se：0.025％およびSb：0.025％を含有し、残部実質
的にFeの組成になる3.0mm厚の熱延板に、大気中で900
℃、２分の焼鈍を施したのち、酸洗して、0.75mm厚に冷
延し、続いて950℃、２分の中間焼鈍を施して0.30mmの
最終板厚に仕上げた。ついで脱脂後、湿水素中で835
℃、４分の脱炭焼鈍を施したのち、MgOを主成分とする
焼鈍分離剤を塗布、乾燥してからBox型仕上げ焼鈍炉に
おいてH2雰囲気中で840℃、30時間の２次再結晶焼鈍、
ついで1200℃で10時間の鈍化焼鈍を施した。
％、Se：0.025％およびSb：0.025％を含有し、残部実質
的にFeの組成になる3.0mm厚の熱延板に、大気中で900
℃、２分の焼鈍を施したのち、酸洗して、0.75mm厚に冷
延し、続いて950℃、２分の中間焼鈍を施して0.30mmの
最終板厚に仕上げた。ついで脱脂後、湿水素中で835
℃、４分の脱炭焼鈍を施したのち、MgOを主成分とする
焼鈍分離剤を塗布、乾燥してからBox型仕上げ焼鈍炉に
おいてH2雰囲気中で840℃、30時間の２次再結晶焼鈍、
ついで1200℃で10時間の鈍化焼鈍を施した。
ここに上記の焼鈍分離剤塗布工程において、MgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布した後、直ちに分離剤中のＳ
濃度が板幅方向の一端部は０％、他端部は5.0％と板幅
方向に連続して濃度が変化するように硫酸マグネシウム
を散布した。その後乾燥させてから20時間保定してコイ
ル幅方向の２次再結晶開始温度TSRを調べたところ、一
端部は895℃、中央部は875℃、他端部は860℃であった
ので、鋼板一端部から他端部にかけて温度勾配が１cmあ
たり３℃となるよう調整したBox型仕上げ焼鈍炉で、800
〜900℃間を３℃／ｈで徐熱昇温し、ついで1200℃、10
時間の最終仕上げ焼鈍を施した。
分とする焼鈍分離剤を塗布した後、直ちに分離剤中のＳ
濃度が板幅方向の一端部は０％、他端部は5.0％と板幅
方向に連続して濃度が変化するように硫酸マグネシウム
を散布した。その後乾燥させてから20時間保定してコイ
ル幅方向の２次再結晶開始温度TSRを調べたところ、一
端部は895℃、中央部は875℃、他端部は860℃であった
ので、鋼板一端部から他端部にかけて温度勾配が１cmあ
たり３℃となるよう調整したBox型仕上げ焼鈍炉で、800
〜900℃間を３℃／ｈで徐熱昇温し、ついで1200℃、10
時間の最終仕上げ焼鈍を施した。
かくして得られた製品板の磁気特性Ｂ10値について調べ
た結果を以下に示す。
た結果を以下に示す。
なお比較のため硫酸マグネシウムを散布しない通常の工
程によって製造した製品板についての調査結果も併せて
示す。
程によって製造した製品板についての調査結果も併せて
示す。
Ｂ10（Ｔ） 実施例 1.956 比較例 1.908 実施例２ Ｃ：0.054％、Si：3.28％、Mn：0.087％、Ｓ：0.028
％、sol Al：0.033％およびＮ：0.0080％を含有する組
成になる2.4mm厚の熱延板を、1000℃、２分間焼鈍後、
酸洗し、ついで0.27mm厚に仕上げ冷延した後、脱脂し、
その後湿水素中で脱炭焼鈍後、MgOを主成分とする焼鈍
分離剤を塗布してから、乾燥し、H2雰囲気中で20℃/hの
昇温速度で1200℃まで昇熱し、ついで10時間保持の仕上
げ焼鈍を施した。
％、sol Al：0.033％およびＮ：0.0080％を含有する組
成になる2.4mm厚の熱延板を、1000℃、２分間焼鈍後、
酸洗し、ついで0.27mm厚に仕上げ冷延した後、脱脂し、
その後湿水素中で脱炭焼鈍後、MgOを主成分とする焼鈍
分離剤を塗布してから、乾燥し、H2雰囲気中で20℃/hの
昇温速度で1200℃まで昇熱し、ついで10時間保持の仕上
げ焼鈍を施した。
ここに上記の焼鈍分離剤塗布工程においてMgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布したのち、直ちに分離剤中のＳ
濃度が板幅1000mmの板幅方向端部100mmは０％、残る板
幅900mmのひき続く1/2は1.50％、残る他端部の450mmは
3.5％と階段的に変化するように硫酸ストロンチウムを
散布したのち乾燥した。
とする焼鈍分離剤を塗布したのち、直ちに分離剤中のＳ
濃度が板幅1000mmの板幅方向端部100mmは０％、残る板
幅900mmのひき続く1/2は1.50％、残る他端部の450mmは
3.5％と階段的に変化するように硫酸ストロンチウムを
散布したのち乾燥した。
コイル幅方向のＴSRを調べるために、20時間保定の焼鈍
を実施したところ、分離剤中にＳ量が０％の一端部は10
90℃、Ｓ量1.50％の中央部は1040℃、Ｓ量3.5％の残る
他端部は1005℃であったので、分離剤中のＳ量が3.5％
の端部を下部にして、炉床ヒーター設置式で１cmあたり
５℃の温度勾配をもつBox型仕上げ焼鈍炉で、H2雰囲気
中において20℃/hの昇温速度で1200℃まで昇熱し、つい
で10時間保持の仕上げ焼鈍を施した。
を実施したところ、分離剤中にＳ量が０％の一端部は10
90℃、Ｓ量1.50％の中央部は1040℃、Ｓ量3.5％の残る
他端部は1005℃であったので、分離剤中のＳ量が3.5％
の端部を下部にして、炉床ヒーター設置式で１cmあたり
５℃の温度勾配をもつBox型仕上げ焼鈍炉で、H2雰囲気
中において20℃/hの昇温速度で1200℃まで昇熱し、つい
で10時間保持の仕上げ焼鈍を施した。
かくして得られた製品板の磁気特性Ｂ10値について調べ
た結果を以下に示す。なお比較のため常法に従って得た
製品板についての調査結果も併せて示した。
た結果を以下に示す。なお比較のため常法に従って得た
製品板についての調査結果も併せて示した。
Ｂ10（Ｔ） 実施例 1.988 比較例 1.933 実施例３ Ｃ：0.046％、Si：3.43％、Mn：0.082％、Ｓ：0.018
％、Se：0.026％、Sb：0.018％およびSn：0.035％を含
む組成になる2.0mm厚の熱延板を、935℃、２分間焼鈍
後、酸洗し、0.60mm厚に中間冷延したのち、950℃、２
分の中間焼鈍後、0.23mm厚の最終板厚に仕上げ冷延し
た。次に脱脂後、湿水素中で脱炭焼鈍後、MgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布、乾燥したのち、H2雰囲気中で
800〜900℃間を５℃/hの速度で昇熱し、ついで1200℃に
10時間保定する仕上げ焼鈍を施した。
％、Se：0.026％、Sb：0.018％およびSn：0.035％を含
む組成になる2.0mm厚の熱延板を、935℃、２分間焼鈍
後、酸洗し、0.60mm厚に中間冷延したのち、950℃、２
分の中間焼鈍後、0.23mm厚の最終板厚に仕上げ冷延し
た。次に脱脂後、湿水素中で脱炭焼鈍後、MgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布、乾燥したのち、H2雰囲気中で
800〜900℃間を５℃/hの速度で昇熱し、ついで1200℃に
10時間保定する仕上げ焼鈍を施した。
ここに上記の焼鈍分離剤塗布工程においてMgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄と無水セレン
酸を、板幅方向端部はＳ＋Se量が０％とし、板幅方向1/
3部にかけて連続的に濃度を増して散布し、1/3部におけ
るＳ＋Se量は１％とし、板幅方向1/3〜2/3にかけてはＳ
＋Seを１％とし、残る板幅2/3から他端部にかけては連
続的に濃度を増して他端部のＳ＋Se量を3.5％とした
後、直ちに乾燥した。20時間保定したときの２次再結晶
開始温度について調べたところ、分離剤中のＳ＋Se量が
０％の端部は900℃、中央部は878℃、Ｓ＋Se量が3.5％
の他端部は865℃であったので、鋼板一端部から他端部
にかけて温度勾配が１cmあたり3.5℃になるような仕上
げ焼鈍炉中で800℃〜950℃間を、５℃/hの昇温速度で昇
熱し、ついで乾水素中で1200℃、10時間の仕上げ焼鈍を
施した。
とする焼鈍分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄と無水セレン
酸を、板幅方向端部はＳ＋Se量が０％とし、板幅方向1/
3部にかけて連続的に濃度を増して散布し、1/3部におけ
るＳ＋Se量は１％とし、板幅方向1/3〜2/3にかけてはＳ
＋Seを１％とし、残る板幅2/3から他端部にかけては連
続的に濃度を増して他端部のＳ＋Se量を3.5％とした
後、直ちに乾燥した。20時間保定したときの２次再結晶
開始温度について調べたところ、分離剤中のＳ＋Se量が
０％の端部は900℃、中央部は878℃、Ｓ＋Se量が3.5％
の他端部は865℃であったので、鋼板一端部から他端部
にかけて温度勾配が１cmあたり3.5℃になるような仕上
げ焼鈍炉中で800℃〜950℃間を、５℃/hの昇温速度で昇
熱し、ついで乾水素中で1200℃、10時間の仕上げ焼鈍を
施した。
かくして得られた製品板の磁気特性Ｂ10について調べた
結果を、従来法により得られたものと比較して以下に示
す。
結果を、従来法により得られたものと比較して以下に示
す。
Ｂ10（Ｔ） 実施例 1.968 比較例 1.913 実施例４ Ｃ：0.054％、Si：3.28％、Mn：0.087％、Ｓ：0.028
％、Sn：0.038％、solAl：0.033％およびＮ：0.0080％
を含有する組成になる2.0mm厚の熱延板を、1025℃、１
分で焼鈍後、酸洗し、ついで0.19mm厚に冷延した後、脱
脂し、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍後、MgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布したのち、950℃までは30℃/
h、950℃からは５℃/hの昇温速度で1100℃まで昇熱後、
水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍化焼鈍を施した。
％、Sn：0.038％、solAl：0.033％およびＮ：0.0080％
を含有する組成になる2.0mm厚の熱延板を、1025℃、１
分で焼鈍後、酸洗し、ついで0.19mm厚に冷延した後、脱
脂し、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍後、MgOを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布したのち、950℃までは30℃/
h、950℃からは５℃/hの昇温速度で1100℃まで昇熱後、
水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍化焼鈍を施した。
上記の焼鈍分離剤塗布工程において、MgOを主成分とす
る分離剤を塗布したのち、直ちにセレンを板幅方向の端
部は2.0％、板幅方向の1/3のところのSe量は1.0％にな
るように連続的に濃度を減少し、板幅方向1/3〜2/3は1.
0％のまま、残る2/3からもう一方の板幅端部にかけては
Se量が０％になるように連続的に濃度を減じて散布し
た。さらに、硫酸マグネシウムを長手方向にＳ量が2.0
％から板幅の長さのところで０％になるように連続して
濃度が減少するように散布し、直ちに乾燥した。
る分離剤を塗布したのち、直ちにセレンを板幅方向の端
部は2.0％、板幅方向の1/3のところのSe量は1.0％にな
るように連続的に濃度を減少し、板幅方向1/3〜2/3は1.
0％のまま、残る2/3からもう一方の板幅端部にかけては
Se量が０％になるように連続的に濃度を減じて散布し
た。さらに、硫酸マグネシウムを長手方向にＳ量が2.0
％から板幅の長さのところで０％になるように連続して
濃度が減少するように散布し、直ちに乾燥した。
20時間保定して２次再結晶開始温度を調べたところ、板
幅方向と長手方向でＳ＋Ｓ量が合計で４％のところは98
7℃、３％のところは1004℃、２％のところは1023℃、
１％のところは1046℃、０％のところは1073℃であった
ので、鋼板端部から他端部にかけて温度勾配が３℃にな
るような仕上げ焼鈍炉で950℃から1100℃までを、５℃/
hの昇温速度で昇熱し、ついで水素雰囲気中で1200℃、1
0ｈの仕上焼鈍を施した。
幅方向と長手方向でＳ＋Ｓ量が合計で４％のところは98
7℃、３％のところは1004℃、２％のところは1023℃、
１％のところは1046℃、０％のところは1073℃であった
ので、鋼板端部から他端部にかけて温度勾配が３℃にな
るような仕上げ焼鈍炉で950℃から1100℃までを、５℃/
hの昇温速度で昇熱し、ついで水素雰囲気中で1200℃、1
0ｈの仕上焼鈍を施した。
かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ
8（Ｔ）について調べた結果を以下に示す。
8（Ｔ）について調べた結果を以下に示す。
なお比較のためにSe，Ｓを散布しない通常の工程によっ
て製造した製品板についての調査結果も併せて示す。
て製造した製品板についての調査結果も併せて示す。
Ｂ8（Ｔ） 実施例 1.992 比較例 1.933 実施例５ Ｃ：0.040％、Si：3.35％、Mn：0.070％、Se：0.020％
およびSb：0.025％を含む組成になる2.2mm厚の熱延板
を、950℃、２分で焼鈍後、酸洗し、0.60mm厚に中間冷
延し、970℃、1.5分の中間焼鈍後、0.22mm厚に冷延した
のち、脱脂後、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍を施
し、ついでMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布乾燥し
たのち、820〜925℃間を2.5℃/hの昇温速度で加熱した
のち、水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍化焼鈍を施し
た。ついで酸洗により酸化被膜を除去してから３％HFと
H2O2液中で化学研摩を施して鏡面仕上げとした後、次に
CVD法によりTiCl4(70%)ガス雰囲気中で処理して鋼板表
面に0.8μｍ厚のTiNを被膜形成させた。
およびSb：0.025％を含む組成になる2.2mm厚の熱延板
を、950℃、２分で焼鈍後、酸洗し、0.60mm厚に中間冷
延し、970℃、1.5分の中間焼鈍後、0.22mm厚に冷延した
のち、脱脂後、湿水素中で脱炭、１次再結晶焼鈍を施
し、ついでMgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布乾燥し
たのち、820〜925℃間を2.5℃/hの昇温速度で加熱した
のち、水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍化焼鈍を施し
た。ついで酸洗により酸化被膜を除去してから３％HFと
H2O2液中で化学研摩を施して鏡面仕上げとした後、次に
CVD法によりTiCl4(70%)ガス雰囲気中で処理して鋼板表
面に0.8μｍ厚のTiNを被膜形成させた。
上記の焼鈍分離剤塗布工程においてMgOを主成分とする
分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄を板幅方向端部1/4は０
％に、板幅方向2/4は0.75％に、板幅方向3/4は1.5％
に、残る他端部は2.25％になるように段階的に散布した
のち、直ちに乾燥した。
分離剤を塗布後、直ちに硫化鉄を板幅方向端部1/4は０
％に、板幅方向2/4は0.75％に、板幅方向3/4は1.5％
に、残る他端部は2.25％になるように段階的に散布した
のち、直ちに乾燥した。
20時間保定後の２次再結晶開始温度を調べたところ、分
離剤中のＳ量０％の端部1/4は903℃、2/4部は888℃、3/
4部は873℃、残る他端部は858℃であったので、鋼板端
部から他端部にかけて温度勾配が１cmあたり2.5℃とな
るよう調整したBox型仕上げ焼鈍炉で、820〜925℃間を
2.5℃/hの昇温速度で昇熱し、ついで1200℃，10hの鈍化
焼鈍を水素雰囲気中で実施した。
離剤中のＳ量０％の端部1/4は903℃、2/4部は888℃、3/
4部は873℃、残る他端部は858℃であったので、鋼板端
部から他端部にかけて温度勾配が１cmあたり2.5℃とな
るよう調整したBox型仕上げ焼鈍炉で、820〜925℃間を
2.5℃/hの昇温速度で昇熱し、ついで1200℃，10hの鈍化
焼鈍を水素雰囲気中で実施した。
かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ
8（Ｔ）とｗ10/50(W/Kg)について調べた結果は、次のと
おりであった。
8（Ｔ）とｗ10/50(W/Kg)について調べた結果は、次のと
おりであった。
なお比較のため硫化鉄を散布しない通常の工程によって
製造した製品板についての調査結果も併せて示す。
製造した製品板についての調査結果も併せて示す。
Ｂ8（Ｔ） ｗ10/50(W/Kg) 実施例 1.988 0.60 比較例 1.902 0.89 実施例６ Ｃ：0.054％、Si：3.28％、Mn：0.028％、solAl：0.033
％およびＮ：0.0080％を含有する組成になる2.4mm厚の
熱延板を、1000℃、２分で焼鈍後、酸洗し、次いで0.29
mm厚に冷延した後、脱脂し、湿水素中で脱端、１次再結
晶焼鈍後、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布したの
ち、945℃までは27℃/h、945℃からは５℃/hの昇温速度
で1100℃まで昇熱後、水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍
化焼鈍を施し、さらに絶縁コーティング後、レーザー照
射により局部歪を導入した。
％およびＮ：0.0080％を含有する組成になる2.4mm厚の
熱延板を、1000℃、２分で焼鈍後、酸洗し、次いで0.29
mm厚に冷延した後、脱脂し、湿水素中で脱端、１次再結
晶焼鈍後、MgOを主成分とする焼鈍分離剤を塗布したの
ち、945℃までは27℃/h、945℃からは５℃/hの昇温速度
で1100℃まで昇熱後、水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍
化焼鈍を施し、さらに絶縁コーティング後、レーザー照
射により局部歪を導入した。
上記の焼鈍分離剤塗布工程においてMgOを主成分とする
分離剤を塗布したのち、直ちに、硫酸マグネシウムと硫
酸ストロンチウムを、コイル一端部のＳ量が０％、他端
部が4.5％と連続して濃度が増すように散布した。その
後直ちに乾燥させ、20時間保定後の２次再結晶開始温度
を調べたところ、分離剤中のＳ量０％の板幅端部は1075
℃、他端部は975℃であったので、鋼板一端部から他端
部にかけて温度勾配が４℃となるように調整したBox型
仕上げ焼鈍炉で、945℃〜1100℃間を５℃/hの昇温速度
で徐熱昇温し、ついで水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍
化焼鈍を施した。
分離剤を塗布したのち、直ちに、硫酸マグネシウムと硫
酸ストロンチウムを、コイル一端部のＳ量が０％、他端
部が4.5％と連続して濃度が増すように散布した。その
後直ちに乾燥させ、20時間保定後の２次再結晶開始温度
を調べたところ、分離剤中のＳ量０％の板幅端部は1075
℃、他端部は975℃であったので、鋼板一端部から他端
部にかけて温度勾配が４℃となるように調整したBox型
仕上げ焼鈍炉で、945℃〜1100℃間を５℃/hの昇温速度
で徐熱昇温し、ついで水素雰囲気中で1200℃、10hの鈍
化焼鈍を施した。
かくして得られた一方向性けい素鋼板の磁気特性Ｂ
8（Ｔ）とｗ10/50(W/Kg)について調べた結果は以下のと
おりであった。
8（Ｔ）とｗ10/50(W/Kg)について調べた結果は以下のと
おりであった。
なお、比較のため、硫化マグネシウムと硫酸ストロンチ
ウムを散布しない通常の工程によって製造した製品板に
ついての調査結果も併せて示す。
ウムを散布しない通常の工程によって製造した製品板に
ついての調査結果も併せて示す。
Ｂ8（Ｔ） ｗ10/50(W/Kg) 実施例 2.034 0.76 比較例 1.941 0.99 （発明の効果） かくしてこの発明によれば、一方向性けい素鋼板の製造
において、２次再結晶焼鈍に先立って焼鈍分離剤を塗布
する際、ＳおよびSeならびにそれらの化合物のうちから
選んだ少なくとも一種を、鋼板の一端部から他の部分に
かけて連続的および／または階段的にＳおよびSeの濃度
に0.01％以上の差異をもうけて、１次再結晶開始温度Ｔ
SRに10℃以上の勾配を与え、さらに、２次再結晶を進行
させる際、ＴSRよりも大きい温度勾配の下に鋼板の一端
部から鋼板に加える温度勾配が好ましくは１cm当り２℃
以上となる傾斜焼鈍を施すことによって、著しくＢ10値
の高い一方向性けい素鋼板を安定して得ることができ
る。
において、２次再結晶焼鈍に先立って焼鈍分離剤を塗布
する際、ＳおよびSeならびにそれらの化合物のうちから
選んだ少なくとも一種を、鋼板の一端部から他の部分に
かけて連続的および／または階段的にＳおよびSeの濃度
に0.01％以上の差異をもうけて、１次再結晶開始温度Ｔ
SRに10℃以上の勾配を与え、さらに、２次再結晶を進行
させる際、ＴSRよりも大きい温度勾配の下に鋼板の一端
部から鋼板に加える温度勾配が好ましくは１cm当り２℃
以上となる傾斜焼鈍を施すことによって、著しくＢ10値
の高い一方向性けい素鋼板を安定して得ることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 光正 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内 (72)発明者 小林 義紀 千葉県千葉市川崎町１番地 川崎製鉄株式 会社技術研究本部内
Claims (2)
- 【請求項１】含けい素鋼スラブを、熱間圧延し、ついで
１回または中間焼鈍を挟む２回以上の冷間圧延を施して
最終板厚としたのち、脱炭・１次再結晶焼鈍を施し、そ
の後鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから、２次再結晶
焼鈍ついで純化焼鈍を施す一連の工程によって一方向性
けい素鋼板を製造するに当り、 上記の焼鈍分離剤塗布工程において、焼鈍分離剤中にＳ
およびSeならびにそれらの化合物のうちから選んだ少な
くとも一種を含有させるものとし、鋼板の一端から他端
にかけて、連続的に該分離剤中のＳおよび／またはSe濃
度が変化する領域を設けその領域の初めと終わりの濃度
差を0.01％以上とするか、あるいは段階的に該分離剤中
のＳおよび／またはSe濃度が0.01％以上なる領域を形成
させるか、いずれか一方または両方の手段により、板幅
方向ないし長手方向にわたって２次再結晶開始温度に勾
配または段差を与え、 しかるのち上記２次再結晶開始温度の勾配よりも大きい
温度勾配の下に、２次再結晶開始温度が低い鋼板端部か
ら２次再結晶を開始させる傾斜焼鈍を施すことを特徴と
する、磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方
法。 - 【請求項２】傾斜焼鈍における温度勾配が、単位長さ１
cm当り２℃以上である特許請求の範囲第１項記載の方
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62112408A JPH0668133B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 |
| US07/190,280 US4975127A (en) | 1987-05-11 | 1988-05-04 | Method of producing grain oriented silicon steel sheets having magnetic properties |
| DE3888725T DE3888725T2 (de) | 1987-05-11 | 1988-05-05 | Verfahren zur Herstellung kornorientierter Siliciumstahlbleche mit hervorragenden magnetischen Eigenschaften. |
| EP88304050A EP0292150B1 (en) | 1987-05-11 | 1988-05-05 | Method of producing grain oriented silicon steel sheets having excellent magnetic properties |
| CA000566363A CA1332344C (en) | 1987-05-11 | 1988-05-10 | Method of producing grain oriented silicon steel sheets having excellent magnetic properties |
| KR1019880005531A KR960003173B1 (ko) | 1987-05-11 | 1988-05-11 | 우수한 자성을 갖는 결정입 배향 규소 강판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62112408A JPH0668133B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277716A JPS63277716A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0668133B2 true JPH0668133B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=14585901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62112408A Expired - Lifetime JPH0668133B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気特性に優れた一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668133B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220195553A1 (en) * | 2019-03-26 | 2022-06-23 | Jfe Steel Corporation | Method of producing grain-oriented electrical steel sheet and annealing separator application line |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5353234B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-11-27 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 方向性電磁鋼板の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62112408A patent/JPH0668133B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220195553A1 (en) * | 2019-03-26 | 2022-06-23 | Jfe Steel Corporation | Method of producing grain-oriented electrical steel sheet and annealing separator application line |
| US12467106B2 (en) * | 2019-03-26 | 2025-11-11 | Jfe Steel Corporation | Method of producing grain-oriented electrical steel sheet and annealing separator application line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63277716A (ja) | 1988-11-15 |
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