JPH0669252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0669252A JPH0669252A JP21809392A JP21809392A JPH0669252A JP H0669252 A JPH0669252 A JP H0669252A JP 21809392 A JP21809392 A JP 21809392A JP 21809392 A JP21809392 A JP 21809392A JP H0669252 A JPH0669252 A JP H0669252A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- frame
- semiconductor chip
- resin
- lead frame
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、実
装時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッケ
ージのクラックの発生を防止することを目的とする。 【構成】 先ずステージ3がフレーム4に連結されてな
るステージフレーム2を着磁し、裏面に磁性膜を被着し
た半導体チップ1をこのステージ3上に搭載する。次に
このステージフレーム2を多数のリード7を有し且つス
テージを有しないリードフレーム6と重ね合わせて半導
体チップ1とリード7とをワイヤボンディングする。次
にステージフレーム2を消磁した後、このステージフレ
ーム2をリードフレーム6及び半導体チップ1から離
し、半導体チップ1及びその近傍を樹脂封止する。
装時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッケ
ージのクラックの発生を防止することを目的とする。 【構成】 先ずステージ3がフレーム4に連結されてな
るステージフレーム2を着磁し、裏面に磁性膜を被着し
た半導体チップ1をこのステージ3上に搭載する。次に
このステージフレーム2を多数のリード7を有し且つス
テージを有しないリードフレーム6と重ね合わせて半導
体チップ1とリード7とをワイヤボンディングする。次
にステージフレーム2を消磁した後、このステージフレ
ーム2をリードフレーム6及び半導体チップ1から離
し、半導体チップ1及びその近傍を樹脂封止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
特に樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、通常、次のよ
うにして製造される。半導体チップを搭載するステージ
(アイランド、ダイパッド等とも呼ぶ)と多数のリード
がフレームに連結されたリードフレームを使用し、先ず
このリードフレームのステージ上に半導体チップをろう
材又は接着剤で固着し、次にこの半導体チップのボンデ
ィングパッドとリードとの間をワイヤボンディングし、
その後、樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更にリ
ードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等の
工程を経て、完成する。
うにして製造される。半導体チップを搭載するステージ
(アイランド、ダイパッド等とも呼ぶ)と多数のリード
がフレームに連結されたリードフレームを使用し、先ず
このリードフレームのステージ上に半導体チップをろう
材又は接着剤で固着し、次にこの半導体チップのボンデ
ィングパッドとリードとの間をワイヤボンディングし、
その後、樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更にリ
ードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等の
工程を経て、完成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
して製造した樹脂封止型半導体装置は、これをプリント
配線板等に実装する時等に加熱されると、熱応力のため
に半導体チップや樹脂のパッケージにクラックが発生し
て半導体装置の信頼性を損なう、という問題があった。
して製造した樹脂封止型半導体装置は、これをプリント
配線板等に実装する時等に加熱されると、熱応力のため
に半導体チップや樹脂のパッケージにクラックが発生し
て半導体装置の信頼性を損なう、という問題があった。
【0004】本発明はこのような問題を解決して、実装
時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッケー
ジのクラックの発生を防止することが可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッケー
ジのクラックの発生を防止することが可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、ステージがフレームに連結されてなるステージフ
レームを着磁する工程と、裏面に磁性膜を被着した半導
体チップを該ステージ上に搭載する工程と、多数のリー
ドを有し且つステージを有しないリードフレームと該半
導体チップを搭載した該ステージフレームとを重ね合わ
せて該半導体チップと該リードとをワイヤボンディング
する工程と、該ステージフレームを消磁した後、該ステ
ージフレームを該リードフレーム及び該半導体チップか
ら離隔する工程と、該半導体チップ及びその近傍を樹脂
封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、達成される。
れば、ステージがフレームに連結されてなるステージフ
レームを着磁する工程と、裏面に磁性膜を被着した半導
体チップを該ステージ上に搭載する工程と、多数のリー
ドを有し且つステージを有しないリードフレームと該半
導体チップを搭載した該ステージフレームとを重ね合わ
せて該半導体チップと該リードとをワイヤボンディング
する工程と、該ステージフレームを消磁した後、該ステ
ージフレームを該リードフレーム及び該半導体チップか
ら離隔する工程と、該半導体チップ及びその近傍を樹脂
封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、達成される。
【0006】
【作用】本発明では、ステージとそれをフレームに連結
するためのピンチバーを持たないリードフレームと、ス
テージとピンチバーだけのステージフレームとを準備
し、これらを重ね合わせて通常のリードフレームと同等
の形にしてワイヤボンディングを行い、その後、ステー
ジフレームを除去して樹脂封止を行う。従って、本発明
の製造方法により製造した半導体装置は、完成時点では
ステージもピンチバーも存在しないから、半導体チップ
とステージとの熱膨張の差に起因するチップのクラック
も、ステージ及びピンチバーと樹脂との熱膨張の差に起
因する樹脂のクラックも発生しない。又、ステージの厚
さの分だけ薄いパッケージの製造も可能である。
するためのピンチバーを持たないリードフレームと、ス
テージとピンチバーだけのステージフレームとを準備
し、これらを重ね合わせて通常のリードフレームと同等
の形にしてワイヤボンディングを行い、その後、ステー
ジフレームを除去して樹脂封止を行う。従って、本発明
の製造方法により製造した半導体装置は、完成時点では
ステージもピンチバーも存在しないから、半導体チップ
とステージとの熱膨張の差に起因するチップのクラック
も、ステージ及びピンチバーと樹脂との熱膨張の差に起
因する樹脂のクラックも発生しない。又、ステージの厚
さの分だけ薄いパッケージの製造も可能である。
【0007】尚、上述のように通常のリードフレームと
同等の形にしてワイヤボンディングを行うから、通常の
ワイヤボンディング装置を使用してワイヤボンディング
を行うことが出来る。又、ワイヤボンディング時には半
導体チップはステージに磁気的に吸着されているだけで
あるから、着磁させておいたステージを消磁するだけで
半導体チップとステージとは分離可能となり、その結
果、無理なくステージフレームを除去することが出来
る。
同等の形にしてワイヤボンディングを行うから、通常の
ワイヤボンディング装置を使用してワイヤボンディング
を行うことが出来る。又、ワイヤボンディング時には半
導体チップはステージに磁気的に吸着されているだけで
あるから、着磁させておいたステージを消磁するだけで
半導体チップとステージとは分離可能となり、その結
果、無理なくステージフレームを除去することが出来
る。
【0008】
【実施例】本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例
を図1を参照しながら説明する。図1は本発明の実施例
の説明図であり、各製造工程における形状を示す平面図
及び側断面図が工程順に矢印で結ばれている。
を図1を参照しながら説明する。図1は本発明の実施例
の説明図であり、各製造工程における形状を示す平面図
及び側断面図が工程順に矢印で結ばれている。
【0009】同図において、1は半導体チップであり、
裏面には磁性膜を有している。これは、半導体ウェーハ
の裏面に磁性塗料を塗布した後にこれをダイシングする
ことにより得る。2は磁性材料からなるステージフレー
ムであり、半導体チップ1を一時搭載するためのステー
ジ3とフレーム4とこれらを連結するピンチバー5から
なる。6はリードフレームであり、多数のリード7とフ
レーム8とこれらを連結するタイバー9からなる。リー
ドフレーム6のフレーム8とステージフレーム2のフレ
ーム4とは平面的な形状・寸法が同じである。
裏面には磁性膜を有している。これは、半導体ウェーハ
の裏面に磁性塗料を塗布した後にこれをダイシングする
ことにより得る。2は磁性材料からなるステージフレー
ムであり、半導体チップ1を一時搭載するためのステー
ジ3とフレーム4とこれらを連結するピンチバー5から
なる。6はリードフレームであり、多数のリード7とフ
レーム8とこれらを連結するタイバー9からなる。リー
ドフレーム6のフレーム8とステージフレーム2のフレ
ーム4とは平面的な形状・寸法が同じである。
【0010】先ずステージフレーム2を着磁させる。こ
の際、ステージ3だけの着磁でも良い。次にこの着磁さ
れたステージ3上に半導体チップ1を搭載する。半導体
チップ1はステージ3に磁気吸着されて固定される。次
にこのステージフレーム2の上にリードフレーム6を重
ね合わせてワイヤボンディング装置に装着する。この状
態でワイヤボンディングする。即ち半導体チップ1のボ
ンディングパッドとリードフレーム6のリード7との間
をボンディングワイヤ10により接続する。
の際、ステージ3だけの着磁でも良い。次にこの着磁さ
れたステージ3上に半導体チップ1を搭載する。半導体
チップ1はステージ3に磁気吸着されて固定される。次
にこのステージフレーム2の上にリードフレーム6を重
ね合わせてワイヤボンディング装置に装着する。この状
態でワイヤボンディングする。即ち半導体チップ1のボ
ンディングパッドとリードフレーム6のリード7との間
をボンディングワイヤ10により接続する。
【0011】その後、ステージフレーム2を消磁装置に
より消磁する。これにより半導体チップ1のステージ3
による吸着は解除される。半導体チップ1は多数のボン
ディングワイヤ10によりリードフレーム6に接続されて
いるから、ここでステージフレーム2を除去するとリー
ドフレーム6に保持されることになる。その後、この半
導体チップ1を保持したリードフレーム6をモールド金
型に入れて樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更に
リードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等
の工程を経て、樹脂封止型半導体装置が完成する。尚、
除去したステージフレーム2は、再び着磁して使用す
る。
より消磁する。これにより半導体チップ1のステージ3
による吸着は解除される。半導体チップ1は多数のボン
ディングワイヤ10によりリードフレーム6に接続されて
いるから、ここでステージフレーム2を除去するとリー
ドフレーム6に保持されることになる。その後、この半
導体チップ1を保持したリードフレーム6をモールド金
型に入れて樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更に
リードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等
の工程を経て、樹脂封止型半導体装置が完成する。尚、
除去したステージフレーム2は、再び着磁して使用す
る。
【0012】このようにして製造した樹脂封止型半導体
装置は、プリント配線板への実装時の加熱(リフローソ
ルダリング)による半導体チップ及び樹脂パッケージの
クラックの発生は認められなかった。
装置は、プリント配線板への実装時の加熱(リフローソ
ルダリング)による半導体チップ及び樹脂パッケージの
クラックの発生は認められなかった。
【0013】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。
く、更に種々変形して実施することが出来る。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実装時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッ
ケージのクラックの発生を防止することが可能な半導体
装置の製造方法を提供することが出来、半導体装置の信
頼性向上等に寄与する。
実装時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッ
ケージのクラックの発生を防止することが可能な半導体
装置の製造方法を提供することが出来、半導体装置の信
頼性向上等に寄与する。
【図1】 本発明の実施例の説明図である。
1 半導体チップ 2 ステージフレーム 3 ステージ 4 フレーム 5 ピンチバー 6 リードフレーム 7 リード 8 フレーム 9 タイバー 10 ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】 ステージ(3) がフレーム(4) に連結され
てなるステージフレーム(2) を着磁する工程と、 裏面に磁性膜を被着した半導体チップ(1) を該ステージ
(3) 上に搭載する工程と、 多数のリード(7) を有し且つステージを有しないリード
フレーム(6) と該半導体チップ(1) を搭載した該ステー
ジフレーム(2) とを重ね合わせた後、該半導体チップ
(1) と該リード(7) とをワイヤボンディングする工程
と、 該ステージフレーム(2) を消磁した後、該ステージフレ
ーム(2) を該リードフレーム(6) 及び該半導体チップ
(1) から離隔する工程と、 該半導体チップ(1) 及びその近傍を樹脂封止する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809392A JPH0669252A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809392A JPH0669252A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669252A true JPH0669252A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16714524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21809392A Withdrawn JPH0669252A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669252A (ja) |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21809392A patent/JPH0669252A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |