JPH0669257A - 半導体素子用接着剤および半導体装置 - Google Patents

半導体素子用接着剤および半導体装置

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JPH0669257A
JPH0669257A JP4222680A JP22268092A JPH0669257A JP H0669257 A JPH0669257 A JP H0669257A JP 4222680 A JP4222680 A JP 4222680A JP 22268092 A JP22268092 A JP 22268092A JP H0669257 A JPH0669257 A JP H0669257A
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adhesive
epoxy resin
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semiconductor
equivalent
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JP4222680A
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Nobuo Ichimura
信雄 市村
Kimihide Fujita
公英 藤田
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors

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  • Epoxy Resins (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接着剤の硬化時の樹脂のにじみ出し(ブリー
ド)を防ぐ半導体素子用接着剤を提供する。 【構成】 液状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及
び、一般式(I)で表される化合物をエポキシ樹脂の1
当量に対して0.001〜0.01当量添加してなる半
導体素子用接着剤。 【化1】 (但し、R1及びR2は水素または同一または異なるアル
キル基、R3は炭素数が11以上のアルキル基を示す)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子用接着剤およ
び半導体装置に関し、さらに詳しくは工程の短縮化およ
び低コスト化が図れ、かつ接着剤の硬化時のにじみ出し
の無い高信頼性の半導体装置を得ることができる半導体
素子用接着剤およびこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際の半導体
素子をリードフレーム(支持部材)に接合する方法とし
ては、(1)金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤
として用いる方法、(2)エポキシ樹脂系、ポリイミド
樹脂系等の有機材料に銀粉等を分散させてペースト状態
とし、これを接着剤として用いる方法などがある。しか
しながら、前者の方法ではコストが高く、350〜40
0℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬く
熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近では、
銀ペーストを用いる後者の方法が主流となっている。こ
の方法は、一般に銀ペーストをディスペンサーやスタン
ピングマシンを用いてリードフレームに塗布した後、半
導体素子をダイボンディングし、加熱硬化させて接合す
るものである。該加熱硬化の方法としては、オーブン中
で硬化させるバッチ方式と、加熱されたプレート上で硬
化させるインライン方式とがある。
【0003】前者のバッチ方式の場合には、エポキシ樹
脂系ペーストでは150〜180℃で1〜2時間、ポリ
イミド樹脂系ペーストでは180〜300℃で1〜2時
間という長い硬化時間が必要である。一方、後者のイン
ライン方式の場合には、硬化時間が30〜120秒と短
時間であるが、エポキシ樹脂系ペーストでも230〜3
50℃という高温で加熱する必要がある。このため、ペ
ーストに含まれる溶剤や反応性希釈剤が短時間に揮発し
てペースト硬化物中にボイドが残り易くなり、接着強度
が低下し、また半導体素子の浮きが生じたり、揮発成分
によって素子の表面が汚染され、半導体装置の信頼性が
低下する欠点があった。また、液状のエポキシ樹脂を用
いることで、反応性希釈剤の量が少なくなるため、前記
ボイドは減る反面、樹脂のにじみ出し(ブリード)が発
生しやすくなる欠点があった。すなわちこの現象は、液
状のエポキシ樹脂を用いたペーストを半導体素子の支持
部材(リードフレーム)に塗布し、その上に半導体素子
を載せ硬化する際、ペースト中の樹脂が支持部材表面の
銀メッキ表面ににじみ出て来る、いわゆるブリードとな
るものである。ブリードが発生すると、その部分は封止
材との密着性が低下し、また、アースボンディング部ま
でブリードが達するとワイヤボンディングできずあるい
はボンディングできても容易にはがれる等の問題から半
導体装置の信頼性が低下する欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の欠点を除去し、ペーストからのブリードが無く、
半導体素子と支持部材とを低温かつ短時間で接合させる
ことができる半導体素子用接着剤及び、これを用いた半
導体装置を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は(1)常温にお
いて液状のエポキシ樹脂(a)または常温において固形
もしくは半固形のエポキシ樹脂とこれを溶解しうる液状
のエポキシ樹脂を混合し、常温において液状を示すよう
に調整された混合エポキシ樹脂(b)、(2)硬化剤、
(3)硬化促進剤及び(4)添加剤として一般式(I)
【化2】 (但し、R1及びR2は水素または同一または異なるアル
キル基を示し、R3は炭素数が11以上のアルキル基を
示す)で表されるイミダゾール化合物を含み、且つ
(4)添加剤の量をエポキシ樹脂(a)または混合エポ
キシ樹脂(b)の1当量に対し、0.001〜0.01
当量としてなる半導体素子用接着剤、及びこの半導体素
子用接着剤を用いて半導体素子を支持部材に接合してな
る半導体装置に関する。
【0006】本発明に用いられる常温において液状のエ
ポキシ樹脂(a)としては1分子中に2個以上のエポキ
シ基を有することが硬化性の点で好ましいが特に制限は
ない。このようなエポキシ樹脂としては、例えばビスフ
ェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールADな
どとエピクロルヒドリンとから誘導されるエポキシ樹
脂、それぞれAER−X8501(旭化成工業社製)、
YDF−170(東都化成社製)、R−710(三井石
油化学社製)、ノボラック型エポキシ樹脂N−730S
(大日本インキ社製)などが挙げられる。これらのエポ
キシ樹脂を適宜組み合わせて用いてもよい。
【0007】本発明に用いられる常温において固形もし
くは半固形のエポキシ樹脂(b)にも、特に制限はない
が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、Ouatr
ex−2010(ダウ・ケミカル社製)、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂 YDCN−702(東都化成
社製)、EOCN−100(日本化薬社製)、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、R−301、YL−980
(油化シェルエポキシ社製)、多官能エポキシ樹脂 E
PPN−501(日本化薬社製)、TACTIX−74
2(ダウ・ケミカル社製)、VG−3101(三井石油
化学工業社製)、1032S(油化シェルエポキシ社
製)、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂HP−40
32(大日本インキ化学社製)、脂環式エポキシ樹脂
EHPE−3150(ダイセル化学工業社製)などがあ
る、またこれらのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用い
てもよい。これらのエポキシ樹脂は、これを溶解しうる
液状のエポキシ樹脂と混合されて常温において液状を示
すように調整されて使用される。
【0008】本発明に用いられる、固形もしくは半固形
のエポキシ樹脂を溶解しうる液状のエポキシ樹脂として
は、前記のエポキシ樹脂(a)を用いることができ、さ
らにフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジル
エーテル、パラターシャリブチルフェニルグリシジルエ
ーテル、パラセカンダリフェニルグリシジルエーテル、
アミン型エポキシ樹脂ELM−100(住友化学社製)
などの反応性希釈剤を用いることもできる。
【0009】本発明に用いられる硬化剤としては、特に
制限はないが、例えばフェノール樹脂、H−1(明和化
成社製商品名)、フェノールアラルキル樹脂、XL−2
25(三井東圧化学社製商品名)、ジシアンジアミド、
SP−10(日本カーバイド社製商品名)、二塩酸ジヒ
ドラジド、ADH、PDH、SDH(日本ヒドラジン工
業社製商品名)、イミダゾール類、キュアゾール(四国
化成社製商品名)、マイクロカプセル型硬化剤、ノバキ
ュア(旭化成工業社製商品名)などが挙げられる。更
に、硬化促進剤としては、EMZ・K、TPP.K(北
興化学社製商品名)等の有機ボロン塩、三級アミン類及
びその塩、DBU、U−CAT102、106、83
0、340、5002(サンアプロ社製商品名)等の三
級アミン類及びその塩、キュアゾール(四国化成社製商
品名)等のイミダゾール類などが挙げられる。これら硬
化剤及び硬化促進剤は単独で用いてもよく、数種類の硬
化剤及び硬化促進剤を適宜組み合わせて用いてもよい。
【0010】本発明の一般式(I)で表される添加剤と
しては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシ
ルイミダゾール等が挙げられる。一般式(I)のR1
よびR2のアルキル基としては炭素数が1〜2のアルキ
ル基が好ましい。R3は炭素数が17以下のアルキル基
が好ましい。この使用量は、上記のエポキシ樹脂の1当
量に対して0.001〜0.01当量、貯蔵安定性から
好ましくは0.001〜0.005当量である。0.0
01当量未満ではブリード抑制に劣り、0.01当量を
越えると粘度上昇が著しく実用性に乏しい。すなわち、
一般式(I)で表されるイミダゾール類は、エポキシ樹
脂の硬化剤または硬化促進剤としては知られているが、
本発明で一般式(I)で表されるイミダゾール化合物は
硬化剤または硬化促進剤として用いられるものではな
い。また、硬化促進剤として用いる場合には、エポキシ
樹脂の1当量に対し0.017〜0.1当量で用いるこ
とが知られているが、本発明では0.001〜0.01
当量の範囲で用いられ、ブリード抑制剤として著しい効
果を示すものである。
【0011】本発明に用いられる充てん材であるシリカ
粉末としては、例えば超微粒子シリカ粉アエロジルRY
−200(日本アエロジル社製)、クリスタライト5X
−X(龍森社製)等が挙げられ、また、銀粉末として
は、粒径、形状等に制限は無く、フレーク状、樹枝状、
球状、不定形等の銀粉末が使用可能であるり例えば、シ
ルベストTCG−1(徳力化学研究所社製)、シルフレ
ークAgc−A(福田金属箔粉工業社製)等が挙げられ
る。
【0012】本発明になる接着剤はその作成時の作業性
及び使用時の塗布作業性をより良好ならしめるため、必
要に応じて、希釈剤を添加することができる。これらの
希釈剤としては、ブチルセロゾルブ、カルビトール、酢
酸ブチルセロソルブ、酢酸カルビトール、エチレングリ
コールジエチルエーテル、α−テルピネオールなどの比
較的沸点の高い有機溶剤、PGE(日本化薬社製)、P
P−101(東都化成社製)、ED−502、503
(旭電化社製)、YED−122(油化シェルエポキシ
社製)、KBM−403、LS−7970(信越化学工
業社製)、TSL−8350、TSL−8355、TS
L−9905(東芝シリコーン社製)などの1分子中に
1〜2個のエポキシ基を有する希釈剤等が挙げられる。
本発明になる接着剤には、更に必要に応じてシランカッ
プリング剤、チタンカップリング剤等の接着力向上剤、
ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などの濡れ
向上剤、シリコーン油などの消泡剤等も適宜添加するこ
とができる。
【0013】本発明になる半導体素子用接着剤は、例え
ば前記液状エポキシ樹脂または固形のエポキシ樹脂を前
記液状エポキシ樹脂または希釈剤に溶解した溶液をフラ
スコ内で80〜120℃の温度で溶解混合してワニスと
し、このワニスに硬化剤、硬化促進剤、及び一般式
(I)で表される添加剤を例えば三本ロール、プラネタ
リミキサ、らいかい器、ボールミル等により混合して得
られる。
【0014】本発明になる接着剤を用いた半導体装置
は、リードフレーム等の支持部材に本発明の接着剤を注
射筒を用いたディスペンス法、スタンピング法、スクリ
ーン印刷法等により塗布したのち、半導体素子を圧着
し、その後熱風循環式乾燥器、ヒートブロックなどの加
熱装置を用いて加熱硬化して半導体素子を支持部材に接
合し、その後通常のワイヤボンディング工程、封止工程
を経て製造される。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例1 YDF−170(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エ
ポキシ当量170、東都化成製商品名)24重量部
(0.15当量)、ジシアンジアミド0.181重量
部、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチル
イミダゾール(以下2P4MHZと略す)1.222重
量部、HX−3742(マイクロカプセル型変性イミダ
ゾール、旭化成製商品名)0.5重量部、2−ヘプタデ
シルイミダゾール0.398重量部(エポキシ樹脂1当
量に対して0.0087当量)を三本ロールで均一に混
合し、接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示
す。
【0016】実施例2 実施例1の配合にRY−200(シリカ粉、日本アエロ
ジル製商品名)0.6重量部を加え、実施例1と同様に
して接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示す。
【0017】実施例3 実施例2のRY−200を銀粉シルフレークAgc−A
(福田金属箔粉製商品名)56重量部に代え実施例2と
同様にして接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に
示す。
【0018】実施例4 実施例2の2−ヘプタデシルイミダゾールを2−ウンデ
シルイミダゾール0.289重量部(0.0087当
量)に代え、実施例2と同様にして接着剤を得た。この
特性の評価結果を表1に示す。
【0019】実施例5 YDF−170 10重量部にQuatrex−201
0 4重量部(ダウ・ケミカル社製商品名、エポキシ当
量180)及びN−730 10重量部(大日本インキ
社製商品名、エポキシ当量180)を加え、100℃に
加熱して1時間撹拌して液状の混合エポキシ樹脂を得
た。これを23〜25℃まで冷却した後、ジシアンジア
ミド、2P4MHZ、HX−3742、2−ヘプタデシ
ルイミダゾール及びAgc−Aを表1に示す配合比で三
本ロールにより混合し接着剤を得た。この特性の評価結
果を表1に示す。
【0020】実施例6 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールの量を0.0
5重量部(0.0011当量)に変え、実施例3と同様
にして接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示
す。
【0021】実施例7 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールの量を0.2
3重量部(0.005当量)に変え、実施例3と同様に
して接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示す。
【0022】比較例1 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールの量を0.0
25重量部(0.0005当量)に変え、実施例3と同
様にして接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示
す。
【0023】比較例2 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールの量を1.0
重量部(0.022当量)に変え、実施例3と同様にし
て接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示す。
【0024】比較例3 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールを2E4MZ
−CN(1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイ
ミダゾール、四国化成社製商品名)0.3重量部を変
え、実施例3と同様にして接着剤を得た。この特性の評
価結果を表1に示す。
【0025】比較例4 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールを2MZ−C
N(1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、四国
化成社製商品名)0.3重量部に変え、実施例3と同様
にして接着剤を得た。この特性の評価結果を表1に示
す。
【0026】比較例5 実施例3の2−ヘプタデシルイミダゾールを除いて、他
は実施例3と同様にして接着剤を得た。この特性の評価
結果を表1に示す。
【0027】比較例6 フェノールノボラツク樹脂H−1(明和化成社製商品
名)16重量部にパラセカンダリフェニルグリシジルエ
ーテル(ELD−230、住友化学社製商品名)10重
量部を加え、100℃に加熱して1時間撹拌し、冷却後
YDF−170を24重量部、更に2−ヘプタデシルイ
ミダゾールを1.2重量部(0.026当量)Agc−
A 119重量部を三本ロールで均一に混合し、接着剤
を得た。この特性の評価結果を表1に示す。
【0028】特性の評価方法 (1)粘度 EHD型粘度計(東京計器製)を用いて、25℃におけ
る粘度(Pa・s)を測定した。 (2)ゲル化時間 JIS C 2104に準じ、120℃におけるゲル化
時間を測定した。 (3)ブリード リードフレームの銀メッキ部に接着剤を塗布後、200
℃に加熱されたヒートブロック上で接着剤を硬化し、ブ
リードの有無を実体顕微鏡(倍率;30倍)により観察
した。○はブリード(硬化部周辺からの樹脂成分のしみ
出し)の発生なし、×はブリードの発生ありを示す (4)貯蔵安定性 接着剤を25℃の雰囲気中に放置し、3日後に初期粘度
の何倍になるかを測定した。
【0029】
【表1】
【0030】表1及び図に見られるように比較例では塗
布された接着剤の周辺に樹脂のブリードが発生し、塗布
量によっては支持部材全面にまで広がり、封止材との密
着性、或はアースボンディングの接着性の阻害になる
が、本発明の接着剤によれば、表1、図に示されるよう
にブリードは全く発生しない。
【0031】
【発明の効果】本発明になる半導体素子用接着剤は、そ
の添加剤のブリード抑制作用により、接着剤が硬化する
時の樹脂のブリードを押さえることができ、この接着剤
を半導体装置のダイボンディング剤として使用した場合
に、アースボンディング用ワイヤのボンディングの信頼
性を向上させることができ、また支持部材と封止材の密
着性が低下しないため、半導体装置としての信頼性を向
上させることができる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (1)常温において液状のエポキシ樹脂
    (a)または常温において固形もしくは半固形のエポキ
    シ樹脂とこれを溶解しうる液状のエポキシ樹脂を混合
    し、常温において液状を示すように調整された混合エポ
    キシ樹脂(b)、(2)硬化剤、(3)硬化促進剤及び
    (4)添加剤として一般式(I) 【化1】 (但し、R1及びR2は水素または同一または異なるアル
    キル基を示し、R3は炭素数が11以上のアルキル基を
    示す)で表されるイミダゾール化合物を含み、且つ
    (4)添加剤の量をエポキシ樹脂(a)または混合エポ
    キシ樹脂(b)の1当量に対し、0.001〜0.01
    当量としてなる半導体素子用接着剤。
  2. 【請求項2】 さらに充てん材を含有する請求項1記載
    の半導体素子用接着剤。
  3. 【請求項3】 充てん材が、シリカ粉末である請求項2
    記載の半導体素子用接着剤。
  4. 【請求項4】 充てん剤が、銀粉である請求項2記載の
    半導体素子用接着剤。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体
    素子用接着剤を用いて半導体素子を支持部材に接合して
    なる半導体装置。
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