JPH0669290A - ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法

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JPH0669290A
JPH0669290A JP4136433A JP13643392A JPH0669290A JP H0669290 A JPH0669290 A JP H0669290A JP 4136433 A JP4136433 A JP 4136433A JP 13643392 A JP13643392 A JP 13643392A JP H0669290 A JPH0669290 A JP H0669290A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置の半導体素子とリードとを金属細線
で接続するワイヤーボンディング工程において、リード
と金属細線とのボンディング強度を向上させる。 【構成】超音波と熱エネルギーとを併用するワイヤーボ
ンディング方法において、リードの位置により超音波の
発振方向を変化させてワイヤーボンディングを行うもの
で、これを実現するため、1つの半製品を2つのボンデ
ィングステージ上で超音波の発振方向を変えてワイヤー
ボンディングを行なえる装置とし、また他の方法とし
て、半導体装置を搭載しているリードフレームの角度を
変えてワイヤーボンディングを行う装置としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディング装
置およびワイヤボンディング方法に係わり、特に超音波
熱圧着法を用いたワイヤボンディング装置及びワイヤボ
ンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子上の電極であるパットとリー
ドとを電気的に導通させるために金属細線で結線するワ
イヤーボンディング法には超音波接着法,熱圧着法超音
波熱圧着併用法があるが、最も広く用いられる金ワイヤ
によりパットとリードとを接合するには熱圧着法,超音
波熱圧着併用法が一般的に行なわれている。
【0003】熱圧着法は300〜350℃程度の温度で
半導体素子かリードなどの被ボンディング部分を加熱す
る必要があるため、リードフレームの変形かリードフレ
ームに銅材を用いた場合などは銅材の酸化が短時間で進
むこと、さらにリードの振動防止のためリード上にポリ
イミドテープを貼っていたり、リードの下に半導体装置
の熱抵抗を下げるために、エポキシ系の接着材を両面に
塗られたフィルムを界して銅板が貼り付けられたものが
あり、これらフィルムか接着材は高温で変質か軟化をし
てしまうなどの問題があるため、熱圧着法より低温(2
00℃程度)でワイヤボンディングすることが可能な超
音波熱圧着併用法によりワイヤボンディングを行うこと
が主流となっている。
【0004】超音波熱圧着併用法は、熱エネルギーと超
音波エネルギーとを併用してワイヤボンディングを行う
方法で、図6にこのボンディング装置の概略を示す。図
6において、加熱機構を有するボンディングステージ7
上でキャピィラリー8の先端から供給される金線(図示
せず)により、半導体素子18上のパットとリード16
とを結線する。このとき超音波は、ボンディングアーム
1に取り付けられた振動子3の発生させる超音波が振動
方向2でボンディングアーム1を伝搬し、キャピィラリ
ー8に伝わり金線と被ボンディング部の接合部に作用す
る。接合は、この超音波エネルギーとボンディングステ
ージ7から供給される熱エネルギーとによりなされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の高集積度
化にともない半導体装置は多ピン化されリード幅が細く
なってきている。リード幅が細くなるほどリードの強度
は弱くなり、ワイヤーとリードとを接合する際印加する
超音波に対するリード剛性が不足し、リードが超音波と
ともに振動するため、リードとワイヤとの接合面に所望
の超音波を印加させることが困難となってきている。
【0006】特に図7のように半導体装置の熱抵抗を下
げるために素子搭載部と兼用しているヒートシンク20
を接着材21が両面に塗られたフィルム19を介してリ
ード16に貼った構造のリードフレームでは、ワイヤー
ボンディング時リードが振動しやすいためリードとワイ
ヤーの接合面に作用する超音波が少なくまた不安定とな
ってリード上にワイヤーを接合させること難かしくな
る。
【0007】図9にヒートシンク付リードフレームで、
リード厚が150μm、リード幅100μmのときリー
ド形成方向と超音波の振動方向とのなす角θ(図9参
照)とリード側プル強度との関係を示す。θが90de
gに近くなるほどワイヤープル強度が弱くなっており8
0degでほぼ強度が50%改善され70degでは9
0%以上改善していることがわかる。これは、超音波の
振動方向に対してリード成形方向が直角に近くなるほど
振動方向に対するリードの剛性が弱くなり超音波により
リード全体が振動して超音波エネルギーが、ワイヤーと
リードとの接合面に作用しなくなるためであると考えら
れる。
【0008】このようにリードの形成方向により、図8
において、リード形成方向24と超音波の振動方向2と
のなす角25をθとすると、θが90degに近くなる
と超音波のエネルギーはリード16とワイヤーとの接合
面に作用しにくくなるためワイヤーとリードとの接合力
が弱く、特にリード幅が細くなるほどこの傾向が強く表
われ、リードとワイヤーとの接合性が損なわれ接合しな
くなる割合も多くなる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードとワイ
ヤーとの接合性を高めるためリード成形方向により超音
波の振動方向を変えてワイヤーボンディングを行う方法
及びこれを可能とする装置として、1.2つのボンディ
ングヘッドを有し、これらのボンディングヘッドに搭載
される超音波発振用の振動子は、超音波の振動方向のな
す角を20〜90degとなるよう取り付けた装置。
2.ボンディングヘッドを回転させる機構を持たせた装
置。3.ボンディングステージとリードフレームの保持
レールとを回転させる機構を持たせた装置を特徴とす
る。
【0010】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0011】図1は本発明の第1の実施例のボンディン
グ装置を示し、(a)は側面図、(b)は平面図であ
る。ボンディングヘッドを2台持ち、それぞれの超音波
を発生させる振動子3,3′は、超音波の振動方向がな
す角α(26)となるよう取り付けられている。ボンデ
ィングヘッド5は、XYテーブル6によりボンディング
ステージA12の範囲をキャピィラリー8が自由に動け
るようになっており、同様にボンディングヘッド5′
は、XYテーブル6′によりボンディングステージB1
3の範囲をキャピィラリーが自由に動けるようになって
いる。
【0012】半導体素子を搭載した複数の半製品から成
るリードフレーム(図示せず)は、リードフレーム供給
部9からリードフレーム搬送レール4を通って、リード
フレーム収納部10に収納される構造となっている。
【0013】本発明のボンディング装置におけるワイヤ
ーボンディング方法は、リードフレーム供給部より供給
されたリードフレーム搬送レール4上のリードフレーム
上の1つの半製品がボンディングステージA12上で図
3に示す1つの半製品の区分線S及びS′で仕切られた
A,Cの領域の位置のリード16と半導体素子18のパ
ット22との間をワイヤーボンディングし、次にリード
フレームを搬送してボンディングステージB13上で残
りの図3に示すB,Dの領域をワイヤボンディングし1
つの半製品のワイヤボンディングを完了する。
【0014】このように超音波の発振方向が異なる2つ
のボンディングアーム1を使用してワイヤーボンディン
グすることにより、2つのボンディングアームの振動方
向のなす角αが40degのとき、どのリードに対して
もリードの成形方向と70deg以下の角度でワイヤー
ボンディングできるため、図9のリード形成方向と超音
波の振動方向とのなす角θとリード側プル強度との関係
で示すようにリードとワイヤーとの密着強度を従来のワ
イヤーボンディング装置を使用し従来方法でワイヤーボ
ンディングをしたときと比べ90%以上改善することが
できる。
【0015】図2は本発明の第2の実施例のワイヤボン
ディング装置を示す概略図で、(a)が側面図(b)が
平面図である。このワイヤボンディング装置は、ボンデ
ィングヘッド5とXYテーブル6との間にコントロール
ユニットにより制御された回転テーブル11が設置さ
れ、この回転テーブルを回転させることにより、ボンデ
ィングステージA12とボンディングステージB13と
でワイヤボンディング動作ができる構造となっている。
図2では回転テーブル11は、XYテーブル6とボンデ
ィングヘッド5との間にあるが、XYテーブル6の下に
回転テーブルを設けても良い。
【0016】このボンディング装置におけるボンディン
グ方法は、ボンディングステージA上で図3の半製品の
A,Cの位置をボンディングし、次にリードフレームを
搬送してボンディングステージB上にこの半製品を送
り、またボンディングヘッド5は、回転テーブル11を
回転させてボンディングステージBの位置でワイヤボン
ディングできるようにする。ボンディングステージBで
図3のB,Dの位置のボンディングを行い1つの製品の
ボンディング動作が完了する。
【0017】回転テーブルの回転角が40degのとき
全てのリードに対してリード成形方向と超音波の振動方
向とが70deg以下の角度でワイヤボンディングでき
るようになるため、リードとワイヤーとの密着強度を向
上させることができる。
【0018】図4は、本発明の第3実施例のワイヤボン
ディング装置を表わす概略図で、(a)は側面図、
(b)は平面図である。リードフレーム搬送レールの下
にはコントロールユニットにより制御された回転テーブ
ル14が設置され、リードフレーム全体を回転できる構
造としている。
【0019】このワイヤーボンディング装置を用いた本
発明のワイヤボンディング方法はリードフレーム供給部
9よりリードフレームを取り出し、リードフレームを搬
送してボンディングステージ15上に1つの半製品をの
せ、次に図5(a)のように回転テーブルを回転させ
て、図3のB,Dの位置をワイヤボンディングし、さら
に回転テーブルを回転させて図5(b)のような向きで
図3のACの位置をワイヤボンディングすることで1つ
の半製品のワイヤボンディング動作を完了させ、次の半
製品をボンディングステージ15上に搬送させる。1リ
ードフレーム上にある半製品の数だけこの動作をくりか
えし、1リードフレーム上にある半製品のワイヤボンデ
ィングを完了させたら、レールを回転させ図4の(b)
の位置にレールを戻しリードフレームをリードフレーム
収納部10へ搬送させる。
【0020】回転テーブルの回転角を40degとする
と、どのリードに対してもリード成形方向と70deg
以下の角度でワイヤボンディングができるようになるた
めリードとワイヤーとの密着強度を向上させることがで
きる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードの
位置により超音波の振動方向を変えてワイヤーボンディ
ングできるようにしたことによりリード幅の細いリード
でもワイヤーとの密着強度を上げることができる。例え
ば図7のようなヒートシンク付のリードフレームで、リ
ードが0.15mm厚の銅材で、リード幅が100μm
のとき従来のように超音波の振動方向が一方向の場合リ
ード成形方向と超音波の振動方向とのなす角θが90d
egとなるリードでは、図9に示すようにリードとワイ
ヤーとの密着強度がθが60deg以下となるリードに
比べて、θ=60degのときプル強度11.2gに対
しθ=90degのとき5.0gと、45%程度に落ち
るが、本発明で超音波の振動方向を1つの半製品に対し
て40deg変化させてワイヤーボンディング行なった
場合、どのリードに対してもθを70deg以下とする
ことができるため密着強度はθ=70degのときプル
強度10.8gとなり90%程度改善され、密着の信頼
性を上げることができる。さらにリードとワイヤーとの
密着性が向上するため、現状よりリード幅の細いものも
ボンディング可能となりリード数を増やすことができ、
さらに多ピンの半導体装置でも組立られるようになる。
また、リードの振動を低減できるため、より少ない超音
波でワイヤボンディング可能なため、超音波の影響によ
るワイヤー変形を低減できるのでさらに長ワイヤーでの
ワイヤ形成が可能となり半導体装置の設計の自由度が増
加する。
【0022】効果の表われる二つの超音波の発振方向の
なす角θは図9よりθ=20degより小では効果はほ
とんどなく、少なくとも20deg以上である必要があ
りθが90degに近くなるほど大きな効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のボンディング装置の概
略図で、(a)が側面図、(b)が平面図。
【図2】本発明の第2の実施例のボンディング装置の概
略図で、(a)が側面図、(b)が平面図。
【図3】本発明のボンディング方法を説明するための半
導体装置の平面図及びリードフレームの搬送レールの位
置を示す図でS,S′は、ボンディング位置A,B,
C,Dを分ける区分線。
【図4】本発明の第3の実施例のボンディング装置の概
略図で、(a)が側面図、(b)が平面図。
【図5】本発明の第3の実施例を説明するためのボンデ
ィング装置の概略を表わす平面図。
【図6】従来のボンディング装置の概略図で、(a)が
側面図、(b)が平面図。
【図7】本発明を説明するためのヒートシンク付半導体
装置用のリードフレームの図で、(a)が平面図で、
(b)は、(a)のX−X′線断面図。
【図8】本発明の効果を説明するための半導体装置の部
分平面図。
【図9】本発明の効果を説明するためのリード成形方向
と超音波の振動方向とのなす角θとリード側プル強度と
の関係を示す図。
【符号の説明】
1 ボンディングアーム 2 超音波の発振方向 3 振動子 4 リードフレーム搬送レール 5 ボンディングヘッド 6 XYテーブル 8 キャピィラリー 9 リードフレーム供給部 10 リードフレーム収納部 11 回転テーブル 12 ボンディングステージA 13 ボンディングステージB 14 回転テーブル 15 ボンディングステージ 16 リード 17 リードフレーム 18 リードフレーム搬送レール 19 フィルム 20 ヒートシンク 21 接着材 22 パット 23 リード幅 24 リード形成方向 25 リードと成形方向と超音波の振動方向とのなす
角θ 26 二つの超音波の振動方向のなす角α 27 半導体素子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 超音波と熱エネルギーとを併用するワイ
    ヤーボンディング方法において、リードの位置により超
    音波の振動方向を変化させることを特徴とするワイヤボ
    ンディング方法。
  2. 【請求項2】 超音波と熱エネルギーとを併用するワイ
    ヤボンディング方法において、半導体素子とリードとを
    金属細線により結線動作を行うボンディングステージを
    2ヶ所設け、それぞれのボンディングステージ上で超音
    波の発振方向を20deg〜90deg変化させ、1つ
    の半製品に対してそれぞれのステージ上で2回に分けて
    ワイヤーボンディングを行うことを特徴とするワイヤボ
    ンディング方法。
  3. 【請求項3】 超音波と熱エネルギーとを併用するワイ
    ヤボンディング方法において、ボンディングステージ及
    び半導体素子を搭載するリードフレームの保持レールと
    を20deg〜90deg回転させることにより、1つ
    の半製品のワイヤーボンディングを行うことを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
  4. 【請求項4】 超音波と熱エネルギーとを併用させてワ
    イヤボンディングを行うワイヤボンディング装置におい
    て、2つのボンディングヘッドを有し、これらのボンデ
    ィングヘッドに搭載される超音波発振用の振動子は、超
    音波の発振方向のなす角が20〜90degであるよう
    取り付けられていることを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  5. 【請求項5】 超音波と熱エネルギーとを併用させてワ
    イヤボンディングを行うワイヤボンディング装置におい
    て、複数のボンディングステージを持ちボンディングヘ
    ッドを回転させる回転テーブルを設置したことを特徴と
    するワイヤボンディング装置。
  6. 【請求項6】 超音波と熱エネルギーとを併用させてワ
    イヤボンディングを行うワイヤボンディング装置におい
    て、ボンディングステージ及びリードフレーム保持レー
    ルとを20deg〜90degの範囲内で回転させる回
    転テーブルを設置したことを特徴とするワイヤボンディ
    ング装置。
JP4136433A 1992-05-28 1992-05-28 ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 Withdrawn JPH0669290A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124974A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Nec Corp 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
US6182882B1 (en) * 1997-10-31 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Angled transducer-dual head bonder for optimum ultrasonic power application and flexibility for tight pitch leadframe
WO2006111097A1 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Itm (Shenzhen) Limited An ultrasonic wire bonding method and bonding apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124974A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Nec Corp 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
US6182882B1 (en) * 1997-10-31 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Angled transducer-dual head bonder for optimum ultrasonic power application and flexibility for tight pitch leadframe
WO2006111097A1 (en) * 2005-04-20 2006-10-26 Itm (Shenzhen) Limited An ultrasonic wire bonding method and bonding apparatus
CN100355525C (zh) * 2005-04-20 2007-12-19 艾逖恩机电(深圳)有限公司 超声波焊线方法及其焊线装置

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