JPH0669568A

JPH0669568A - レーザ光発振装置

Info

Publication number: JPH0669568A
Application number: JP22123992A
Authority: JP
Inventors: Herumufurido Suten; ステン・ヘルムフリド; Kimio Tateno; 公男立野; Tetsuo Ando; 哲生安藤; Takeshi Miyai; 剛宮井
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Proterial Ltd
Priority date: 1992-08-20
Filing date: 1992-08-20
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】光学メモリに対する共振器内倍周波半導体レ
ーザ・ポンプ型固体レーザの長時間安定性改良する。【構成】ゲイン媒体の複屈折性を制御し、共振器の全
光路長を制御し、且つ薄い板のゲイン媒体を使用により
安定な単一モード動作を得ることである。ゲイン媒体複
屈折性についての制御はウェジ付板を並進運動させるか
又は温度調節することにより達成される。共振器の全光
路長は共振器温度を合わせることで調整される。吸収深
さのほぼ２倍の厚さを持つ板が使用されるならば、縦多
モード発振に対する閾値が高められる。【効果】共振器内倍周波デバイスの長時間安定性が改
良されることである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】短い波長且つ低い雑音を持つコン
パクトな可干渉性の光源は光メモリの応用にとって重要
である。記載媒体における記録密度は、読出し及び記録
のために使用される光ビームのスポット・サイズにより
決定される。回折限界で集束された光ビームのスポット
半径は波長に比例することは良く知られている。もしも
光線の周波数倍増が使用されるとすると、光メモリの記
録密度を大きく増大させるのが可能である。応用として
は、例えばレーザ手術や、レーザビーム加工及び光通信
で、短い波長、且つ低い雑音を有するレーザ線が望まし
い領域においても見出せる。

【０００２】

【従来の技術】市販の光メモリにおいて、読出し及び記
録のために使用されるレーザ光線は、コンパクトでしか
も低雑音に作られる半導体レーザにより供給されてい
る。半導体レーザからのビームの光子エネルギは半導体
のバンド・ギャップを大きく越えることができず、現
在、III−Ｖ材料の放出波長の下限は５８０ｎｍであ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】光ピックアップの光源
として、短波長のレーザ光を得るには周波数倍増法が魅
力のある手法である。１つの可能性は、例えばネオジミ
ウム・ドープされたＹＡＧを固体ホスト材料として持つ
半導体レーザ励起型ミニ固体レーザにおいてその高周波
を使用することである。固体レーザはしばしば、各々が
２つの異なる偏光モードへ分割している幾つかの縦モー
ドでもって発振する。均質に広げられたレーザ転移に対
して、空間状ホールバーニングは多モード発振を惹起す
る主なメカニズムである。例えばネオジミウムのような
希土類金属においける大抵の転移は均質に広がるものと
して知られている。

【０００４】モード間での結合は、周波数倍増されたレ
ーザ光線を発生するために非線形の光学材料が空胴に挿
入されたときに、生ずる。この結合は、その結合強度及
び共振器の設計に依存して、双安定性、周期的発振及び
カオスの原因となる。光メモリは雑音に対して非常に敏
感である。雑音問題は、レーザを単モードで動作させる
ことで回避できる。非複屈折ゲイン媒体において、例え
ばＹＡＧと同様に、四分の一波長板を共振器内に置くこ
とにより空間状ホール・バーニングを抑制することがで
きる。その結果は定在円偏光となっており、定在直線偏
光と異なって、平滑な強度分布を持っている。残る偏光
モード間での結合は共振器についての注意深い設計によ
って回避される。

【０００５】ＹＡＧは、ネオジミウム・ドープされた半
導体レーザ・ポンプ型固体レーザに対して最も広く研究
されているホスト材料の１つである。最近、ネオジミウ
ム・ドープされたＹＶＯ₄は潜在的に有用なゲイン媒体
であることが証明された。Ｎｄ：ＹＶＯ₄のｃ軸に沿っ
て偏光される光に対する放出断面積はＹＡＧの放出断面
積よりも４倍大きく、かくして、デバイスの変換効率は
ＹＡＧレーザに対するよりも大幅に高い。ＹＡＧと対照
に、結晶は複屈折であるので、その複屈折性は空間状ホ
ール・バーニングを除くための定在円偏波の使用を禁止
する。大きい放出断面積を利用するには、その共振器モ
ードがｃ軸に沿って偏光されなければならない。Ｎｄ：
ＹＶＯ₄における多モード動作を抑制する在来の方法
は、鏡の１つに隣接してゲイン媒体を置き、通常ではＫ
ＴＰである非線形結晶を、それが半波長板として作用す
るように、温度調節することである。１つの鏡に隣接し
て短い吸収長を持つゲイン媒体はモード定在波パターン
における結節のピン止めによる単一の縦モード動作を可
能にする。もしもＫＴＰ結晶が半波長板として動作する
ように温度調節されるとすると、空胴モードはゲイン媒
体のｃ軸に沿って（又は、それに直交して）偏光され
る。これは単一モード動作を可能にする。なお、ＹＶＯ
₄デバイスの長期安定性には問題がある。Ｎｄの合理的
なドーピングに対して、その吸収長は十分に大きい多モ
ード閾値を与えるほど十分に短くない。故に、多モード
動作はしばしば高いポンピング出力において観察され
る。共振器モードの偏光状態はＫＴＰの複屈折性のみに
依存するのではなくてＹＶＯ₄結晶の複屈折性にも依存
する。例えば、ＹＶＯ₄結晶におけるポンプ光線の吸収
により生じる温度シフトはその共振器に第２の偏光モー
ドの発振を誘発する。共振器内素子における温度シフト
はまた、空胴の全光路長に影響し、それにより、縦モー
ドの周波数に影響する。他の縦モードの効果的抑制は１
つの縦モードがレーザ発振のゲイン曲線の中心にあるこ
とを必要とし、光路長におけるシフトは他の縦モードに
おける発振を誘発する。

【０００６】この発明の目的は、ＹＶＯ₄結晶での複屈
折性及び光路長の制御により且つゲイン媒体の寸法を最
適化することにより、共振器内２倍波Ｎｄ：ＹＶＯ₄レ
ーザにおける多モード動作に対する閾値を高くするとと
もに、その長期安定性を改善することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】Ｎｄ：ＹＶＯ₄結晶が作
られるときには、ｃ軸に平行且つ直交して偏光する２つ
の偏光波間にランダムな位相シフトが生じる。この位相
シフトは０と２πとの間でのいづれの値でも取ることが
でき、実際の値は結晶の正確な長さ及び温度によって決
まる。位相シフトは、ＹＶＯ₄のウェジ付板を作ること
により、機械的に合わせることができる。Ｎｂ：ＹＶＯ
₄結晶の複屈折性におけるオン・ライン・ドリフトは温
度調節によって補償される。ＫＴＰ結晶は常に半波長板
として作用し且つ共振器の全光路長が制御されなればな
らないので、Ｎｄ：ＹＶＯ₄結晶及びＫＴＰ結晶の温度
については分離せる制御を必要とする。

【０００８】もしもゲイン媒体板が薄いならば、短い吸
収深さを持つ材料の場合でさえ、多一縦モード発振が発
生するポンピング出力が大幅に増大する。薄過ぎる板
は、製作するのが固難なので、ゲイン媒体は不均一にド
ープされる。この場合、鏡が付着される表面に隣接した
薄い領域は均一なＮｄドーピングを持つ必要があるが、
結晶の残りはドープされないまゝに置かれる。

【０００９】

【作用】最も簡単なＮｂ：ＹＶＯ₄内部共振２倍波レー
ザは、片側に付着された平坦な鏡を持つＮｂ：ＹＶＯ₄
結晶と、ＫＴＰ結晶と、出力結合鏡とから成っている。
倍周波プロセスでの最高の変換効率を得るには、ＫＴＰ
結晶の軸がＮｂ：ＹＶＯ₄結晶の軸に対して４５゜に配
向される必要がある。共振器モードの偏光は、２つの結
晶に導入される異なる偏光の波それぞれの間での位相シ
フトに依存する。その偏光状態は、共振器における１往
復後でも、不変でなければならない。位相シフトがπの
整数倍になるように、ＫＴＰ結晶の温度を調節すること
は好都合である。１往復での光は結晶を２回通過して、
２πの全位相シフトを与えるので、ＫＴＰ結晶は共振器
における光線の偏光に影響しない。この場合、２つの可
能なモードがＮｂ：ＹＶＯ₄の軸に沿って偏光される。
放出断面積はその軸に直交せる断面よりもｃ軸に沿う方
が大きいので、単一偏光モード発振が簡単である。しか
しながら、もしも、Ｎｂ：ＹＶＯ₄における位相シフト
がπの整数倍であるならば、この結晶は偏光状態にまっ
たく影響しない。もしもＫＴＰの複屈折に僅かなシフト
があるならば、そうしたモードはＮｂ：ＹＶＯ₄に対し
て４５゜において、ＫＴＰ結晶の軸に沿って偏光される
ことになる。そこでの両モードは高利得のｃ軸に沿って
等しく大きな成分を持っているので、同時に振動し始め
ることになる。極く一般的に見て、Ｎｂ：ＹＶＯ₄にお
ける位相シフトがηπに近ければ近いほど、ＫＴＰの複
屈折性でのシフトに対する偏光状態は一層高感度にな
る。もしも制御がゲイン媒体の位相シフトに対して適用
されないとすると、レーザは無制御状態において突然、
不安定な領域に入る。ゲイン媒体の機械的に調節された
ウェジ付板を使用することにより、その位相シフトは最
も安定した構成であるπ／２＋ηπとなるように調整さ
れる。例えば、変化した温度による位相シフトでのドリ
フトを防止するには、付加的な温度制御が必要である。

【００１０】また、単一縦モード動作はグリーン・ノイ
ズの問題を避けるのに重要である。レーザ発振の放出断
面積は周波数の関数であり、そして、最大の放出断面積
を持つモードが最初にレーザ発振を始める。このモード
に対する利得は損失を越えられないので、その利得つま
り反転分布密度は、ポンピング率が増大されたとしてさ
えも、その閾値においてクランプされる。他のモードの
利得は第１のモードのものよりも僅かばかり低いので、
それらは決してその発振閾値に致達できない。生じる多
モード発振にとって、そこには、第１の発振モードによ
りアクセスされない反転分布の一部が存在しなければな
らない。反転分布のこの部分において、その反転分布密
度は閾値においてクランプされず、かくして、他のモー
ドは低い放出断面積を補償する余分な利得を得ることが
できる。かかる領域はレーザ放射モードの節に隣接して
存在し、そこでの強度は零である。この現象は空間状ホ
ール・バーニングと呼ばれる。多モード動作を避けるに
は、第１の発振モードの節が他のモードのピークとオー
バラップしてはならず、これは、大きい余分な利得を与
えるためである。

【００１１】短い吸収深さを持つ方法は、すべてのモー
ドが共通な節をそれらの鏡に持っているという事実を利
用している。定在波パターンの周期は異なるモードに対
して僅かばかり異なっているので、そこには、共振モー
ドのすべての節が互いに近接している鏡に隣接した領域
がある。もしもその吸収深さが十分に短いとすると、他
のモードに対する余分な利得は小さく、そして多モード
動作がかなり高いポンピング率においてセットされる。
その吸収深さはＮｄイオン濃度の減少関数である。適正
な濃度に対して、Ｎｄ：ＹＶＯ₄に対する多モード閾値
はかなり低いことが解った。

【００１２】空間状ホールバーニングによる縦モードの
余分な利得が第１の発振モードの利得よりもそのゲイン
媒体に沿って異なる分布を持っていることは重要であ
る。第１のモードに対して、そのゲイン定数はその反転
密度にじかに比例しており、それ故、ポンピング強度に
も比例している。かくして、それは、ポンプの強さと同
じ縦プロフィールを持ち、そのモードに対する光子の誘
導放出の主な部分はその吸収深さ内で得られる。他方、
その余分なゲインは２つの異なる因子、つまり、反転密
度と、レーザ放射モードでの節と他のモードのピークと
の間におけるオーバラップとに依存する。第２の因子は
入力鏡からの距離の二乗で近似的に成長する。ここで解
るように、これら２つの因子の組合せ効果は貧弱なオー
バラップにより、その入力鏡において零であって、吸収
深さの２倍で最大値を取り、その後減少する超過−ゲイ
ン・プロフィールを与える。故に、吸収深さの１倍又は
数倍の厚さを持つ結晶を使用することにより、出力電力
の僅かな減少を犠牲にすることで、多モード動作に対す
る閾値大幅に増大させることができる。

【００１３】多モード動作を導入するのに必要な余分な
ゲインは第１の発振モードと他のモードとの間でのゲイ
ンにおける差に依存する。もしもゲイン曲線の中心に縦
モードがあるとすると、その差は最大にあり、単モード
動作は比較的容易に維持される。共振器温度における僅
かなドリフト又は機械的摂動はその空胴の光路長を変
え、それにより、縦モードの周波数を変えることにな
る。結果的に、そのドリフトは多モード閾値を大きく減
少させて、グリーンノイズを誘発することになる。この
問題の回避又は輕減は共振器温度を制御することにより
達成される。

【００１４】

【実施例】ここでは、４つの異なるデバイスの設計を記
述するとともに、第２高調波発生に基づくコンパクトな
光源に対する応用についての２つの例を示す。

【００１５】〈実施例１〉図１に、ゲイン媒体について
の温度制御及びファブリペロー型共振器を持つ共振器内
倍周波ダイオードポンプ型固体レーザを示す。

【００１６】この例でのデバイスはゲイン媒体としての
Ｎｄ：ＹＶＯ₄結晶と、周波数変換に対する非線形光学
媒体としてのＫＴＰ結晶とから成っている。入力結合鏡
はゲイン媒体の表面に設けられるが、出力結合鏡は分離
している。Ｎｄ：ＹＶＯ₄の吸収バンドに対応する約８
０９ｎｍの波長で放出する半導体レーザからの光はレン
ズ（又は、異るレンズの組合せ）によりゲイン媒体へ集
束される。焦点におけるポンプビームのスポット寸法は
レーザ放射モードのスポット寸法よりも小さくなければ
ならない。標準として、そのビーム半径は５０μｍ以下
である。これは、横及び縦単モード・半導体・レーザあ
るいはブロードエリア半導体レーザがポンピングのため
に使用されるときに、容易に達成される。ＫＴＰは周波
数倍増に対して有用な材料である。ＫＴＰ結晶の典型的
寸法は、長さが４ｍｍ、断面積が１ｍｍ×１ｍｍであ
る。この場合、ＫＴＰ結晶及びＮｄ：ＹＶＯ₄結晶の温
度は２つのペルチェ冷却器により別々に制御されてい
る。即ち、ゲイン媒体及びＫＴＰ結晶に対しては別個な
ペルチェ冷却器が適用されて、共振器モードの偏光及び
位相不整合の制御を可能にする。

【００１７】〈実施例２〉図２に、ウェジ付ゲイン媒体
を持つ共振器内倍周波半導体レーザポンプ型固体レーザ
を示す。

【００１８】配列は実施例１のものと類似しており、半
導体レーザからの放射線は単一のレンズ又は複数のレン
ズの組合せによってゲイン媒体へ集束され、その放射線
はデバイスをポンピングするために使用される。一方が
ゲイン媒体の小面に設けられている２つの鏡はファブリ
・ペロー型共振器を規定している。共振器全体の温度は
ペルチェ冷却器により制御される。機械的並進装置をゲ
イン媒体に適用することにより、安定した構成が得られ
るまで共振器における偏光状態をシフトすることができ
る。即ち、ゲイン媒体により導入される位相シフトは機
械式並進運動によりバイアスされる。ウエッジ付結晶の
２つの縁部間での厚さにおける差は標準として２−３μ
ｍである。

【００１９】〈実施例３〉図３に、薄いゲイン媒体を持
つ共振器内倍周波半導体レーザポンプ型固体レーザを示
す。

【００２０】この例は、ゲイン媒体の厚さを除いて、実
施例１と同じである。通常では、ゲイン媒体には０．５
ｍｍ〜１．０ｍｍの厚さの板が使用される。しかしなが
ら、板が薄いときでの大きな多モード閾値からの利益を
受けるには、その厚さがその吸収深さの約２倍であるの
が好ましく、これは、０．５ｍｍよりも小さい厚さを意
味する。実際問題として、これだけ薄い板を作るのが困
難な場合は、板を透明な結晶に張り付ける。さもない
と、板の曲がりに問題が出る。しかしながら、図では、
付加的な透明な結晶を使用していない。

【００２１】〈実施例４〉図４に、ゲイン媒体における
活性イオンの不均一な分布を持つ共振器内倍周波半導体
レーザポンプ型固体レーザを示す。

【００２２】非常に薄い板が製作されなければならない
実施例３に対する代替として、活性イオンの不均一なド
ーピングをゲイン媒体に使用することができる。この例
では、活性イオンの均質な零でない濃度を鏡に隣接した
薄い層に使用している。層の厚さは前の例における板の
厚さに等しくなければならない。

【００２３】〈実施例５〉図５に、光ディスクからの読
出し及び／又はその光ディスクへの記録のための光源と
しての共振器内倍周波半導体レーザポンプ型固体レーザ
の応用した例を示す。

【００２４】この発明はディスク上における読出し及び
記録を行うための光メモリにおいて使用できる。デバイ
スの変調は信号回路により記録される予定の被変調信号
に従って行われる。デバイスからの変調されたビームは
レンズによって照射され、その後、ビーム分割器及び鏡
を通過する。鏡の後にあるレンズは光を光ディスク上へ
集束させ、そしてデイスク上に記載されたピットは反射
光の強度の変化として読まれる。後方に行く反射光はビ
ーム分割器によって偏向され、そして最後には、再生信
号処理回路によって処理される。

【００２５】〈実施例６〉図６に、レーザ・ビーム・プ
リンタにおける共振器内倍周波半導体レーザポンプ型固
体レーザの応用図を示す。

【００２６】この発明はレーザ・ビーム・プリンタに対
する光源としても使用できる。変調は記録用信号回路に
よって行われ、そして第２高調波における出力放射線は
その後、レンズによって照準される。ビームは多面鏡に
より走査され、感光ドラム上を走査するために走査用レ
ンズによりスポットへと集束される。感光ドラム上に形
成されるネガあるいはポジ像は高速印刷を行うために印
刷プロセスにより紙上に転写される。

【００２７】

【発明の効果】短い波長の光は非常に小さなスポットへ
集束できるために、周波数倍像に基づくコンパクトな光
源は、例えば、光学データ記憶及びレーザ・ビーム・プ
リンティングにおいて有用である。半導体レーザポンプ
型固体レーザにおける共振器内倍周波は倍周光にとって
魅力のある方法である。こうしたデバイスは、非線形の
光学的結晶により導入される異なる共振器モード間での
結合により、簡単に不安定になる。Ｎｄ：ＹＡＧにおけ
る共振器内倍周波は定在円偏波を使用することにより安
定化されるが、この方法に対する前提条件は、ゲイン媒
体が非複屈折性であることである。これは、一層効果的
ではあるが複屈折のゲイン媒体を持っている安定したＮ
ｄ：ＹＶＯ₄レーザの開発を妨げていた。この発明は、
共振器の長さ、共振器内素子の複屈折性を注意深く制御
し且つ薄い結晶のゲイン媒体を使用することによりＮ
ｄ：ＹＶＯ₄レーザでの雑音を除くことを目的とする。
光メモリは光ビームの強度における変動に対して非常に
敏感なので、雑音の除去は光メモリでの応用にとって重
要である。

【００２８】特に、長時間信頼性は本発明によって改良
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明おけるデバイスの構成を示す図。

【図２】本発明おけるデバイスの構成を示す図。

【図３】薄い板のゲイン媒体が使用されたときでの共振
器内倍周波レーザの構成を示す図。

【図４】ゲイン媒体に不均一ドーピングが利用されてい
るレーザの構成を示す図。

【図５】本発明を、光学的読出し装置に用いた例を示す
図。

【図６】本発明をレーザビーム・プリンティング・デバ
イスに用いた例を示す図。

【符号の説明】

１…ポンプ放射線を供給する小型で可干渉性の半導体レ
ーザ、２…ポンプ放射線、３…ポンプ放射線を集束する
レンズ、４…ゲイン媒体の小面の１つに配設された入力
結合鏡、５…ゲイン媒体、６…ゲイン媒体に対するペル
チェ冷却器、７…レーザ放射モードの放射線、８…光学
的周波数変換のための非線形結晶、９…非線形結晶に対
するペルチェ冷却器、１０…出力結合鏡、１１…矢印に
て示されている方向においてゲイン媒体を並進運動させ
る手段、１２…共振器（非線形材料を含む）でのすべて
の素子に対するペルチェ冷却器、１３…薄い板のゲイン
媒体、１４…ゲイン媒体の重厚にドープされた領域、１
５…ゲイン媒体のドープされない領域、１６…共振器内
倍周波半導体レーザポンプ型固体レーザ、１７…放射線
を変調する手段、１８…コリメーティング・レンズ、１
９…ビーム分割器、２０…鏡、２１…集束レンズ、２２
…光ディスク、２３…信号処理回路を持つ検出器、２４
…多面鏡、２５…感光ドラム。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者安藤哲生東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者宮井剛埼玉県熊谷市三ヶ尻5200番地日立金属株式会社磁性材料研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】安定した内部共振２倍波固体レーザにおい
て、デバイスを励起するためのコンパクトな光源と、前
記励起光をゲイン媒体へ集束させる手段と、前記励起光
の波長における吸収バンド及び該ゲイン媒体により導入
される異なる偏光間における位相シフトを制御する手段
を有する複屈折性ゲイン媒体の板と、レーザ発振遷移の
波長において位相整合可能な非線形光学材料と、共振器
を構成するための鏡とを備えていることを特徴とする内
部共振２倍波固体レーザ。
【請求項２】前記共振器がファブリ・ペロー型であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起の内
部共振２倍波固体レーザ。
【請求項３】前記共振器はリング型であり、その共振器
内に一方向伝搬を確保する手段が設けられていることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起の内部共
振２倍波固体レーザ。
【請求項４】複屈折ゲイン媒体の屈折率がゲイン媒体の
温度を変えることにより調節され、そして非線形光学材
料の別々の温度制御部が適用されていることを特徴とす
る請求項２に記載の半導体レーザ励起の内部共振２倍波
固体レーザ。
【請求項５】温度はペルチェ冷却器により制御されるこ
とを特徴とする請求項４に記載の内部共振２倍波半導体
レーザ励起型固体レーザ。
【請求項６】異なる偏光間における位相シフトはウェジ
付薄板のゲイン媒体を機械的に並進運動させることによ
り制御され、前記共振器の全光路長が温度調節により制
御されることを特徴とする請求項２又は３のいずれかに
記載の内部共振２倍波半導体レーザ励起型固体レーザ。
【請求項７】異なる偏光間での位相シフトは、ウェジ付
薄膜のゲイン媒体の機械的並進運動及び前記ゲイン媒体
についての温度制御によって合わされ、そして非線形光
学材料の分離せる温度制御が適用されていることを特徴
とする請求項２又は３のいずれかに記載の内部共振２倍
波半導体レーザ励起型固体レーザ。
【請求項８】前記ゲイン媒体板厚さが媒体の吸収長の半
分から４倍との間にあることを特徴とする請求項１から
７のいずれかに記載の内部共振２倍波半導体レーザ励起
型固体レーザ。
【請求項９】ファブリ・ペロー型共振器を構成する前記
ゲイン媒体における活性イオンの濃度が不均一で、かつ
励起光の入力結合鏡付近に集中されることを特徴とする
請求項１から７のいずれかに記載の内部共振２倍波半導
体レーザ励起型固体レーザ。
【請求項１０】前記ゲイン媒体での活性イオンの濃度
が、吸収長の半分から４倍の間の入力結合鏡からの広が
りを持つ領域においてのみ零でないことを特徴とする請
求項９に記載の内部共振２倍波半導体レーザ励起型固体
レーザ。
【請求項１１】前記ゲイン媒体がネオジミウムがドープ
されたイットリウム・バナジウム酸塩（Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ₄）であることを特徴とする請求項１から９のいずれ
かに記載の内部共振２倍波半導体レーザ励起固体レー
ザ。
【請求項１２】前記非線形の光学材料がＫＴＰ，ＫＴ
Ａ，ＬｉＮｂＯ₃又はＬｉＴａＯ₃であることを特徴とす
る請求項１から１０のいずれかに記載の内部共振２倍波
半導体レーザ励起型固体レーザ。
【請求項１３】低ノイズ、且つ短い波長のレーザ光線と
して、光ディスクでの記録再生光源として使用されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の内部共振２倍波半導体
レーザ励起型固体レーザ。
【請求項１４】低ノイズ、且つ短い波長のレーザ光線と
して、レーザ・ビーム・プリンタ用の光源として使用さ
れることを特徴とする請求項１に記載の内部共振２倍波
半導体レーザ励起型固体レーザ。