JPH0669575A

JPH0669575A - 半導体レーザー駆動装置

Info

Publication number: JPH0669575A
Application number: JP22136792A
Authority: JP
Inventors: Koji Hata; 幸次畑
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1992-08-20
Filing date: 1992-08-20
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】【目的】電源の供給及び遮断に拘わらず半導体レーザ
ーの劣化及び破壊を防止する。【構成】半導体レーザーには、トランジスタ３４２が
オンで端子ＴＰ１，ＴＰ２間に接続された抵抗３３６を
流れる電流が供給される。端子ＴＰ２には、トランジス
タ３５６、３５７がオンのときレギュレータ３５９がオ
ンした電源が供給される。電源の供給が遮断されると、
トランジスタ３５７がオフしかつ、トランジスタ３５６
がオフしてレギュレータ３５９がオフする。これによ
り、端子ＴＰ２電位が不定となり、端子ＴＰ１，ＴＰ２
間の電位差が減少して、トランジスタ３４２がオフし
て、半導体レーザーへの電流供給が遮断される。従っ
て、電源の供給及び遮断に拘わらず半導体レーザーの劣
化及び破壊を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー駆動装
置にかかり、特に、半導体レーザーから所定の光出力の
レーザービームが射出するように制御する半導体レーザ
ー駆動装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、所定の波長帯域の光（レーザ
ービーム）を得ることができる光源として、気体レーザ
ー等が用いられていたが、装置が大型になり、かつ光出
力を変調することが複雑な構成を用いなければならない
ため、小型かつ容易に光出力を変調できる半導体レーザ
ーが光源として用いられるようになった。

【０００３】この半導体レーザーは、供給される電流
が、レーザー発振領域であるしきい値電流を越えると、
周知のようにＩ−Ｌ特性（順電流に対する光出力）のス
ロープ効率が高くなり微弱な電流増加であっても光出力
の増加は大きくなる。従って、供給電流の微弱な電流増
加で定格光出力を越えることがある。ところで、半導体
レーザーは定格光出力を越えると、劣化され易く、つい
には破壊されてしまう。このため、半導体レーザーの駆
動装置は、スロースタート回路を備えて、電源供給時
に、半導体レーザーに流れるサージ電流を抑制すること
によって、半導体レーザーの劣化及び破壊を防止してい
る。

【０００４】しかしながら、従来の半導体レーザーの駆
動装置では、電源供給時のサージ電流を抑制することは
できるが、電源遮断時のサージ電流を抑制することがで
きない、という問題がある。

【０００５】これを解消するために、電源の遮断時に
は、半導体レーザーの駆動装置内の回路に応じた電源
に、所定のシーケンスを適用させることによって、電源
遮断時のサージ電流を抑制している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように所定のシーケンスを適用させて電源遮断時のサー
ジ電流を抑制するようにした場合には、このシーケンス
を作動させるために常時、電源供給を行う必要がある
が、停電時や電源スイッチのオン状態における電源プラ
グの着脱時には、シーケンス処理が行われないため、サ
ージ電流の発生を防ぐことができない。

【０００７】また、半導体レーザーの光出力制御用の電
流制御回路（所謂、ＡＰＣ回路）の構成について、単一
電源を用いた場合には、電源遮断時の供給電源のレベル
は接地レベル（０Ｖ）方向へ下降するが、複数の電源、
例えば、±１２Ｖを用いた場合には、回路の負荷条件に
応じて電源遮断時の供給電源変動の方向が異なることが
ある。従って、一時的に半導体レーザーへ供給電流が増
加し半導体レーザーの定格光出力を越えることがあり、
半導体レーザーが劣化及び破壊されるという問題があ
る。

【０００８】本発明は、上記問題を解決すべく成された
もので、電源の供給及び遮断に拘わらず半導体レーザー
の劣化及び破壊を防止することができる半導体レーザー
駆動装置の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の発明は、供給された電流の大きさに
応じた出力のレーザービームを射出する半導体レーザー
と、前記半導体レーザーに流れる電流を制御するトラン
ジスタを備え、電源から供給される異なる大きさの複数
の電圧を用いて定電流を生成し、前記半導体レーザーに
流れる電流が定電流になるように制御する電流制御手段
と、前記電源を遮断するときに、前記電流制御手段によ
り電流が生成されないように前記複数の電圧の少なくと
も１つの供給を停止する電源遮断手段と、を備えてい
る。

【００１０】請求項２に記載の発明は、供給された電流
の大きさに応じた出力のレーザービームを射出する半導
体レーザーと、電源に接続され、２つの定電圧を供給す
る定電圧手段と、前記半導体レーザーに流れる電流を制
御するトランジスタ、及び一端が該トランジスタに接続
されかつ他端が定電位になるように前記定電圧手段から
一方の定電圧が供給される抵抗を備え、前記定電圧手段
から供給される他方の定電圧を用いて該トランジスタと
該抵抗との接続点のレーザー制御電位を制御することに
より定電流を生成し、前記半導体レーザーに流れる電流
が定電流になるように制御する電流制御手段と、前記レ
ーザー制御電位と前記定電位との電位差が減少するよう
に電源を遮断する電源遮断手段と、を備えている。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の半導体レーザー駆動装置において、前記電源遮断手段
は、前記レーザー制御電位が前記定電位に近づくように
前記電流制御手段で用いた他方の定電圧の供給を停止す
ることを特徴としている。

【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の半導体レーザー駆動装置において、前記電源遮断手段
は、前記定電位が前記レーザー制御電位に近づくように
前記抵抗に供給される一方の定電圧の供給を停止するこ
とを特徴としている。

【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項２に記載
の半導体レーザー駆動装置において、前記電源遮断手段
は、前記レーザー制御電位及び前記所定電位が相互に近
づくように前記電流制御手段で用いた他方の定電圧及び
前記抵抗に供給された一方の定電圧の両方の定電圧の供
給を停止することを特徴としている。

【００１４】

【作用】請求項１に記載した発明の半導体レーザー駆動
装置によれば、電源から供給される異なる大きさの複数
の電圧を用いて、電流供給手段が定電流を生成する。こ
の電流供給手段は、トランジスタを備えており、トラン
ジスタは半導体レーザーに流れる電流を制御する。半導
体レーザーは、電流供給手段により供給される供給電流
に応じたレーザービームを射出する。ここで電源を遮断
するときには、電源遮断手段が、電流制御手段により電
流が生成されないように複数の電圧の少なくとも１つの
供給を停止する。従って、電源を遮断すると、トランジ
スタ以外の部位の電源が遮断される以前に、電流制御手
段において電流が生成されないようになるため、トラン
ジスタが電流供給の停止状態になる。このため、電源を
遮断するときに発生するサージ電流が半導体レーザーに
供給される以前に、半導体レーザーへの電流供給が停止
されるため、半導体レーザーには、サージ電流による、
半導体レーザーの定格光出力を越えたレーザービームを
照射するような電流が流れることはない。従って、半導
体レーザーの劣化及び破壊を抑制することができる。

【００１５】請求項２に記載した発明の半導体レーザー
駆動装置は、電源に接続され、２つの定電圧を供給する
定電圧手段を備えている。電流供給手段はトランジスタ
及び抵抗を備えており、トランジスタには抵抗の一端が
接続される。この抵抗の他端には一方の定電圧が供給さ
れて定電位になる。また、電流供給手段は、定電圧手段
から供給される他方の定電圧を用いてトランジスタと抵
抗との接続点のレーザー制御電位を制御することによっ
て定電流を生成し、この定電流によって半導体レーザー
に流れる電流が定電流になるように制御する。従って、
半導体レーザーは、この電流供給手段の抵抗に流れる電
流に応じたレーザービームを射出する。電源を遮断する
ときは、電源遮断手段が、抵抗の一端のレーザー制御電
位と他端の定電位との電位差が近づくように電源を遮断
する。これによって、抵抗を介して半導体レーザーに流
れる電流は減少する。従って、半導体レーザーの劣化及
び破壊を抑制することができる。この電位差を減少する
ようにするには、電源遮断手段が、請求項３に記載の発
明のように、レーザー制御電位が定電位に近づくように
電流制御手段で用いた他方の定電圧の供給を停止するこ
と、請求項４に記載の発明のように、定電位がレーザー
制御電位に近づくように抵抗に供給される一方の定電圧
の供給を停止すること、請求項５に記載の発明のよう
に、レーザー制御電位及び所定電位が相互に近づくよう
に電流制御手段で用いた他方の定電圧及び抵抗に供給さ
れた一方の定電圧の両方の定電圧の供給を停止すること
で行うことができる。従って、電源手段からの電圧供給
を遮断すると、半導体レーザーに供給される電流を生成
するための抵抗の電位差が減少する方向に電位差が減少
するため、半導体レーザーには、サージ電流による、半
導体レーザーの定格光出力を越えたレーザービームを照
射するような電流が流れることはない。従って、半導体
レーザーの劣化及び破壊を抑制することができる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。図１は本発明が適用された画像露光装置
１０を示したものである。

【００１７】画像露光装置１０は、半導体レーザー１４
ａ、１４ｂ及び１４ｃを備えている。この半導体レーザ
ー１４ａ、１４ｂ及び１４ｃの各々は、後述する制御装
置４０（図２参照）により駆動され、半導体レーザー１
４ａは波長が例えば、６７０nmである赤外域のレーザー
ビームＬ１を射出し、半導体レーザー１４ｂ及び１４ｃ
は各々８１０nm、７５０nmの波長のレーザービームＬ
２、Ｌ３を射出する。また、レーザービームＬ１、Ｌ２
及びＬ３の波長は、感光材料３６が露光されることによ
り発色するマゼンタ、イエロー及びシアンの各色に対応
されている。なお、これらの波長のレーザービームＬ
１、Ｌ２及びＬ３を射出する半導体レーザー１４は極め
て容易に入手できるものである。

【００１８】半導体レーザー１４ａのレーザービーム射
出側にはレーザービームＬ１を平行光束にするコリメー
タレンズ１６ａが配設されると共に、コリメータレンズ
１６ａから所定の間隔を隔ててシリンドリカルレンズ１
８ａと反射ミラー２０とが設けられている。同様に、半
導体レーザー１４ｂ及び１４ｃのレーザービーム射出側
には各々コリメータレンズ１６ｂ、１６ｃが配設され、
このコリメータレンズ１６ｂ、１６ｃから所定の間隔を
隔ててシリンドリカルレンズ１８ｂ、１８ｃが設けられ
ている。

【００１９】シリンドリカルレンズ１８ｂ、１８ｃを透
過するレーザービームＬ２、Ｌ３の光路上にはダイクロ
イックミラー２２ａ、２２ｂが配設されている。反射ミ
ラー２０とダイクロイックミラー２２ａ、２２ｂとは同
一の傾斜角度を有し、各々のレーザービームＬ１、Ｌ２
及びＬ３を同一の光路２４に導く。ダイクロイックミラ
ー２２ａはレーザービームＬ１を透過させると共にレー
ザービームＬ２を反射させる。一方、ダイクロイックミ
ラー２２ｂはレーザービームＬ１及びＬ２を透過させる
と共にレーザービームＬ３を反射させる機能を備えてい
る。

【００２０】同一の光路２４に至ったレーザービームＬ
１、Ｌ２及びＬ３は反射ミラー２６、２８により反射さ
れた後、ポリゴンミラー３０に入射される。ポリゴンミ
ラー３０は矢印方向に回転し、このポリゴンミラー３０
により反射されたレーザービームＬ１、Ｌ２及びＬ３は
ｆθレンズ３２を通過して面倒れ補正のためのシリンド
リカルミラー３４で反射され、感光材料３６上を矢印Ａ
方向に主走査される。感光材料３６は図示しない副走査
手段により駆動されることにより、主走査方向に略直交
する副走査方向（矢印Ｂ方向）に搬送される。これによ
り、感光材料３６に画像が形成される。

【００２１】上記半導体レーザー１４ａは、レーザーダ
イオード１３ａ及びフォトダイオード１５ａから構成さ
れたアノードコモンタイプの半導体レーザーであり（図
２参照）、レーザーダイオード１３ａは制御装置４０の
制御信号に応じてレーザービームＬ１を射出し、フォト
ダイオード１５ａはレーザーダイオード１３ａから射出
されたレーザービームＬ１の光出力を検出する。半導体
レーザー１４ｂはレーザーダイオード１３ｂ及びフォト
ダイオード１５ｂから構成されたカソードコモンタイプ
の半導体レーザーであり、半導体レーザー１４ｃはレー
ザーダイオード１３ｃ及びフォトダイオード１５ｃから
構成されたカソードコモンタイプの半導体レーザーであ
る。これらの半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、
すなわちレーザーダイオード１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及
びフォトダイオード１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、制御装
置４０に接続されている。

【００２２】〔制御装置〕図２に示したように、制御装
置４０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）を有するマイク
ロコンピュータで構成されたメイン制御基板（ＶＥＣ基
板）４２を備えている。このＶＥＣ基板４２は、各々の
相互間のデータ及びコマンド等の入出力を行うための複
数のバスライン６２、６４、６６、６８を介して半導体
レーザー駆動基板（ＬＤ基板）４４に接続されている。
なお、このＶＥＣ基板４２は、図示しない記憶装置を備
えており、この図示しない図示しない記憶装置に他の装
置、例えばホストコンピュータ等から供給される画像の
濃度に応じた画像データが記憶されている。また、ＶＥ
Ｃ基板４２には、半導体レーザー１４ａ，１４ｂ，１４
ｃ及び後述するＥＣＬのレシーバ２０２の各々の温度を
計測する図示しないサーミスタが、図示しないアナログ
デジタル変換器を介して接続されている。

【００２３】ＬＤ基板４４は、ゲートアレイ回路（Ｇ／
Ａ）４６、パルス幅変調回路（ＰＷＭ）５０、５２、５
４、レーザー駆動回路（ＬＤＤ）５６、５８、６０、及
び温調回路（ＴＥＭ）４８から構成されている。ＰＷＭ
５０、５２、５４及びＬＤＤ５６、５８、６０は、半導
体レーザー１４ａ，１４ｂ，１４ｃに対応して設けられ
ている。このＰＷＭ５０は信号線７０を介してＬＤＤ５
６へ接続され、ＰＷＭ５２は信号線７２を介してＬＤＤ
５８へ接続され、ＰＷＭ５４は信号線７４を介してＬＤ
Ｄ６０へ接続されている。また、ＰＷＭ５０、５２、５
４及びＬＤＤ５６、５８、６０の各々は、Ｇ／Ａ４６
に、相互間のデータ及びコマンド等の入出力を行うため
の複数のバスライン７６、７８、８０、８２、８４、８
６を介して接続されている。また、温調回路４８は、Ｇ
／Ａ４６に、バスライン８８を介して接続されている。

【００２４】（Ｇ／Ａ）図３に示したように、ゲートア
レイ回路（Ｇ／Ａ）４６は、白信号処理回路１０２、半
導体レーザーの出力を制御するための制御信号を生成す
るレーザーパワー制御信号生成回路１０４、デコーダ回
路１０６を有している。このデコーダ回路１０６は、ア
ドレスデコードを行うためのアドレスデコーダ、入出力
されるレーザーパワーのデジタルデータをラッチするた
めのデータラッチ回路、入力ポート及び出力ポートを含
んでいる。

【００２５】白信号処理回路１０２は、半導体レーザー
１４ａ、１４ｂ、１４ｃに対応する同期処理回路１２
０、１２２、１２４を有しており、各々の同期処理回路
１２０、１２２、１２４は、論理回路で構成されてい
る。この同期処理回路１２０、１２２、１２４の各々に
は、画面の１走査線における画像記録時間だけハイレベ
ルとなるラスタゲート信号（信号名、ＲＧ１、ＲＧ２、
ＲＧ３）が入力されるように、ＶＥＣ基板４２が接続さ
れている。また、同期処理回路１２０、１２２、１２４
は、各々半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃに対応
したＰＷＭ５０、５２、５４に接続されている。

【００２６】レーザーパワー制御信号生成回路１０４
は、半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、１４ｃの何れかの
出力を制御するときの論理に応じた信号（信号名、ＡＰ
１、ＡＰ２）が入力されるように、ＶＥＣ基板４２に接
続されている。このレーザーパワー制御信号生成回路１
０４は、入力された信号（ＡＰ１，ＡＰ２）を、対応す
る画素クロック（ＧＣ１，ＧＣ２，ＧＣ３）で同期され
た信号（信号名、ＡＰ０１，ＡＰ０２，ＡＰ０３）とし
て出力するものである。また、レーザーパワー制御信号
生成回路１０４は、生成された制御信号（ＡＰ０１、Ａ
Ｐ０２、ＡＰ０３）が半導体レーザー１４ａ、１４ｂ、
１４ｃに対応するＰＷＭ５０、５２、５４へ出力される
ように接続されている。

【００２７】デコーダ回路１０６は、ＶＥＣ基板４２に
接続されている。また、デコーダ回路１０６は、ＬＤＤ
５６、５８、６０及び温調回路４８に接続されている。
このデコーダ回路１０６には、半導体レーザーの駆動電
流制御データ及び半導体レーザー（フォトダイオード）
の光出力データ（信号名、ＤＢ）、デコーダ回路１０６
を制御するための制御コマンド（信号名、ＣＭ）が入出
力される。

【００２８】図７には、上記半導体レーザー１４ａに対
応する同期処理回路１２０の回路例を示した。同期処理
回路１２０は、上述のようにＶＥＣ４２及びＰＷＭ５０
と接続されている。なお、同期処理回路１２０にＰＷＭ
５０から入力される信号の詳細は後述し、この信号名を
（）内に記載する。

【００２９】同期処理回路１２０は、フリップフロップ
回路１３０、１３２を備えており、フリップフロップ回
路１３０は、ＡＮＤ回路１３６に接続されている。フリ
ップフロップ回路１３２は、ＯＲ回路１３４を介してＡ
ＮＤ回路１３６に接続されている。このＡＮＤ回路１３
６は、バッファを介して出力される信号（信号名、ＲＧ
０１）がＰＷＭ５０に入力されるように接続されてい
る。詳細は後述するが、この信号ＲＧ０１は、白色画素
に対応するパルス幅を除去するためのパルス幅部分を含
んだ信号である。また、フリップフロップ回路１３０
は、ＶＥＣ４２に、ラスタゲート信号（ＲＧ１）がバッ
ファを介して入力データとして入力されるように接続さ
れかつ、ＰＷＭ５０に、画素クロック（ＧＣ１）が同期
信号として入力されるように接続されている。この画素
クロック（ＧＣ１）はフリップフロップ回路１３２にも
同期信号として入力される。フリップフロップ回路１３
２は、ＰＷＭ５０に、白色の画像データに対応する信号
（／ＦＦ１）がバッファを介して入力データとして入力
されるように接続されている。このＡＮＤ回路１３４
は、ＰＷＭ５０に、画素クロックの遅延信号（ＧＣＳ
１）が入力されるように接続されている。

【００３０】なお、同期処理回路１２２、１２４は、同
期処理回路１２０と同一の構成のため、記載を省略す
る。

【００３１】（ＰＷＭ）図４に示したように、ＰＷＭ５
０は、デジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換器２１６を備え
ている。このＤ／Ａ変換器２１６は、ＶＥＣ４２から入
力される１０ビットの画像データをアナログ信号に変換
する。また、ＰＷＭ５０はＮＡＮＤ回路２１８を有して
おり、このＤ／Ａ変換器２１６には入力される画像デー
タが、ＮＡＮＤ回路２１８を介してＧ／Ａ４６へ出力さ
れるように接続されている。ＮＡＮＤ回路２１８は、白
色の画像データに対応する信号、すなわち入力される画
像データの全てのビットがハイレベルのときにローレベ
ルそれ以外のときハイレベルの信号（信号名、／ＦＦ
１）を出力する。

【００３２】Ｄ／Ａ変換器２１６には、レシーバ２０２
に接続されたＥＣＬ信号をＴＴＬ信号に変換する変換器
２１２が接続され、このレシーバ２０２にはＥＣＬの信
号である画素毎のクロック信号（画素クロック、信号名
ＧＣ１）が入力されるようにＶＥＣ４２が接続されてい
る。このＶＥＣ４２から入力される画素クロック（ＧＣ
１）は、レシーバ２０２及び変換器２１２を介して、Ｄ
／Ａ変換器２１６の同期信号として用いられる。また、
遅延回路２１０には変換器２１２を介してＧ／Ａ４６に
接続され、変換器２１２で変換された画素クロック（Ｇ
Ｃ１）のＴＴＬ信号が遅延回路２１０において所定時間
だけ遅延（信号名、ＧＣＳ１）されて、Ｇ／Ａ４６へ出
力される。

【００３３】レシーバ２０２は、積分回路２０４を介し
てコンパレータ２０６の一方の入力側に接続されてお
り、コンパレータ２０６には画素クロック（ＧＣ１）が
積分された三角波の信号波形が入力される。このコンパ
レータ２０６の他方の入力側には、Ｄ／Ａ変換器２１８
の出力が入力されるように接続されている。

【００３４】コンパレータ２０６の出力側は、ゲート回
路２０８に接続されている。このゲート回路２０８に
は、Ｇ／Ａ４６が接続されており、Ｇ／Ａ４６で生成さ
れた信号ＲＧ０１，ＡＰ０１が入力される。ゲート２０
８の出力側はＬＤＤ５６に接続されている。従って、Ｐ
ＷＭ５０において画像データに応じて変調されたパルス
信号がＬＤＤ５６に入力される。

【００３５】なお、ＰＷＭ５２、５４は、同様の構成の
ため、詳細な説明を省略する。（ＬＤＤ）図５に示したように、ＬＤＤ５６は、変調回
路３０２を備えている。この変調回路３０２は、信号線
７０を介してＰＷＭ５０及び半導体レーザー１４ａが有
するレーザーダイオード１３ａのカソードに接続されて
いる。変調回路３０２は、ＰＷＭ５０から信号線７０を
介して入力されるパルス信号によって、半導体レーザー
１４ａのレーザーダイオード１３ａへの供給電流を切り
換えて変調する回路（図１４参照）である。

【００３６】この変調回路３０２は、定電流回路３０４
及びデジタルアナログ変換器（Ｄ／Ａ）３０６を介し
て、Ｇ／Ａ４６に接続されている。このＤ／Ａ３０６に
は、Ｇ／Ａ４６から、半導体レーザー１４ａの電流制御
信号（信号名、ＤＡＴＡ１）が入力される。この定電流
回路３０４及びＤ／Ａ変換器３０６には、電源遮断時の
サージ電流を抑制するためのオフサージ対策回路３１０
が接続されている。

【００３７】定電流回路３０４は、所定の光出力のレー
ザービームが射出されるように、オートパワーコントロ
ール（ＡＰＣ制御）を行うときの半導体レーザー１４ａ
のレーザーダイオード１３ａに、定電流を供給するため
の回路である（図８参照）。このＡＰＣ制御とは、周知
のように、半導体レーザー１４ａに内蔵されたフォトダ
イオード１５ａによって光出力をモニターしながら規格
光出力になるように、半導体レーザー１４ａをドライブ
するものである。

【００３８】また、変調回路３０２の出力側には、バイ
アス回路３１２が接続されており、このバイアス回路３
１２によって生成された所定のバイアス電流が供給され
る。このバイアス電流は半導体レーザーの自己発熱によ
る光出力変化（ドループ）を低減するためのもので、画
像記録領域及び非記録領域に拘わらず、所定の電流値に
調整されている。

【００３９】レーザーダイオード１３ａのアノードは、
オンサージ対策回路３０８を介して１２Ｖの電源線に接
続されている。このオンサージ対策回路３０８は、抵抗
及びコンデンサによる所定の時定数のスロースタータ回
路と３端子レギュレータ（例えば、１２Ｖを５Ｖにす
る）で構成されており、電源投入時にオンサージ対策回
路３０８を介して供給される電源は上記時定数に応じた
時間だけ遅延される。従って、１２Ｖの電源投入時にレ
ーザーダイオード１３ａのアノードに供給される電源
（本実施例では５Ｖ）は遅延されるため、半導体レーザ
ー１４ａにサージ電流が流れることを防いでいる。レー
ザーダイオード１３ａのアノードは、フォトダイオード
１５ａのカソードに接続されている。

【００４０】また、１２Ｖの電源線は、フォトカプラ３
１８を介してＧ／Ａ４６に接続されており、フォトカプ
ラ３１８は１２Ｖの電源が供給されることによりハイレ
ベルとなる信号（信号名、ＬＤＳＴＳ）をＧ／Ａ４６へ
出力する。

【００４１】このフォトダイオード１５ａのアノード
は、入力された電流を電圧に変換して出力する電流電圧
（Ｉ／Ｖ）変換回路３１４を介してアナログデジタル変
換器（Ａ／Ｄ）３１６に接続されている。このＡ／Ｄ３
１６は、制御コマンドやフラグ等の制御信号（信号名、
ＡＤＣ１）を入出力するように及びＡ／Ｄ３１６によっ
て変換されたデジタルデータ信号（信号名、ＡＤＤ１）
を出力するようにＧ／Ａ４６へ接続されている。

【００４２】なお、ＬＤＤ５８は同様の構成のため詳細
説明を省略し、ＬＤＤ６０については略同様の構成のた
め、以下、異なる部分についてのみ説明する。また、レ
ーザーダイオード１３ｂのカソードには、フォトダイオ
ード１５ｂのカソードが接続され、レーザーダイオード
１３ｃのカソードには、フォトダイオード１５ｃのカソ
ードが接続されている。

【００４３】図６に示したように、ＬＤＤ６０の変調回
路３０２には、信号線７４を介してＰＷＭ５４及び半導
体レーザー１４ｃが有するレーザーダイオード１３ｃの
カソードに接続されている。このレーザーダイオード１
３ｃのアノードには、フォトダイオード１５ｃのカソー
ドが接続されている。

【００４４】フォトダイオード１５ｃのアノードは、Ｉ
／Ｖ変換回路３１４を介してＡ／Ｄ３１６に接続されて
いる。このＡ／Ｄ３１６は、制御コマンドやフラグ等の
制御信号（信号名、ＡＤＣ３）を入出力するように及び
Ａ／Ｄ３１６によって変換されたデジタルデータ信号
（信号名、ＡＤＤ３）を出力するようにＧ／Ａ４６へ接
続されている。

【００４５】本実施例に用いた半導体レーザー１４ｃ
（波長７５０nm）は、ドループ量が大きいことを考慮し
て、ＬＤＤ６０は、自己発熱による光出力変化を補正す
るためのドループ補正回路３２０を備えている。このド
ループ補正回路３２０にはＩ／Ｖ変換回路３１４の出力
信号が入力されるように接続されており、ドループ補正
回路３２０は、出力信号が、定電流回路３０４に入力さ
れるように接続されている。

【００４６】なお、このドループ補正回路３２０は、全
ての半導体レーザー１４ａ，１４ｂ１４ｃのＬＤＤ５
６、５８、６０に備えるようにしてもよい。

【００４７】図１４には、変調回路３０２の回路例を示
した。レーザーダイオード１３ａのカソードは、抵抗１
５７を介してトランジスタ１５０のコレクタに接続さ
れ、エミッタは抵抗１６０を介して定電流回路３０４へ
接続されている。トランジスタ１５０のベースは、半導
体レーザーをパルス変調するためのパルス信号が入力さ
れるようにＰＷＭ５０に接続されかつ、抵抗１６２を介
して−５Ｖに接続されている。レーザーダイオード１３
ａのアノードは、オンサージ対策回路３０８に接続さ
れ、かつ抵抗１５６を介してトランジスタ１５２のコレ
クタに接続されている。トランジスタ１５２のベースは
抵抗１５８を介して−５Ｖに接続され、エミッタはトラ
ンジスタ１５０のエミッタに接続されている。このトラ
ンジスタ１５２のベースには、上記トランジスタ１５０
のベースに供給されるパルス信号の反転されたパルス信
号が入力されるようにＰＷＭ５０が接続されている。な
お、レーザーダイオード１３ａにはコンデンサ１５４が
並列に接続されている。従って、変調回路３０２は、半
導体レーザーを、ＰＷＭ５０からのパルス信号に応じて
トランジスタ１５０、１５２を交互にスイッチングする
ことによって、パルス変調することができる。

【００４８】図８には、定電流回路３０４及びオフサー
ジ対策回路３１０の回路例を示した。定電流回路３０４
は、オペアンプ３４０、トランジスタ３４２、及び抵抗
３３６によって構成される定電流を生成する回路を有し
ている。また、定電流回路３０４は減算用オペアンプ３
３８及び電圧電流（Ｖ／Ｉ）変換用オペアンプ３４０を
備えており、減算用オペアンプ３３８の一方の入力側に
はＤ／Ａ３０６から出力される信号が抵抗３３０を介し
て入力される。この減算用オペアンプ３３８の一方の入
力側は抵抗３３１を介して出力側に接続されている。減
算用オペアンプ３３８の他方の入力側は、抵抗３３３を
介して接地されると共に抵抗３３２及びツェナーダイオ
ード３４４を介して接地されている。また、抵抗３３２
とツェナーダイオード３４４との接続点は、抵抗３３５
を介して図示しない電源（−１２Ｖ）に接続されてい
る。

【００４９】減算用オペアンプ３３８の出力側は、Ｖ／
Ｉ変換用オペアンプ３４０の一方の入力側に接続されて
おり、Ｖ／Ｉ変換用オペアンプ３４０の他方の入力側は
トランジスタ３４２のエミッタに接続されている。この
トランジスタ３４２のエミッタは、端子ＴＰ１に接続さ
れ、端子ＴＰ１は抵抗３３６を介して端子ＴＰ２に接続
されている。また、トランジスタ３４２のベースは抵抗
３３４を介してＶ／Ｉ変換用オペアンプ３４０の出力側
に接続され、コレクタは変調回路３０２に接続されてい
る。このトランジスタ３４２のベースとＶ／Ｉ変換用オ
ペアンプ３４０の他方の入力側とはダイオード３４６を
介して接続されている。

【００５０】オフサージ対策回路３１０は、定電流シャ
ットダウン回路３２２及びＤＡシャットダウン回路３２
４を備えている。定電流シャットダウン回路３２２は、
レギュレータ３５９を有しており、レギュレータ３５９
の出力側は定電流回路３０４の端子ＴＰ２に接続されて
いる。このレギュレータ３５９の入力側はトランジスタ
３５６のコレクタに接続されている。このトランジスタ
３５６のベースは抵抗３５５を介してトランジスタ３５
７のコレクタに接続されている。トランジスタ３５６の
エミッタは、抵抗３５４を介してベースに接続されか
つ、抵抗３５０及びツェナーダイオード３５８を介して
接地されている。トランジスタ３５６のエミッタは、抵
抗３５１、３５３を介してトランジスタ３５７のベース
に接続されると共に、抵抗３５１、３５３の接続点は抵
抗３５２を介して接地されている。トランジスタ３５７
のエミッタはツェナーダイオード３５８のアノードに接
続されている。また、トランジスタ３５６のエミッタに
は、−１２Ｖの負電源が供給されるように図示しない電
源に接続されている。

【００５１】ＤＡシャットダウン回路３２４は、レギュ
レータ３６０を有しており、レギュレータ３６０の出力
側はＤ／Ａ３０６に接続されている。以下、定電流シャ
ットダウン回路３２２と同一構成のため、記載を省略す
る。

【００５２】図９には、図６のＩ／Ｖ変換回路３１４及
びドループ補正回路３２０の回路例を示した。Ｉ／Ｖ変
換回路３１４は、オペアンプ３７２を有して電流電圧変
換回路が構成され、オペアンプ３７２のマイナスの入力
側はフォトダイオード１５ｃに接続され、このオペアン
プ３７２の入力側と出力側とに抵抗３７４及びコンデン
サ３７３が並列に接続されている。このオペアンプ３７
２のプラスの入力側は接地されている。また、オペアン
プ３７２の出力側は抵抗３７５を介してＡ／Ｄ３１６に
接続されている。

【００５３】ドループ補正回路３２０は、オペアンプ３
７８を備えており、このオペアンプ３７８のマイナスの
入力側はＩ／Ｖ変換回路３１４からの出力信号が抵抗３
７９を介して入力されるように接続され、このオペアン
プ３７８の入力側と出力側とにはアナログスイッチ３８
５、抵抗３８３及びコンデンサ３８４が並列に接続され
ている。このオペアンプ３７８のプラスの入力側は抵抗
３８０を介して接地されている。また、オペアンプ３７
８の出力側は抵抗３８２、可変抵抗３８１及び抵抗３２
８を介して定電流回路３０４の減算用オペアンプ３３８
のプラス側に接続されている。上記アナログスイッチ３
８５は、ＶＥＣ４２から出力される信号（ＲＧ３）及び
Ｇ／Ａ（ＡＰ０３）の論理積によって制御されるように
ＡＮＤ回路３８６の出力側に接続されている。

【００５４】（ＴＥＭ）図１０には、温調回路（ＴＥ
Ｍ）の回路構成の一例を示した。このＴＥＭは、パワー
トランジスタの通電時における発熱を利用してパワート
ランジスタをオンオフすることによって温度を制御する
ものであり、本実施例では、レシーバ２０２の温度調整
に、加熱及び加熱停止するための回路ＴＥＭ４８（図１
０（１）参照）を適用させ、半導体レーザー１４ａ，１
４ｂ，１４ｃの温度調整に、強加熱、弱加熱及び加熱停
止するための回路ＴＥＭ４９（図１０（２）参照）を適
用させている。

【００５５】ＴＥＭ４８は、フォトカプラ４０２を備え
ており、フォトカプラ４０２の入力側の一方は抵抗４０
１を介して５Ｖ電源に接続され、他方はＧ／Ａ４６から
の信号が入力されるように接続されている。フォトカプ
ラ４０２の出力側の一方は接地され、他方はオペアンプ
４０４のプラス側に入力される。このオペアンプ４０４
のプラス側は、抵抗４０３を介してアナログ用５Ｖ電源
に接続されている。オペアンプ４０４の出力側は抵抗４
０６を介してパワートランジスタ４０８のベースに接続
され、このパワートランジスタ４０８のエミッタがオペ
アンプ４０４のマイナス側に入力されるように接続され
ている。また、パワートランジスタ４０８のエミッタは
抵抗４１０を介して接地され、パワートランジスタ４０
８のコレクタは２４Ｖの電源に接続されている。

【００５６】従って、Ｇ／Ａ４６から、このＴＥＭ４８
へハイレベルの信号が入力されると、フォトカプラ４０
２はオフし、オペアンプ４０４の入力は５Ｖになる。従
って、このオペアンプ、パワートランジスタ４０８及び
抵抗４１０の構成により、パワートランジスタ４０８に
は定電流が流れ、パワートランジスタ４０８は、発熱す
ることになる。

【００５７】ＴＥＭ４９は、２個の素子からなるフォト
カプラ４１２を備えており、各々の素子の入力側の一方
は抵抗４２３、４２５を介して５Ｖ電源に接続され、他
方のＨ端及びＬ端にはＧ／Ａ４６からの異なる信号が入
力されるように接続されている。このフォトカプラ４１
２の出力側の各一方は接地され、各他方は抵抗４１５、
４１７を介してアナログ用５Ｖ電源に接続されている。
また、フォトカプラ４１２の出力側の各他方は、抵抗４
１３、４１４を介して加算回路４２０に入力されるよう
に接続されている（プラス側）。この加算回路４２０の
出力側とマイナス入力側とには抵抗４１８が並列に接続
され、マイナス入力側は抵抗４１６を介して接地されて
いる。また、加算回路４２０の出力側はオペアンプ４２
２のマイナス側に接続されている。オペアンプ４２２の
出力側は抵抗４２４を介してパワートランジスタ４２６
のベースに接続され、このパワートランジスタ４２６の
エミッタがオペアンプ４２２のマイナス側に入力される
ように接続されている。また、パワートランジスタ４２
６のエミッタは抵抗４２８を介して接地され、パワート
ランジスタ４２６のコレクタは２４Ｖの電源に接続され
ている。

【００５８】従って、Ｇ／Ａ４６から、このＴＥＭ４９
のＨ端及びＬ端へ入力される信号に応じて、フォトカプ
ラ４１２から出力され加算回路４２０に入力される電流
が変化し、加算回路４２０に入力される信号が増減す
る。例えば、ＴＥＭ４９のＨ端にハイレベルの信号及び
Ｌ端にローレベルの信号が入力されると、フォトカプラ
４１２の１つがオンし他の１つがオフし、オペアンプ４
２０には抵抗４１７、４１３と抵抗４１４による分圧が
入力される。一方、Ｈ端にローレベルの信号及びＬ端に
ハイレベルの信号が入力されると、オペアンプ４２０に
は抵抗４１５、４１４と抵抗４１３とによる分圧が入力
される。従って、オペアンプ４２２、パワートランジス
タ４２６及び抵抗４２８の構成により、パワートランジ
スタ４２６には加算回路４２０から出力される信号に応
じた定電流が流れ、パワートランジスタ４０８は、強と
弱とに発熱することになる。

【００５９】（実施例の作用）以下、本実施例の作用に
ついて説明する。

【００６０】図示しない電源スイッチが投入され、制御
装置４０に電源が供給される。このとき、各半導体レー
ザーにはオンサージ３０８を介して電源が供給されるた
め、サージ電流が抑制され、半導体レーザーの劣化及び
破壊が抑制される（図５参照）。次に詳細は後述する
が、図示しない記憶装置から供給される画像データに基
づいて、ＰＷＭ５０において画像濃度に応じたパルス幅
のパルス信号が生成され、ＬＤＤ５６においてこのパル
ス信号で変調された信号によって、半導体レーザー１４
ａが駆動され、所定の露光量のレーザービームＬ１が半
導体レーザー１４ａから射出される。同様に、ＰＷＭ５
２、５４で生成されたパルス信号により、ＬＤＤ５８、
６０で変調された信号によって、各々対応する半導体レ
ーザー１４ｂ，１４ｃが駆動され、所定の露光量のレー
ザービームＬ２、Ｌ３が射出される（図２参照）。半導
体レーザー１４ａ、１４ｂ，１４ｃから射出された各々
のレーザービームＬ１、Ｌ２、Ｌ３は、光路２４に混合
され反射ミラー２６、２８、ポリゴンミラー３０、ｆθ
レンズ３２及びシリンドリカルミラー３４を介して感光
材料３６に照射される。これにより、感光材料３６には
画像データに応じた露光量のレーザービームが照射さ
れ、所定の発色濃度が得られることにより、画像が形成
される（図１参照）。

【００６１】ここで、本実施例の制御装置４０は、レー
ザー駆動回路（ＬＤＤ）内に電源遮断時のサージ電流を
抑制するためのオフサージ対策回路３１０を有してい
る。

【００６２】図８に示したように、制御装置４０に電源
が投入されているときには定電流シャットダウン回路３
２２では、トランジスタ３５７のベースへ抵抗３５１、
３５３を介して電流が供給され、トランジスタ３５７が
オンする。従って、抵抗３５５が通電され、トランジス
タ３５５がオンして、レギュレータ３５９へ−１２Ｖの
電源が供給される。このレギュレータ３５９は、入力さ
れた−１２Ｖの電圧を−８Ｖに変換して出力する。従っ
て、端子ＴＰ２の電圧は−８Ｖになる。ＤＡシャットダ
ウン回路３２４も同様に、トランジスタ３６２のベース
へ抵抗３６５、３６８を介して電流が供給され、トラン
ジスタ３６２がオンして、抵抗３６９の通電によりトラ
ンジスタ３６１がオンして、レギュレータ３６０へ−１
２Ｖの電源が供給される。従って、Ｄ／Ａ３０６には−
８Ｖの電圧が入力される。定電流回路３０４では、ＶＥ
Ｃ基板４２から入力される予め設定された半導体レーザ
ーに流す電流値であるＡＰＣ制御電流データがＤ／Ａ３
０６でアナログ値（例えば、電圧値）に変換される。そ
の変換された出力電圧、及びツェナーダイオード３４４
のツェナー電圧（例えば、−６．９Ｖ）のそれぞれを減
算用オペアンプ３３８に入力する。その減算用オペアン
プ３３８の出力電圧は、オペアンプ３４０へ入力され、
オペアンプ３４０、トランジスタ３４２、抵抗３３６と
で構成される定電流回路で定電流に変換される。この定
電流が変調回路３０２へ供給される。従って、端子ＴＰ
１は、減算用オペアンプ３３８の出力電圧と同レベルと
なり、端子ＴＰ２の電圧は−８Ｖであるため、この電位
差によって抵抗３３６に流れる電流が変調回路３０２へ
供給される。

【００６３】この定電流シャットダウン回路３２２に供
給されている−１２Ｖの電源が低下（例えば、−１０
Ｖ）すると、トランジスタ３５７の抵抗３５１、３５３
によるバイアス条件が崩れ、トランジスタ３５７がオフ
する。これにより、レギュレータ３５９から電圧が出力
されなくなり、端子ＴＰ２の電圧は不定となるが、この
端子ＴＰ２には、抵抗３３６を介して端子ＴＰ１に接続
されているため、端子ＴＰ２の電圧は端子ＴＰ１に近づ
く方向で変動する。従って、変調回路３０２へ供給され
る電流は減少する変動することにより、半導体レーザー
１４ａの光出力が定格以上になることはない。

【００６４】また、本実施例では、Ｄ／Ａ３０６には、
上記定電流シャットダウン回路３２２と同一の構成のＤ
Ａシャットダウン回路３２４によって、電圧が供給され
る。従って、ＤＡシャットダウン回路３２４に供給され
る−１２Ｖの電源が低下すると、Ｄ／Ａ３０６には電圧
が供給されなくなり、Ｄ／Ａ３０６の出力が停止され
る。このため、端子ＴＰ１の電圧についても、端子ＴＰ
２の電圧方向へ変動するようになる。従って、端子ＴＰ
１及び端子ＴＰ２の電位差が減少する方向に電圧が変動
することにより、半導体レーザー１４ａの光出力が定格
以上になることはない。

【００６５】従って、停電や、制御装置の電源スイッチ
がオンされているときの電源プラグの脱着のときような
電源オフ時においても、半導体レーザーにはサージ電流
が流れることがない。これによって、半導体レーザーの
劣化及び破壊を抑制することができる。従って、画像露
光装置においては、半導体レーザーの劣化による光出力
の微弱な変動が、色ムラや濃度ムラとなり、品質に高い
画像形成が困難となるが、本実施例によれば、この半導
体レーザーの劣化を抑制することができるため、画像品
質の高い画像露光装置を継続的に提供することができ
る。

【００６６】なお、上記オフサージ対策回路３１０とし
て、定電流シャットダウン回路３２２及びＤＡシャット
ダウン回路３２４を用いて半導体レーザーへの供給電流
を遮断するようにしたが、定電流シャットダウン回路３
２２及びＤＡシャットダウン回路３２４の何れか一方を
用いたときにおいても充分な効果を得ることができる。

【００６７】ここで、感光材料３６の発色濃度について
図１５を参照して説明する。感光材料３６は、最小発色
濃度Ｄmin 及び最大発色濃度Ｄmax を有しており、この
濃度間で露光量ｌｏｇＥに対する発色濃度Ｄの特性を有
している（図１５（３）参照）。従って、最小発色濃度
Ｄmin に対応する最小露光量Ｅmin 未満の露光量で、感
光材料３６を照射しても、所望の発色濃度を得ることが
できない。このため、画像データに対応するパルス幅の
信号を生成しても、所定の露光量（最小露光量Ｅmin ）
までの画像データによる発色は適正に行われないことに
なる（図１５（１）参照）。そこで、本実施例では、画
像データによる画像濃度が最小（例えば、指示濃度が
０）のときには、パルス信号のパルス幅を０にしてい
る。さらに本実施例では、最小濃度に発色させるための
画像データに対応するパルス幅を、最小露光量Ｅmin に
対応させるようにしている。すなわち、画像データによ
る指示濃度が最小値のときパルス幅を０に設定しかつ画
像データによる指示濃度が最小値を越えた最小の画像デ
ータのときパルス幅を１５nsecに設定している。従っ
て、画像データと露光量との関係は、指示濃度が０を除
いて最適な露光量と対応させることができる（図１５
（２）参照）。これによって、感光材料には画像データ
に基づく最適な発色濃度の画像が形成される。

【００６８】この半導体レーザーの光出力を画像データ
に応じて変調するためのパルス信号形成について詳細に
説明する。

【００６９】図１１には、ＰＷＭ５０の各所における信
号の波形を示した。図４に示したように、レシーバ２０
２には、画素クロックＧＣ１（図１１（１））がＶＥＣ
基板４２から入力される。積分回路２０４は、この画素
クロックＧＣ１を積分して、三角波形の信号２３０（図
１１（３））を出力する。また、Ｄ／Ａ２１６には、画
像データ（図１１（２））が入力され、Ｄ／Ａ２１６は
この画像データに応じた電圧の信号（図１１（３））を
出力する。コンパレータ２０６は、この信号２３０及び
信号２３２を比較し、三角波の信号２３０が信号２３２
を越えたときにハイレベルの信号（図１１（４））２３
４を出力する。この信号２３４は、白色の画素を形成す
るための画像データ（例えば、１０ビットＤ／Ａなら３
ＦＦ）に対応する信号２３６を含んでいる。

【００７０】画像データはＮＡＮＤ２１８による論理積
の信号（／ＦＦ、図１１（５））がＧ／Ａ４６へ出力さ
れ、Ｇ／Ａ４６において後述する信号ＲＧ０１（図１１
（６））が形成され、ゲート回路２０８に入力される。
ゲート回路２０８は、この信号ＲＧ０１及び信号ＡＰ０
１（図１１（７））の論理和の信号により、信号２３６
がゲートされた信号２３８（図１１（８））が出力され
る。従って、信号２３８は、上記白色画素に対応するパ
ルス幅の信号２３６が除かれ白信号補正されたパルス幅
の信号のみになる。この信号２３８は、信号線７０を介
してＬＤＤ５０へ出力される。

【００７１】次に、上記白信号補正のためのパルス信号
（ＲＧ０１）の形成について説明する。

【００７２】図１２には、Ｇ／Ａ４６における白信号処
理回路１０２の同期処理回路１２０の各所における信号
の波形を示した。図７に示したように、同期処理回路１
２０のフリップフロップ回路１３０では、入力されるラ
スタゲート信号ＲＧ１（図１２（１））が画素クロック
ＧＣ１（図１２（２））の立ち上がりで同期された信号
が形成される。また、フリップフロップ回路１３２に入
力される信号（／ＦＦ、図１２（５））も画素クロック
ＧＣ１で立ち上がりで同期される。この信号（／ＦＦ）
の同期された信号（図１２（６））と画素クロックＧＣ
１が所定時間遅延かつ反転された信号（／ＧＣＳ１、図
１２（４））とのＯＲ回路１３４による論理和の信号
（図１２（７））について、ＡＮＤ回路１３６で上記同
期されたラスタゲート信号ＲＧ１との論理積が求めら
れ、この論理積出力（図１２（８））がＰＷＭ５０へ出
力される。

【００７３】このように、画像の記録を指示するための
ラスタゲート信号ＲＧ１が画素クロックＧＣ１で同期さ
れかつ、白色画素に対応するパルス幅の信号２３６（図
１１参照）が除かれた信号ＲＧ０１が形成される。

【００７４】従って、半導体レーザーの変調時には、白
色画素に対応するパルス幅の信号２３６は除去されてい
るため、微弱な光出力が生じることなく、最適な色再現
を実現できる。また、複数の画像を重ねて露光するとき
のような多重露光を行う場合においても、微弱な光によ
るかぶりを防止することができる。

【００７５】また、本パルス幅変調は、最小パルス幅以
下の制御が必要なく、階調分解能を上げることができ
る。すなわち、最小濃度に発色させるための画像データ
に対応するパルス幅を、最小露光量に対応させているた
め、感光材料が発色しない露光量である短いパルス幅の
制御を行う必要がなく、階調分解能を上げることができ
る。

【００７６】上記説明したように、画像データに応じた
パルス幅の信号で半導体レーザーが変調されるが、一般
に半導体レーザーは、ドループ特性を有しており、パル
ス幅変調時の半導体レーザーの自己発熱により光出力が
変化する。この自己発熱による光出力変化は、時定数が
何１００μｓというレベルのため、温度調整では制御す
ることができない。例えば、１走査内を同一画像データ
で変調した場合は前縁に比べ後縁の光出力が低下する
（前画像の履歴を受ける）。このため、本実施例の制御
装置４０は、ドループ補正回路３２０を備えている。

【００７７】ドループ補正回路３２０には、図９に示し
たように、レーザーダイオード１３ｃから射出される光
出力（図１３（１））を検出したフォトダイオード１５
ｃの電流出力が、Ｉ／Ｖ変換回路３１４において電圧
（図１３（２））に変換されて入力される。この入力さ
れた信号を、ドループ補正回路３２０は、アナログスイ
ッチ３８５がオフの場合に、オペアンプ３７８で反転増
幅すると共に、抵抗３８３及びコンデンサ３８４の時定
数に応じて積分する。この積分された信号は、可変抵抗
３８１で減衰されて（図１３（３））、定電流回路３０
４の減算用オペアンプ３３８のプラス入力側へ出力され
る。従って、定電流回路３０４の減算用オペアンプ３３
８のプラス入力側の電圧は、ツェナーダイオード３４４
で制限された電圧（−６．９Ｖ）に図１３（３）に示し
た信号が加算された信号（図１３（４））になる。

【００７８】上記アナログスイッチ３８５は、ラスタゲ
ート信号ＲＧ３及び信号ＡＰ０３の論理積、すなわち画
像記録領域のときオフ、非画像記録領域のときオンにな
る。従って、非画像記録領域のときは、ドループ補正回
路３２０から０Ｖが出力されるリセット状態とされるた
め、各走査時においてドループ補正を行うときは、前回
の走査時のドループ補正を影響を受けることはない。

【００７９】このように、フォトダイオード１５ｃで検
出したレーザーダイオード１３ｃの光出力に応じて、画
像記録領域に対する時間だけ半導体レーザーに供給する
電流を補正するため、ラスタゲート信号のハイレベルに
対応する１走査の間に、半導体レーザー１４ｃの光出力
が補正することができる。従って、得られる画像の画質
を低下させることなく、画像を形成することができる。

【００８０】なお、ドループ補正回路を付加しないでド
ループの影響による画質劣化を防ぐ方法として、上記パ
ルス幅変調するための半導体レーザーの最小パルス幅及
び最大パルス幅の差を、各々の半導体レーザーが有する
ドループ量に応じて変更する方法がある。すなわち、ド
ループ量が大きな半導体レーザーはその差を小さくし、
ドループ量が小さな半導体レーザーはその差を大きくす
る。このようにすることによってドループ量の均一化が
図れ、カラー画像を形成するときの色相変化の少ない画
像を形成することができる。更に、上記最小パルス幅及
び最大パルス幅の差を大きくした半導体レーザーは、ダ
イナミックレンジが大きくなる。

【００８１】なお、本実施例では、３個の半導体レーザ
ーを使用して画像を形成する場合について説明したが、
半導体レーザーの数量に限定されるものではなく、１個
以上の何れの半導体レーザーについて本発明を適用して
もよい。

【００８２】また、上記実施例では、画像露光装置とし
て画像を記録する場合について説明したが、光電変換素
子等を用いて画像情報を得る読取り再生装置にも容易に
適用できる。

【００８３】また、上記実施例では、半導体レーザーの
自己発熱による光出力の補正をアナログ的に行うように
したが、半導体レーザーを変調するパルス幅を変化させ
補正するようにしてもよい。この場合、記憶されている
画像データに、フォトダイオードで測定した光出力に基
づく補正量を加算することによって、パルス幅を変化さ
せることができる。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体レーザーを駆動するための電源を遮断する場合であ
っても、半導体レーザーの光出力が定格光出力を越える
ことがないため、半導体レーザーの劣化及び破壊を防止
することができる、という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適応可能な画像露光装置の概略を示す
構成図である。

【図２】本実施例の画像露光装置の制御装置の内部構成
を示すブロック図である。

【図３】ＬＤ基板のゲートアレイ回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図４】ＬＤ基板のパルス幅変調回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図５】ＬＤ基板のレーザー駆動回路の構成を示すブロ
ック図である。

【図６】ＬＤ基板のドループ補正回路を含んだレーザー
駆動回路の構成を示すブロック図である。

【図７】同期処理回路の内部構成の一例を示すブロック
図である。

【図８】図５のオフサージ対策回路の構成の一例を示す
回路図である。

【図９】図６のドループ補正回路の構成の一例を示す回
路図である。

【図１０】本実施例の温調回路の構成の一例を示す回路
図である。

【図１１】図４のパルス幅変調回路の各信号のタイムチ
ャートを示す線図である。

【図１２】図３の同期処理回路の各信号のタイムチャー
トを示す線図である。

【図１３】図６のドループ補正回路に関係する各信号の
タイムチャートを示す線図である。

【図１４】図５の変調回路の構成の一例を示す回路図で
ある。

【図１５】（１）は画像データと露光量の関係を示した
線図、（２）は本実施例の画像データと露光量の関係を
示した線図、（３）は感光材料における露光量と発色濃
度の関係を示した線図である。

【符号の説明】

１０画像露光装置１４半導体レーザー１３ａレーザーダイオード１５ａフォトダイオード４０制御装置３０４定電流回路３１０オフサージ対策回路３２２定電流シャットダウン回路３２４ＤＡシャットダウン回路３３６抵抗３４２トランジスタＴＰ１端子ＴＰ２端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】供給された電流の大きさに応じた出力の
レーザービームを射出する半導体レーザーと、前記半導体レーザーに流れる電流を制御するトランジス
タを備え、電源から供給される異なる大きさの複数の電
圧を用いて定電流を生成し、前記半導体レーザーに流れ
る電流が定電流になるように制御する電流制御手段と、前記電源を遮断するときに、前記電流制御手段により電
流が生成されないように前記複数の電圧の少なくとも１
つの供給を停止する電源遮断手段と、を備えた半導体レーザー駆動装置。
【請求項２】供給された電流の大きさに応じた出力の
レーザービームを射出する半導体レーザーと、電源に接続され、２つの定電圧を供給する定電圧手段
と、前記半導体レーザーに流れる電流を制御するトランジス
タ、及び一端が該トランジスタに接続されかつ他端が定
電位になるように前記定電圧手段から一方の定電圧が供
給される抵抗を備え、前記定電圧手段から供給される他
方の定電圧を用いて該トランジスタと該抵抗との接続点
のレーザー制御電位を制御することにより定電流を生成
し、前記半導体レーザーに流れる電流が定電流になるよ
うに制御する電流制御手段と、前記レーザー制御電位と前記定電位との電位差が減少す
るように電源を遮断する電源遮断手段と、を備えた半導体レーザー駆動装置。
【請求項３】前記電源遮断手段は、前記レーザー制御
電位が前記定電位に近づくように前記電流制御手段で用
いた他方の定電圧の供給を停止することを特徴とする請
求項２に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項４】前記電源遮断手段は、前記定電位が前記
レーザー制御電位に近づくように前記抵抗に供給される
一方の定電圧の供給を停止することを特徴とする請求項
２に記載の半導体レーザー駆動装置。
【請求項５】前記電源遮断手段は、前記レーザー制御
電位及び前記所定電位が相互に近づくように前記電流制
御手段で用いた他方の定電圧及び前記抵抗に供給された
一方の定電圧の両方の定電圧の供給を停止することを特
徴とする請求項２に記載の半導体レーザー駆動装置。