JPH0670643B2 - 加速度計 - Google Patents

加速度計

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JPH0670643B2
JPH0670643B2 JP3327436A JP32743691A JPH0670643B2 JP H0670643 B2 JPH0670643 B2 JP H0670643B2 JP 3327436 A JP3327436 A JP 3327436A JP 32743691 A JP32743691 A JP 32743691A JP H0670643 B2 JPH0670643 B2 JP H0670643B2
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accelerometer
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スティーヴン・エドワード・スタラー
デーヴィッド・ウィリアム・デ・ロー
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デルコ・エレクトロニクス・コーポレーション
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】この発明は加速度計に関し、特に、測定用
塊部（ｐｒｏｏｆ ｍａｓｓ）の過度の撓みを防止する
手段を含むような型式の加速度計に関する。
【０００２】加速度計は、航行システム（航海と航空
術）、特に慣性航行システムと計器盤による自動安全コ
ントロールシステムに用いられる主要なセンサーの一つ
である。加速度計の自動車への応用例には、例えば、各
種のアンチブロックのブレーキシステム（ＡＢＳ）、活
性サスペンションシステム、シートベルト自動締め付け
装置などがある。
【０００３】一般的な用語では、加速度計とは加速度を
測定する、もっと詳しく言えば、物体が速度を変える時
に加えられる力を測定する装置である。物体は慣性を所
有し、これが物体に速度の変化に対する抵抗性を生じさ
せる原因である。物体が加速される時に物体によって加
えられる力の源となるのは、速度の急激な変化に対する
他ならぬ此の抵抗力である。この力は運動の方向の加速
成分に比例し、加速度の尺度を与える為に加速度計によ
って用いられる。
【０００４】典型的な加速度計では、塊部の向かい合う
両側に接続された二本のスプリングによって塊部が懸垂
される（吊り下げられる）。塊部は系が静止中または一
定速度で運動している限り、ニュウトラル（中立）の位
置に保たれる。系がスプリングの軸方向またはスプリン
グ軸に垂直方向に速度の変化を受けて、これらの方向の
どちらかに加速される時は、塊部の上に取り付けられた
スプリングが、最初は塊部の持つ慣性の故にその方向に
沿った運動に抵抗する。運動に対する此の抵抗力、即
ち、運動の遅れ（ｄｅｌａｙ）が一時的にスプリングを
強制的に伸縮、若しくは圧縮させる力を及ぼす。各スプ
リング上に作用する引張力又は圧縮力は、塊部の重さと
塊部の加速度の積に比例する。そうなれば加速度は塊部
が経験する速度の変化によって決定される。
【０００５】一対の圧電気（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）ミクロブリッジによって懸垂された測定用塊部を有
する集積回路のミクロ加速度計もまた知られている。こ
の型式の加速度計の図解例は、日本国特許公開Ｎｏ．１
８３，１６７／９０の中に開示されている。この型式の
ミクロ加速度計では、測定用塊部は少なくとも一対の圧
電気ミクロブリッジによって懸垂される。一対のミクロ
ブリッジは、測定用塊部の共通軸に沿って向き合う両端
に取り付けられている。塊部の加速度は各圧電気ブリッ
ジの上に作用する力の変化によって決定される。このタ
イプの共鳴ミクロ加速度計は、ミクロ機械的（ｍｉｃｒ
ｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）な共鳴構造体の振動数が物理
的または化学的シグナルに対して高度に敏感性になる様
に為し得るので精密測定用に魅力がある。
【０００６】これらの及びその他の型式のミクロ加速度
計の製造に関しては欠点がある。測定用塊部が懸垂され
るミクロブリッジは、典型的には、極端に薄い物質、一
般にはシリコンの層から形成される。これらの薄いミク
ロブリッジは、若しも測定用塊部を過度に撓むままに任
せるならば、損傷に対して極端に敏感である。従って、
測定用塊部は測定目的に対しては適当なシグナルを生じ
るに足る程度に撓んでも良いが、しかし、ミクロ加速度
計のミクロブリッジ又は他の成分に劣化をもたらす程大
きくは撓まないのが望ましい。従来からの一般的慣行と
しては、互いに両立する物質から成る二つの他のウエフ
ァーの間に加速度計の成分を組み込んだシリコンのウエ
ファーをサンドウィッチして、測定用塊部が撓むことが
できるように測定用塊部と二つの周囲のウエファーの各
々の間に予め決められた厚さの間隙（ｇａｐ）を設ける
ことであった。間隙はセンサーの設計上の要求に従って
選ばれ、測定用塊部が周囲上下のウエファーに接触する
前に、測定用塊部がそれ以上撓むのを防止するように予
め決められた距離だけ撓むのを許すようになっている。
【０００７】しかしながら、装置ウエファーが互いに両
立する物質の二つのウエファーの間にサンドウィッチさ
れる型式のミクロ加速度計を製造する現行の方法に関連
して困難性がある。一つの共通した方法は、シリコンの
ミクロ加速度計装置を二つのガラス板（ガラス板の各は
測定用塊部の撓みを許すように適当な高さの窪みを持っ
ている）の間で静電結合することであった。しかしなが
ら、シリコンウエファーとガラスウエファー間の熱膨張
係数の不整合（不一致）が、ミクロ加速度計が満足でき
る操作性を持つ必要がある広い温度領域に亙って熱的に
誘発された応力を齎らす。このことはミクロ加速度計が
自動車に用いられるならば特に然りである。同じく又、
ガラスに必要とされる深さの窪みを形成するように加工
することは元来困難である。これらの理由から、シリコ
ンのミクロ加速度計ウエファーを二枚のガラス板の間で
結合する現行の此の慣行は受け入れられないことが見出
だされた。
【０００８】ミクロ加速度計を形成する別の方法はシリ
コン装置を二つのシリコンウエファーの間にサンドウィ
ッチするものであり、周囲上下の二枚のシリコンウエフ
ァーの各には測定用塊部の撓みを受け入れる窪みが適当
に設けられている。シリコンウエファーは、次に慣用の
金共融結合技法を用いて結合される。しかしながら、こ
の方法は熱膨張係数の不一致の問題を緩和するものであ
るとはいえ、それでも此の方法にも問題点が多い。共融
混合物を用いる結合の形成を始める為には、結合させる
表面間で密着性を確実なものとする為に、予めウエファ
ーの表面を攻撃的にスクラビング（ブラシや布でごしご
し擦する）しなければならない。この攻撃的な処置は装
置成分にとって有害であるから、ひと度ミクロ加速度計
の成分が中間層のシリコンウエファーの上に形成された
以上は、このような処置は簡単には為し得ない。それで
も尚、周囲のウエファーをミクロ加速度計に結合できる
のは、成分が形成された後のみしかない。従って、この
方法も又、受け入れることはできない。
【０００９】本発明は改良された加速度計を提供しよう
とするものである。
【００１０】本発明の一つの面によれば、特許請求の範
囲第１項に示すような加速度計が提供される。
【００１１】本発明の別の面によれば、特許請求の範囲
第１０項に示すような加速度計の形成方法が提供され
る。
【００１２】本発明は、装置に不必要な残留応力を齎ら
さないように加速度計と周囲のウエファー間の結合が比
較的低い応力水準を持つような加速度計を提供する。更
に、結合されたウエファー間の間隙設定（ｓｐａｃｉｎ
ｇ）の正確で精密な制御を一層容易にする手段と、一方
では同じく又、好ましくは、測定用塊部の過度の撓みを
防止する為に加速度計の設計に組み込まれた停止手段
（ストップ）を提供することができる。このような結合
は、同じくまた加速度計の成分に劣化を与えずに、例え
ば、いかなる攻撃的なスクラビング型の操作も用いずに
比較的低い温度で形成することが可能である。
【００１３】本発明の加速度計は、加速度計の平面と垂
直な平面における測定用塊部の加速度を正確に決定する
のに適している。
【００１４】一つの具体例では、加速度計は本質的に単
結晶の平面に沿って配向されたシリコン基板から構成さ
れる。単結晶のシリコン基板は、好ましくは、互いに事
実上平行な前面（ｆｒｏｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ）と裏面
（ｂａｃｋ ｓｕｒｆａｃｅ）及びシリコン基板の内部
にあるミクロブリッジから測定用塊部が懸垂されるよう
にシリコン基板の内部に形成された測定用塊部を有す
る。従って、シリコン基板とミクロブリッジ部位を除く
測定用塊部との間では事実上、至る所に間隙（ｇａｐ）
が設けられることになる。
【００１５】塊部の加速度の変化を検出する為の電子手
段がシリコン基板と測定用塊部の前面に好便に設けられ
る。これらの検出手段は、測定用塊部の運動の変化を検
出することによって測定用塊部の平面内の加速度の表示
を与えることができる。
【００１６】加速度計は、測定用塊部の平面に垂直方向
の、即ち、ｚ−軸方向の測定用塊部の過度の変位を防止
するように、その外周近くでシリコンのキャッピング
（蓋）プレートとシリコンのバックプレート（ｂａｃｋ
ｐｌａｔｅ、後板）に結合される。
【００１７】加速度計は、好ましくはミクロ加速度計で
ある。
【００１８】シリコンの蓋プレートとシリコンのバック
プレートの双方は、それらがシリコン基板に結合されて
いるその外周に隣接する領域の回りに連続的に設けられ
た所定の高さの支持カラム（ｓｕｐｐｏｒｔ ｃｏｌｕ
ｍｎ、支持円柱）を持つように機械加工される。蓋プレ
ートはミクロ加速度計の前面に結合され、バックプレー
トは各支持円柱の近傍でミクロ加速度計の後面に結合さ
れる。シリコンプレートは、好ましくは、ウエファーの
外周に設けられた適当な接着剤手段によって相互に結合
される。接着剤の結合は、好ましくは広い温度範囲に亙
って低い残留応力を有し、ミクロ加速度計の成分に不必
要な劣化を与えることが無いように比較的低い温度で形
成することができる。それに加えて、接着剤結合はミク
ロ加速度計の使用中又は一体組み立て（ｐａｃｋａｇｉ
ｎｇ）中の振動に由来する応力からミクロ加速度計を或
る程度隔離する作用を与える。
【００１９】支持カラムはプレートの各の内部に窪み領
域を与えることができる。窪み領域は支持カラムの所在
場所と支持カラムの高さと等しい深さによって決定され
るだろう。窪み領域は加速度計の測定用塊部がこれらの
窪み領域内に撓むことを可能にする。従って、支持カラ
ムの予定される高さは、好ましくは、ミクロ加速度計に
対する設計の明細を最適化するように選ばれ、正確にコ
ントロールすることができる。
【００２０】各プレートの窪んだ領域の内部に、ミクロ
加速度計の前面と後面に対して垂直方向の検定用塊部の
過度の撓みを防止する為に、少なくとも一つの停止部材
を設けることができる。各プレート上の停止部材は、好
ましくは、支持カラムの最初に予定した高さよりも低い
二番目に予定した高さの二番目に機械加工されるカラム
である。
【００２１】以下に、付随する図面を参照しながら、本
発明の一つの具体例を記述するが、これは飽くまでも単
なる例示である。
【００２２】図１に示されるように、加速度計１０は、
その測定用塊部１２がミクロ加速度計１０の平面に対し
て垂直方向に（換言すれば、図１に関して紙面の平面の
横方向または平面と垂直方向または平面の外方向に）動
く時に加速度の尺度（又は、指標）を与えるように適合
される。
【００２３】ミクロ加速度計１０は単結晶の結晶面に事
実上、沿って配向されたシリコン基板１４から形成され
る。シリコン基板１４は、最適結果のミクロな機械加工
（超精密機械加工）の目的には、結晶面〈１００〉に沿
って配向した単結晶であるのが好ましいが、しかし、シ
リコン基板１４が結晶面〈１１０〉に沿って配向したも
のでもあったも適当な結果が得られる。
【００２４】単結晶のシリコン基板１４は、事実上、互
いに平行な前面と後面１６、１８から構成される。測定
用塊部１２は、シリコン基板１４の内部に形成され、ミ
クロブリッジ２２によって加速度計１０の残りの部分の
上に支持される。好ましい具体例では、測定用塊部１２
の周囲に均等に配置された四つのミクロブリッジが提供
される。
【００２５】測定用塊部１２は、日本国特許出願Ｎｏ．
２２４，３４４／９１に開示されるように既知のミクロ
超精密機械加工を用いて形成される。シリコン基板１４
をミクロ超精密機械加工する代りの慣用的な方法も又、
測定用塊部１２とミクロブリッジ２２を形成する為に用
いることができる。
【００２６】間隙２０は測定用塊部１２とシリコン基板
１４の間に設けられていて、間隙に残るのは測定用塊部
１２を基板１４に接合するミクロブリッジ２２だけで、
あとは空間である。
【００２７】測定用塊部１２の加速度の変化を検出する
為の電子手段は、測定用塊部１２とミクロブリッジ２２
を含むシリコン基板１４の前面１６の事実上、全体を覆
うように設けられている。電子手段は斜めに陰影を付け
た領域２４によって描写されている。使用中、電子手段
２４は測定用塊部１２によって運動の変化を検出し、そ
れを適当なシグナルに変えることによって、測定用塊部
１２の平面内（即ち、図１に示される展望図において紙
平面の横脇又は紙面を貫いて又は紙面から外へ向かう方
向へ）の加速度を何等かの適当な方法によって表示す
る。
【００２８】一般に、ミクロ加速度計１０はシリコン基
板１４の平面内の加速度の成分を下記の技法によって測
定する。好ましくは、シリコンのミクロ加速度計１０
は、ミクロ加速度計の平面のｘ−軸とｙ−軸に沿って夫
れぞれが位置するように互いにシリコンの測定用塊部に
対して直交（直角に交叉する）して取り付けられた二対
のミクロブリッジを含む（図１と２の断面図には一対の
ミクロブリッジ２２のみを示す。二番目の一対のミクロ
ブリッジは最初の一対２２と直交している）。一次（微
分係数）の温度効果と物質効果を償却する為に、測定用
塊部１２の対向する両側に取り付けられたミクロブリッ
ジ２２は、加速中に二対のミクロブリッジの各が同等の
差分軸荷重を経験するように整合されねばならない。シ
リコン基板１４と同一平面内の加速度によって測定用塊
部１２の上に掛かる慣性力（ｉｎｅｒｔｉａｌ ｆｏｒ
ｃｅ）は対向する各ペア（対）のミクロブリッジの上に
差分軸荷重を発生し、それによってミクロブリッジ２２
の各の中に形成されたピエゾ（圧電）抵抗素子（ｐｉｅ
ｚｏｒｅｓｉｓｔｏｒ）に相当する変化を生ずる。
【００２９】ミクロ加速度計１０は、その周辺部２６と
２８の近傍で夫れぞれ、シリコンのキャッピング（蓋）
プレート３０とシリコンのバックプレート（後板）３２
に結合する。キャッピングプレート３０とバックプレー
ト３２の目的は、使用中の電子検出手段２４と測定用塊
部１２の双方を保護することと、測定用塊部１２とシリ
コン基板１４の同一平面に対して垂直方向、即ち、ｚ−
軸方向に測定用塊部の過度の変位を防止することであ
る。シリコン基板１４と二つのシリコンプレート３０と
３２の間の結合は比較的低い応力を有すると共に、測定
用塊部１２がミクロ加速度計１０と此等二つのプレート
３０と３２との間で撓む間隔を精確にコントロールする
手段を与える。
【００３０】シリコンのキャッピングプレート３０とシ
リコンのバックプレート３２の双方は、シリコン基板１
４を支持するように夫れぞれ所定の高さを持ち、シリコ
ン基板１４の周辺に連続的に配置された支持カラム３４
を持つように機械加工される。支持カラム３４，３６の
外周には、プレート３０，３２をミクロ加速度計１０に
結合する為の結合２８（図２）が設けられている。支持
カラム３４と３６は、慣用の型押し（ｐａｔｔｅｒｎｉ
ｎｇ、鋳型）と蝕刻（ｅｔｃｈｉｎｇ）の技法を用いて
シリコン基板１４から機械加工される。支持カラム３４
と３６の高さはカラムの形成と測定用塊部１２と各プレ
ート３０と３２の間の間隙の高さ、及びそれらに対応し
た測定用塊部１２に対して許容される撓み量または制動
距離（ｄａｍｐｉｎｇ ｄｉｓｔａｎｃｅ）を本質的に
決定するのに必要な特定の機械装置と加工技術などのパ
ラメーターによって決定される。この制動距離は、ミク
ロ加速度計１０の性能と動作にとって臨界的に重要なフ
ァクターであり、支持カラム３４と３６の高さによって
正確にコントロールすることができる。支持カラム３４
と３６は必ずしも同一の高さを持つ必要は無い。尤も、
大抵の応用例でも同じことは当然予見できることではあ
るが。
【００３１】キャッピングプレート３０はミクロ加速度
計１０の前面１６に、バックプレート３２はミクロ加速
度計１０の後面１８に、夫れぞれ支持カラム３４，３６
に隣接する各領域２６と２８において結合されている。
結合された領域２６と２８は、支持カラム３４と３６及
びシリコン基板１４の各相手方の表面との間の緊密な接
触を保証する為に、支持カラム３４と３６に隣接してい
ることが好ましい。
【００３２】シリコン基板１４、キャッピングプレート
３０とバックプレート３２は、領域２６と２８において
適当な接着剤により一緒に結合される。プレート１４，
３０及び３２の間で完全な結合を保証する為に、接着剤
はキャッピングプレート３０とバックプレート３２の外
周に沿って連続的に与えられるべきである。図２に示さ
れる一つの図解例として、バックプレート３２は、バッ
クプレート３２の支持カラム３６に隣接する領域２８に
接着剤を適用することによって、シリコン基板１４に結
合される。接着剤は基板の上に従来法に従ってスクリー
ン印刷しても良いし、又は、接着剤を沈着させる為の他
の適当な代わりの方法を用いることもできる。
【００３３】接着剤は、好ましくはＲＴＶ（自然加硫）
型式の接着剤のようなシリコンゴムであるべきである。
ＲＴＶ接着剤の特に適当なタイプは、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ社から製品コードＱ３６６１１の名前で市販さ
れている。他の適当なＲＴＶ接着剤も、その他のタイプ
の接着剤と並んで用いることができる。
【００３４】接着剤を塗布した後に、シリコン基板１４
とシリコンプレート３０，３２を図１に示されるように
プレート１４，３０及び３２を積み重ね、接着剤が硬化
する迄プレートの積層体に適当な重量を加えて一緒に結
合する。重量は必ずしも必要ではないが、重量を加えれ
ば接着剤の硬化過程でプレート１４，３０及び３２の間
の緊密で完全な接触を確かなものとする。
【００３５】接着剤の硬化プロセスは比較的低い温度で
行なわれ、勿論、そのような低温ならば、仮令電子成分
２４を形成した後にプレート１４，３０及び３２を一緒
に結合しなければならないとしても、接着剤の硬化中に
ミクロ加速度計１０又はその電子成分（領域２４として
描写されている）に何等意味のある損傷を齎らさないだ
ろう。好ましい接着剤であるＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
社のＱ３６６１１自然加硫型接着剤の場合は、約１５０
℃の温度で約３〜４時間の硬化条件が用いられる。
【００３６】ミクロ加速度計１０の内部の接着剤結合２
６と２８は、広い温度範囲でも残留応力は低い水準に留
どまる。硬化の後でさえ、接着剤結合２６と２８は、何
時迄も若干の可撓性を持つので、それにより使用中とパ
ッケージング中のミクロ加速度計に対して或る程度の応
力遮断の役目を果たす。それに加えて、シリコン基板１
０はキャッピングプレート３０とバックプレート３２と
同じ材質であるから、熱膨張係数の不一致に因る熱誘発
応力は事実上、存在しない。このようなミクロ加速度計
１０の成分の結合方法は、極めて小さな残留応力を持っ
た装置を齎らすから、製品は広い温度範囲に亙って良好
な性能を示す。
【００３７】支持カラム３４と３６が、シリコンプレー
ト３０と３２の各の内部に夫れぞれ奥まった窪みの室３
８と４０を形成していることは注目すべき点である。窪
み領域３８と４０は対応する支持カラム３４と３６の所
在位置によって決定される直径と支持カラムと等しい深
さを持っている。窪み領域３８と４０は加速度計１０の
測定用塊部１２が、ミクロ加速度計１０の前面と後面１
６と１８に対して垂直なｚ−軸方向へ撓むことが出来る
ようにしている。各プレート３０と３２の窪み領域３８
と４０の内部には、夫れぞれ少なくとも一つの停止部材
４２と４４が設けられていて測定用塊部１２の過度の撓
みを防止するようになっている。各プレート、３０，３
２の上にある停止部材４２，４４は、好ましくは、支持
カラム３４と３６の最初の機械加工に予定された高さよ
りも低い高さを持った二番目の機械加工のカラムであ
る。ストップカラム４２と４４は、シリコンに対して用
いられる慣用の型押しと蝕刻の技法を用いて機械加工さ
れ、支持カラム３４，３６と同時に形成することができ
る。
【００３８】ストップカラム４２と４４の高さは多少は
変えても良いが、しかし、その高さは測定用塊部１２に
よる若干の撓みを許せる程度に、支持カラム３４と３６
の高さより常に低くくする。ストップカラム４２，４４
の高さと支持カラム３４，３６の高さの差（及びそれに
対応して測定用塊部１２の撓みに対する制動距離）は、
加速度計の特定の用途に依存して多少の違いがある。低
い加速度を検出するミクロ加速度計の場合は、二つの種
類のカラムの高さの間の差は、測定用塊部１２による撓
みの大きさが小さくなるように少なくすべきである。逆
に、もっと大きな加速度を検出する加速度計１０の用途
に対しては、支持カラム３４，３６とストップカラム４
２，４４の両者の高さの差を、測定用塊部１２にもっと
大きな運動を許せるように、もっと大きくすることが必
要である。当然のことながら、ストップカラム４２と４
４は測定用塊部に十分な動きは許すが、しかし、過度の
撓みから測定用塊部１２を保護するものでなければなら
ない。
【００３９】特別な用途としては、約２５Ｇに達する加
速度を測定するように設計されたミクロ加速度計１０の
場合、支持カラム３４，３６とストップカラム４２，４
４の両者の高さの差は約５ミクロメートルである。従っ
て、測定用塊部１２は、キャッピングプレート３０の上
に設けられたストップ４２又はバックプレート３２の上
に設けられたストップ４４と接触する迄に、どちらかの
方向に５ミクロメートル丈撓むことが許される。実際上
は、この高さの差は普通は約５ミクロメートルを越えな
いことが見出された。
【００４０】停止部材４２と４４の高さは等しくある必
要は無いが、しかし、実際上は常に大凡そ等しくなる可
能性が高い。更に、各プレート３０，３２の上にあるス
トップカラム４２の数は、加速度計の用途と加工技術に
依存して変わり得る。停止部材４２と４４は、測定用塊
部１２に掛かる停止作用が確実に等しく、且つ均等な分
布となるように、夫れぞれのプレート３０と３２の中心
に関して対称の位置に設けるのが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】キャッピングプレートとバックプレートに結合
されたミクロ加速度計の一つの具体例の断面図である。
キャッピングプレートとバックプレートの双方は、共に
ミクロ加速度計の内部にある測定用塊部の過度の撓みを
防止する為の停止部材から成る。
【図２】ミクロ加速度計の内部にある結合領域を図示す
る部分的な拡大図である。支持カラムと接着剤の双方が
示されている。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実質的に互いに平行な第一の表面と第二
    の表面（１６，１８）を含むシリコン支持体（１４）；
    シリコン支持体内に形成され、支持体から懸垂されるよ
    うに適合された塊部（１２）；シリコン支持体と接触す
    るように適合され、シリコン支持体から塊部が懸垂され
    るように第一のシリコンプレートとシリコン支持体の間
    にある第一の支持体カラムによって間隙が与えられるよ
    うにシリコン支持体の第一の表面に接着された第一のカ
    ラム（３４）、及び第一のシリコンプレートと塊部間の
    空間よりも小さい量だけ塊部から間隔を置いた第一の停
    止部材（４２）から構成される第一のシリコーンプレー
    ト（３０）；シリコン支持体と接触するように適合さ
    れ、シリコン支持体から塊部が懸垂されるように第二の
    シリコンプレートとシリコン支持体の間にある第二の支
    持体カラムによって間隙が与えられるようにシリコン支
    持体の第二の表面（１８）に接着された第二の支持体カ
    ラム（３６）、及び第二のシリコンプレートと塊部間の
    空間よりも小さい量だけ塊部から間隔を置いた第二の停
    止部材（４４）から構成される第二のシリコンプレート
    （３２）；から成る加速度計であって、第一と第二の停
    止部材（４２，４４）が第一と第二のシリコンプレート
    の方向への塊部の過度の撓みを防止するようになってい
    る前記加速度計。
  2. 【請求項２】 第一の停止部材が第一のシリコンプレー
    ト上に形成されたリブから成り、第二の停止部材が第二
    のシリコンプレート上に形成されたリブから成る請求項
    １記載の加速度計。
  3. 【請求項３】 塊部の加速度の変化を検出し、塊部の加
    速度の表示を与えるように適合された検出手段から成
    り、該検出手段が事実上シリコン支持体の第一の表面上
    に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記
    載の加速度計。
  4. 【請求項４】 シリコン支持体が第一と第二のシリコン
    プレートから事実上、等しい間隔にあり、そして塊部が
    第一と第二の停止部材から等しい間隔にある請求項１、
    ２又は３に記載の加速度計。
  5. 【請求項５】 シリコン支持体と第一と第二のシリコン
    プレート間の間隔と塊部と第一と第二の停止部材間の間
    隔の差が約５ミクロメートルを越えない請求項４記載の
    加速度計。
  6. 【請求項６】 シリコン支持体が第一と第二のシリコン
    プレートにシリコンベースの接着剤の手段によって結合
    されている請求項１乃至５のいずれかに記載の加速度
    計。
  7. 【請求項７】 シリコン支持体が事実上、単結晶面に沿
    って配向している請求項１乃至６のいずれかに記載の加
    速度計。
  8. 【請求項８】 塊部が複数のブリッジ部分（２２）によ
    ってシリコンプレートにしっかりと繋ぎ止められている
    請求項１乃至７のいずれかに記載の加速度計。
  9. 【請求項９】 第一および／または第二のシリコンプレ
    ートが夫れ夫れの支持体カラムの外周に最も近い結合部
    分（２６，２８）によってシリコン支持体に結合される
    請求項１乃至８のいずれかに記載の加速度計。
  10. 【請求項１０】 シリコン支持体（１４）、シリコン支
    持体上の事実上互いに平行な第一と第二の表面（１６，
    １８）及びシリコン支持体から懸垂されるように適合さ
    れた塊部（１２）を設け；シリコン支持体の第一の表面
    上に、塊部の加速度の変化を検出し、塊部の加速度を表
    示するように適合された検出手段（２２）を設け；第一
    のシリコンプレート（３０）、第一の支持体カラム（３
    ４）及び第一のシリコンプレート上に第一の支持体カラ
    ムの高さよりも低い高さを有する第一の停止部材（４
    ２）を設け；第二のシリコンプレート（３２）、第二の
    支持体カラム（３６）及び第二のシリコンプレート上に
    第二の支持体カラムの高さよりも低い高さを有する第二
    の停止部材（４４）を設け；夫れ夫れの支持体カラムの
    領域において、第一のシリコンプレートをシリコン支持
    体の第一の表面に、第二のシリコンプレートをシリコン
    支持体の第二の表面に、シリコンベースの接着剤の手段
    によって結合し；シリコン支持体と第一のシリコンプレ
    ート間に設けられた第一の停止部材と第一の支持体カラ
    ムの高さ間の違いとほぼ等しい大きさを有する第一の間
    隙と、第二のシリコンプレートとシリコン支持体間に設
    けられた第二の停止部材と第二の支持体カラムの高さ間
    の違いとほぼ等しい大きさを有する第二の間隙を設ける
    段階から成る加速度計の形成方法。
  11. 【請求項１１】 第一と第二の支持体カラムの高さが事
    実上等しく、第一と第二の停止部材の高さが事実上等し
    くて第一と第二の支持体カラムの高さよりも低いことを
    特徴とする請求項９記載の方法。
  12. 【請求項１２】 第一と第二の支持体カラムの高さが、
    第一と第二の停止部材よりも約５ミクロメートル以内の
    範囲で高い請求項９又は１０に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 シリコンベースの接着剤を大凡そ１５
    ０℃の温度で最高約４時間硬化する段階から成る請求項
    ９、１０又は１１に記載の方法。
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