JPH0671102B2 - 電歪効果素子 - Google Patents

電歪効果素子

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JPH0671102B2
JPH0671102B2 JP57079036A JP7903682A JPH0671102B2 JP H0671102 B2 JPH0671102 B2 JP H0671102B2 JP 57079036 A JP57079036 A JP 57079036A JP 7903682 A JP7903682 A JP 7903682A JP H0671102 B2 JPH0671102 B2 JP H0671102B2
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electrostrictive effect
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electrostrictive
internal electrode
electrode
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貞行 高橋
正智 米沢
篤 越智
健 矢野
武重 浜付
泉 福井
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
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    • H10N30/877Conductive materials

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  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電歪効果素子の構造に関するものである。電歪
効果素子とは固体の電歪効果を利用して電気エネルギを
機械エネルギに変換するトランスデュサである。具体的
には電歪効果の大きな固体の対向する表面に金属膜等の
電極を形成し、電極間に電位差を与えたときに発生する
固体の歪を利用する。電界と平行方向に発生する歪(縦
効果歪)は垂直方向に生じる歪(横効果歪)より一般に
は大きいので、前者を利用する方がエネルギ変効効率は
高い。また、歪の大きさは電界強度に関係し、電界強度
が大きい程発生する歪も大きい。
横効果を利用した電歪効果素子では一定の印加電圧でも
電界と垂直方向の寸法に比例した変位量を得る事が可能
である。しかしエネルギ変換効率の高い縦効果を利用し
た電歪効果素子では外部から印加する電圧を一定にして
歪の発生する方向の寸法を増すと電界強度が低下するの
で変位量は大きくならない。従ってこの場合に大きな変
位量を得るには電界強度が低下しない様に印加電圧を大
きくすることが必要である。しかし、電圧を大きくする
ためには大型でかつ高価な電源が必要になり、取り扱い
に対する危険度も増す。またトランスデュサを駆動する
ための制御回路も使用されるICの耐圧が低いのであまり
高い電圧を使用することは出来ない。
以上の欠点を改善するために積層チップコンデンサ型の
構造が提案されている。この構造を第1図(a),
(b)に示す。第1図(a)において電歪材料1の内部
に内部電極2が一定の間隔で形成されており、一つおき
に外部電極3と接続している。内部電極の間隔は通常の
チップコンデンサの技術で数10ミクロン程度にすること
が出来る。この構造を採用すると電極距離がせまくなる
ため低電圧で駆動可能な縦効果利用の電歪効果素子が実
現出来る。
ところで積層方向から見た透視図である第1図(b)か
ら明らかな様に、この構造では内部電極の重なる面積
(中央の矩形部分)は素子の断面積と比較して小さい。
従って基本的には内部電極の重なった部分は電界に応じ
て変形するが、他の部分は変形せず、このため素子全体
としての変位量はその材料が持つ固有の歪量に対応せず
かなり小さくなる欠点がある。また、高い電圧を印加し
て大きな歪を発生させると変形する部分と変形しない部
分との境界に応力集中が起こり素子が機械的に破壊する
欠点がある。
本発明の目的は上記の欠点を改善した電歪効果素子を提
供することにある。本発明は電歪効果を示す材料と内部
電極とが交互に積層され一体に焼成された積層焼結体か
らなる電歪効果素子において、各内部電極には互いに独
立した微小な空白部が複数個形成され、かつ各内部電極
の外周は前記電歪効果素子の断面の外周と重なっている
構造であり、さらにこの素子の外側から各内部電極を一
層おきに電気的に接続してなることを特徴とする。本発
明の電歪効果素子は内部電極の重なる面積を大きくでき
るので従来構造の素子に比べ大きな変位量を実現でき、
同時に破壊に対する強度が増大した。これは圧電材料層
全体に均一に電界が印加され歪が一様に発生して応力集
中が起こらないことと、内部電極の空白部を通じて両側
のセラミック同士がつながり素子の機械的強度が増大し
たことによる。
次に実施例に従って本発明の詳細な説明を行なう。
実施例1 マグネシウム・ニオブ酸鉛Pb(Mg1/3Nb2/3)O3とチタン
酸鉛PbTiO3をモル比で9対1の割合で固溶させたセラミ
ック材料を用いて本発明の電歪効果素子の効果を調べ
た。この材料は大きな電歪効果を示すことがよく知られ
ている。
本材料の予焼粉末と有機バインダー、有機溶媒とを混合
し、泥漿を作製した。この泥漿をドクターブレード法で
フィルム上に数100ミクロンの厚さにキャスティング
し、グリーンシートを作製した。該シートを乾燥し、マ
イラーフィルムから剥離し、所定の形状に切断した後、
白金ペーストを片面に印刷し、さらにこれらのシートを
数10枚積層、圧着し、所定の寸法に切断した後約1200℃
の温度で焼成した。
第2図(a),(b)は本発明の構造を有する電歪効果
素子の外観及び内部電極形状を示すもので、縦、横の寸
法が各々a=3mm、長さがl=10mmの直方体で電歪材料2
1と白金内部電極22が交互に積層された構造になってい
る。この内部電極の間隔は250ミクロンである。
各内部電極はその外周の内側に該電極の形成されていな
い部分を1個所以上有している。この実施例では各内部
電極中の該部分が16個所ある構造とした。この空白部の
数、形状、位置は適時変更することが可能である。また
実施例においては電歪効果素子の断面の面積に対し、各
内部電極の面積が95%、85%、70%の3種類の内部電極
を有する電歪効果素子を作製した。次に素子側面に露出
している各内部電極を一層おきに外部からリード線23を
ハンダ付けすることにより電気的に接続し、2つの電極
端子A,Bをとり出した。比較のため外形寸法が同じで、
電極構造の異なる第1図に示した従来の積層チップコン
デンサ型の電歪効果素子を同時に試作した。電極の重な
り面積は素子断面積の84%である。
素子の電極素子A,B間に直流電圧を印加して素子の長さ
l方向の変位量の測定を本発明素子と従来素子に関して
行なった。結果を第3図に示す。図中、、は本発
明素子に関するもので、は電極面積が素子断面積の95
%、は85%そしては70%の場合である。図から明ら
かな様に本発明の電歪効果素子は従来素子と比較して同
一印加電圧に対する変位量が大きい。
実施例2 実施例1に用いた試料に関して最高電圧250V、パルス巾
1msの正弦波パルス電圧を繰り返し連続的に印加して、
最大変位量と寿命の測定を行なった。結果を第4図に示
す。図中の番号は実施例1の試料番号に対応している。
図から明らかな様に従来素子では最大変位が1.3ミクロ
ンで約25,000回の繰り返しパルス印加で機械的に破壊し
た。一方本発明素子はすべて最大変位が1.3ミクロン以
上で、かつ1億回の繰り返し電圧パルス印加に対しても
破壊しなかった。
以上の実施例から明らかな様に本発明の電歪効果素子は
従来の積層チップコンデンサ型の素子と比較して変位
量、寿命共に優れていることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は積層チップコンデンサ型の従来の電歪効果素子
の構造図。 第1図(a)は断面図。第1図(b)は積層方向からの
透視図。 第2図は本発明の電歪効果素子の構造図。 第2図(a)は側面図。第2図(b)は内部電極の形状
を示す図。 第3図は本発明素子と従来素子に関する変位量と印加電
圧の関係を示す図。 第4図は本発明素子と従来素子にパルス電圧を繰り返し
印加した場合の最大変位量と寿命の関係を示す図。 なお、各図において、1,21は電歪材料、2,22は内部電
極、3は外部電極、23はリード線である。
フロントページの続き (72)発明者 越智 篤 東京都港区芝五丁目33番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 矢野 健 東京都港区芝五丁目33番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 浜付 武重 東京都港区芝五丁目33番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 福井 泉 東京都港区芝五丁目33番1号 日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭53−79488(JP,A) 特開 昭52−40091(JP,A) 実公 昭54−30953(JP,Y2)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電歪効果を示す材料と内部電極とが交互に
    積層され一体に焼成された積層焼結体からなる電歪効果
    素子において、各内部電極には互いに独立した微小な空
    白部が複数個形成され、かつ各内部電極の外周は前記電
    歪効果素子の断面の外周と重なっており、さらに素子の
    外周から各内部電極を一層おきに接続してなることを特
    徴とする電歪効果素子。
JP57079036A 1982-05-11 1982-05-11 電歪効果素子 Expired - Lifetime JPH0671102B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57079036A JPH0671102B2 (ja) 1982-05-11 1982-05-11 電歪効果素子
DE8383104556T DE3378393D1 (en) 1982-05-11 1983-05-09 Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses
EP83104556A EP0094078B1 (en) 1982-05-11 1983-05-09 Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses
CA000427828A CA1206193A (en) 1982-05-11 1983-05-10 Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses
AU14422/83A AU553391B2 (en) 1982-05-11 1983-05-10 Multilayer electrostrictive element
US06/493,583 US4523121A (en) 1982-05-11 1983-05-11 Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses
KR1019830002025A KR860000255B1 (ko) 1982-05-11 1983-05-11 다층 구조의 전왜소자
BR8302536A BR8302536A (pt) 1982-05-11 1983-05-11 Elemento eletrostritivo de camadas multiplas de alta resistencia

Applications Claiming Priority (1)

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JP57079036A JPH0671102B2 (ja) 1982-05-11 1982-05-11 電歪効果素子

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JPS58196076A JPS58196076A (ja) 1983-11-15
JPH0671102B2 true JPH0671102B2 (ja) 1994-09-07

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