JPH0671427A - TiAlのろう付方法 - Google Patents

TiAlのろう付方法

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Publication number
JPH0671427A
JPH0671427A JP24869592A JP24869592A JPH0671427A JP H0671427 A JPH0671427 A JP H0671427A JP 24869592 A JP24869592 A JP 24869592A JP 24869592 A JP24869592 A JP 24869592A JP H0671427 A JPH0671427 A JP H0671427A
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JP
Japan
Prior art keywords
brazing
tial
pure
plated
base materials
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24869592A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadahiko Hirayama
貞彦 平山
Tadahiro Washizu
忠弘 鷲津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd filed Critical Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
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Publication of JPH0671427A publication Critical patent/JPH0671427A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 Alの酸化皮膜の発生を抑制してろう付性を
改良する。 【構成】 TiAl1の表面を酸洗浄後純Niメッキ2
を施して母材を形成し、2枚の母材の純Niメッキ2を
施した面間にろう材3を挾み、真空下において両母材を
所定の温度に加熱し、接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はろう付の改良を図ること
ができるTiAlのろう付方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】TiAlはAlの含有量が約35%と極
めて高く、ろう付しようとする接合界面にAlの酸化皮
膜が発生してろう付性を悪化する。
【0003】従って、従来、ろう付け前の前処理でTi
Alの接合界面を酸洗浄又はエメリー研磨を施し次いで
ろう付を行う方法が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前処理からろう付の実
施までの保管時間は経験的に約6時間以内にキープする
必要があるとされている。しかしながら、上記の方法に
よる実際の製品の製作工程では保管時間を6時間以内に
キープすることは困難で、実用的でないという問題があ
る。
【0005】
【発明の目的】本発明はTiAlの接合界面に酸化皮膜
が発生するのを防止しろう付性を改良することを目的と
する。
【0006】
【研究結果による知見】上記した問題点を解決すべく本
発明者らは、TiAlに付着可能な金属で且つ表面に酸
化皮膜が形成されにくく熱処理を行った際に酸化皮膜が
分解され易い金属について鋭意研究の結果、NiはTi
Alに付着可能で且つ酸化皮膜が形成されにくい性質を
備えているという知見を得るに至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のうち第1の手段
はTiAlの表面を酸洗浄後純Niメッキを施して母材
を形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろ
う材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものであり、第2の手段はTiAlの表面
にプラズマ溶接によりNiコーティングを施して母材を
形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろう
材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものである。
【0008】
【作用】前処理としてTiAlの表面の接合界面にNi
メッキを施すか或いはPVD法によりNiコーティング
を施したので、Alの酸化皮膜の発生を抑制して、ろう
付性が改良される。
【0009】
【実施例】以下、本発明によるTiAlのろう付方法に
ついて説明する。
【0010】図1は本発明の一実施例を示す。
【0011】本実施例においては、TiAl1の表面に
厚さ5〜10μmの純Niメッキ2を施して母材を形成
し、両母材間に厚さ50〜100μmのろう材3(チタ
ンベース40%、ジルコニウム20%、ニッケル20
%、銅20%で構成されるT−2020)を挾み、真空
度1.33×10ー2Pa以下の炉内で10分間、930
℃の温度に加熱して両母材を接合し、500〜600℃
まで炉冷し、約150℃で炉外へ取り出す。接合後のT
iAlの引張強度は147Nであった。
【0012】図2は、本実施例であるNiメッキを施し
たものとNiメッキのない従来のものとのろう付性に及
ぼす保持時間の影響を比較したものである。
【0013】図で明らかなように前処理からろう付まで
の保持時間が6時間までは従来のものも、本発明のもの
も共にろう付性に影響はなかったが、保持時間が2〜3
日経過の段階では従来のものはろう付性が低下したのに
対し本発明のものはろう付性は低下しなかった。
【0014】図3は本発明の他の実施例を示す。
【0015】本実施例においてはTiAl1の表面にP
VD法により厚さ約5μmのNiコーティング4を施し
て母材を形成し、両母材間に図1の実施例と同様のろう
材3を挾み、図1の実施例と同様の条件で両母材を加熱
し、接合する。
【0016】
【発明の効果】上記した本発明のTiAlのろう付方法
においては、TiAlの接合界面にNiメッキを施すか
或いはPVD法によりNiコーティングを施したので、
Alの酸化皮膜の発生を抑制してろう付性が改良される
とともに保管期間も従来のものに比べて長くすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のTiAlのろう付方法の一実施例を示
す縦断面図である。
【図2】本発明のNiメッキを施したものと従来のNi
メッキを施さないものとのろう付性に及ぼす保持時間の
影響についての比較を示す図である。
【図3】本発明のTiAlのろう付方法の他の実施例を
示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 TiAl 2 純Niメッキ 3 ろう材 4 Niコーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 18/32

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 TiAlの表面を酸洗浄後純Niメッキ
    を施して母材を形成し、2枚の母材の純Niメッキを施
    した面間にろう材を挾み、真空下において両母材を所定
    の温度に加熱し、接合することを特徴とするTiAlの
    ろう付方法。
  2. 【請求項2】 TiAlの表面にPVD(Physic
    al VaporDeposition)法(物理蒸着
    法)によりNiコーティングを施して母材を形成し、2
    枚の母材の純Niメッキを施した面間にろう材を挾み、
    真空下において両母材を所定の温度に加熱し、接合する
    ことを特徴とするTiAlのろう付方法。
JP24869592A 1992-08-25 1992-08-25 TiAlのろう付方法 Pending JPH0671427A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007296546A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ろう付け方法
US7749614B2 (en) * 2003-07-25 2010-07-06 Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) Method of brazing a Ti-Al alloy
CN105537750A (zh) * 2016-01-20 2016-05-04 天津大学 非真空低压条件下铜铌棒状金属高强度连接工艺
KR20180010301A (ko) * 2015-12-23 2018-01-30 희성정밀 주식회사 전기 자동차용 배터리 스택의 쿨링 플레이트 제조 방법 및 이에 의해 제조된 쿨링 플레이트

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7749614B2 (en) * 2003-07-25 2010-07-06 Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) Method of brazing a Ti-Al alloy
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