JPH0671427A - TiAlのろう付方法 - Google Patents
TiAlのろう付方法Info
- Publication number
- JPH0671427A JPH0671427A JP24869592A JP24869592A JPH0671427A JP H0671427 A JPH0671427 A JP H0671427A JP 24869592 A JP24869592 A JP 24869592A JP 24869592 A JP24869592 A JP 24869592A JP H0671427 A JPH0671427 A JP H0671427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- tial
- pure
- plated
- base materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Alの酸化皮膜の発生を抑制してろう付性を
改良する。 【構成】 TiAl1の表面を酸洗浄後純Niメッキ2
を施して母材を形成し、2枚の母材の純Niメッキ2を
施した面間にろう材3を挾み、真空下において両母材を
所定の温度に加熱し、接合する。
改良する。 【構成】 TiAl1の表面を酸洗浄後純Niメッキ2
を施して母材を形成し、2枚の母材の純Niメッキ2を
施した面間にろう材3を挾み、真空下において両母材を
所定の温度に加熱し、接合する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はろう付の改良を図ること
ができるTiAlのろう付方法に関するものである。
ができるTiAlのろう付方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】TiAlはAlの含有量が約35%と極
めて高く、ろう付しようとする接合界面にAlの酸化皮
膜が発生してろう付性を悪化する。
めて高く、ろう付しようとする接合界面にAlの酸化皮
膜が発生してろう付性を悪化する。
【0003】従って、従来、ろう付け前の前処理でTi
Alの接合界面を酸洗浄又はエメリー研磨を施し次いで
ろう付を行う方法が用いられている。
Alの接合界面を酸洗浄又はエメリー研磨を施し次いで
ろう付を行う方法が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前処理からろう付の実
施までの保管時間は経験的に約6時間以内にキープする
必要があるとされている。しかしながら、上記の方法に
よる実際の製品の製作工程では保管時間を6時間以内に
キープすることは困難で、実用的でないという問題があ
る。
施までの保管時間は経験的に約6時間以内にキープする
必要があるとされている。しかしながら、上記の方法に
よる実際の製品の製作工程では保管時間を6時間以内に
キープすることは困難で、実用的でないという問題があ
る。
【0005】
【発明の目的】本発明はTiAlの接合界面に酸化皮膜
が発生するのを防止しろう付性を改良することを目的と
する。
が発生するのを防止しろう付性を改良することを目的と
する。
【0006】
【研究結果による知見】上記した問題点を解決すべく本
発明者らは、TiAlに付着可能な金属で且つ表面に酸
化皮膜が形成されにくく熱処理を行った際に酸化皮膜が
分解され易い金属について鋭意研究の結果、NiはTi
Alに付着可能で且つ酸化皮膜が形成されにくい性質を
備えているという知見を得るに至った。
発明者らは、TiAlに付着可能な金属で且つ表面に酸
化皮膜が形成されにくく熱処理を行った際に酸化皮膜が
分解され易い金属について鋭意研究の結果、NiはTi
Alに付着可能で且つ酸化皮膜が形成されにくい性質を
備えているという知見を得るに至った。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のうち第1の手段
はTiAlの表面を酸洗浄後純Niメッキを施して母材
を形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろ
う材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものであり、第2の手段はTiAlの表面
にプラズマ溶接によりNiコーティングを施して母材を
形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろう
材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものである。
はTiAlの表面を酸洗浄後純Niメッキを施して母材
を形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろ
う材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものであり、第2の手段はTiAlの表面
にプラズマ溶接によりNiコーティングを施して母材を
形成し、2枚の母材の純Niメッキを施した面間にろう
材を挾み、真空下において両母材を所定の温度に加熱
し、接合するものである。
【0008】
【作用】前処理としてTiAlの表面の接合界面にNi
メッキを施すか或いはPVD法によりNiコーティング
を施したので、Alの酸化皮膜の発生を抑制して、ろう
付性が改良される。
メッキを施すか或いはPVD法によりNiコーティング
を施したので、Alの酸化皮膜の発生を抑制して、ろう
付性が改良される。
【0009】
【実施例】以下、本発明によるTiAlのろう付方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0010】図1は本発明の一実施例を示す。
【0011】本実施例においては、TiAl1の表面に
厚さ5〜10μmの純Niメッキ2を施して母材を形成
し、両母材間に厚さ50〜100μmのろう材3(チタ
ンベース40%、ジルコニウム20%、ニッケル20
%、銅20%で構成されるT−2020)を挾み、真空
度1.33×10ー2Pa以下の炉内で10分間、930
℃の温度に加熱して両母材を接合し、500〜600℃
まで炉冷し、約150℃で炉外へ取り出す。接合後のT
iAlの引張強度は147Nであった。
厚さ5〜10μmの純Niメッキ2を施して母材を形成
し、両母材間に厚さ50〜100μmのろう材3(チタ
ンベース40%、ジルコニウム20%、ニッケル20
%、銅20%で構成されるT−2020)を挾み、真空
度1.33×10ー2Pa以下の炉内で10分間、930
℃の温度に加熱して両母材を接合し、500〜600℃
まで炉冷し、約150℃で炉外へ取り出す。接合後のT
iAlの引張強度は147Nであった。
【0012】図2は、本実施例であるNiメッキを施し
たものとNiメッキのない従来のものとのろう付性に及
ぼす保持時間の影響を比較したものである。
たものとNiメッキのない従来のものとのろう付性に及
ぼす保持時間の影響を比較したものである。
【0013】図で明らかなように前処理からろう付まで
の保持時間が6時間までは従来のものも、本発明のもの
も共にろう付性に影響はなかったが、保持時間が2〜3
日経過の段階では従来のものはろう付性が低下したのに
対し本発明のものはろう付性は低下しなかった。
の保持時間が6時間までは従来のものも、本発明のもの
も共にろう付性に影響はなかったが、保持時間が2〜3
日経過の段階では従来のものはろう付性が低下したのに
対し本発明のものはろう付性は低下しなかった。
【0014】図3は本発明の他の実施例を示す。
【0015】本実施例においてはTiAl1の表面にP
VD法により厚さ約5μmのNiコーティング4を施し
て母材を形成し、両母材間に図1の実施例と同様のろう
材3を挾み、図1の実施例と同様の条件で両母材を加熱
し、接合する。
VD法により厚さ約5μmのNiコーティング4を施し
て母材を形成し、両母材間に図1の実施例と同様のろう
材3を挾み、図1の実施例と同様の条件で両母材を加熱
し、接合する。
【0016】
【発明の効果】上記した本発明のTiAlのろう付方法
においては、TiAlの接合界面にNiメッキを施すか
或いはPVD法によりNiコーティングを施したので、
Alの酸化皮膜の発生を抑制してろう付性が改良される
とともに保管期間も従来のものに比べて長くすることが
できる。
においては、TiAlの接合界面にNiメッキを施すか
或いはPVD法によりNiコーティングを施したので、
Alの酸化皮膜の発生を抑制してろう付性が改良される
とともに保管期間も従来のものに比べて長くすることが
できる。
【図1】本発明のTiAlのろう付方法の一実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図2】本発明のNiメッキを施したものと従来のNi
メッキを施さないものとのろう付性に及ぼす保持時間の
影響についての比較を示す図である。
メッキを施さないものとのろう付性に及ぼす保持時間の
影響についての比較を示す図である。
【図3】本発明のTiAlのろう付方法の他の実施例を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
1 TiAl 2 純Niメッキ 3 ろう材 4 Niコーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 18/32
Claims (2)
- 【請求項1】 TiAlの表面を酸洗浄後純Niメッキ
を施して母材を形成し、2枚の母材の純Niメッキを施
した面間にろう材を挾み、真空下において両母材を所定
の温度に加熱し、接合することを特徴とするTiAlの
ろう付方法。 - 【請求項2】 TiAlの表面にPVD(Physic
al VaporDeposition)法(物理蒸着
法)によりNiコーティングを施して母材を形成し、2
枚の母材の純Niメッキを施した面間にろう材を挾み、
真空下において両母材を所定の温度に加熱し、接合する
ことを特徴とするTiAlのろう付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24869592A JPH0671427A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | TiAlのろう付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24869592A JPH0671427A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | TiAlのろう付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671427A true JPH0671427A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=17181964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24869592A Pending JPH0671427A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | TiAlのろう付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671427A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007296546A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ろう付け方法 |
| US7749614B2 (en) * | 2003-07-25 | 2010-07-06 | Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) | Method of brazing a Ti-Al alloy |
| CN105537750A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | 天津大学 | 非真空低压条件下铜铌棒状金属高强度连接工艺 |
| KR20180010301A (ko) * | 2015-12-23 | 2018-01-30 | 희성정밀 주식회사 | 전기 자동차용 배터리 스택의 쿨링 플레이트 제조 방법 및 이에 의해 제조된 쿨링 플레이트 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP24869592A patent/JPH0671427A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7749614B2 (en) * | 2003-07-25 | 2010-07-06 | Onera (Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales) | Method of brazing a Ti-Al alloy |
| JP2007296546A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ろう付け方法 |
| KR20180010301A (ko) * | 2015-12-23 | 2018-01-30 | 희성정밀 주식회사 | 전기 자동차용 배터리 스택의 쿨링 플레이트 제조 방법 및 이에 의해 제조된 쿨링 플레이트 |
| CN105537750A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | 天津大学 | 非真空低压条件下铜铌棒状金属高强度连接工艺 |
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