JPH0672585B2 - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

内燃機関用点火装置

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JPH0672585B2
JPH0672585B2 JP1226352A JP22635289A JPH0672585B2 JP H0672585 B2 JPH0672585 B2 JP H0672585B2 JP 1226352 A JP1226352 A JP 1226352A JP 22635289 A JP22635289 A JP 22635289A JP H0672585 B2 JPH0672585 B2 JP H0672585B2
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transistors
transistor
ignition device
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ジェームス・シー・アースキン
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、火花点火内燃機関用の点火装置に関し、特に
高い直流電圧源が高電圧ソリッドステート・スイッチを
介して点火プラグと接続される点火装置に関する。
〔従来の技術〕
電圧源が半導体素子により複数の火花プラグと順次接続
される火花点火される内燃機関のための点火装置は公知
である。例えば、米国特許第3,880,132号は、シリコン
制御整流器が電圧源を点火プラグと接続する点火装置を
開示している。更に、米国特許第2,924,633号は、磁気
的に制御される半導体を用いて電圧源と点火プラグを接
続する点火装置を開示している。
〔発明が解決しようとする課題および課題を解決するための手段〕
本発明による点火装置は、特許請求の範囲の請求項１の
特徴部分に記載される諸特徴を特徴とする。
本発明は、就中、点火プラグに対する高直流電圧の印加
を制御する複数の直列接続された金属酸化物半導体電界
効果トランジスタ（MOSFET）からなる高電圧ソリッドス
テート・スイッチを使用する点で、上に触れた従来技術
とは異なっている。複数のMOSFETを直列に接続すること
により、直接接続されたMOSFETのストリングの両端の総
破壊電圧は、１つのMOSFETの破壊電圧とMOSFETの合計数
との積に等しくなる。このため、例えば、もし高直流電
圧源が40キロボルト（40KV）であり、また１つのMOSFET
の破壊電圧が20ボルトであるとすれば、直列接続された
MOSFETのストリングを形成するため、2,000個を若干越
える数のMOSFETが用いられる。従って、本発明の目的の
１つは、高直流電圧源が複数の金属酸化物半導体電界効
果トランジスタから形成される高電圧ソリッドステート
・スイッチにより点火プラグと接続される点火装置を提
供することにある。
本発明の別の目的は、少なくとも２ストリングの直列接
続されたMOSFETが使用される上記の形式の点火装置の提
供にある。直列接続MOSFETの第１のストリングは、高直
流電圧源と点火プラグとの間に接続される。直列接続MO
SFETの第２のストリングは、点火プラグに跨がって接続
される。MOSFETのストリングは、交互に導通状態と非導
通状態とに切換えられる。点火プラグを点火したい時
は、第１のストリングが導通状態にバイアスされ、第２
のストリングは非導通状態にバイアスされる。他の場合
で、点火プラグが点火されない時は、第１のストリング
は非導通状態にバイアスされ、第２のストリングは導通
状態にバイアスされる。
本発明の他の目的は、直列接続MOSFETのストリングが高
直流電圧源の両端に接続され、かつMOSFETのこのストリ
ングが電圧レベル・シフタとして作動するよう制御さ
れ、このシフタが更に高直流電圧源と点火プラグとの間
に接続される直列接続MOSFETの別のストリングの切換え
動作を制御する上記の形式の点火装置の提供にある。
本発明の更に他の目的は、MOSFETストリングを形成する
直列接続MOSFETがそれぞれサファイアの如き絶縁材料か
ら形成される共通の基板により支持される上記の形式の
点火装置の提供にある。
本発明については、事例により、添付図面に関して記述
することにする。
〔実施例〕
先ず第１図において、参照番号10は（火花点火単一シリ
ンダ）機関を示している。点火プラグ12は、機関10のシ
リンダと関連し、このエンジンは点火されるとシリンダ
内の燃焼混合気を点火する。
第１図に示される点火装置は、（高い）直流電圧源14に
より付勢される。直流電圧源14の出力電圧は、約30乃至
40KVであり、第１図の装置の以下の説明においては、直
流電圧源14は40KVの直流電圧出力を持つものと仮定され
る。この直流電圧源14は、12ボルトの自動車用バッテリ
の如き低電圧源から給電されるDC/DCコンバータの形態
をとることができる。直流電圧源14の正の出力ターミナ
ルは導体16と接続され、その負の出力ターミナルは接地
されている。
第１図の点火装置は、直列に接続された金属酸化物半導
体電界効果トランジスタ（MOSFET）のストリングを有す
る。MOSFETのこのストリングは、参照番号18により全体
的に示される。MOSFETストリング18は、10個の直列接続
電界効果トランジスタからなる如くに示され、このトラ
ンジスタの３つがそれぞれ参照番号20、22、24により示
されている。あるMOSFET、例えばMOSFET20のソース電極
Ｓは、ストリング内の次のMOSFET22のドレーン電極Ｄと
接続されている。この接続のシーケンスは、ストリング
18における全てのMOSFETにおいて同じである。ストリン
グ18を構成するMOSFETは全てエンハンスメント・モード
NMOS即ちＮ−チャネル・タイプのトランジスタである。
ストリング18を構成するMOSFETのゲート電極は、全体的
に26として示される（抵抗）分圧器における接合点即ち
ノードに接続されている。この分圧器26は、導体16とア
ース間に接続されている。分圧器26は複数の直列接続抵
抗からなり、その３つがそれぞれ28、30および32で示さ
れる。分圧器26を構成する抵抗は、等しい抵抗値を持
つ。接合点即ちノード34は、MOSFET20のゲート電極Ｇと
接続され、接合点36はMOSFET22のゲート電極Ｇと接続さ
れている。分圧器26の他の接合点は、ストリング18を構
成するそれぞれ直列接続されたMOSFETの各ゲート電極と
接続されている。
MOSFET20のドレーン電極は接合点38と接続され、抵抗40
は接合点38と導体16間に接続されている。抵抗42はMOSF
ET44のソース電極とアースとの間に接続されている。MO
SFET44のゲートＧは接合点46と接続され、この接合点は
更に導体48と接続されている。以下において更に詳細に
説明するように、導体48に加えられる電圧は、以下に述
べる切換え回路により、接地電位と正の電圧レベルとの
間で切換えられる。
第１図には僅かに10個のストリング18を構成するMOSFET
が示されるが、ストリング18を構成するトランジスタの
実際の数は、直流電圧源14の出力電圧および１つのMOSF
ETのドレーンからソースに対する破壊電圧の大きさに依
存する。MOSFET18のストリング即ちチェーンは、直流電
圧源14の合計電圧がMOSFET間に分けられて、１つのMOSF
ETがその最大定格電圧を越える電圧を保持しないように
設計される。例えば、もし各MOSFETの破壊電圧が20ボル
トであり、2,000個のMOSFETが直列に接続されるなら
ば、このストリングは40KVまでを保持することができ
る。従って、もし直流電圧源14の電圧が40KVであるとす
れば、ストリング18に必要なMOSFET数は2,000個を越え
ることになる。
第１図の点火装置は、直列接続された金属酸化物電界効
果トランジスタ（MOSFET）の別のストリングを有する。
このMOSFETストリングは、全体的に参照番号50で示され
る。ストリング50を構成するMOSFETは全て、エンハンス
メント・モードPMOS、即ちＰチャネル・タイプのトラン
ジスタである。あるMOSFET、例えばMOSFET52のドレーン
電極Ｄは、ストリング50における次のMOSFET54のソース
電極Ｓと接続されている。この接続のシーケンスは、ス
トリング50における全てのMOSFETにおいて同じである。
MOSFET52のソース電極Ｓは、導体16と接続されている。
ストリング50を形成するMOSFETのゲート電極は、参照番
号56により全体的に示される（抵抗）分圧器の接合点即
ちノードとそれぞれ接続されている。この分圧器56は、
直列に接続された複数の抵抗からなっている。分圧器56
を形成する抵抗は、等しい抵抗値を持つ。分圧器56の２
つの接合点はそれぞれ62および64として示され、これら
接合点はMOSFET54および66のゲート電極とそれぞれ接続
されている。導体58は、接合点38およびMOSFET52のゲー
ト電極と接続されている。MOSFETのストリング50は、導
体16と導体60との間に接続されている。更に、分圧器56
は導体58および60の間に接続されている。
第１図において、ストリング50を形成する10個の直列接
続されたMOSFETが示されている。ストリング50に必要な
MOSFETの実際の数もまた、このストリングが保持しなけ
ればならない合計電圧に依存する。このため、もしスト
リング50が絶縁破壊を生じずに40KVを保持するものと
し、また各MOSFETの破壊電圧が20ボルトであるとする
と、ストリング50に対して2,000個を若干越える数が必
要となろう。
第１図の点火装置は、参照番号70で全体的に示される直
列接続された金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
（MOSFET）の第３のストリングを有する。MOSFETのこの
ストリングは、導体60とアースとの間に接続される。点
火プラグ12は、導体60とアースとの間に接続され、従っ
てストリング70は点火プラグ12と並列に接続される。
ストリング70を構成するMOSFETは全て、デプリーション
・モード（depletion mode）NMOS即ちＮ−チャネルの
電界効果トランジスタである。あるMOSFET、例えばMOSF
ET72のソース電極Ｓは、このストリングにおける次のMO
SFET74のドレーン電極Ｄと接続されている。この接続の
シーケンスは、ストリング70における全てのMOSFETにお
いて同じである。
ストリング70を形成するMOSFETのゲート電極は、参照番
号76で全体的に示される（抵抗）分圧器の接合点即ちノ
ードとそれぞれ接続されている。この分圧器76は、導体
60とアースとの間に接続されている。分圧器76は、等し
い抵抗値を持つ複数の直列に接続された抵抗からなって
いる。分圧器76の２つの接合点はそれぞれ78および80と
して示され、これらの接合点はMOSFET74および82のゲー
ト電極Ｇとそれぞれ接続されている。
ストリング70の一部であるMOSFET84のゲートは接合点86
と接続され、この接合点は更に導体88と接続されてい
る。導体88は、以下に述べるように、切換え回路により
接地電位と負の直流電圧レベルとの間に切換えられる。
第１図においては、ストリング70は直列に接続された10
個のMOSFETからなる如くに示される。ストリング70を形
成するMOSFETの実際の数は、ストリング18および50の場
合のように、破壊を防止するためどれだけの電圧が保持
されねばならないかに依存し、また１つのMOSFETの破壊
電圧に依存している。このため、直流電圧源14が40KVの
電源である時、および各MOSFETの破壊電圧が20ボルトで
ある時は、ストリング70に対して2,000個を若干越える
数が用いられよう。
第１図に示された点火装置の作動について次に説明す
る。この説明においては、先ず一般的な説明を行ない、
次に機関10と同期され、また予め定めたシーケンスでス
トリング18、50および70の切換えを制御する切換え回路
を説明することにする。
ストリング18は、接合点38における電圧を導体16上の電
圧と、例えば導体16上の電圧よりも10ボルト低い電圧と
の間で変化させる電圧レベル・シフタの機能を行なう。
もし導体16が40KVであるならば、接合点38における電圧
は40KVと39,990ボルトとの間で揺動する。この状態を確
保するため、導体48に与えられる制御電圧は正の約５乃
至10ボルトと接地電位との間で変化させられる。導体48
が接地電位にある時、ストリング18を形成する全てのMO
SFETは非導通状態にバイアスされて、接合点38における
電圧が約40KVとなるようにする。約10ボルトの正電圧が
導体48に加えられると、ストリング18を構成する全ての
MOSFETは僅かに導通するようにバイアスされる。このよ
うに、抵抗42はストリング18に対して負のフィードバッ
クを行なうソース・フォロワとして作動し、これがスト
リング18における電流を閾値に満たないレベルに制限す
る。換言すれば、ストリング18を構成するMOSFETのゲー
ト・ソース電圧は、ある閾値ゲート電圧に達さず、その
結果MOSFETは僅かに導通するに過ぎない。従って、導体
48に加えられる電圧が正の約５乃至10ボルトである時、
接合点38における電圧は40KVから39,990ボルトへ僅かに
低下するに過ぎない。
接合点38における電圧、従って導体58における電圧は、
ストリング50を形成する直列接続MOSFETの切換え状態を
決定する。接合点38における電圧が40KVである時、スト
リング50の全てのMOSFETは非導通状態にバイアスされ
る。接合点38における電圧が39,990ボルトになる時、ス
トリング50の全てのMOSFETは完全に導通状態にバイアス
される。
ストリング70の目的は、導体60を接地電位へ周期的に引
下げる、即ち換言すれば、導体60をアースに周期的に接
続することである。導体88が接地電位に接続されると、
ストリング70を形成する全てのMOSFETは完全に導通状態
にバイアスされ、これらのMOSFETのドレーン／ソース回
路が導体60を接地するようにする。負の約５ボルトの電
圧が導体88に加えられると、ストリング70を形成する全
てのMOSFETはそのドレーンおよびソースの各電極間で完
全に非導通状態にバイアスされる。
ストリング70の目的は、導体60上に一切の出力がないこ
とが要求される時常に、導体60が接地電位へ引下げられ
ることを保証することにある。このように、ストリング
50が非導通状態にバイアスされる時でさえ、このストリ
ングを流れ、またストリング70がない場合で点火プラグ
12が消勢されねばならない時このプラグを付勢させるこ
とができるリーク電流が存在し得る。
（制御）導体48および88に制御電圧を加えるため機関の
ピストン位置に同期される切換え回路について次に説明
する。第１図においては、２つのカムで作動する切換え
装置（カム・スイッチ）が示される。これらの切換え装
置の１つは、導体48と接続される可動接点90を含む。こ
の可動接点90は、軸94と結合されたカム92によって運動
させられる。軸94は、この軸94が機関10のクランク軸速
度の半分で駆動されるように機関のカム軸によって駆動
される。カム92は、可動接点92を固定接点90Aまたは90B
のいずれか一方と係合させる。固定接点90Aは、約５乃
至10ボルトのターミナル電圧を持つ直流電圧バイアス源
96の正のターミナルと接続されている。固定接点90Bは
接地されている。
導体88に対して加えられる制御電圧を制御する切換え装
置は、導体88と接続される可動接点98を含む。この可動
接点98は、軸94と結合された別のカム100によって運動
させられる。カム100は、可動接点98を固定接点98Aまた
は98Bのいずれか一方と係合させる。固定接点98Aは、約
５乃至10ボルトのターミナル電圧を持つ直流電圧バイア
ス源の負のターミナルと接続される。固定接点98Bは接
地されている。
カム92および100は、それぞれ整列される単一のローブ
を持つ。更に、可動接点90および98は、可動接点90が固
定接点90Bと係合しかつ可動接点98が固定接点98Bと係合
する第１図に示されたそれらの常閉位置にばねで偏倚さ
せることができる。軸94のある回転位置においては、カ
ム92および100は可動接点90を固定接点90Aと係合させ、
また可動接点98を固定接点98Aと係合させることにな
る。カム92、100のローブが整列されるため、可動接点9
0は、可動接点98が固定接点98Aと係合する時と略々同時
に固定接点90Aと係合することになる。
上記のことを念頭に置いて、点火プラグ12の順次の点火
について次に説明する。可動接点90が固定接点90Bと係
合しかつ可動接点98が固定接点98Bと係合する位置にカ
ム92および100があるものとしよう。両方の（制御）導
体48および88はこの時接地されている。このため、スト
リング18が非導通状態にバイアスされ、その結果接合点
38における電圧が40KVになる。このため、ストリング50
は非導通状態にバイアスされる。導体88はこの時接地さ
れているため、ストリング70は導通状態にバイアスされ
て導体60を接地電位に引下げる。導体60には出力がな
く、従って点火プラグ12に対して火花点火電圧は加えら
れない。
点火プラグ12を点火すべき時、軸94は、カムのローブが
可動接点90を固定接点90Aと係合させかつ可動接点98を
固定接点98Aと係合させる位置へ回転することになる。
ストリング18は前に説明したようにこの時僅かに導通状
態にバイアスされ、その結果接合点38の電圧は40KVから
39,990ボルトになる。このため、ストリング50を導通状
態にバイアスする。これと同時に、固定接点98Aとの可
動接点98の係合がストリング70を非導通状態にバイアス
させる。この時、点火プラグ12の点火電圧が導体60に生
じ、これが点火プラグを点火させる。
第２図は、第１図に示されるMOSFETのストリングを使用
する４シリンダ機関用の点火装置を示す。機関10のカム
軸が、ブロック110として示されるカム・スイッチを作
動する。このカム・スイッチ110は、第１図に示される
ものと同じ形式のものでよく、カム92および100の如き
カムにより作動させられる。８個のカム作動による切換
え装置が、各カム毎に４個ずつ使用される。このカム作
動による切換え装置は、90゜隔てて配置され、従って、
カム作動による切換え装置が機関のカム軸の90゜の回転
毎に作動されるように配置されている。
第２図においては、４個の高電圧スイッチ112、114、11
6および118がそれぞれ４個の点火プラグ12と接続された
状態で示されている。これらの高電圧スイッチ112、11
4、116および118の各々は、第１図に示されるMOSFET1
8、50、70の３つのストリングを含む。MOSFETのこれら
ストリングは、カム・スイッチ110を高電圧スイッチ11
2、114、116および118の各々に接続する第２図に示す８
本の導体即ち配線によって制御される。第１図の（制
御）導体48および88と対応する２本の制御配線が、高電
圧スイッチ112、114、116および118の各々とカム・スイ
ッチ110との間に接続されている。
第２図の点火装置は、（高電圧の）直流電圧源120を有
する。この直流電圧源120の正の出力ターミナルは、導
体122により高電圧スイッチ112、114、116および118と
接続され、その負の出力ターミナルはアースされてい
る。直流電圧源120は、12ボルトの自動車の蓄電池（バ
ッテリ）124から入力を受取るDC/DCコンバータの形態を
とり得る。
第３図の点火装置は、第２図に示される点火装置の一変
更例である。第３図においては、直流電圧源120は、一
次巻線126と二次巻線128とを有する点火コイル125を含
む電圧発生装置により置換されている。二次巻線128
は、導体122を介して高電圧スイッチ112、114、116およ
び118に給電する。一次巻線126は、４つのローブを持つ
カム132により作動されるスイッチ即ち遮断接点130を介
して12ボルトの電圧源129と接続されている。４つのロ
ーブのカム132は機関10のカム軸により駆動される。
スイッチ130が閉じられると、一次巻線126が励起され、
スイッチ130が開くと、高電圧が二次巻線128に生成さ
れ、これが高電圧スイッチ112、114、116および118の１
つを介して点火プラグ12の１つに与えられる。第３図の
点火装置においては、高電圧スイッチ112、114、116お
よび118は二次巻線128に生じた電圧を点火プラグ12に対
して順次加えるための電子式ディストリビュータとして
作動する。
第３図の点火装置は、高電圧スイッチ112、114、116お
よび118により適正な点火プラグにそれぞれ送られる一
連の高い直流電圧パルスを生じることが判るであろう。
一方、第２図の点火装置においては、連続する直流電圧
が高電圧スイッチ112、114、116および118へ加えられ
る。第２図の点火装置においては、高電圧スイッチ11
2、114、116および118の各々が導通状態にバイアスされ
る期間は、点火プラグの点弧期間を制御するように制御
することができる。
第１図のストリング18、50および70は、絶縁基板上に１
つのストリングを構成するMOSFETを集積することにより
作られることが望ましい。この絶縁基板は、ストリング
におけるMOSFET間の絶縁を維持する。第４図は、ストリ
ング18を構成するＮ−チャネルのエンハンスメント・モ
ード・トランジスタが１ユニットに集積することが可能
な方法を断面で示している。第４図において、参照番号
140はサファイアの如き絶縁材料から形成された基板を
示す。この基板140は、Ｎ＋型の半導体材料の領域（zon
e）142、144、146および148と、Ｐ−型の半導体材料の
領域150、152、154とを支持する。参照番号156および15
8はそれぞれ、２つの隣接するMOSFETのゲート電極であ
る接点即ち板部を示している。接点156および158は、二
酸化ケイ素の領域160および162により包囲されている。
前記Ｎ＋領域144、146は金属導体164により電気的に接
続され、また他のＮ＋領域はそれぞれ金属導体166およ
び168により接続されている。この金属導体164、166お
よび168は二酸化ケイ素の領域169上に延在している。第
４図において、Ｎ＋領域142および146はドレーン電極で
ある。Ｎ＋領域144および148は、ソース電極である。金
属導体164は、Ｎ＋領域144（ソース）をＮ＋領域146
（ドレーン）に接続している。この接続パターンは、第
４図に示した全装置に対して同じものであり、またこの
接続パターンはストリング18に対し第１図に示した接続
パターンと同じものであり、即ち１つのMOSFETのソース
は隣接するMOSFETのドレーンと接続されている。共通の
基板140上には数千のMOSFETが載置され、全てが既に述
べた方法で直列に接続されている。更に、分圧器26を形
成する抵抗は、基板140によって支持することができ
る。
ストリング50および70を形成するMOSFETは、ストリング
50に対してＰ−チャネル・エンハンスメント・モード・
トランジスタを、ストリング70に対してＮ−チャネル・
デプリーション・モード・トランジスタを形成する領域
に対してはある種の半導体材料を適当に使用する点を除
いては、ストリング18の集積について既に述べた方法と
略々同じ方法で基板上に集積することが可能である。
第１図においては、カムで作動される切換え装置が導体
48および88に与えられる制御電圧を制御するように示さ
れるが、第３図においては、カム作動スイッチ130は一
次巻線電流を切換えるように示されている。これらのス
イッチは、例えば、磁気ピックアップ・コイルに生じる
電圧により制御される半導体スイッチの形態をとり得
る。この磁気ピックアップ・コイルは、生成される電圧
が機関のカム軸の位置を表わすように機関によって駆動
されるスロットを設けたディスクの回転に応答して電圧
を生じるものである。このような装置は、当業者には周
知である。
本発明の記述に際して、例えば、高直流電圧源が40KVの
出力電圧を有することを仮定した。この電圧は、40KVよ
り低くてもよいが、点火プラグの電極間にアークを生じ
るに充分な高さでなければならない。点火プラグは点火
プラグの間隙を破壊するため少なくとも15KVを要するた
め、この電圧源の電圧は15KVより高くなければならな
い。
第１図および第２図に示した点火装置を使用する時、直
流電圧源は、一旦点火プラグが点火されこの電圧源から
電流を引出すと出力電圧が低下しようとする傾向がある
所謂ソフトに電圧源でなければならない。この低下する
電圧特性もまた、抵抗によって生じ得る。
分圧器26、56および76の目的は、トランジスタ18、50お
よび70の各ストリングのゲートに対し適正なゲート・バ
イアス電圧レベルを与えることであることは明らかであ
ろう。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により作られた点火装置を示す概略回路
図、第２図は第１図に示された回路を使用する複シリン
ダ機関のための点火装置を示す図、第３図は点火プラグ
の点火電圧が点火コイルにより生じる第２図に示した装
置と類似する点火装置を示す図、および第４図は第１図
乃至第３図に示した装置において使用されるソリッドス
テート・スイッチの断面図である。 10……内燃機関、12……点火プラグ、14……直流電圧
源、16、48、58、60、88、122……導体、18、50、70…
…MOSFETストリング、20、22、24、44、52、54、66、7
2、74、82……MOSFET、26、56、76……分圧器、28、3
0、32、40、42……抵抗、34、36、38、46、62、64、7
8、80、86……接合点（ノード）、90、98……可動接
点、90A、90B、98A、98B……固定接点、92、100、132…
…カム、94……カム軸、96……直流電圧バイアス源、11
0……カム・スイッチ、112、114、116、118……高電圧
スイッチ、120、129……直流電圧源、124……バッテ
リ、125……点火コイル、126……一次巻線、128……二
次巻線、129……電圧源、130……遮断接点（スイッ
チ）、140……基板、142、144、146、148……Ｎ＋型半
導体材料領域、150、152、154……Ｐ−型半導体材料領
域、160、162、169……二酸化ケイ素領域、164、166、1
68……金属導体、Ｓ……ソース電極、Ｄ……ドレーン電
極、Ｇ……ゲート電極。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】内燃機関（10）のシリンダ内で燃焼混合気
    を点火するための点火プラグ（12）と、該燃焼混合気を
    点火するため前記点火プラグに加えられる時点火プラグ
    を点火させるに充分に高い強さを持つ直流電圧源（14）
    とを含む火花点火内燃機関のための点火装置において、
    前記直流電圧源（14）と前記点火プラグ（12）との間に
    接続された高電圧半導体スイッチであり、複数の直列に
    接続されたトランジスタ（50）を含み、該トランジスタ
    は各々２個の電流が流れる電極（Ｓ、Ｄ）と制御電極
    （Ｇ）とを有し、該トランジスタの電流が流れる電極は
    直列に接続される高電圧半導体スイッチと、各接合点に
    前記トランジスタの各制御電極を接続する複数の接合点
    （62、64）手段を有する分圧器（56）と、前記機関（1
    0）の可動部分（94）および前記分圧器（56）に接続さ
    れて、前記トランジスタを交互に導通状態および非導通
    状態にバイアスさせる手段（90、98）とを具備すること
    を特徴とする点火装置。
  2. 【請求項２】前記トランジスタが電界効果トランジスタ
    （50）であり、かつ前記制御電極がゲート電極（Ｇ）で
    あることを特徴とする請求項１記載の点火装置。
  3. 【請求項３】前記直列に接続された電界効果トランジス
    タ（50）の全てが、電気的な絶縁材料で形成される共通
    の基板（140）により支持されることを特徴とする請求
    項２記載の点火装置。
  4. 【請求項４】前記直列に接続されるトランジスタがトラ
    ンジスタの第１のストリング（50）を含み、該トランジ
    スタの第１のストリングを前記直流電圧源（14）と前記
    点火プラグ（12）との間に接続する手段（60）と、各々
    が１対の電流が流れる電極（Ｄ、Ｓ）と１つの制御電極
    （Ｇ）とを有する複数の第２のトランジスタを含むトラ
    ンジスタの第２のストリング（70）であって、該電流が
    流れる電極が直列に接続される第２のストリングと、前
    記点火プラグ（12）と並列に前記トランジスタの第２の
    ストリングを接続する手段と、前記機関（10）の可動部
    分と前記トランジスタの第１および第２のストリングの
    制御電極とに接続されて、ある時は前記トランジスタの
    第１のストリングを導通状態に、また前記トランジスタ
    の第２のストリングを非導通状態にバイアスさせ、また
    ある時は前記トランジスタの第１のストリングを非導通
    状態に、また前記トランジスタの第２のストリングを導
    通状態にバイアスさせる手段（90、98）とを具備するこ
    とを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の
    点火装置。
  5. 【請求項５】前記トランジスタの第２のストリング（7
    0）が電界効果トランジスタであり、前記制御電極がゲ
    ート電極であることを特徴とする請求項４記載の点火装
    置。
  6. 【請求項６】前記第１のトランジスタが電界効果トラン
    ジスタであり、該第１のトランジスタは全てＰ−チャネ
    ルのエンハンスメント・モード型のトランジスタであ
    り、前記第２のトランジスタは全てＮ−チャネルのデプ
    リーション・モード型のトランジスタであることを特徴
    とする請求項５記載の点火装置。
  7. 【請求項７】前記直流電圧源（14）は、一次巻線（12
    6）と二次巻線（128）とを有する点火コイル（125）を
    含み、該一次巻線は切換え手段（130、132）を介して低
    直流電圧源（129）と接続され、前記二次巻線は、前記
    切換え手段が開く時高電圧を生じることを特徴とする請
    求項１乃至６のいずれかの項に記載の点火装置。
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