JPH0675144B2 - 光変調波復調装置 - Google Patents
光変調波復調装置Info
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- JPH0675144B2 JPH0675144B2 JP1005232A JP523289A JPH0675144B2 JP H0675144 B2 JPH0675144 B2 JP H0675144B2 JP 1005232 A JP1005232 A JP 1005232A JP 523289 A JP523289 A JP 523289A JP H0675144 B2 JPH0675144 B2 JP H0675144B2
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- light
- wave
- modulation wave
- optical phase
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2/00—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
- G02F2/002—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light using optical mixing
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/18—Phase-modulated carrier systems, i.e. using phase-shift keying
- H04L27/22—Demodulator circuits; Receiver circuits
- H04L27/223—Demodulation in the optical domain
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、同調精度の極めて高い光変調波復調装置に関
するもので、とくに波長多重光通信や空間的位相のそろ
った光波、すなわちコヒーレント光を利用したコヒーレ
ント光通信に有用な光変調波復調装置である。これらの
通信においては、光搬送波の波長に精度よくかつ安定に
同調できかつ安価な光変調波復調装置が必要とされてい
る。
するもので、とくに波長多重光通信や空間的位相のそろ
った光波、すなわちコヒーレント光を利用したコヒーレ
ント光通信に有用な光変調波復調装置である。これらの
通信においては、光搬送波の波長に精度よくかつ安定に
同調できかつ安価な光変調波復調装置が必要とされてい
る。
従来の技術 従来のコヒーレント光通信における光変調波復調装置の
構成例を第４図に示す。
構成例を第４図に示す。
第４図において、401は光変調波、402は光変調波を伝達
する光ファイバー、403は光合波器、404は局部発振用分
布帰還型（DFB）半導体レーザー、405はPINフォトダイ
オードからなる光ミキサー、406は中間同波増幅器、407
は周波数弁別器、408は前記半導体レーザー404の制御器
である。
する光ファイバー、403は光合波器、404は局部発振用分
布帰還型（DFB）半導体レーザー、405はPINフォトダイ
オードからなる光ミキサー、406は中間同波増幅器、407
は周波数弁別器、408は前記半導体レーザー404の制御器
である。
次にこの装置の動作を説明する。伝達すべき情報を周波
数変調または位相変調の形でのせた光変調波に、光合波
器403で、局部発振用半導体レーザー404により発振させ
たレーザー光と合波させる。信号光搬送波波長と局部発
振光の波長が極めて近ければ、合波によってビート信号
を生じ、これが適当な周波数の中間周波数になれば、中
間周波数増幅器406で増幅し、以後通常の周波数変調（F
M）に対応する検波を行って、光変調波を復調すること
ができる。同調は周波数弁別器407を通して得られる信
号を、適当に局部発振用半導体レーザーの制御器408に
帰還し、注入電流量を制御することによって行う。しか
し同調検波の精度を上げるためには、局部発振光の光源
となるレーザーに、極めて発振波長スペクトル幅の狭
い、安定なレーザーが必要とされる。
数変調または位相変調の形でのせた光変調波に、光合波
器403で、局部発振用半導体レーザー404により発振させ
たレーザー光と合波させる。信号光搬送波波長と局部発
振光の波長が極めて近ければ、合波によってビート信号
を生じ、これが適当な周波数の中間周波数になれば、中
間周波数増幅器406で増幅し、以後通常の周波数変調（F
M）に対応する検波を行って、光変調波を復調すること
ができる。同調は周波数弁別器407を通して得られる信
号を、適当に局部発振用半導体レーザーの制御器408に
帰還し、注入電流量を制御することによって行う。しか
し同調検波の精度を上げるためには、局部発振光の光源
となるレーザーに、極めて発振波長スペクトル幅の狭
い、安定なレーザーが必要とされる。
そのようなものとして、半導体レーザーの光共振反射鏡
に導波型回折格子を用いたいわゆる分布帰還型半導体レ
ーザー（DFBレーザー）が用いられている。
に導波型回折格子を用いたいわゆる分布帰還型半導体レ
ーザー（DFBレーザー）が用いられている。
第５図は、従来の代表的分布帰還型半導体レーザーの構
成を示したものである。図において、501はレーザー発
振部、502は光導波部、503は導波型回折格子部、504は
レーザー光出射側の光共振用反射鏡となるべき開端面、
505は基板である。レーザー発振部501で、電気的に注入
された電子と正孔とをの再結合により発生した光は、光
導波部502を通って導波型回折格子部503に入る。入った
光はここで回折格子と干渉し、回折格子の周期と一定に
関係のある波長の光のみが反射される。反射された光は
再び光導波部を戻り、レーザー発振部を通ってもう一方
の端面に形成された通常の反射鏡504によりまた反射さ
れ、結局先の導波型回折格子とこの反射鏡により光共振
器が形成される。したがって共振波長は回折格子の周期
によって固定され安定でかつ発振波長スペクトル線幅の
狭いレーザー光が得られる。この他導波型回折格子の代
りに通常の光学的回折格子を外部に設置しこの回折格子
を光共振の一方の反射鏡に用いた外部共振器型半導体レ
ーザーも知られている。
成を示したものである。図において、501はレーザー発
振部、502は光導波部、503は導波型回折格子部、504は
レーザー光出射側の光共振用反射鏡となるべき開端面、
505は基板である。レーザー発振部501で、電気的に注入
された電子と正孔とをの再結合により発生した光は、光
導波部502を通って導波型回折格子部503に入る。入った
光はここで回折格子と干渉し、回折格子の周期と一定に
関係のある波長の光のみが反射される。反射された光は
再び光導波部を戻り、レーザー発振部を通ってもう一方
の端面に形成された通常の反射鏡504によりまた反射さ
れ、結局先の導波型回折格子とこの反射鏡により光共振
器が形成される。したがって共振波長は回折格子の周期
によって固定され安定でかつ発振波長スペクトル線幅の
狭いレーザー光が得られる。この他導波型回折格子の代
りに通常の光学的回折格子を外部に設置しこの回折格子
を光共振の一方の反射鏡に用いた外部共振器型半導体レ
ーザーも知られている。
発明が解決しようとする課題 前記光変調波復調装置においてはいくつかの課題があ
る。第１に局部発振に用いる半導体レーザーの性能が十
分でない。そのため光変調波の搬送波波長にうまく同調
させるのが困難である。分布帰還型半導体レーザーで
は、導波型回折格子を用いているがこの波長選択性があ
まりよくないため発振波長のスペクトル線幅がまだ十分
に狭くないからである。また外部共振器型半導体レーザ
ーでは、回折格子として波長選択性のよいものを用いる
ことができるが、空間的に隔たっているため光軸を合せ
て機械的に固定することになるが、光軸合せが難しくま
た一定合せて取り付けても温度変化による熱膨脹や収
縮、また機械的振動による変位を受けるため実際に安定
なものを作るのは困難である。発振波長スペクトル線幅
はこの空間的隔たりを長くするほど良いが、長くするほ
ど前述の機械的変動が起り易くなる。したがってやはり
外部共振器型半導体レーザーにおいても十分な性能のも
のが得られていない。
る。第１に局部発振に用いる半導体レーザーの性能が十
分でない。そのため光変調波の搬送波波長にうまく同調
させるのが困難である。分布帰還型半導体レーザーで
は、導波型回折格子を用いているがこの波長選択性があ
まりよくないため発振波長のスペクトル線幅がまだ十分
に狭くないからである。また外部共振器型半導体レーザ
ーでは、回折格子として波長選択性のよいものを用いる
ことができるが、空間的に隔たっているため光軸を合せ
て機械的に固定することになるが、光軸合せが難しくま
た一定合せて取り付けても温度変化による熱膨脹や収
縮、また機械的振動による変位を受けるため実際に安定
なものを作るのは困難である。発振波長スペクトル線幅
はこの空間的隔たりを長くするほど良いが、長くするほ
ど前述の機械的変動が起り易くなる。したがってやはり
外部共振器型半導体レーザーにおいても十分な性能のも
のが得られていない。
第２に波長多重光通信やコヒーレント光通信において
は、多重化するため、光搬送波の波長の幅が広くとれる
ほうが望ましいが、上記DFB半導体レーザーでは、波長
可変範囲が狭い。そのため波長の同調範囲が狭い。
は、多重化するため、光搬送波の波長の幅が広くとれる
ほうが望ましいが、上記DFB半導体レーザーでは、波長
可変範囲が狭い。そのため波長の同調範囲が狭い。
またうまく同調せるために周波数弁別器を用いており構
成が複雑なものとなっている。
成が複雑なものとなっている。
このように従来例では、発振波長のスペクトル線幅が狭
くかつ周囲の環境条件の変化に対して安定で、波長可変
範囲の広い半導体レーザーがないため、同調精度が高く
安定で、また同調範囲が広くかつ安価な光変調波復調装
置が得られなかった。
くかつ周囲の環境条件の変化に対して安定で、波長可変
範囲の広い半導体レーザーがないため、同調精度が高く
安定で、また同調範囲が広くかつ安価な光変調波復調装
置が得られなかった。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、本発明では、一方の光共振
用反射鏡に入射光に対し空間的位相を反動させる機能を
有する４光波混合光位相共役素子を用いたレーザーと、
第１および第２のポンプ光光源を具備し、伝達情報を含
む光変調波の一部を、前記光位相共役素子にプローブ光
として入射させ、第１および第２のポンプ光との相互作
用により、光位相共役素子より出射した位相共役光を発
生させ、この位相共役光を利用して同調および復調を行
うようにしたものである。
用反射鏡に入射光に対し空間的位相を反動させる機能を
有する４光波混合光位相共役素子を用いたレーザーと、
第１および第２のポンプ光光源を具備し、伝達情報を含
む光変調波の一部を、前記光位相共役素子にプローブ光
として入射させ、第１および第２のポンプ光との相互作
用により、光位相共役素子より出射した位相共役光を発
生させ、この位相共役光を利用して同調および復調を行
うようにしたものである。
作用 上記のように構成することにより、同調精度が高く同調
範囲が広くかつ安定で、また安価な光変調波復調装置を
得ることができる。
範囲が広くかつ安定で、また安価な光変調波復調装置を
得ることができる。
実施例 以下本発明の一実施例の光変調波復調装置の構成とその
機能について、図面を参照しながら説明する。
機能について、図面を参照しながら説明する。
（実施例１） 本発明の光変調波復調装置の構成の第１実施例を第１図
に示す。図示において、101は光変調波入力端子、102は
半透明鏡、103は局部発振用半導体レーザー、104は前記
半導体レーザー光がポンプ光となって入射する４波混合
光位相共役素子、105は第１のポンプ光を正反対の方向
に反射して第２のポンプ光を形成するための反射鏡、10
6は光合成波器、107はPINフォトダイオードからなる光
混合検波器、108は信号出力端子、109は通常の反射鏡で
ある。
に示す。図示において、101は光変調波入力端子、102は
半透明鏡、103は局部発振用半導体レーザー、104は前記
半導体レーザー光がポンプ光となって入射する４波混合
光位相共役素子、105は第１のポンプ光を正反対の方向
に反射して第２のポンプ光を形成するための反射鏡、10
6は光合成波器、107はPINフォトダイオードからなる光
混合検波器、108は信号出力端子、109は通常の反射鏡で
ある。
ここで光位相共役について簡単に説明する。
光位相共役素子とは、任意方向に伝播する光波の方向と
その全波面を反転させる作用を有する素子のことであ
る。光位相共役素子による全波面反転作用を通常の鏡と
対比して示したのが第２図である。第２図（Ａ）におい
て、201は通常の鏡、202は光源、203のKinは入射光の波
数ベクトル、204Koutは鏡により反射された出射光の波
数ベクトルであり、第２図（Ｂ）において、205は光位
相共役素子、206は光源、207のKinは入射光の波数ベク
トル、208のKoutは光位相共役素子からの出射の波数ベ
クトルである。第２図（Ａ）は通常の鏡によって反射さ
れる光の様子を示したもので、通常の鏡では反射光は入
射角と同じ反射角をもって鏡面に垂直な面に対し反対側
に出射される。第２図（Ｂ）は光位相共役素子の場合を
示したもので、この場合入射光と全く同じ経路を逆方向
に進む波が発生させている。すなわち光位相共役素子と
は波数ベクトルの符号を反転した波、すなわちKin＝−K
outの関係の波を発生できる素子のことである。このよ
うな関係は極めて特殊な場合にしか得られない。その一
つの方法として４光波混合という方法が知られている。
これは同じ周波数の３つの光を特定の媒質中に入射し、
３次の非線型分極を媒質中に形成し、これを新たな波源
として第４の光波を媒質中より発生させる方法である。
この場合媒質に入射させる３つの光波のうち２つをポン
プ波Ep1、Ep2、他の一つをプローブ波Eprとし、出射す
る光位相共役波をEpcとし、それぞれの波数ベクトルをK
p1，Kp2,Kpr,Kpcとすると、光位相共役波を発生させる
ためには、 Kp1＋Kp2＝Kpr＋Kpc という位相整合条件を満たす必要がある。ポンプ波間で
Kp1＋Kp2＝０いう関係を満たせば、Kpr＋Kpc＝０とな
り、Kpr＝−Kpcの関係が常に得られ、光位相共役波が発
生できる。
その全波面を反転させる作用を有する素子のことであ
る。光位相共役素子による全波面反転作用を通常の鏡と
対比して示したのが第２図である。第２図（Ａ）におい
て、201は通常の鏡、202は光源、203のKinは入射光の波
数ベクトル、204Koutは鏡により反射された出射光の波
数ベクトルであり、第２図（Ｂ）において、205は光位
相共役素子、206は光源、207のKinは入射光の波数ベク
トル、208のKoutは光位相共役素子からの出射の波数ベ
クトルである。第２図（Ａ）は通常の鏡によって反射さ
れる光の様子を示したもので、通常の鏡では反射光は入
射角と同じ反射角をもって鏡面に垂直な面に対し反対側
に出射される。第２図（Ｂ）は光位相共役素子の場合を
示したもので、この場合入射光と全く同じ経路を逆方向
に進む波が発生させている。すなわち光位相共役素子と
は波数ベクトルの符号を反転した波、すなわちKin＝−K
outの関係の波を発生できる素子のことである。このよ
うな関係は極めて特殊な場合にしか得られない。その一
つの方法として４光波混合という方法が知られている。
これは同じ周波数の３つの光を特定の媒質中に入射し、
３次の非線型分極を媒質中に形成し、これを新たな波源
として第４の光波を媒質中より発生させる方法である。
この場合媒質に入射させる３つの光波のうち２つをポン
プ波Ep1、Ep2、他の一つをプローブ波Eprとし、出射す
る光位相共役波をEpcとし、それぞれの波数ベクトルをK
p1，Kp2,Kpr,Kpcとすると、光位相共役波を発生させる
ためには、 Kp1＋Kp2＝Kpr＋Kpc という位相整合条件を満たす必要がある。ポンプ波間で
Kp1＋Kp2＝０いう関係を満たせば、Kpr＋Kpc＝０とな
り、Kpr＝−Kpcの関係が常に得られ、光位相共役波が発
生できる。
Kp1＋Kp2＝０いう関係は同一の波長の光源を対向させれ
ば良い。また単一の光源を用い通常の反射鏡で正確に正
反対に反射させても得られる。したがって光位相共役素
子は３次の非線型分極の大きい材料を用いることにより
実現できる。このような材料として、チタン酸バリウ
ム、珪酸ビスマス、ゲルマニウム酸ビスマス、ニオブ酸
カリウムの電気光学材料およびガリウム砒素、アルミニ
ウムガリウム砒素、インジウムアンチモンインジウムリ
ンなどのIII−Ｖ化合物半導体材料が適当である。またI
II−Ｖ化合物半導体を用い多重量子井戸構造を形成する
と、ここに高温まで安定な励起子を形成でき、励起子が
あると３次の電気分極が大きくなることから、さらに効
率の良い光位相共役素子が形成できる。
ば良い。また単一の光源を用い通常の反射鏡で正確に正
反対に反射させても得られる。したがって光位相共役素
子は３次の非線型分極の大きい材料を用いることにより
実現できる。このような材料として、チタン酸バリウ
ム、珪酸ビスマス、ゲルマニウム酸ビスマス、ニオブ酸
カリウムの電気光学材料およびガリウム砒素、アルミニ
ウムガリウム砒素、インジウムアンチモンインジウムリ
ンなどのIII−Ｖ化合物半導体材料が適当である。またI
II−Ｖ化合物半導体を用い多重量子井戸構造を形成する
と、ここに高温まで安定な励起子を形成でき、励起子が
あると３次の電気分極が大きくなることから、さらに効
率の良い光位相共役素子が形成できる。
次にこのような光位相共役素子を光共振器の一方の反射
鏡として用いた本実施例の場合の動作について説明す
る。第１図において、半導体レーザー103からでたレー
ザー光は第１のポンプ光として、光位相共役素子104に
入射する。入射した光は反射鏡105により正反対の方向
に反射され第２のポンプ光となる。第１および第２のポ
ンプ光それぞれの波数ベクトルをKp1、Kp2とすると、そ
れぞれの光が全く反対方向に進むように配置しておけ
ば、Kp1＝−Kp2となる。この状態で信号光101が光位相
共役素子に入射すると、ポンプ光と波長の等しい波長の
波の位相共役波のみが選択的に出射される。位相共役光
はプローブ光とポンプ光の波長が正しく一致した時にの
み発生する。信号光を位相変調している場合、位相共役
光にも正しくその位相変調信号が反映されるので、この
位相共役光と半導体レーザー光を合波してさらにホトダ
イオードに入れれば変調信号を復調することができる。
すなわち本実施例の構成を用いれば、半導体レーザー光
の発振波長を掃引することにより、光変調波搬送波波長
に正しく同調した時にのみ、信号光検出出力が得られ
る。したがって複雑な回路を必要とせずに自動的に光変
調波に同調することが可能である。
鏡として用いた本実施例の場合の動作について説明す
る。第１図において、半導体レーザー103からでたレー
ザー光は第１のポンプ光として、光位相共役素子104に
入射する。入射した光は反射鏡105により正反対の方向
に反射され第２のポンプ光となる。第１および第２のポ
ンプ光それぞれの波数ベクトルをKp1、Kp2とすると、そ
れぞれの光が全く反対方向に進むように配置しておけ
ば、Kp1＝−Kp2となる。この状態で信号光101が光位相
共役素子に入射すると、ポンプ光と波長の等しい波長の
波の位相共役波のみが選択的に出射される。位相共役光
はプローブ光とポンプ光の波長が正しく一致した時にの
み発生する。信号光を位相変調している場合、位相共役
光にも正しくその位相変調信号が反映されるので、この
位相共役光と半導体レーザー光を合波してさらにホトダ
イオードに入れれば変調信号を復調することができる。
すなわち本実施例の構成を用いれば、半導体レーザー光
の発振波長を掃引することにより、光変調波搬送波波長
に正しく同調した時にのみ、信号光検出出力が得られ
る。したがって複雑な回路を必要とせずに自動的に光変
調波に同調することが可能である。
（実施例２） 本発明の光変調波復調装置の構成の第２の実施例を第３
図に示す。第３図において、301は光変調波入力端子、3
02は半透明鏡、303は局部発振用半導体レーザー、304は
前記半導体レーザー光がポンプ光となって入射する４波
混合光位相共役素子、305は第１のポンプ光を正反対の
方向に反射して第２のポンプ光を形成するための反射
鏡、306は光合波器、307はPINホトダイオードからなる
光混合検波器、308は信号出力端子、309は位相共役光検
出用ホトダイオード、310は半導体レーザの制御器であ
る。
図に示す。第３図において、301は光変調波入力端子、3
02は半透明鏡、303は局部発振用半導体レーザー、304は
前記半導体レーザー光がポンプ光となって入射する４波
混合光位相共役素子、305は第１のポンプ光を正反対の
方向に反射して第２のポンプ光を形成するための反射
鏡、306は光合波器、307はPINホトダイオードからなる
光混合検波器、308は信号出力端子、309は位相共役光検
出用ホトダイオード、310は半導体レーザの制御器であ
る。
半導体レーザー303と光位相共役素子304の関係は実施例
１の場合と同様である。したがってやはり光変調波と半
導体レーザー光の波長が正しく一致した場合にのみ位相
共役光が出射される。本実施例では、この位相共役光の
強度を、ホトダイオード309で検出し、その強度が最大
になるように制御器310によって半導体レーザー303の発
振波長を制御固定してやる。この状態で、光変調波と半
導体レーザーの発振光を合波、混合検波してやれば光変
調波を復調することができる。このように位相共役光の
強度を検出することによって、局部発振光である半導体
レーザーの発振波長を光変調波搬送波波長に同調するこ
とができる。この場合位相共役素子の位相共役光発生効
率が低くても良いという利点がある。
１の場合と同様である。したがってやはり光変調波と半
導体レーザー光の波長が正しく一致した場合にのみ位相
共役光が出射される。本実施例では、この位相共役光の
強度を、ホトダイオード309で検出し、その強度が最大
になるように制御器310によって半導体レーザー303の発
振波長を制御固定してやる。この状態で、光変調波と半
導体レーザーの発振光を合波、混合検波してやれば光変
調波を復調することができる。このように位相共役光の
強度を検出することによって、局部発振光である半導体
レーザーの発振波長を光変調波搬送波波長に同調するこ
とができる。この場合位相共役素子の位相共役光発生効
率が低くても良いという利点がある。
発明の効果 本発明は、以下説明したような構成と動作原理から成る
ので、以下に記載されるような効果を示す。
ので、以下に記載されるような効果を示す。
いずれの実施例においても、光変調波の搬送波波長と半
導体レーザー発振光の波長が正しく一致した場合にのみ
位相共役光が発生するので、位相共役光を検出、あるい
は位相共役光との合波を行うことにより光変調波への同
調が容易にかつ安定に行える。
導体レーザー発振光の波長が正しく一致した場合にのみ
位相共役光が発生するので、位相共役光を検出、あるい
は位相共役光との合波を行うことにより光変調波への同
調が容易にかつ安定に行える。
実施例１においては、位相共役光と半導体レーザー光を
直接混合検波していることから、同調した時にのみ信号
出力が得られるので構成が極めて簡単となる。
直接混合検波していることから、同調した時にのみ信号
出力が得られるので構成が極めて簡単となる。
また実施例２においては、光位相共役素子の位相共役発
生効率が低くても良いことから、光位相共役素子の選択
の幅が増し実用上有利である。たとえば安価な材料を用
いることができる。
生効率が低くても良いことから、光位相共役素子の選択
の幅が増し実用上有利である。たとえば安価な材料を用
いることができる。
本実施例では代表的光学系のみ示したが、この構成に限
られるものではなく、反射鏡の枚数を増したり、光ファ
イバーを用いたり、光導波路を用いて光学系を構成する
こともできる。
られるものではなく、反射鏡の枚数を増したり、光ファ
イバーを用いたり、光導波路を用いて光学系を構成する
こともできる。
第１図は本発明の光変調波復調装置の１実施例の構成
図、第２図は本発明に用いる光位相共役の説明図、第３
図は本発明の光変調波復調装置の他の実施例の構成図、
第４図は従来の光変調波復調装置の構成図、第５図は従
来の光変調波復調装置に用いられる半導体レーザーの構
成図である。 101……光変調波入力端子、102……半透明鏡、103……
局部発振用半導体レーザー、104……光位相共役素子、1
05……反射鏡、106……光合波器、107……光混合検波
器、108……信号出力端子、109……反射鏡、201……
鏡、202……光源、203……入射光、204……出射光、205
……光位相共役素子、206……光源、207……入射光、20
8……出射光、301……光変調波入力端子、302……半透
明鏡、303……局部発振用半導体レーザー、304……光位
相共役素子、305……反射鏡、306……光合波器、307…
…光混合検波器、308……信号出力端子、309……ホトダ
イオード、310……制御器。
図、第２図は本発明に用いる光位相共役の説明図、第３
図は本発明の光変調波復調装置の他の実施例の構成図、
第４図は従来の光変調波復調装置の構成図、第５図は従
来の光変調波復調装置に用いられる半導体レーザーの構
成図である。 101……光変調波入力端子、102……半透明鏡、103……
局部発振用半導体レーザー、104……光位相共役素子、1
05……反射鏡、106……光合波器、107……光混合検波
器、108……信号出力端子、109……反射鏡、201……
鏡、202……光源、203……入射光、204……出射光、205
……光位相共役素子、206……光源、207……入射光、20
8……出射光、301……光変調波入力端子、302……半透
明鏡、303……局部発振用半導体レーザー、304……光位
相共役素子、305……反射鏡、306……光合波器、307…
…光混合検波器、308……信号出力端子、309……ホトダ
イオード、310……制御器。
Claims (2)
- 【請求項１】一方の光共振用反射鏡に入射光に対して空
間的位相を反転させる機能を有する４光波混合光位相共
役素子を用いたレーザーを具備し、前記レーザーの前記
光位相共役素子への入射光および前記光位相共役素子内
部端面で、空間的に正反対の方向に反射された反射光
を、それぞれ第１および第２のポンプ光とし、伝達情報
を含む光変調波の少なくとも一部を、前記光位相共役素
子にプローブ光として入射させ、前記第１および第２の
ポンプ光との相互作用により、前記光位相共役素子より
出射した位相共役光と、前記レーザー光とを合波するこ
とにより、前記光変調波を復調するようにした光変調波
復調装置。 - 【請求項２】一方の光共振用反射鏡に入射光に対して空
間的位相を反転させる機能を有する４光波混合光位相共
役素子を用いたレーザーを具備し、前記レーザーの前記
光位相共役素子への入射光および前記光位相共役素子内
部端面で、空間的に正反対の方向に反射された反射光
を、それぞれ第１および第２のポンプ光とし、伝達情報
を含む光変調波の少なくとも一部を、前記光位相共役素
子にプローブ光として入射させ、前記第１および第２の
ポンプ光との相互作用により、前記光位相共役素子より
出射した位相共役光の強度を検出し、この強度が最大と
なる時に、前記光変調波と前記レーザー光とを合波する
ことにより、前記光変調波を復調するようにした光変調
波復調装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005232A JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
| US07/464,000 US5062155A (en) | 1989-01-12 | 1990-01-12 | Modulated light wave demodulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005232A JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184827A JPH02184827A (ja) | 1990-07-19 |
| JPH0675144B2 true JPH0675144B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=11605443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005232A Expired - Lifetime JPH0675144B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 光変調波復調装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5062155A (ja) |
| JP (1) | JPH0675144B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3436310B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2003-08-11 | 富士通株式会社 | 位相共役光学の光システムへの適用 |
| US6304348B1 (en) | 1994-03-08 | 2001-10-16 | Fujitsu Limited | Optical communication method and optical communication system based on optical phase conjugation |
| US5847853A (en) * | 1995-12-29 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Modulation and demodulation of light to facilitate transmission of information |
| US5920588A (en) * | 1996-04-11 | 1999-07-06 | Fujitsu Limited | Method and device for generation of phase conjugate light and wavelength conversion, and system having the device |
| US6714565B1 (en) * | 2000-11-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator |
| US6727520B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-04-27 | Honeywell International Inc. | Spatially modulated reflector for an optoelectronic device |
| TWI227799B (en) * | 2000-12-29 | 2005-02-11 | Honeywell Int Inc | Resonant reflector for increased wavelength and polarization control |
| US7134343B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Opto-acoustoelectric device and methods for analyzing mechanical vibration and sound |
| JP7491142B2 (ja) * | 2020-08-27 | 2024-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | レーザー干渉計およびレーザー干渉計の制御方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529273A (en) * | 1982-12-21 | 1985-07-16 | California Institute Of Technology | Passive phase conjugate mirror |
| US4953954A (en) * | 1989-02-10 | 1990-09-04 | Rockwell International Corporation | Phase-conjugate communication using mutually incoherent laser beams |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1005232A patent/JPH0675144B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-01-12 US US07/464,000 patent/US5062155A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5062155A (en) | 1991-10-29 |
| JPH02184827A (ja) | 1990-07-19 |
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