JPH0675237A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH0675237A JPH0675237A JP4230082A JP23008292A JPH0675237A JP H0675237 A JPH0675237 A JP H0675237A JP 4230082 A JP4230082 A JP 4230082A JP 23008292 A JP23008292 A JP 23008292A JP H0675237 A JPH0675237 A JP H0675237A
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- electrode
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 スイッチング素子である薄膜トランジスタ４
０上に反射電極３８を形成する際に、不規則な複数の凸
部４２ａ上に形成され、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂ
を有する有機絶縁膜４２を形成し、その上に反射電極３
８を形成する。 【効果】 有機絶縁膜４２上に反射電極３８を形成する
ため、薄膜トランジスタ４０の影響を受けず、隣り合う
反射電極３８間の絶縁性を保つ範囲で反射電極３８を大
きく形成でき、開口率を９０％以上にすることができ
る。
０上に反射電極３８を形成する際に、不規則な複数の凸
部４２ａ上に形成され、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂ
を有する有機絶縁膜４２を形成し、その上に反射電極３
８を形成する。 【効果】 有機絶縁膜４２上に反射電極３８を形成する
ため、薄膜トランジスタ４０の影響を受けず、隣り合う
反射電極３８間の絶縁性を保つ範囲で反射電極３８を大
きく形成でき、開口率を９０％以上にすることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を反射すること
によって表示を行う反射型液晶表示装置に関する。
によって表示を行う反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄形であり、軽量化が可能であるため注目されてい
る。
パソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用
が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外
部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表
示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低
く、薄形であり、軽量化が可能であるため注目されてい
る。
【０００３】従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ
（ツイステッドネマティック）方式、ならびにＳＴＮ
（スーパーツイステッドネマティック）方式が用いられ
ているけれども、これらの方式では偏光板によって必然
的に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないこと
になり、表示が暗くなるという問題がある。
（ツイステッドネマティック）方式、ならびにＳＴＮ
（スーパーツイステッドネマティック）方式が用いられ
ているけれども、これらの方式では偏光板によって必然
的に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないこと
になり、表示が暗くなるという問題がある。
【０００４】このような問題に対して、偏光板を用い
ず、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示
モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５ ４７１８ １９７４）。この
モードでは、電界によるコレステリック・ネマティック
相転移現象が利用されている。この方式に、さらにマイ
クロカラーフィルタを組合せた反射型マルチカラーディ
スプレイも提案されている（Ｔｏｈｒｕ Ｋｏｉｚｕｍ
ｉ ａｎｄ Ｔａｔｓｕｏ Ｕｃｈｉｄａ Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，Ｖｏｌ．２９／２，１
５７，１９８８）。
ず、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示
モードが提案されている。このようなモードの例とし
て、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．
Ｌ．Ｗｈｉｔｅ ａｎｄ Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５ ４７１８ １９７４）。この
モードでは、電界によるコレステリック・ネマティック
相転移現象が利用されている。この方式に、さらにマイ
クロカラーフィルタを組合せた反射型マルチカラーディ
スプレイも提案されている（Ｔｏｈｒｕ Ｋｏｉｚｕｍ
ｉ ａｎｄ Ｔａｔｓｕｏ Ｕｃｈｉｄａ Ｐｒｏｃｅｅｄ
ｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，Ｖｏｌ．２９／２，１
５７，１９８８）。
【０００５】このような偏光板を必要としないモードで
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどから成る基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。図１０は
アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素
子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）１を
有する基板２の平面図であり、図１１は図１０に示す切
断面線ＸＩ−ＸＩから見た断面図である。ガラスなどの
絶縁性の基板２上に、クロム、タンタルなどから成る複
数のゲートバス配線３が互いに平行に設けられ、ゲート
バス配線３からはゲート電極４が分岐して設けられてい
る。ゲートバス配線３は、走査線として機能している。
さらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの
入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強
度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射
特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述
の文献には、ガラスなどから成る基板の表面を研磨剤で
粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変える
ことによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄
膜を形成した反射板について記載されている。図１０は
アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素
子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）１を
有する基板２の平面図であり、図１１は図１０に示す切
断面線ＸＩ−ＸＩから見た断面図である。ガラスなどの
絶縁性の基板２上に、クロム、タンタルなどから成る複
数のゲートバス配線３が互いに平行に設けられ、ゲート
バス配線３からはゲート電極４が分岐して設けられてい
る。ゲートバス配線３は、走査線として機能している。
【０００６】ゲート電極４を覆って基板２上の全面に窒
化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（ＳｉＯx ）な
どから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート電
極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳されている。
化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（ＳｉＯx ）な
どから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート電
極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ
などから成る半導体層６が形成されている。半導体層６
の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極７が重畳形成されている。ま
た、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様
にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレ
イン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半
導体層６と反対側の端部には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）から成る絵素電極９が重畳されている。
【０００７】図１０に示すように、ソース電極７にはゲ
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８はＴＦＴ１を構成し、該ＴＦ
Ｔ１は、スイッチング素子の機能を有している。
ートバス配線３に前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差す
るソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配
線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線
１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。
ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電
極７およびドレイン電極８はＴＦＴ１を構成し、該ＴＦ
Ｔ１は、スイッチング素子の機能を有している。
【０００８】図１０および図１１に示すＴＦＴ１を有す
る基板２を反射型液晶表示装置に適応しようとすれば、
絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有する
金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５あるいは
その上に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物か
ら成る絶縁膜にテーパの付いた凹凸を均一に形成するこ
とは困難である。
る基板２を反射型液晶表示装置に適応しようとすれば、
絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有する
金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５あるいは
その上に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物か
ら成る絶縁膜にテーパの付いた凹凸を均一に形成するこ
とは困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１０および図１１に
示されるように、反射電極９とソースバス配線１０とを
ゲート絶縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソー
スバス配線１０とが導通しないように間隙９ａが形成さ
れる。また、ＴＦＴ１上に反射電極９を形成した場合、
ソース電極７とドレイン電極８とが導通し、ＴＦＴ１が
スイッチング素子として機能しなくなるため、ＴＦＴ１
上に反射電極９を形成することができない。
示されるように、反射電極９とソースバス配線１０とを
ゲート絶縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソー
スバス配線１０とが導通しないように間隙９ａが形成さ
れる。また、ＴＦＴ１上に反射電極９を形成した場合、
ソース電極７とドレイン電極８とが導通し、ＴＦＴ１が
スイッチング素子として機能しなくなるため、ＴＦＴ１
上に反射電極９を形成することができない。
【００１０】表示の輝度を向上するためには、反射電極
９は大きいほど好ましい。けれども、上述のように反射
電極９はソースバス配線１０と接触せず、またＴＦＴ１
のドレイン電極８以外とは重ならないように形成しなけ
ればならず、反射電極９の面積が小さく、したがって輝
度が低く、反射型液晶表示装置の表示品位が低いという
問題がある。
９は大きいほど好ましい。けれども、上述のように反射
電極９はソースバス配線１０と接触せず、またＴＦＴ１
のドレイン電極８以外とは重ならないように形成しなけ
ればならず、反射電極９の面積が小さく、したがって輝
度が低く、反射型液晶表示装置の表示品位が低いという
問題がある。
【００１１】本発明の目的は、上述の問題を解決し、表
示品位が向上する反射型液晶表示装置を提供することで
ある。
示品位が向上する反射型液晶表示装置を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を介在
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方基板上
の液晶層側表面には、他方基板側からの入射光を反射す
る表示絵素である複数の反射電極と、各反射電極に表示
のための電圧を印加する引回し電極とを形成し、他方基
板上の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極を形成して構成される反射型液晶表示装
置において、前記反射電極は、一方基板上の液晶側であ
って、前記引回し電極を含む領域に不規則に配列された
複数の凸部上に形成された絶縁膜上に形成されており、
隣り合う反射電極が相互に間隙を介するように、予め定
められた領域に形成されることを特徴とする反射型液晶
表示装置である。
して対向配置される一対の透明基板のうち、一方基板上
の液晶層側表面には、他方基板側からの入射光を反射す
る表示絵素である複数の反射電極と、各反射電極に表示
のための電圧を印加する引回し電極とを形成し、他方基
板上の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を
有する共通電極を形成して構成される反射型液晶表示装
置において、前記反射電極は、一方基板上の液晶側であ
って、前記引回し電極を含む領域に不規則に配列された
複数の凸部上に形成された絶縁膜上に形成されており、
隣り合う反射電極が相互に間隙を介するように、予め定
められた領域に形成されることを特徴とする反射型液晶
表示装置である。
【００１３】また本発明は、前記凸部は、感光性樹脂か
ら成ることを特徴とする。
ら成ることを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明に従えば、反射型液晶表示装置は、対向
する一対の透明基板間に液晶層を介在して形成される。
このとき、一方の基板の液晶層側表面には複数の反射電
極と引回し電極とが形成され、他方の基板の液晶層側表
面には共通電極が形成される。前記反射電極は表示絵素
であり、前述の他方基板および共通電極を介して入射す
る入射光を反射することによって表示が行われる。ゲー
トバス配線、ソースバス配線および薄膜トランジスタな
どで実現される前記引回し電極は、各反射電極に表示の
ための電圧を印加する。他方基板上に形成される前記共
通電極は、他方基板ほぼ全面にわたって形成されてい
る。
する一対の透明基板間に液晶層を介在して形成される。
このとき、一方の基板の液晶層側表面には複数の反射電
極と引回し電極とが形成され、他方の基板の液晶層側表
面には共通電極が形成される。前記反射電極は表示絵素
であり、前述の他方基板および共通電極を介して入射す
る入射光を反射することによって表示が行われる。ゲー
トバス配線、ソースバス配線および薄膜トランジスタな
どで実現される前記引回し電極は、各反射電極に表示の
ための電圧を印加する。他方基板上に形成される前記共
通電極は、他方基板ほぼ全面にわたって形成されてい
る。
【００１５】本発明においては、前記反射電極は、前記
一方基板上に形成されたゲートバス配線、ソースバス配
線および薄膜トランジスタなどの引回し電極上の薄膜ト
ランジスタのドレイン電極など前記反射電極との接続部
分を含む一方基板全面に不規則に配列された複数の凸部
を覆い、たとえば高分子樹脂などから成る絶縁膜上の予
め定められた領域に形成される。この際、隣り合う反射
電極は、相互に間隙を介して形成されている。前記絶縁
膜は前記凸部を覆って形成されるため、前記絶縁膜は前
記凸部に応じた凹凸を有する。前述のように、反射電極
は前記凹凸を有する絶縁膜上に形成されるため、反射電
極表面にもまた前記凹凸に対応する凹凸が形成される。
光反射面に凹凸を形成することによって、あらゆる角度
からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する
光の強度が増加して表示輝度が向上し、表示のコントラ
ストが向上することが知られている。
一方基板上に形成されたゲートバス配線、ソースバス配
線および薄膜トランジスタなどの引回し電極上の薄膜ト
ランジスタのドレイン電極など前記反射電極との接続部
分を含む一方基板全面に不規則に配列された複数の凸部
を覆い、たとえば高分子樹脂などから成る絶縁膜上の予
め定められた領域に形成される。この際、隣り合う反射
電極は、相互に間隙を介して形成されている。前記絶縁
膜は前記凸部を覆って形成されるため、前記絶縁膜は前
記凸部に応じた凹凸を有する。前述のように、反射電極
は前記凹凸を有する絶縁膜上に形成されるため、反射電
極表面にもまた前記凹凸に対応する凹凸が形成される。
光反射面に凹凸を形成することによって、あらゆる角度
からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する
光の強度が増加して表示輝度が向上し、表示のコントラ
ストが向上することが知られている。
【００１６】また前記反射電極と引回し電極とは、接続
部を除き、有機絶縁膜を介して形成される。このため、
反射電極を形成する領域は、引回し電極に影響されるこ
とはなく、隣り合う反射電極が電気絶縁状態を保つ範囲
内で面積を増加することが可能であり、表示の輝度が向
上する。
部を除き、有機絶縁膜を介して形成される。このため、
反射電極を形成する領域は、引回し電極に影響されるこ
とはなく、隣り合う反射電極が電気絶縁状態を保つ範囲
内で面積を増加することが可能であり、表示の輝度が向
上する。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の一実施例である反射型液晶表
示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される基板
３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板
３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲート
バス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線
３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲートバス
配線３２は、走査線として機能している。
示装置３０の断面図であり、図２は図１に示される基板
３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板
３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲート
バス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線
３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲートバス
配線３２は、走査線として機能している。
【００１８】ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面
に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
x ）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されている。
ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶
質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコ
ン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成されてい
る。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成る
コンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタク
ト電極４１上には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極３６が重畳形成され、他方のコ
ンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様に、チ
タン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン
電極３７が重畳形成されている。
に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
x ）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されている。
ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶
質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコ
ン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成されてい
る。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成る
コンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタク
ト電極４１上には、チタン、モリブデン、アルミニウム
などから成るソース電極３６が重畳形成され、他方のコ
ンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様に、チ
タン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン
電極３７が重畳形成されている。
【００１９】図２に示すようにソース電極３６には、ゲ
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴと記す）４０を構成し、該ＴＦ
Ｔ４０は、スイッチング素子の機能を有する。
ートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交
差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバ
ス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス
配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されて
いる。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３
５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴと記す）４０を構成し、該ＴＦ
Ｔ４０は、スイッチング素子の機能を有する。
【００２０】ＴＦＴ４０が形成された基板３１上には、
複数の凸部４２ａが後述するコンタクトホール４３が形
成される領域を除いて、不規則に形成されている。コン
タクトホール４３領域には凸部４２ａを形成しないよう
にしてもよく、また全面に凸部４２ａを形成後、コンタ
クトホール４３領域上に形成された凸部４２ａを除去す
るようにしてもよい。凸部４２ａを覆って、基板３１上
全面に有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４
２には、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂが生じる。ドレ
イン電極３７部分には、コンタクトホール４３が形成さ
れている。有機絶縁膜４２上にアルミニウム、銀などか
ら成る反射電極３８が形成され、反射電極３８はコンタ
クトホール４３においてドレイン電極３７と接続され
る。さらにその上には、配向膜４４が形成される。
複数の凸部４２ａが後述するコンタクトホール４３が形
成される領域を除いて、不規則に形成されている。コン
タクトホール４３領域には凸部４２ａを形成しないよう
にしてもよく、また全面に凸部４２ａを形成後、コンタ
クトホール４３領域上に形成された凸部４２ａを除去す
るようにしてもよい。凸部４２ａを覆って、基板３１上
全面に有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４
２には、凸部４２ａに応じた凸部４２ｂが生じる。ドレ
イン電極３７部分には、コンタクトホール４３が形成さ
れている。有機絶縁膜４２上にアルミニウム、銀などか
ら成る反射電極３８が形成され、反射電極３８はコンタ
クトホール４３においてドレイン電極３７と接続され
る。さらにその上には、配向膜４４が形成される。
【００２１】反射電極３８は、図２に示されるようにゲ
ートバス配線３２の一部およびソースバス配線３９の一
部に有機絶縁膜４２を介して重畳されるように形成され
ている。このため反射電極３８は、隣り合う反射電極３
８が電気的に絶縁状態を保つ範囲で面積を大きくするこ
とができる。このため、表示画面の開口率が大きくな
り、明るい表示が可能となる。本実施例に従えば、開口
率を９０％以上にすることができる。
ートバス配線３２の一部およびソースバス配線３９の一
部に有機絶縁膜４２を介して重畳されるように形成され
ている。このため反射電極３８は、隣り合う反射電極３
８が電気的に絶縁状態を保つ範囲で面積を大きくするこ
とができる。このため、表示画面の開口率が大きくな
り、明るい表示が可能となる。本実施例に従えば、開口
率を９０％以上にすることができる。
【００２２】基板４５上には、カラーフィルタ４６が形
成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射電極３
８に対向する位置には、マゼンタまたはグリーンのフィ
ルタ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置
にはブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフ
ィルタ４６上の全面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
などから成る透明な電極４７、さらにその上には配向膜
４８が形成される。
成される。カラーフィルタ４６の基板３１の反射電極３
８に対向する位置には、マゼンタまたはグリーンのフィ
ルタ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない位置
にはブラックのフィルタ４６ｂが形成される。カラーフ
ィルタ４６上の全面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
などから成る透明な電極４７、さらにその上には配向膜
４８が形成される。
【００２３】両基板３１，４５は、反射電極３８とフィ
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射液晶表示装置３０が
完成する。
ルタ４６ａとが一致するように対向して貼り合わせら
れ、間に液晶４９が注入されて反射液晶表示装置３０が
完成する。
【００２４】図３は図１および図２に示される凸部４２
ａを有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成方
法を説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方法
を説明する断面図であり、図５は図３の工程ａ５で用い
られるマスク５１の平面図である。図４（１）は図３の
工程ａ４を示し、図４（２）は図３の工程ａ５を示し、
図４（３）は図３の工程ａ６を示し、図４（４）は図３
の工程ａ８を示し、図４（５）は図３の工程ａ９を示し
ている。
ａを有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成方
法を説明する工程図であり、図４は図３に示す形成方法
を説明する断面図であり、図５は図３の工程ａ５で用い
られるマスク５１の平面図である。図４（１）は図３の
工程ａ４を示し、図４（２）は図３の工程ａ５を示し、
図４（３）は図３の工程ａ６を示し、図４（４）は図３
の工程ａ８を示し、図４（５）は図３の工程ａ９を示し
ている。
【００２５】工程ａ１ではガラスなどから成る絶縁性の
基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの厚
さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグ
ラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、
ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成する。
工程ａ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００Åの
厚さの窒化シリコン（ＳｉＮx）から成るゲート絶縁膜
３４を形成する。
基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの厚
さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグ
ラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、
ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成する。
工程ａ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００Åの
厚さの窒化シリコン（ＳｉＮx）から成るゲート絶縁膜
３４を形成する。
【００２６】工程ａ３では半導体層３５となる厚さ１０
００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ４
００Åのｎ+型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成す
る。形成されたｎ+型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層のパ
ターニングを行い、半導体層３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ａ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ａ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。
００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ４
００Åのｎ+型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成す
る。形成されたｎ+型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層のパ
ターニングを行い、半導体層３５およびコンタクト層４
１を形成する。工程ａ４では、基板３１の全面に厚さ２
０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成
し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソ
ース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線
３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、
工程ａ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された基
板３１の断面図である。
【００２７】工程ａ５では、ＴＦＴ４０を形成した基板
３１上全面に光感性樹脂であるホトレジスト（ＯＦＰＲ
−８００）を１２００Åの厚さに塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて、図４（２）に示されるように凸
部４２ａを形成する。マスク５１には、斜線で示す円形
の遮光領域５１ａ，５１ｂが不規則に形成されている。
遮光領域５１ａの直径の長さＤ１は、遮光領域５１ｂの
直径の長さＤ２よりも大きく形成されている。たとえば
Ｄ１は１０μｍであり、Ｄ２は５μｍである。
３１上全面に光感性樹脂であるホトレジスト（ＯＦＰＲ
−８００）を１２００Åの厚さに塗布し、図５に示され
るマスク５１を用いて、図４（２）に示されるように凸
部４２ａを形成する。マスク５１には、斜線で示す円形
の遮光領域５１ａ，５１ｂが不規則に形成されている。
遮光領域５１ａの直径の長さＤ１は、遮光領域５１ｂの
直径の長さＤ２よりも大きく形成されている。たとえば
Ｄ１は１０μｍであり、Ｄ２は５μｍである。
【００２８】本実施例では、２種の遮光領域５１ａ，５
１ｂを有するマスク５１を用いたけれども、マスク５１
はこれに限定されない。遮光領域は１種類の円形でもよ
く、また３種類以上の円形でもよい。マスク５１の、後
述する工程ａ７でコンタクトホール４３を形成する領域
に、遮光領域５１ａ，５１ｂを形成しないようにすれ
ば、コンタクトホール４３領域に凸部４２ａを形成する
ことが防止される。全面に凸部４２ａを形成した場合に
は、この段階でコンタクトホール４３領域の凸部４２ａ
を除去してもよく、また、後述する工程ａ７でコンタク
トホール４３を形成する際に除去してもよい。
１ｂを有するマスク５１を用いたけれども、マスク５１
はこれに限定されない。遮光領域は１種類の円形でもよ
く、また３種類以上の円形でもよい。マスク５１の、後
述する工程ａ７でコンタクトホール４３を形成する領域
に、遮光領域５１ａ，５１ｂを形成しないようにすれ
ば、コンタクトホール４３領域に凸部４２ａを形成する
ことが防止される。全面に凸部４２ａを形成した場合に
は、この段階でコンタクトホール４３領域の凸部４２ａ
を除去してもよく、また、後述する工程ａ７でコンタク
トホール４３を形成する際に除去してもよい。
【００２９】工程ａ６では、基板３１上全面にポリイミ
ド樹脂を１μｍの厚さに塗布し、図４（３）に示される
ように有機絶縁膜４２を形成する。工程ａ７では、ホト
リソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶
縁膜４２にコンタクトホール４３を形成する。
ド樹脂を１μｍの厚さに塗布し、図４（３）に示される
ように有機絶縁膜４２を形成する。工程ａ７では、ホト
リソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶
縁膜４２にコンタクトホール４３を形成する。
【００３０】工程ａ８では、凸部４２ｂを有する有機絶
縁膜４２上全面に図４（４）に示されるようにアルミニ
ウムから成る金属薄膜を形成し、工程ａ９では図４
（５）に示されるように凸部４２ｂ上に反射電極３８を
パターニングする。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に
形成されたコンタクトホール４３を介してＴＦＴ４０の
ドレイン電極３７と接続されている。反射電極３８のパ
ターニング時に、有機絶縁膜４２の下のホトレジストか
ら成る凸部４２ａは、露光、現像、アルミニウムのエッ
チング、レジストの剥離の工程を通しても、何の変化も
見られないことを確認している。
縁膜４２上全面に図４（４）に示されるようにアルミニ
ウムから成る金属薄膜を形成し、工程ａ９では図４
（５）に示されるように凸部４２ｂ上に反射電極３８を
パターニングする。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に
形成されたコンタクトホール４３を介してＴＦＴ４０の
ドレイン電極３７と接続されている。反射電極３８のパ
ターニング時に、有機絶縁膜４２の下のホトレジストか
ら成る凸部４２ａは、露光、現像、アルミニウムのエッ
チング、レジストの剥離の工程を通しても、何の変化も
見られないことを確認している。
【００３１】凸部４２ａの形状は、マスク５１の形状、
凸部４２ａとなるホトレジストの厚さによって制御する
ことができることが確認されている。また、凸部４２ａ
の角は、凸部４２ａの形成後、熱処理をすることによっ
て容易に取ることができる。
凸部４２ａとなるホトレジストの厚さによって制御する
ことができることが確認されている。また、凸部４２ａ
の角は、凸部４２ａの形成後、熱処理をすることによっ
て容易に取ることができる。
【００３２】図１に示される他方の基板４５に形成され
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。電極３８，４７上の配向膜４４，４８は、
ポリイミドなどを塗布後、焼成することによって形成さ
れている。基板３１，４５間には、たとえば７μｍある
いは１２μｍのスペーサを混入した図示しない接着性シ
ール剤をスクリーン印刷することによって液晶４９を封
入する空間が形成され、前記空間を真空脱気することに
よって液晶４９が注入される。液晶４９としては、たと
えば黒色色素を混入したゲストホスト液晶（メルク社
製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に光学活性物質（メルク
社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５％混入したものを用
いる。
る電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１００
０Åである。電極３８，４７上の配向膜４４，４８は、
ポリイミドなどを塗布後、焼成することによって形成さ
れている。基板３１，４５間には、たとえば７μｍある
いは１２μｍのスペーサを混入した図示しない接着性シ
ール剤をスクリーン印刷することによって液晶４９を封
入する空間が形成され、前記空間を真空脱気することに
よって液晶４９が注入される。液晶４９としては、たと
えば黒色色素を混入したゲストホスト液晶（メルク社
製、商品名 ＺＬＩ２３２７）に光学活性物質（メルク
社製、商品名 Ｓ８１１）を４．５％混入したものを用
いる。
【００３３】図６は本発明の反射型液晶表示装置３０の
反射特性の測定に用いられる反射板７０の製造工程を説
明する図であり、図７は図６の工程を説明する断面図で
ある。工程ｂ１では、図７（１）に示すように厚さ１．
１ｍｍのガラス（商品名 ７０５９ コーニング社製）
７１の一方表面に、光感性樹脂であるレジスト材料とし
て、たとえばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を好ま
しくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートに
よって塗布する。本実施例では、３０００ｒｐｍで３０
秒間塗布し、レジスト７２を１．２μｍ成膜した。工程
ｂ２では、レジスト７２を１００℃で３０分間プリベー
クし、工程ｂ３では、図７（２）に示すように、レジス
ト７２上に円形の遮光領域５１ａ，５１ｂを有するホト
マスク５１を配置して露光を行い、工程ｂ４では、図７
（３）に示すようにレジスト７２を現像し、基板７１表
面に不規則な円形の凸部７４を形成した。現像液とし
て、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用い
た。
反射特性の測定に用いられる反射板７０の製造工程を説
明する図であり、図７は図６の工程を説明する断面図で
ある。工程ｂ１では、図７（１）に示すように厚さ１．
１ｍｍのガラス（商品名 ７０５９ コーニング社製）
７１の一方表面に、光感性樹脂であるレジスト材料とし
て、たとえばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を好ま
しくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートに
よって塗布する。本実施例では、３０００ｒｐｍで３０
秒間塗布し、レジスト７２を１．２μｍ成膜した。工程
ｂ２では、レジスト７２を１００℃で３０分間プリベー
クし、工程ｂ３では、図７（２）に示すように、レジス
ト７２上に円形の遮光領域５１ａ，５１ｂを有するホト
マスク５１を配置して露光を行い、工程ｂ４では、図７
（３）に示すようにレジスト７２を現像し、基板７１表
面に不規則な円形の凸部７４を形成した。現像液とし
て、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用い
た。
【００３４】工程ｂ５では、ガラス基板７１上の凸部７
４を好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理すると、図
７（４）に示されるように角がとれて滑らかな凸部７４
が形成される。本実施例では、１８０℃で３０分間熱処
理を行った。工程ｂ６では、図７（５）に示すように凸
部７４を形成した基板７１上に有機絶縁膜７４ａを形成
した。有機絶縁膜７４ａとしては、ポリイミド樹脂を好
ましくは９２０ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで２０秒間スピ
ンコートによって塗布する。本実施例では、２２００ｒ
ｐｍで２０秒間塗布し、１μｍの厚さの有機絶縁膜７４
ａを成膜した。有機絶縁膜７４ａには、凸部７４に応じ
た凸部が生じるが、凸部７４よりは滑らかである。工程
ｂ７では、図７（６）に示すように有機絶縁膜７４ａに
金属薄膜７５を形成した。金属薄膜７５の厚さは、０．
０１μｍ〜１．０μｍ程度が適している。本実施例で
は、アルミニウムを真空蒸着することによって金属薄膜
７５を形成した。金属薄膜７５としては、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銀、銅をあげることができる。
金属薄膜７５は、凸部７４に沿って形成された有機絶縁
膜７４ａ上に形成されているため、凸部７４に応じた不
規則な円形の凸部７５ａを有している。以上によって反
射板７０を得た。
４を好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理すると、図
７（４）に示されるように角がとれて滑らかな凸部７４
が形成される。本実施例では、１８０℃で３０分間熱処
理を行った。工程ｂ６では、図７（５）に示すように凸
部７４を形成した基板７１上に有機絶縁膜７４ａを形成
した。有機絶縁膜７４ａとしては、ポリイミド樹脂を好
ましくは９２０ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで２０秒間スピ
ンコートによって塗布する。本実施例では、２２００ｒ
ｐｍで２０秒間塗布し、１μｍの厚さの有機絶縁膜７４
ａを成膜した。有機絶縁膜７４ａには、凸部７４に応じ
た凸部が生じるが、凸部７４よりは滑らかである。工程
ｂ７では、図７（６）に示すように有機絶縁膜７４ａに
金属薄膜７５を形成した。金属薄膜７５の厚さは、０．
０１μｍ〜１．０μｍ程度が適している。本実施例で
は、アルミニウムを真空蒸着することによって金属薄膜
７５を形成した。金属薄膜７５としては、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銀、銅をあげることができる。
金属薄膜７５は、凸部７４に沿って形成された有機絶縁
膜７４ａ上に形成されているため、凸部７４に応じた不
規則な円形の凸部７５ａを有している。以上によって反
射板７０を得た。
【００３５】図８は、反射板７０の反射特性の測定法を
説明する側面図である。通常、液晶表示装置３０に用い
られる基板３１，４５および液晶４９層の屈折率は、各
々約１．５である。反射板７０の表面と液晶４９層とが
接する構成を想定し、本実施例では屈折率１．５の紫外
線硬化樹脂７７を用いてガラス基板７６を反射板７０に
密着させて、反射板７０の反射特性を測定した。この測
定結果は、反射板７５の表面と液晶４９層の境界におけ
る反射特性と同様の結果を与えることを確認している。
説明する側面図である。通常、液晶表示装置３０に用い
られる基板３１，４５および液晶４９層の屈折率は、各
々約１．５である。反射板７０の表面と液晶４９層とが
接する構成を想定し、本実施例では屈折率１．５の紫外
線硬化樹脂７７を用いてガラス基板７６を反射板７０に
密着させて、反射板７０の反射特性を測定した。この測
定結果は、反射板７５の表面と液晶４９層の境界におけ
る反射特性と同様の結果を与えることを確認している。
【００３６】図８に示すように、反射特性の測定は、反
射板７０に入射する入射光７９の散乱光８０をホトマル
チメータ７８で検出することによって行われる。反射板
７０には、その法線に対し角度θをもって入射光７９が
入射する。ホトマルチメータ７８は、金属薄膜７５上の
入射光７９が照射される点を通る反射板７０の法線方向
に固定されている。入射光７９の入射角度θを変えてホ
トマルチメータ７８で金属薄膜７５による散乱光８０の
強度を測定することによって、反射特性が得られた。
射板７０に入射する入射光７９の散乱光８０をホトマル
チメータ７８で検出することによって行われる。反射板
７０には、その法線に対し角度θをもって入射光７９が
入射する。ホトマルチメータ７８は、金属薄膜７５上の
入射光７９が照射される点を通る反射板７０の法線方向
に固定されている。入射光７９の入射角度θを変えてホ
トマルチメータ７８で金属薄膜７５による散乱光８０の
強度を測定することによって、反射特性が得られた。
【００３７】図９は、入射角度θと反射強度との関係を
示すグラフである。入射角度θである入射光７９の反射
強度は、θ＝０°の線に対する角度θの方向に、原点０
からの距離として表されている。θ＝７０°の反射強度
をＰ１、θ＝６０°の反射強度をＰ２、θ＝４０°の反
射強度をＰ３、θ＝３０°の反射強度をＰ４、θ＝−３
０°の反射強度をＰ５、θ＝−４０°の反射強度をＰ
６、θ＝−６０°の反射強度をＰ７、θ＝−７０°の反
射強度をＰ８で示している。
示すグラフである。入射角度θである入射光７９の反射
強度は、θ＝０°の線に対する角度θの方向に、原点０
からの距離として表されている。θ＝７０°の反射強度
をＰ１、θ＝６０°の反射強度をＰ２、θ＝４０°の反
射強度をＰ３、θ＝３０°の反射強度をＰ４、θ＝−３
０°の反射強度をＰ５、θ＝−４０°の反射強度をＰ
６、θ＝−６０°の反射強度をＰ７、θ＝−７０°の反
射強度をＰ８で示している。
【００３８】図９では、酸化マグネシウムの標準白色板
の反射特性曲線を破線８１で示している。θ＝３０°の
反射強度Ｐ４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反射
強度Ｐ１０よりも優れており、θ＝−３０°の反射強度
もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ１
１よりも優れていることが判る。
の反射特性曲線を破線８１で示している。θ＝３０°の
反射強度Ｐ４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反射
強度Ｐ１０よりも優れており、θ＝−３０°の反射強度
もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ１
１よりも優れていることが判る。
【００３９】以上のように本実施例によれば、形状の制
御が容易であり、再現性を有するホトレジストから成る
凸部４２ａ上に凸部４２ａに沿って形成された凸部４２
ｂを有する有機絶縁膜４２上に、凸部４２ｂに沿った反
射電極３８を形成する。凸部４２ａの形状を制御するこ
とによって良好な反射特性を有する反射電極３８が得ら
れ、反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
御が容易であり、再現性を有するホトレジストから成る
凸部４２ａ上に凸部４２ａに沿って形成された凸部４２
ｂを有する有機絶縁膜４２上に、凸部４２ｂに沿った反
射電極３８を形成する。凸部４２ａの形状を制御するこ
とによって良好な反射特性を有する反射電極３８が得ら
れ、反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
【００４０】本実施例では、スイッチング素子としてＴ
ＦＴ４０を用いるアクティブマトリクス駆動方式の反射
型液晶表示装置３０について説明したけれども、これに
限られるものではなく、単純マトリクス駆動方式などの
反射型液晶表示装置でも同様の効果が得られる。
ＦＴ４０を用いるアクティブマトリクス駆動方式の反射
型液晶表示装置３０について説明したけれども、これに
限られるものではなく、単純マトリクス駆動方式などの
反射型液晶表示装置でも同様の効果が得られる。
【００４１】凸部４２ａを形成するホトレジストなどの
光感光性樹脂の種類や膜厚、熱処理温度を適当に選択す
ると凸部４２ａの傾斜角度を自由に制御することがで
き、これにより反射強度の入射角θ依存性を制御できる
ことを確認している。その上に塗布する有機絶縁膜４２
の種類や膜厚を変えることによっても、反射強度を制御
できることを確認している。マスク５１の遮光領域５１
ａ，５１ｂの占める割合を変えることにより、正反射成
分の大きさをも制御することができる。
光感光性樹脂の種類や膜厚、熱処理温度を適当に選択す
ると凸部４２ａの傾斜角度を自由に制御することがで
き、これにより反射強度の入射角θ依存性を制御できる
ことを確認している。その上に塗布する有機絶縁膜４２
の種類や膜厚を変えることによっても、反射強度を制御
できることを確認している。マスク５１の遮光領域５１
ａ，５１ｂの占める割合を変えることにより、正反射成
分の大きさをも制御することができる。
【００４２】また、反射電極３８と電極４７との間に電
圧印加した場合、ある角度（θ＝３０°）から入射した
光に対するパネル法線方向の反射率は約２０％で、コン
トラスト比は５であった。
圧印加した場合、ある角度（θ＝３０°）から入射した
光に対するパネル法線方向の反射率は約２０％で、コン
トラスト比は５であった。
【００４３】本実施例の反射型液晶表示装置３０では、
基板３１の反射電極３８を形成した面が、液晶層側に配
されているので視差がなくなり、良好な表示品位が得ら
れる。本実施例では、基板３１の反射薄膜である反射電
極３８が液晶４９層側、すなわち液晶４９層にほぼ隣接
する位置に配されている構成となるので、凸部４２ｂの
高さはセル厚さよりも小さく、凸部４２ｂの傾斜角度は
液晶４９の配向を乱さない程度に穏やかにするのが望ま
しい。
基板３１の反射電極３８を形成した面が、液晶層側に配
されているので視差がなくなり、良好な表示品位が得ら
れる。本実施例では、基板３１の反射薄膜である反射電
極３８が液晶４９層側、すなわち液晶４９層にほぼ隣接
する位置に配されている構成となるので、凸部４２ｂの
高さはセル厚さよりも小さく、凸部４２ｂの傾斜角度は
液晶４９の配向を乱さない程度に穏やかにするのが望ま
しい。
【００４４】さらに本実施例では、有機絶縁膜４２のパ
ターニングをドライエッチング法によって行ったが、有
機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液
によるウエットエッチング法によって行ってもよい。ま
た、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよい。さら
に本実施例では、基板３１として、ガラスなどから成る
透明な材料を用いたが、シリコン基板のような不透明な
材料でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基
板上に集積できる利点がある。
ターニングをドライエッチング法によって行ったが、有
機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液
によるウエットエッチング法によって行ってもよい。ま
た、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用いたが、
アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよい。さら
に本実施例では、基板３１として、ガラスなどから成る
透明な材料を用いたが、シリコン基板のような不透明な
材料でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基
板上に集積できる利点がある。
【００４５】なお、前記実施例においては、表示モード
として相転移型ゲスト・ホストモードを取り挙げたけれ
ども、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲ
スト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型
液晶表示装置のような光散乱形表示モード、強誘電性液
晶表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様
の効果が得られる。また本実施例では、スイッチング素
子としてＴＦＴ４０を用いた場合について説明したが、
たとえばＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）素子、ダイ
オード、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基
板にも適用することができる。
として相転移型ゲスト・ホストモードを取り挙げたけれ
ども、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲ
スト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型
液晶表示装置のような光散乱形表示モード、強誘電性液
晶表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様
の効果が得られる。また本実施例では、スイッチング素
子としてＴＦＴ４０を用いた場合について説明したが、
たとえばＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）素子、ダイ
オード、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基
板にも適用することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、感光性樹
脂を露光、現像し、熱処理を行って得られた複数の不規
則な凸部上に、前記凸部に沿って形成された絶縁膜上
に、金属薄膜から成る反射板を絶縁膜の凸部に沿って形
成する。反射板の形状は、感光性樹脂の形状によって決
定される。感光性樹脂は、容易に、かつ均一に再現性よ
く制御することが可能であるため、良好な反射特性を有
する反射板を容易に形成することができ、反射型液晶表
示装置の表示品位が向上する。
脂を露光、現像し、熱処理を行って得られた複数の不規
則な凸部上に、前記凸部に沿って形成された絶縁膜上
に、金属薄膜から成る反射板を絶縁膜の凸部に沿って形
成する。反射板の形状は、感光性樹脂の形状によって決
定される。感光性樹脂は、容易に、かつ均一に再現性よ
く制御することが可能であるため、良好な反射特性を有
する反射板を容易に形成することができ、反射型液晶表
示装置の表示品位が向上する。
【００４７】また、絶縁膜上に反射電極を形成するた
め、薄膜トランジスタなどの引回し電極の影響を受け
ず、隣り合う反射電極間の絶縁性を保つ範囲で反射電極
を大きく形成でき、開口率を９０％以上にすることがで
きる。
め、薄膜トランジスタなどの引回し電極の影響を受け
ず、隣り合う反射電極間の絶縁性を保つ範囲で反射電極
を大きく形成でき、開口率を９０％以上にすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例である反射型液晶表示装置３
０の断面図である。
０の断面図である。
【図２】図１に示される基板３１の平面図である。
【図３】図１および図２に示される凸部４２ａを有する
反射電極３８を形成する形成方法を説明する工程図であ
る。
反射電極３８を形成する形成方法を説明する工程図であ
る。
【図４】図３に示す形成方法を説明する断面図である。
【図５】図３の工程ａ５で用いるマスク５１の平面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の反射型液晶表示装置３０の反射特性の
測定に用いられる反射板７０の製造工程を説明する工程
図である。
測定に用いられる反射板７０の製造工程を説明する工程
図である。
【図７】図６の工程を説明する断面図である。
【図８】反射板７０の反射特性の測定法を説明する斜視
図である。
図である。
【図９】入射角度θと反射強度との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図１０】アクティブマトリクス方式に用いられるスイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ１を有する基板２
の平面図である。
ッチング素子である薄膜トランジスタ１を有する基板２
の平面図である。
【図１１】図１０に示す切断面線ＸＩ−ＸＩから見た断
面図である。
面図である。
３０ 反射型液晶表示装置 ３１，４５ 基板 ３８ 反射電極 ４２ 有機絶縁膜 ４２ａ，４２ｂ 凸部 ４９ 液晶 ５１ ホトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
透明基板のうち、一方基板上の液晶層側表面には、他方
基板側からの入射光を反射する表示絵素である複数の反
射電極と、各反射電極に表示のための電圧を印加する引
回し電極とを形成し、他方基板上の液晶層側表面には、
ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極を形成して
構成される反射型液晶表示装置において、 前記反射電極は、一方基板上の液晶側であって、前記引
回し電極を含む領域に不規則に配列された複数の凸部上
に形成された絶縁膜上に形成されており、隣り合う反射
電極が相互に間隙を介するように、予め定められた領域
に形成されることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記凸部は、感光性樹脂から成ることを
特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP4230082A JPH0675237A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 反射型液晶表示装置 |
| TW082106000A TW255019B (ja) | 1992-08-28 | 1993-07-27 | |
| KR1019930015613A KR940004514A (ko) | 1992-08-28 | 1993-08-10 | 반사형 액정표시장치 |
| US08/107,226 US5526149A (en) | 1992-08-28 | 1993-08-16 | Reflection type liquid crystal display device |
| DE69316483T DE69316483T2 (de) | 1992-08-28 | 1993-08-31 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung von Reflexionstyp |
| EP93306857A EP0586220B1 (en) | 1992-08-28 | 1993-08-31 | Reflection type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP4230082A JPH0675237A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 反射型液晶表示装置 |
Related Child Applications (2)
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| JP00719399A Division JP3193906B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | 反射型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
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Family
ID=16902271
Family Applications (1)
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| EP (1) | EP0586220B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0675237A (ja) |
| KR (1) | KR940004514A (ja) |
| DE (1) | DE69316483T2 (ja) |
| TW (1) | TW255019B (ja) |
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