JPH0677301A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPH0677301A JPH0677301A JP22836392A JP22836392A JPH0677301A JP H0677301 A JPH0677301 A JP H0677301A JP 22836392 A JP22836392 A JP 22836392A JP 22836392 A JP22836392 A JP 22836392A JP H0677301 A JPH0677301 A JP H0677301A
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- Japan
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- film
- thin film
- substrate
- surface treatment
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜等の表面処理を、二層以上の多層薄膜に
ついて行う場合でも、膜厚、膜質等の膜状態を適切に制
御する。 【構成】 被処理基板Ｓを収容し、該基板Ｓの表面に薄
膜を形成するためのチャンバ１０を備えた薄膜形成装置
において、基板Ｓの表面に偏光を照射する偏光子部２
４、該基板Ｓの表面からの反射光を受光する検光子部２
６と、該検光子部で受光した波長毎の光を測定するモノ
クロメータ２８と、該モノクロメータ２８で測定した光
を信号処理し、その結果を制御部２２に出力する計算機
とで構成された分光エリプソメータを備えている。
ついて行う場合でも、膜厚、膜質等の膜状態を適切に制
御する。 【構成】 被処理基板Ｓを収容し、該基板Ｓの表面に薄
膜を形成するためのチャンバ１０を備えた薄膜形成装置
において、基板Ｓの表面に偏光を照射する偏光子部２
４、該基板Ｓの表面からの反射光を受光する検光子部２
６と、該検光子部で受光した波長毎の光を測定するモノ
クロメータ２８と、該モノクロメータ２８で測定した光
を信号処理し、その結果を制御部２２に出力する計算機
とで構成された分光エリプソメータを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面処理装置、特に半
導体基板上に薄膜を積層形成するに好適な表面処理装置
に関する。
導体基板上に薄膜を積層形成するに好適な表面処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜の膜厚や屈折率の測定に
は、非破壊、非接触で測定ができる偏光解析法が利用さ
れている。
は、非破壊、非接触で測定ができる偏光解析法が利用さ
れている。
【０００３】従来、上記偏光解析法にはレーザ光等の単
一波長光を光源とする単一波長偏光解析装置（エリプソ
メータ）が用いられており、この装置を備えた表面処理
装置としては、例えば、特開平３−８２０１７号公報
に、半導体基板上に形成される膜の厚さを測定するため
のエリプソメータと、前記エリプソメータからの信号を
処理するデータ処理部と、前記データ処理部からの信号
により温度及び反応ガス量をそれぞれ制御する温度・ガ
ス流量制御部とを含む半導体装置の製造装置が開示され
ている。
一波長光を光源とする単一波長偏光解析装置（エリプソ
メータ）が用いられており、この装置を備えた表面処理
装置としては、例えば、特開平３−８２０１７号公報
に、半導体基板上に形成される膜の厚さを測定するため
のエリプソメータと、前記エリプソメータからの信号を
処理するデータ処理部と、前記データ処理部からの信号
により温度及び反応ガス量をそれぞれ制御する温度・ガ
ス流量制御部とを含む半導体装置の製造装置が開示され
ている。
【０００４】又、特開昭５９−３９２５号公報には、一
定の偏光状態にある光を被エッチング試料に入射し、反
射して検光子を通過した光をフォトセルで受けて電気信
号に変換し、この電気信号に基づいて試料膜厚及びエッ
チング速度等を算出するドライエッチング方法が開示さ
れている。
定の偏光状態にある光を被エッチング試料に入射し、反
射して検光子を通過した光をフォトセルで受けて電気信
号に変換し、この電気信号に基づいて試料膜厚及びエッ
チング速度等を算出するドライエッチング方法が開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の表面処理装置では、例えば、薄膜形成の場合で
あれば、薄膜形成の制御をエリプソメータによって測定
される情報に基づいて行ってはいるが、測定光として単
一波長を使用しているため、基本的に測定対象が単層膜
に限定されるという問題があり、又、形成される薄膜の
膜質を屈折率の変化によって評価しているが、その化学
的な解析には、他の分析方法による測定結果との間で予
め相関をとっておかなければならないという問題があ
る。
た従来の表面処理装置では、例えば、薄膜形成の場合で
あれば、薄膜形成の制御をエリプソメータによって測定
される情報に基づいて行ってはいるが、測定光として単
一波長を使用しているため、基本的に測定対象が単層膜
に限定されるという問題があり、又、形成される薄膜の
膜質を屈折率の変化によって評価しているが、その化学
的な解析には、他の分析方法による測定結果との間で予
め相関をとっておかなければならないという問題があ
る。
【０００６】本発明は、前記従来の本問題点を解決する
べくなされたもので、成膜等の表面処理を二層以上の多
層薄膜について行う場合であっても、膜厚・膜質等の膜
状態を適切に制御することができる表面処理装置を提供
することを課題とする。
べくなされたもので、成膜等の表面処理を二層以上の多
層薄膜について行う場合であっても、膜厚・膜質等の膜
状態を適切に制御することができる表面処理装置を提供
することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理体を収
容し、該被処理体の表面を処理する処理容器を備えた表
面処理装置において、上記被処理体の表面に形成されて
いる薄膜を光学的に測定する分光偏光解析手段を備えた
構成とすることにより、前記課題を達成したものであ
る。
容し、該被処理体の表面を処理する処理容器を備えた表
面処理装置において、上記被処理体の表面に形成されて
いる薄膜を光学的に測定する分光偏光解析手段を備えた
構成とすることにより、前記課題を達成したものであ
る。
【０００８】本発明は、又、前記表面処理装置におい
て、分光偏光解析手段により、薄膜の膜厚、屈折率及び
構成成分の少なくとも１つを解析し、その解析結果に基
づいて、温度、原料ガス流量、原料ガス成分及び処理容
器内圧力の少なくとも１つの処理条件を調整するための
制御手段を備えた構成とすることにより、同様に前記課
題を達成したものである。
て、分光偏光解析手段により、薄膜の膜厚、屈折率及び
構成成分の少なくとも１つを解析し、その解析結果に基
づいて、温度、原料ガス流量、原料ガス成分及び処理容
器内圧力の少なくとも１つの処理条件を調整するための
制御手段を備えた構成とすることにより、同様に前記課
題を達成したものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、成膜の場合であれば、例え
ば図１に示した薄膜形成装置のように、薄膜の状態を解
析するための分光エリプソメータ（分光偏光解析手段）
を装備し、該分光エリプソメータにより薄膜の厚さや膜
質等の膜状態をその場解析できるようにしたので、単層
膜に限らず多層膜についても成膜中の膜厚を解析するこ
とが可能であり、同時に膜質も、その化学的組成をモデ
ルによって直接近似することにより測定することが可能
となる。
ば図１に示した薄膜形成装置のように、薄膜の状態を解
析するための分光エリプソメータ（分光偏光解析手段）
を装備し、該分光エリプソメータにより薄膜の厚さや膜
質等の膜状態をその場解析できるようにしたので、単層
膜に限らず多層膜についても成膜中の膜厚を解析するこ
とが可能であり、同時に膜質も、その化学的組成をモデ
ルによって直接近似することにより測定することが可能
となる。
【００１０】又、分光偏光解析手段により、薄膜の膜
厚、屈折率及び構成成分の少なくとも１つを解析し、そ
の解析データに基づいて、温度、原料ガス流量、原料ガ
ス成分（原料ガスの流量比）及び処理容器内圧力の少な
くとも１つの処理条件を調整するための制御手段を設け
る場合には、上記分光偏光解析手段による解析データを
該制御手段にフィードバックすることにより、成膜条件
を適切に調整し、膜厚等の膜状態を高精度に制御するこ
とが可能となる。
厚、屈折率及び構成成分の少なくとも１つを解析し、そ
の解析データに基づいて、温度、原料ガス流量、原料ガ
ス成分（原料ガスの流量比）及び処理容器内圧力の少な
くとも１つの処理条件を調整するための制御手段を設け
る場合には、上記分光偏光解析手段による解析データを
該制御手段にフィードバックすることにより、成膜条件
を適切に調整し、膜厚等の膜状態を高精度に制御するこ
とが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る一実施例の薄膜形成
装置（表面処理装置）の全体構成の概略を示す説明図で
ある。
装置（表面処理装置）の全体構成の概略を示す説明図で
ある。
【００１３】本実施例の薄膜形成装置は、被処理基板
（被処理体）Ｓを収容し、該被処理基板Ｓの表面に薄膜
を形成するためのチャンバ（処理容器）１０を備えてい
る。
（被処理体）Ｓを収容し、該被処理基板Ｓの表面に薄膜
を形成するためのチャンバ（処理容器）１０を備えてい
る。
【００１４】上記チャンバ１０に収容されている被処理
基板Ｓは、ヒータ１２が内蔵されてたホルダ１４に取付
られるようになっており、又、上記ヒータ１２は温度コ
ントローラ１６により制御され、上記被処理基板Ｓを所
望の温度に加熱制御できるようになっている。
基板Ｓは、ヒータ１２が内蔵されてたホルダ１４に取付
られるようになっており、又、上記ヒータ１２は温度コ
ントローラ１６により制御され、上記被処理基板Ｓを所
望の温度に加熱制御できるようになっている。
【００１５】又、上記チャンバ１０には圧力コントロー
ラ１８が連結され、該コントローラ１８によりチャンバ
１０内を所望の減圧状態に設定できるようになっている
と共に、上記被処理基板Ｓ上に成膜するための原料ガス
が複数のガスボンベＢからマスフローコントローラ２０
を介して該チャンバ１０内に供給されるようになってい
る。
ラ１８が連結され、該コントローラ１８によりチャンバ
１０内を所望の減圧状態に設定できるようになっている
と共に、上記被処理基板Ｓ上に成膜するための原料ガス
が複数のガスボンベＢからマスフローコントローラ２０
を介して該チャンバ１０内に供給されるようになってい
る。
【００１６】又、上記温度コントローラ１６、圧力コン
トローラ１８及びマスフローコントローラ２０はいずれ
も制御部２２に接続され、該制御部２２からの制御信号
によりそれぞれ適切に制御されるようになっている。
トローラ１８及びマスフローコントローラ２０はいずれ
も制御部２２に接続され、該制御部２２からの制御信号
によりそれぞれ適切に制御されるようになっている。
【００１７】又、本実施例の薄膜形成装置は、被処理基
板Ｓの表面に形成される薄膜を光学的に測定するための
分光エリプソメータを装備している。この分光エリプソ
メータは、上記被処理基板Ｓの表面に偏光を照射するた
めの偏光子部２４、該被処理基板Ｓの表面で反射された
偏光を受光する検光子部２６と、該検光子部２６で受光
された波長毎の光を測定するモノクロメータ２８と、該
モノクロメータ２８で測定した波長毎の光を信号処理
し、その結果を制御信号として前記制御部２２に出力す
る計算機３０とで構成されている。
板Ｓの表面に形成される薄膜を光学的に測定するための
分光エリプソメータを装備している。この分光エリプソ
メータは、上記被処理基板Ｓの表面に偏光を照射するた
めの偏光子部２４、該被処理基板Ｓの表面で反射された
偏光を受光する検光子部２６と、該検光子部２６で受光
された波長毎の光を測定するモノクロメータ２８と、該
モノクロメータ２８で測定した波長毎の光を信号処理
し、その結果を制御信号として前記制御部２２に出力す
る計算機３０とで構成されている。
【００１８】上記薄膜形成装置においては、分光エリプ
ソメータによる測定結果、即ち上記計算機３０の出力に
連動して処理条件が制御されるようになっているので、
例えばＣＶＤ法による成膜の場合であれば、通常の成膜
処理を実行すると共に、上記分光エリプソメータにより
成長しつつある薄膜の厚さや膜質等を測定することによ
り、該測定データに基づいて上記制御部２２により前記
温度コントローラ１６、圧力コントローラ１８又マスフ
ローコントローラ２０を制御することができる。
ソメータによる測定結果、即ち上記計算機３０の出力に
連動して処理条件が制御されるようになっているので、
例えばＣＶＤ法による成膜の場合であれば、通常の成膜
処理を実行すると共に、上記分光エリプソメータにより
成長しつつある薄膜の厚さや膜質等を測定することによ
り、該測定データに基づいて上記制御部２２により前記
温度コントローラ１６、圧力コントローラ１８又マスフ
ローコントローラ２０を制御することができる。
【００１９】本実施例においては、多波長で偏光解析を
行う分光エリプソ法を採用しているので、従来とは異な
り光源にレーザ光ではなく特定波長領域を持つランプ光
を使用し、その光を分光器（図示せず）によって各波長
に分光し、各波長光に対する測定を行うことにより、そ
の変化（偏光変化）をスペクトルカーブとして得ること
ができ、その解析をシミュレーションモデルから計算さ
れるカーブとのフィッティングにより行う。この分光偏
光解析法については後に詳述する。
行う分光エリプソ法を採用しているので、従来とは異な
り光源にレーザ光ではなく特定波長領域を持つランプ光
を使用し、その光を分光器（図示せず）によって各波長
に分光し、各波長光に対する測定を行うことにより、そ
の変化（偏光変化）をスペクトルカーブとして得ること
ができ、その解析をシミュレーションモデルから計算さ
れるカーブとのフィッティングにより行う。この分光偏
光解析法については後に詳述する。
【００２０】この方法によれば、各層を構成している物
質の光学特性の変化を測定波長域で測定することによ
り、単層の膜に限らず多層の膜についても、成膜中に非
破壊、非接触でその構造及び膜質の解析を行うことがで
きる。従って、その解析結果を用いてリアルタイムで成
膜条件を制御することが可能となる。
質の光学特性の変化を測定波長域で測定することによ
り、単層の膜に限らず多層の膜についても、成膜中に非
破壊、非接触でその構造及び膜質の解析を行うことがで
きる。従って、その解析結果を用いてリアルタイムで成
膜条件を制御することが可能となる。
【００２１】図２は、被処理基板Ｓとしてシリコンウエ
ハを用いると共に、原料ガスとしてＳi Ｈ4 、Ｎ2 、Ｎ
2 Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法によって上記シリコンウ
エハ上に酸化膜からなる半導体装置の絶縁層を形成した
場合の、Ｎ2 Ｏ／Ｓi Ｈ4 ガス流量比に対する膜の屈折
率の変化を示した線図である。この屈折率の変化は、酸
化膜中に存在するＳi −Ｎ結合（窒化物）によるもの
で、この結合は絶縁膜の誘電率及び絶縁破壊特性に影響
するため精度良くその生成率を制御する必要がある。
ハを用いると共に、原料ガスとしてＳi Ｈ4 、Ｎ2 、Ｎ
2 Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法によって上記シリコンウ
エハ上に酸化膜からなる半導体装置の絶縁層を形成した
場合の、Ｎ2 Ｏ／Ｓi Ｈ4 ガス流量比に対する膜の屈折
率の変化を示した線図である。この屈折率の変化は、酸
化膜中に存在するＳi −Ｎ結合（窒化物）によるもの
で、この結合は絶縁膜の誘電率及び絶縁破壊特性に影響
するため精度良くその生成率を制御する必要がある。
【００２２】本実施例によれば、分光エリプソ法を利用
することにより、酸化膜に含有されてる窒化物（Ｓi 3
Ｎ4 ）の量と屈折率の関係を直接求めることができる。
その結果の一例を図３に示した。
することにより、酸化膜に含有されてる窒化物（Ｓi 3
Ｎ4 ）の量と屈折率の関係を直接求めることができる。
その結果の一例を図３に示した。
【００２３】又、同時に、分光エリプソ法による解析デ
ータを利用して、Ｎ2 Ｏ／Ｓi Ｈ4ガス流量比を１０〜
６０で制御したところ、図４に示すように酸化物中の窒
化物の量を５〜２５％の範囲で調整することができた。
ータを利用して、Ｎ2 Ｏ／Ｓi Ｈ4ガス流量比を１０〜
６０で制御したところ、図４に示すように酸化物中の窒
化物の量を５〜２５％の範囲で調整することができた。
【００２４】次に、前記分光偏光解析法を、次の表１に
示した、シリコン基板上にＳi 3 Ｎ 4 を１７％含む厚さ
３０４０Åのシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤで形成
し、更にその上にスピンコート法でボイドを７％含む厚
さ３４５０Åのシリコン酸化膜を積層した２層構造の酸
化膜を解析する場合を具体例として説明する。
示した、シリコン基板上にＳi 3 Ｎ 4 を１７％含む厚さ
３０４０Åのシリコン酸化膜をプラズマＣＶＤで形成
し、更にその上にスピンコート法でボイドを７％含む厚
さ３４５０Åのシリコン酸化膜を積層した２層構造の酸
化膜を解析する場合を具体例として説明する。
【００２５】
【表１】
【００２６】この分光偏光解析法は、原理的には従来の
偏光解析法と同様に被測定物から反射してきた偏光の変
化の状態（強度変化tan ψ、位相差cos Δ）を測定する
ことにより解析を行う方法である。これを、例えば図５
（Ａ）、（Ｂ）に示したような、ある特定波長領域（図
には０．２５〜０．８５μm の範囲が示してある）で波
長に対するスペクトルカーブとして測定する。同図には
この実測によるスペクトルカーブを実線で示してある。
解析は、上記表１のようなシミュレーションモデルを組
み、その物質の光学定数を基に描かれるカーブを求め、
このカーブと実際に測定されたスペクトルカーブとのフ
ィッティングをとることにより行う。図５には、上記シ
ミュレーションモデルが描くスペクトルカーブを破線で
示してあるが、この破線のスペクトルカーブは上記実測
スペクトルカーブと殆んど一致している。従って、上記
図５から、実測したスペクトルカーブに基づいて、２層
構造の薄膜について膜厚と構成成分を解析することがで
きる。
偏光解析法と同様に被測定物から反射してきた偏光の変
化の状態（強度変化tan ψ、位相差cos Δ）を測定する
ことにより解析を行う方法である。これを、例えば図５
（Ａ）、（Ｂ）に示したような、ある特定波長領域（図
には０．２５〜０．８５μm の範囲が示してある）で波
長に対するスペクトルカーブとして測定する。同図には
この実測によるスペクトルカーブを実線で示してある。
解析は、上記表１のようなシミュレーションモデルを組
み、その物質の光学定数を基に描かれるカーブを求め、
このカーブと実際に測定されたスペクトルカーブとのフ
ィッティングをとることにより行う。図５には、上記シ
ミュレーションモデルが描くスペクトルカーブを破線で
示してあるが、この破線のスペクトルカーブは上記実測
スペクトルカーブと殆んど一致している。従って、上記
図５から、実測したスペクトルカーブに基づいて、２層
構造の薄膜について膜厚と構成成分を解析することがで
きる。
【００２７】この方法を利用することによって、これま
で不可能であった多相膜の解析と膜の分析とを同時に行
うことができる。
で不可能であった多相膜の解析と膜の分析とを同時に行
うことができる。
【００２８】以上詳述した如く、本実施例によれば、薄
膜成長過程に分光エリプソ法を取入れることにより、膜
厚、膜質、特に膜を構成する化学組成をその場解析する
と共に、そのデータを元にして膜厚、膜質を制御するこ
とが可能となる。従って、特にプラズマ酸化膜中に存在
する窒化物成分を調整することにより、目的とする特性
を有する絶縁膜を安定して供給することが可能となる。
膜成長過程に分光エリプソ法を取入れることにより、膜
厚、膜質、特に膜を構成する化学組成をその場解析する
と共に、そのデータを元にして膜厚、膜質を制御するこ
とが可能となる。従って、特にプラズマ酸化膜中に存在
する窒化物成分を調整することにより、目的とする特性
を有する絶縁膜を安定して供給することが可能となる。
【００２９】以上本発明について具体的に説明したが、
本発明は前記実施例に示したものに限られるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
本発明は前記実施例に示したものに限られるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００３０】例えば、制御対象は前記原料ガスの流量比
に限られるものではなく、成膜温度や圧力等の２種類以
上のパラメータについてその場解析を行って調整するよ
うにしてもよく、この場合には、膜質、成長速度をコン
トロールしながら、所望の特性を備えた薄膜を形成する
ことができる。
に限られるものではなく、成膜温度や圧力等の２種類以
上のパラメータについてその場解析を行って調整するよ
うにしてもよく、この場合には、膜質、成長速度をコン
トロールしながら、所望の特性を備えた薄膜を形成する
ことができる。
【００３１】又、本発明に係る表面処理装置はプラズマ
ＣＶＤ装置に限られるものではなく、その他のＣＶＤ装
置、ＰＶＤ装置、スパッタリング装置、エッチング装置
等の薄膜形成や薄膜加工等の表面処理に適用される装置
であってもよい。
ＣＶＤ装置に限られるものではなく、その他のＣＶＤ装
置、ＰＶＤ装置、スパッタリング装置、エッチング装置
等の薄膜形成や薄膜加工等の表面処理に適用される装置
であってもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
成膜等の表面処理を二層以上の多層薄膜について行う場
合でも、膜厚、膜質等の膜状態を適切に制御することが
できる。
成膜等の表面処理を二層以上の多層薄膜について行う場
合でも、膜厚、膜質等の膜状態を適切に制御することが
できる。
【図１】本発明に係る薄膜形成装置の全体構成を示す説
明図
明図
【図２】原料ガス流量比と薄膜の屈折率との関係を示す
線図
線図
【図３】Ｓi 3 Ｎ4 混入量と薄膜の屈折率との関係を示
す線図
す線図
【図４】原料ガス流量比と成膜中窒化物の混入量の関係
を示す線図
を示す線図
【図５】実測スペクトルとシミュレーションモデルによ
るスペクトルとを示す線図
るスペクトルとを示す線図
１０…チャンバ １２…ヒータ １４…ホルダ １６…温度コントローラ １８…圧力コントローラ ２０…マスフローコントローラ ２２…制御部 ２４…偏光子部 ２６…検光子部 ２８…モノクロメータ ３０…計算機
Claims (2)
- 【請求項１】被処理体を収容し、該被処理体の表面を処
理する処理容器を備えた表面処理装置において、 上記被処理体の表面に形成されている薄膜を光学的に測
定する分光偏光解析手段を備えていることを特徴とする
表面処理装置。 - 【請求項２】請求項１において、 分光偏光解析手段により、薄膜の膜厚、屈折率及び構成
成分の少なくとも１つを解析し、その解析結果に基づい
て、温度、原料ガス流量、原料ガス成分及び処理容器内
圧力の少なくとも１つの処理条件を調整するための制御
手段を備えていることを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22836392A JPH0677301A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22836392A JPH0677301A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677301A true JPH0677301A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16875290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22836392A Pending JPH0677301A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677301A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352127B1 (ko) * | 2000-04-11 | 2002-09-12 | 김상열 | 회전검광자형 ｉｎ ｓｉｔｕ 타원계 |
| KR100381538B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2003-05-22 | 학교법인 고황재단 | 표면 광반사기를 이용한 박막 두께 및 조성비 조절 방법 |
| JP2004510152A (ja) * | 2000-09-27 | 2004-04-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 散乱計測定の改良システムおよび応用 |
| KR20040041311A (ko) * | 2002-11-11 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막의 물성적 특성을 분석하기 위한 방법 및 장치 |
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