JPH0677341B2 - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents
光磁気メモリ用媒体Info
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- JPH0677341B2 JPH0677341B2 JP15971686A JP15971686A JPH0677341B2 JP H0677341 B2 JPH0677341 B2 JP H0677341B2 JP 15971686 A JP15971686 A JP 15971686A JP 15971686 A JP15971686 A JP 15971686A JP H0677341 B2 JPH0677341 B2 JP H0677341B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報の記録特性、耐食性と共に磁性膜間の交
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
換結合が改善された光磁気メモリ用媒体に関する。
希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気メモリは、
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
その読み出し特性が充分ではなく、その改善方法につい
てさまざまな提案がなされている。その一つに記録特性
が良い膜と読み出し特性が良い膜からなる交換結合二層
膜がある（例えば特開昭57-78652号）。従来の交換結合
二層膜では、記録層にはTb−Fe、Dy−Fe、読み出し層に
はGd−Fe、Gd−Fe−Coなどが用いられていた。
光磁気メモリでは、レーザー光の熱作用を利用して情報
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（＞50℃）などから考えると、記録層のキ
ュリー温度は100℃程度が望ましい。この点から考える
と、従来記録層として用いられていたTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
く、実用的には最適なキュリー温度であるとはいえな
い。
を記録するので、その磁性膜のキュリー温度が低いほど
記録感度が高くなる。交換結合二層磁性膜において記録
感度を決めるものは記録層のキュリー温度であるので、
記録層のキュリー温度を下げれば記録感度が高くなる。
しかし、記録情報の安定性や光磁気メモリ用ドライブ装
置の機内温度（＞50℃）などから考えると、記録層のキ
ュリー温度は100℃程度が望ましい。この点から考える
と、従来記録層として用いられていたTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
く、実用的には最適なキュリー温度であるとはいえな
い。
さらに、光磁気メモリの実用化に対しては、その磁性膜
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含む
ほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結合
二層磁性膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用い
ることができ、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改
善とともに耐食性の改善を行なうことができる。しか
し、その記録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、
これにCoを添加すると少量でもキュリー温度がかなり上
昇し、記録感度が悪くなる欠点があった。
の耐食性がかなり重要な問題となっている。希土類−鉄
族非晶質合金薄膜では、鉄族元素としてCoを多量に含む
ほど耐食性が改善されることがわかっている。交換結合
二層磁性膜では、その読み出し層にはGd−Fe−Coを用い
ることができ、Coの濃度を高くして、読み出し特性の改
善とともに耐食性の改善を行なうことができる。しか
し、その記録層にはTb−FeやDy−Feが用いられていて、
これにCoを添加すると少量でもキュリー温度がかなり上
昇し、記録感度が悪くなる欠点があった。
本発明は、上記従来の欠点を改良するためになされたも
のであり、その目的は記録層としてＲ−Fe−Co（Ｒ＝T
b,Dy）を用い、読み出し層にGd−Fe−Coを用いて、記録
層を読み出し層ではさんで、記録特性、耐食性と共に交
換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を提供することに
ある。
のであり、その目的は記録層としてＲ−Fe−Co（Ｒ＝T
b,Dy）を用い、読み出し層にGd−Fe−Coを用いて、記録
層を読み出し層ではさんで、記録特性、耐食性と共に交
換結合を改善した光磁気メモリ用媒体を提供することに
ある。
上記目的達成可能な本発明は室温において高い保磁力と
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がＲ−Fe−Coであり、前記読み出
し層がGd−Fe−CoMであることを特徴とする光磁気メモ
リ用媒体（ただし、ＲはTb及びDyから選ばれる１種また
は２種の元素である。）である。
低いキュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高い
キュリー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合を
した三層構造の磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体
であって、前記記録層がＲ−Fe−Coであり、前記読み出
し層がGd−Fe−CoMであることを特徴とする光磁気メモ
リ用媒体（ただし、ＲはTb及びDyから選ばれる１種また
は２種の元素である。）である。
以下に、従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の違いに
ついて詳しく説明する。
ついて詳しく説明する。
まず、両媒体の記録層のキュリー点の差異について述べ
る。従来の媒体の記録層としては、Tb−Fe、Dy−Feなど
が使用されていたが、前述したようにTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
い。そこで、（（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCoY）（０≦ｘ≦
1,0≦ｙ≦0.3）で示される磁性膜を種々作製したとこ
ろ、そのキュリー温度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子数
比ｙとの間にはほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y（℃） という関係が得られた。したがって、ｘ＝0.8、ｙ＝0.0
3とするとキュリー温度は約100℃となり、Tb−Feよりも
キュリー温度が低く、Dy−Feよりも温度安定性に優れた
磁性膜が得られる。この知見に基づき、Ｒ、Fe及びCoを
含む磁性膜を本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層とし
て用いたのである。キュリー温度の最適値は使用するレ
ーザーのパワー、光学系の構成、媒体の構成、ディスク
の回転数、ディスクの直径などによって例えば90、110
℃のように100℃から多少ずれることもあるが、その場
合にも、そのキュリー点となるようにｘ、ｙの値を適宜
選べばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録
層のキュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー
点と同じような値にすることもできる。しかし、一般的
には媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパ
ワーが小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価とな
り、また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定
に記録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録
感度はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするの
が望ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリ
ー温度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は90
〜120℃が好ましい。
る。従来の媒体の記録層としては、Tb−Fe、Dy−Feなど
が使用されていたが、前述したようにTb−Feはキュリー
温度が約130℃とやや高く、Dy−Feは約70℃とやや低
い。そこで、（（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCoY）（０≦ｘ≦
1,0≦ｙ≦0.3）で示される磁性膜を種々作製したとこ
ろ、そのキュリー温度TcとDyの原子数比ｘ、Coの原子数
比ｙとの間にはほぼ Tc＝130（１−ｘ）＋70x＋600y（℃） という関係が得られた。したがって、ｘ＝0.8、ｙ＝0.0
3とするとキュリー温度は約100℃となり、Tb−Feよりも
キュリー温度が低く、Dy−Feよりも温度安定性に優れた
磁性膜が得られる。この知見に基づき、Ｒ、Fe及びCoを
含む磁性膜を本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層とし
て用いたのである。キュリー温度の最適値は使用するレ
ーザーのパワー、光学系の構成、媒体の構成、ディスク
の回転数、ディスクの直径などによって例えば90、110
℃のように100℃から多少ずれることもあるが、その場
合にも、そのキュリー点となるようにｘ、ｙの値を適宜
選べばよい。また、本発明の光磁気メモリ用媒体の記録
層のキュリー点を、従来の媒体の記録層が示すキュリー
点と同じような値にすることもできる。しかし、一般的
には媒体の記録感度が高ければ、使用するレーザーのパ
ワーが小さくてすみ、光学系も簡単となるので安価とな
り、また、外乱による記録パワーの変動に対しても安定
に記録されるので信頼性が高くなる。したがって、記録
感度はなるべく高くなるようにキュリー点は低くするの
が望ましいが、温度に対する安定性から考えるとキュリ
ー温度は高いほうが良いので設定すべきキュリー点は90
〜120℃が好ましい。
次に従来例と本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層の耐
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられるこのうちの前者に関しては、
スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における蒸発
源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガス
圧、Arガス中の不純物を減らすことによりかなり改善さ
れる。一方、後者については、緻密で酸素を含まない保
護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのもの
の耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチック
を用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、保
護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれる。
交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリー点
が高くてよいのでGd−Fe−Coを用いることができ、Coの
濃度を高くして耐食性の改善を行なうことができる。し
かし、従来の媒体の記録層のTb−FeにCoを添加すると少
量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くな
る欠点があった。
食性の差異について述べる。希土類−鉄族非晶質合金薄
膜から成る磁性膜の腐食過程には、膜中に存在する遊離
酸素が主に希土類元素と結合し酸化されたり、磁性膜と
保護膜の界面を通して酸素や水分が膜中に拡散し酸化さ
れることなどが考えられるこのうちの前者に関しては、
スパッタリングにおけるターゲットや蒸着における蒸発
源の中の酸素濃度を減らしたり、真空装置の残留ガス
圧、Arガス中の不純物を減らすことによりかなり改善さ
れる。一方、後者については、緻密で酸素を含まない保
護膜によってかなり抑えられるものの、磁性膜そのもの
の耐食性の改善が望まれる。特に、基板にプラスチック
を用いる場合には、基板にある程度の吸水性があり、保
護膜だけでなく磁性膜の耐食性の改善が特に望まれる。
交換結合二層磁性膜では、その読み出し層はキュリー点
が高くてよいのでGd−Fe−Coを用いることができ、Coの
濃度を高くして耐食性の改善を行なうことができる。し
かし、従来の媒体の記録層のTb−FeにCoを添加すると少
量でもキュリー温度がかなり上昇し、記録感度が悪くな
る欠点があった。
本発明では、Tb−Dy−FeやDy−FeにCoを少量添加するこ
とにより耐食性を多少改善したＲ−Fe−Coの記録層を、
さらに耐食性の良い読み出し層のGd−Fe−Coではさむこ
とによって、磁性層と保護層の界面からの腐食に対して
改善を行なったものである。
とにより耐食性を多少改善したＲ−Fe−Coの記録層を、
さらに耐食性の良い読み出し層のGd−Fe−Coではさむこ
とによって、磁性層と保護層の界面からの腐食に対して
改善を行なったものである。
また、交換結合二層磁性膜では、磁性膜間の交換結合の
大きさが媒体の特性を大きく左右するが、交換結合の大
きさは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。これは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
大きさが媒体の特性を大きく左右するが、交換結合の大
きさは作製時の到達真空圧の違いによってかなり変動す
る。これは、磁性膜を作製してから次の磁性膜を作製す
るまでの間に界面に吸着した残留ガスの影響であり、こ
の影響は耐食性を改善することによってかなり改善され
る。したがって、耐食性の改善された記録層を用いた本
発明の光磁気メモリ用媒体は、単に媒体の経時変化の改
善のみならず、交換結合の向上にも効果がある。
本発明の光磁気メモリ媒体は磁性膜を上記のように構成
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に光を有効
に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保護
機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望に
応じて任意に配設されてよい。
したことに特徴を有するもので、磁性膜以外に光を有効
に利用するための反射層、磁性膜を保護してさらに保護
機能を高めるための保護層など、各種の補助層が所望に
応じて任意に配設されてよい。
実施例１ 通常のスパッタリング法を用いて、従来例と本発明の13
0mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録
感度の実験を行った。従来例において磁性膜は読み出し
層:Gd−Fe−Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20、膜厚500Å）と記
録層:Tb−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の二層膜と
し、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co（Gd:F
e:Co＝18:62:20、膜厚300Å）の読み出し層で、Dy−（F
e1-YCoY）（ｙ＝0.05、膜厚400Å）の記録層をはさんだ
三層膜とした。基板には、ポリカーボネートを用いた。
0mmφのディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録
感度の実験を行った。従来例において磁性膜は読み出し
層:Gd−Fe−Co（Gd:Fe:Co＝18:62:20、膜厚500Å）と記
録層:Tb−Fe（Tb:Fe＝22:78、膜厚500Å）の二層膜と
し、本発明におけるものの磁性膜は、Gd−Fe−Co（Gd:F
e:Co＝18:62:20、膜厚300Å）の読み出し層で、Dy−（F
e1-YCoY）（ｙ＝0.05、膜厚400Å）の記録層をはさんだ
三層膜とした。基板には、ポリカーボネートを用いた。
回転数1800rpmで、従来例の媒体の記録にはレーザーパ
ワー4.9mW、バイアス磁界200 Oeが必要であったが、本
発明のものはレーザーパワー4.2mW、バイアス磁界200 O
eで記録が可能であり記録特性が改善された。
ワー4.9mW、バイアス磁界200 Oeが必要であったが、本
発明のものはレーザーパワー4.2mW、バイアス磁界200 O
eで記録が可能であり記録特性が改善された。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、
従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホ
ールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホール
の発生は見られなかった。
従来例では15分間浸した後には、目視でかなりのピンホ
ールが見られたが、本発明のものは、目視でピンホール
の発生は見られなかった。
交換結合の測定は、誤差をかなり含むので値としては求
められなかったが、本発明の方法が従来例より約1.5倍
ほど向上するという傾向があった。
められなかったが、本発明の方法が従来例より約1.5倍
ほど向上するという傾向があった。
実施例２ 通常のスパッタリング法を用いて、本発明の130mmφの
ディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の実
験を行った。磁性膜は、Gd−Fe−Co（Gd:Fe:Co＝18:62:
20、300Å）の読み出し層で、（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCo
Y）（Ｘ＝0.8,y＝0.03、膜厚400Å）の記録層をはさん
だ三層膜とした。
ディスク状光磁気メモリ用媒体を作製し、記録感度の実
験を行った。磁性膜は、Gd−Fe−Co（Gd:Fe:Co＝18:62:
20、300Å）の読み出し層で、（Tb1-XDyX）−（Fe1-YCo
Y）（Ｘ＝0.8,y＝0.03、膜厚400Å）の記録層をはさん
だ三層膜とした。
回転数1800rpmで、レーザーパワー4.3mW、バイアス磁界
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
200 Oeで記録が可能であり記録特性が改善された。
また、１規定のNaCl水溶液を用いた耐食性の試験では、
目視でピンホールの発生は見られなかった。
目視でピンホールの発生は見られなかった。
以上説明したように、記録層にＲ−Fe−Co（Ｒ＝Tb及び
／またはDy）を用い、読み出し層にGd−Fe−Coを用い、
記録層を読み出し層ではさんだ本発明の光磁気メモリ媒
体により、記録特性、耐食性と共に交換結合が改善され
た。
／またはDy）を用い、読み出し層にGd−Fe−Coを用い、
記録層を読み出し層ではさんだ本発明の光磁気メモリ媒
体により、記録特性、耐食性と共に交換結合が改善され
た。
Claims (1)
- 【請求項１】室温において高い保磁力と低いキュリー温
度を有する記録層を、低い保磁力と高いキュリー温度を
有する読み出し層ではさんだ交換結合をした三層構造の
磁性膜を有して成る光磁気メモリ用媒体であって、前記
記録層がＲ−Fe−Coであり、前記読み出し層がGd−Fe−
Coであることを特徴とする光磁気メモリ用媒体（ただ
し、ＲはTb及びDyから選ばれる１種または２種の元素で
ある。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15971686A JPH0677341B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
| US07/170,053 US4871614A (en) | 1986-07-09 | 1988-03-16 | Opto-magnetic recording medium having three exchange-coupled magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15971686A JPH0677341B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316442A JPS6316442A (ja) | 1988-01-23 |
| JPH0677341B2 true JPH0677341B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15699720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15971686A Expired - Fee Related JPH0677341B2 (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気メモリ用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677341B2 (ja) |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP15971686A patent/JPH0677341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6316442A (ja) | 1988-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |