JPH0677662B2 - ごみ焼却炉排ガスの処理法 - Google Patents
ごみ焼却炉排ガスの処理法Info
- Publication number
- JPH0677662B2 JPH0677662B2 JP7093687A JP7093687A JPH0677662B2 JP H0677662 B2 JPH0677662 B2 JP H0677662B2 JP 7093687 A JP7093687 A JP 7093687A JP 7093687 A JP7093687 A JP 7093687A JP H0677662 B2 JPH0677662 B2 JP H0677662B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- incinerator
- ash
- chlorine compounds
- cooling
- Prior art date
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
- B03C3/01—Pretreatment of the gases prior to electrostatic precipitation
- B03C3/014—Addition of water; Heat exchange, e.g. by condensation
Landscapes
- Electrostatic Separation (AREA)
- Chimneys And Flues (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はごみ焼却炉排ガスの処理法に関し、さらに詳し
くは有害な有機塩素化合物、特に芳香族系塩素化合物の
排出量を低減したごみ焼却炉排ガスの処理法に関するも
のである。
くは有害な有機塩素化合物、特に芳香族系塩素化合物の
排出量を低減したごみ焼却炉排ガスの処理法に関するも
のである。
人体にとって有害な有機塩素化合物、特に芳香族系塩素
化合物、例えばPCDD（ポリ塩素化ジベンゾダイオキシ
ン）、PCDF（ポリ塩素化ジベンゾフラン）等のような高
毒性の芳香族塩素系化合物は、農薬の副生物またはごみ
焼却の際の２次生成物質として生成され、環境を汚染す
ることが知られている（K.Olie et al, Chemosphere,
６, 455（1977）、およびT.Wakimoto et al, Environme
ntal Health Perspectives, 59, 159（1985））。この
うち、ごみ焼却の際に生成される有機塩素化合物を防止
する方法としては、従来、焼却炉の構造や焼却条件を検
討したり、スクラバー等の除去装置を付設することが行
なわれているが、それらの有害物質の発生原因について
は明らかではなく、有効な防止策を講じることはできな
かった。
化合物、例えばPCDD（ポリ塩素化ジベンゾダイオキシ
ン）、PCDF（ポリ塩素化ジベンゾフラン）等のような高
毒性の芳香族塩素系化合物は、農薬の副生物またはごみ
焼却の際の２次生成物質として生成され、環境を汚染す
ることが知られている（K.Olie et al, Chemosphere,
６, 455（1977）、およびT.Wakimoto et al, Environme
ntal Health Perspectives, 59, 159（1985））。この
うち、ごみ焼却の際に生成される有機塩素化合物を防止
する方法としては、従来、焼却炉の構造や焼却条件を検
討したり、スクラバー等の除去装置を付設することが行
なわれているが、それらの有害物質の発生原因について
は明らかではなく、有効な防止策を講じることはできな
かった。
本発明の目的は、ごみ焼却炉排ガス中に含まれる有機塩
素化合物、特に芳香族系有機塩素化合物の量を著しく低
減することができるごみ焼却炉排ガスの処理法を提供す
ることにある。
素化合物、特に芳香族系有機塩素化合物の量を著しく低
減することができるごみ焼却炉排ガスの処理法を提供す
ることにある。
本発明は、都市ごみ焼却炉排ガスを冷却後、集じん器で
除塵する都市ごみ焼却炉排ガスの処理方法において、焼
却炉出口から集じん器に到る間に排ガスを、少なくとも
300〜400℃の温度域の冷却速度が30〜100℃/secになる
ように250℃以下に急冷することを特徴とする。
除塵する都市ごみ焼却炉排ガスの処理方法において、焼
却炉出口から集じん器に到る間に排ガスを、少なくとも
300〜400℃の温度域の冷却速度が30〜100℃/secになる
ように250℃以下に急冷することを特徴とする。
次に本発明に到った経緯および実験結果について説明す
る。
る。
第１図は、従来の典型的なごみ焼却処理施設のフローシ
ートである。ごみは焼却炉で約900℃で焼却処理され、
その排ガスはガス冷却塔で300℃に冷却された後、電気
集じん器に入り、ガスとEP灰とに分けられ、ガスは煙突
から系外に排出される。本発明者らは、このような焼却
処理施設の電気集じん器の前後から灰と排ガス試料を採
取し、その中に含有される有機塩素化合物の定量分析を
行なった。その結果を第１表に示す。また第１表の各有
機塩素化合物の濃度を示す値と排出量（平均値）の積か
ら該有機塩素化合物の発生量を求めた結果を第２表に示
す。第２表において、冷却塔灰、電気集じん器（EP）灰
およびEP出口ガスの値は、該ごみ焼却施設からのそれぞ
れ単位時間当たりの排出量（mg/H）に相当する。
ートである。ごみは焼却炉で約900℃で焼却処理され、
その排ガスはガス冷却塔で300℃に冷却された後、電気
集じん器に入り、ガスとEP灰とに分けられ、ガスは煙突
から系外に排出される。本発明者らは、このような焼却
処理施設の電気集じん器の前後から灰と排ガス試料を採
取し、その中に含有される有機塩素化合物の定量分析を
行なった。その結果を第１表に示す。また第１表の各有
機塩素化合物の濃度を示す値と排出量（平均値）の積か
ら該有機塩素化合物の発生量を求めた結果を第２表に示
す。第２表において、冷却塔灰、電気集じん器（EP）灰
およびEP出口ガスの値は、該ごみ焼却施設からのそれぞ
れ単位時間当たりの排出量（mg/H）に相当する。
第１表の結果から、全般的にガス中の塩素化合物は電気
集じん器入口側より出口側が、また灰中の有機塩素化合
物は冷却塔灰より電気集じん器灰に多いことが認められ
た。
集じん器入口側より出口側が、また灰中の有機塩素化合
物は冷却塔灰より電気集じん器灰に多いことが認められ
た。
次に第２表の結果からは、電気集じん器からの灰と排ガ
ス中に含まれる塩素化合物の比率を比較すると、塩素数
の多い塩素化合物の方が、すなわち蒸気圧の低い方が灰
に吸着している比率が高くなる傾向が認められた。また
電気集じん器を通過するガス温度が低い場合、塩素化合
物は主に灰に、ガス温度が高い場合は塩素化合物は排ガ
ス中にその存在比が高くなることがわかった。
ス中に含まれる塩素化合物の比率を比較すると、塩素数
の多い塩素化合物の方が、すなわち蒸気圧の低い方が灰
に吸着している比率が高くなる傾向が認められた。また
電気集じん器を通過するガス温度が低い場合、塩素化合
物は主に灰に、ガス温度が高い場合は塩素化合物は排ガ
ス中にその存在比が高くなることがわかった。
次に本発明者らは、冷却塔灰とEP灰について塩酸処理し
たものとしないもの合計４種類の試料についてそれぞれ
真空および酸素存在下において加熱温度および時間を変
化させて加熱試験を行なった。その結果を第３表に示
す。
たものとしないもの合計４種類の試料についてそれぞれ
真空および酸素存在下において加熱温度および時間を変
化させて加熱試験を行なった。その結果を第３表に示
す。
第３表から明らかなように、冷却塔灰、EP灰ともに塩酸
処理した灰を酸素雰囲気下で300℃に加熱（実験No.17、
18、35および36参照）することによりきわめて多量の塩
素化合物が生成することがわかる。また塩酸処理した灰
ほど顕著ではないが、冷却塔灰、EP灰ともに加熱によっ
て塩素化合物が生成することがわかった。
処理した灰を酸素雰囲気下で300℃に加熱（実験No.17、
18、35および36参照）することによりきわめて多量の塩
素化合物が生成することがわかる。また塩酸処理した灰
ほど顕著ではないが、冷却塔灰、EP灰ともに加熱によっ
て塩素化合物が生成することがわかった。
以上のごみ焼却施設からの冷却塔灰および電気集塵灰の
実験結果から、従来焼却炉内で生成すると思われていた
有機塩素化合物、すなわちPCDD、PCDF、塩素化ベンゼ
ン、低級塩素化合物は大部分が300℃前後で電気集じん
器を通過する間に生成することが判明した。
実験結果から、従来焼却炉内で生成すると思われていた
有機塩素化合物、すなわちPCDD、PCDF、塩素化ベンゼ
ン、低級塩素化合物は大部分が300℃前後で電気集じん
器を通過する間に生成することが判明した。
以上の知見に基づき、本発明者らは、焼却炉を出た約75
0〜900℃の排ガスを、集じん器に入る前に冷却塔で250
℃以下、好ましくは199℃以下に急冷することにより、
排ガス中の有機塩素化合物を著しく低減できることを見
出し、本発明に到達した。
0〜900℃の排ガスを、集じん器に入る前に冷却塔で250
℃以下、好ましくは199℃以下に急冷することにより、
排ガス中の有機塩素化合物を著しく低減できることを見
出し、本発明に到達した。
以下余白 本発明においては、焼却炉排ガスを、少なくとも300〜4
00℃の温度域の冷却速度が30〜100℃/secになるように2
50℃以下に急冷することにより、塩素化合物が発生し易
い温度域（300〜400℃）を速やかに通過するので、気相
中の塩素化合物の発生が抑制されるものと思われる。
00℃の温度域の冷却速度が30〜100℃/secになるように2
50℃以下に急冷することにより、塩素化合物が発生し易
い温度域（300〜400℃）を速やかに通過するので、気相
中の塩素化合物の発生が抑制されるものと思われる。
本発明において、排ガスを急冷する場合の冷却速度は30
〜100℃/secが適当である。冷却速度が遅すぎると塩素
化合物の生成量が増加する300〜400℃の温度域を通過す
る時間が長くなり、排ガス中の塩素化合物の量が多くな
る。また250℃以下まで急冷しないと塩素化合物の発生
を充分に抑制することができない。
〜100℃/secが適当である。冷却速度が遅すぎると塩素
化合物の生成量が増加する300〜400℃の温度域を通過す
る時間が長くなり、排ガス中の塩素化合物の量が多くな
る。また250℃以下まで急冷しないと塩素化合物の発生
を充分に抑制することができない。
本発明において、高温の排ガスを急冷する装置としては
散水式の冷却塔、ボイラの熱交換器およびそれらの組合
せ等があげられる。冷却速度30〜100℃/secは、例えば
冷却水の量を調整することにより容易に得られる。また
冷却を行なう個所としては焼却炉と集じん器の間であれ
ばどこでもよいが、通常は焼却炉出口ガスの冷却部で行
なうのが望ましい。なお、集じん器は、乾式、半乾式、
湿式の電気集じん器の他、重力、遠心力、慣性力を利用
した集じん器、洗浄集じん器、濾過集じん器などのよう
な形式の集じん器でもよい。
散水式の冷却塔、ボイラの熱交換器およびそれらの組合
せ等があげられる。冷却速度30〜100℃/secは、例えば
冷却水の量を調整することにより容易に得られる。また
冷却を行なう個所としては焼却炉と集じん器の間であれ
ばどこでもよいが、通常は焼却炉出口ガスの冷却部で行
なうのが望ましい。なお、集じん器は、乾式、半乾式、
湿式の電気集じん器の他、重力、遠心力、慣性力を利用
した集じん器、洗浄集じん器、濾過集じん器などのよう
な形式の集じん器でもよい。
本発明によれば、ごみ焼却炉排ガスを急冷することによ
り、有害な有機塩素化合物生成を効果的に抑制すること
ができる。
り、有害な有機塩素化合物生成を効果的に抑制すること
ができる。
第１図は、従来の都市ごみ焼却炉排ガスの処理方法の概
略フローを示す図である。
略フローを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高須賀 玄太郎 神奈川県横浜市西区浜松町４番19号 (56)参考文献 特開 昭49−27074（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−84131（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ごみ焼却炉排ガスを冷却後、集じん器で除
塵する都市ごみ焼却炉排ガスの処理方法において、焼却
炉出口から集じん器に到る間に排ガスを、少なくとも30
0〜400℃の温度域の冷却速度が30〜100℃/secになるよ
うに250℃以下に急冷することを特徴とするごみ焼却炉
排ガスの処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093687A JPH0677662B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | ごみ焼却炉排ガスの処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7093687A JPH0677662B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | ごみ焼却炉排ガスの処理法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236513A JPS63236513A (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0677662B2 true JPH0677662B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=13445887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7093687A Expired - Fee Related JPH0677662B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | ごみ焼却炉排ガスの処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677662B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248368A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-04 | Toshiba Corp | セラミックス焼結体およびその製造方法 |
| JPH0394813A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Japan Atom Energy Res Inst | ごみ燃焼排ガス中の有害ガス除去方法 |
| JP2694631B2 (ja) * | 1994-02-03 | 1997-12-24 | 株式会社タステム | 高温排ガス強制急速冷却装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4927074A (ja) * | 1972-07-08 | 1974-03-11 | ||
| JPS6084131A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-13 | Gadelius Kk | 排煙処理方法及び装置 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7093687A patent/JPH0677662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63236513A (ja) | 1988-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |