JPH0677729A - アンテナ一体化マイクロ波回路 - Google Patents
アンテナ一体化マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPH0677729A JPH0677729A JP4225853A JP22585392A JPH0677729A JP H0677729 A JPH0677729 A JP H0677729A JP 4225853 A JP4225853 A JP 4225853A JP 22585392 A JP22585392 A JP 22585392A JP H0677729 A JPH0677729 A JP H0677729A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- conductor
- microwave circuit
- ground conductor
- semiconductor
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- Pending
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- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 マイクロ波回路からの不要放射がアンテナの
放射パターンを乱すことがない、小形なアンテナ一体化
マイクロ波回路を得る。 【構成】 裏面に地導体２を備えた誘電体基板１上に構
成された放射素子３と、誘電体基板１と地導体２の一部
を共用し、マイクロ波回路が構成された半導体板４とを
備えたアンテナ一体化マイクロ波回路において、放射素
子１と前記マイクロ波回路を地導体２に設けた結合孔５
を介して結合させた。
放射パターンを乱すことがない、小形なアンテナ一体化
マイクロ波回路を得る。 【構成】 裏面に地導体２を備えた誘電体基板１上に構
成された放射素子３と、誘電体基板１と地導体２の一部
を共用し、マイクロ波回路が構成された半導体板４とを
備えたアンテナ一体化マイクロ波回路において、放射素
子１と前記マイクロ波回路を地導体２に設けた結合孔５
を介して結合させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波・ミリ波
帯等において使用される、アンテナと、半導体素子を含
むマイクロ波回路とを組み合わせた、アンテナ一体化マ
イクロ波回路に関するものである。
帯等において使用される、アンテナと、半導体素子を含
むマイクロ波回路とを組み合わせた、アンテナ一体化マ
イクロ波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は例えば「ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ」１９８８年３月号、１１６ページのＦｉ
ｇ．６に示された従来のアンテナ一体化マイクロ波回路
の構成図である。図において、３は薄い誘電体膜の上に
構成されたアンテナの放射素子、４は裏面に地導体が付
いた半導体基板、６はストリップ導体、８は半導体素
子、９は出力端子、１５はランゲカップラ、３０は低雑
音増幅器、３２は移相器である。裏面に地導体の付いた
半導体基板４と、放射素子３とから構成されるマイクロ
ストリップアンテナに入力した高周波信号は、ストリッ
プ導体６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成
され、直交して放射素子３に結合している２つのマイク
ロストリップ線路を介して、ランゲカップラ１５に入力
する。ランゲカップラ１５は、アンテナに入力した高周
波信号が、円偏波の時にアンテナの効率が良くなるよう
に、前記２つのマイクロストリップ線路からの高周波信
号を合成する。合成された高周波信号はストリップ導体
６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成される
マイクロストリップ線路を介して低雑音増幅器３０に入
力される。低雑音増幅器３０に入力された高周波信号
は、低い雑音で増幅され、移相器３２に出力される。移
相器３２にて位相を変化された高周波信号は、ストリッ
プ導体６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成
されるマイクロストリップ線路を介して出力端子９から
出力される。
ＯＵＲＮＡＬ」１９８８年３月号、１１６ページのＦｉ
ｇ．６に示された従来のアンテナ一体化マイクロ波回路
の構成図である。図において、３は薄い誘電体膜の上に
構成されたアンテナの放射素子、４は裏面に地導体が付
いた半導体基板、６はストリップ導体、８は半導体素
子、９は出力端子、１５はランゲカップラ、３０は低雑
音増幅器、３２は移相器である。裏面に地導体の付いた
半導体基板４と、放射素子３とから構成されるマイクロ
ストリップアンテナに入力した高周波信号は、ストリッ
プ導体６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成
され、直交して放射素子３に結合している２つのマイク
ロストリップ線路を介して、ランゲカップラ１５に入力
する。ランゲカップラ１５は、アンテナに入力した高周
波信号が、円偏波の時にアンテナの効率が良くなるよう
に、前記２つのマイクロストリップ線路からの高周波信
号を合成する。合成された高周波信号はストリップ導体
６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成される
マイクロストリップ線路を介して低雑音増幅器３０に入
力される。低雑音増幅器３０に入力された高周波信号
は、低い雑音で増幅され、移相器３２に出力される。移
相器３２にて位相を変化された高周波信号は、ストリッ
プ導体６と裏面に地導体の付いた半導体基板４から構成
されるマイクロストリップ線路を介して出力端子９から
出力される。
【０００３】ここでは、１つのアンテナと前記アンテナ
に接続された回路に付いて示したが、図８に示す回路を
２次元的に多数配置し、個々のアンテナに接続された移
相器の移相量を変えることにより、フェーズドアレイと
して使用できる。
に接続された回路に付いて示したが、図８に示す回路を
２次元的に多数配置し、個々のアンテナに接続された移
相器の移相量を変えることにより、フェーズドアレイと
して使用できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ一体化
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射が、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を２次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた分の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所要の性能を得るための放射素子の配置の
間隔を狭くできないという問題点があった。
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射が、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を２次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた分の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所要の性能を得るための放射素子の配置の
間隔を狭くできないという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができる小形
なアンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的とし
ている。
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができる小形
なアンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るアンテナ
一体化マイクロ波回路は、誘電体または半導体からなる
第一の基板と、上記第一の基板の一方の面に形成された
地導体と、上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一
の基板の他方の面に形成された半導体素子を用いたマイ
クロ波回路と、誘電体または半導体からなる第二の基板
と、上記第二の基板の一方の面に形成された放射導体
と、上記地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回
避する切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第
二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて上記第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるも
のである。
一体化マイクロ波回路は、誘電体または半導体からなる
第一の基板と、上記第一の基板の一方の面に形成された
地導体と、上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一
の基板の他方の面に形成された半導体素子を用いたマイ
クロ波回路と、誘電体または半導体からなる第二の基板
と、上記第二の基板の一方の面に形成された放射導体
と、上記地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回
避する切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第
二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて上記第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるも
のである。
【０００７】請求項２に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板を回避する切り欠きが設けら
れた第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に形成さ
れた地導体と、上記第三の基板の他方の面に形成された
マイクロ波回路と、上記第三の基板の地導体と電気的に
連続で、上記第二の基板を回避する切り欠きが設けられ
た金属筐体とを備え、上記第二の基板の地導体を上記第
一の地導体と上記第三の基板の地導体が電気的に連続に
なるように対向させて第一の基板と第二の基板と第三の
基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導体と上
記第一の基板上に形成されたマイクロ波回路とを電磁的
に結合させるものである。
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板を回避する切り欠きが設けら
れた第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に形成さ
れた地導体と、上記第三の基板の他方の面に形成された
マイクロ波回路と、上記第三の基板の地導体と電気的に
連続で、上記第二の基板を回避する切り欠きが設けられ
た金属筐体とを備え、上記第二の基板の地導体を上記第
一の地導体と上記第三の基板の地導体が電気的に連続に
なるように対向させて第一の基板と第二の基板と第三の
基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導体と上
記第一の基板上に形成されたマイクロ波回路とを電磁的
に結合させるものである。
【０００８】請求項３に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、上記第二の基板の地
導体上に配置された半導体素子と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板と上記半導体素子とを回避す
る切り欠きが設けられた第三の基板と、上記第三の基板
の一方の面に形成された地導体と、上記第三の基板の他
方の面に形成されたマイクロ波回路と、上記第三の基板
の地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回避する
切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第二の基
板の地導体を上記第一の地導体と上記第三の基板の地導
体が電気的に連続になるように対向させて第一の基板と
第二の基板と第三の基板とを積層し、上記結合孔を介し
て放射導体と上記第一の基板上に形成されたマイクロ波
回路とを電磁的に結合させるものである。
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二の基板
の他方の面に形成された地導体と、上記第二の基板の地
導体上に配置された半導体素子と、誘電体または半導体
からなり、上記第一の基板と上記半導体素子とを回避す
る切り欠きが設けられた第三の基板と、上記第三の基板
の一方の面に形成された地導体と、上記第三の基板の他
方の面に形成されたマイクロ波回路と、上記第三の基板
の地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回避する
切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第二の基
板の地導体を上記第一の地導体と上記第三の基板の地導
体が電気的に連続になるように対向させて第一の基板と
第二の基板と第三の基板とを積層し、上記結合孔を介し
て放射導体と上記第一の基板上に形成されたマイクロ波
回路とを電磁的に結合させるものである。
【０００９】請求項４に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する長さが
λ／２（λ：ストリップ導体上におけるアンテナ信号波
の１波長）の第一のストリップ導体と、上記第一のスト
リップ導体の両端に一方の端子が各々接続され、他方の
端子が共通とされた２つの半導体素子と、上記２つの半
導体素子の共通とされた端子に接続された第二のストリ
ップ導体とを備えて構成された周波数変換器を有するも
のである。
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する長さが
λ／２（λ：ストリップ導体上におけるアンテナ信号波
の１波長）の第一のストリップ導体と、上記第一のスト
リップ導体の両端に一方の端子が各々接続され、他方の
端子が共通とされた２つの半導体素子と、上記２つの半
導体素子の共通とされた端子に接続された第二のストリ
ップ導体とを備えて構成された周波数変換器を有するも
のである。
【００１０】請求項５に係るアンテナ一体化マイクロ波
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する環状の
第一のストリップ導体と、上記第一のストリップ導体の
上記結合孔と対称の位置に接続された第二のストリップ
導体と、上記第一のストリップ導体の上記第二のストリ
ップ導体を接続した位置からλ／４（λ：ストリップ導
体上におけるアンテナ信号波の１波長）離れた位置に一
方の端子が各々接続され、他方の端子が地導体に接続さ
れた２つの半導体素子とを備えて構成された周波数変換
器を有するものである。
回路は、誘電体または半導体からなる第一の基板と、上
記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、上記地
導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他方の面
に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路と、誘
電体または半導体からなる第二の基板と、上記第二の基
板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上記第二
の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一の基板
と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射
導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるアンテナ
一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波回路
が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する環状の
第一のストリップ導体と、上記第一のストリップ導体の
上記結合孔と対称の位置に接続された第二のストリップ
導体と、上記第一のストリップ導体の上記第二のストリ
ップ導体を接続した位置からλ／４（λ：ストリップ導
体上におけるアンテナ信号波の１波長）離れた位置に一
方の端子が各々接続され、他方の端子が地導体に接続さ
れた２つの半導体素子とを備えて構成された周波数変換
器を有するものである。
【００１１】
【作用】この発明においては、アンテナの放射導体の地
導体を介して裏面にマイクロ波回路が構成されるため
に、マイクロ波回路とアンテナが分離でき、干渉しな
い。また、同じ位置の表裏に放射素子とマイクロ波回路
があるため、アンテナ一体化マイクロ波回路のユニット
を小形にすることができ、フェーズドアレーアンテナを
構成する場合に、放射素子の間隔を所要の値に設定でき
る。
導体を介して裏面にマイクロ波回路が構成されるため
に、マイクロ波回路とアンテナが分離でき、干渉しな
い。また、同じ位置の表裏に放射素子とマイクロ波回路
があるため、アンテナ一体化マイクロ波回路のユニット
を小形にすることができ、フェーズドアレーアンテナを
構成する場合に、放射素子の間隔を所要の値に設定でき
る。
【００１２】また、半導体基板の地導体と金属筐体が電
気的に連続であるため、半導体基板の機械的強度、熱拡
散が向上し、外部回路と接続する場合にも、地導体の連
続性が保ち易い。さらに、半導体基板の周囲を誘電体基
板で構成し、地導体を連続させることにより、電気的性
能を劣化させること無く、高価な半導体基板の大きさを
小さくでき、コストを低減できる。
気的に連続であるため、半導体基板の機械的強度、熱拡
散が向上し、外部回路と接続する場合にも、地導体の連
続性が保ち易い。さらに、半導体基板の周囲を誘電体基
板で構成し、地導体を連続させることにより、電気的性
能を劣化させること無く、高価な半導体基板の大きさを
小さくでき、コストを低減できる。
【００１３】また、複数の半導体基板を用いることによ
り、異なる種類の半導体素子を用いることができ、設計
の自由度が向上する。
り、異なる種類の半導体素子を用いることができ、設計
の自由度が向上する。
【００１４】また、所要のマイクロ波回路を小形にでき
るため、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができる
ために、アンテナ間隔を十分狭くすることができる。
るため、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができる
ために、アンテナ間隔を十分狭くすることができる。
【００１５】
【実施例】実施例１．図１（ａ）はこの発明の実施例１
を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢＢ断面図で
ある。図において、１は誘電体基板、２は地導体、３は
放射素子、４は半導体基板、５は結合孔、６はストリッ
プ導体、７は整合用スタブ、８は半導体素子、９は出力
端子、１０は金属筐体、１１は局発信号入力端子、２０
ａ，２０ｂは帯域通過フィルタ、２１は帯域阻止フィル
タ、３０は低雑音増幅器、３１は周波数変換器である。
を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢＢ断面図で
ある。図において、１は誘電体基板、２は地導体、３は
放射素子、４は半導体基板、５は結合孔、６はストリッ
プ導体、７は整合用スタブ、８は半導体素子、９は出力
端子、１０は金属筐体、１１は局発信号入力端子、２０
ａ，２０ｂは帯域通過フィルタ、２１は帯域阻止フィル
タ、３０は低雑音増幅器、３１は周波数変換器である。
【００１６】次に動作について説明する。地導体２と放
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器３０に入力される。低雑音増幅
器３０は、半導体素子８と整合用スタブ７から構成され
ており、入力した高周波信号を低い雑音で増幅する。低
雑音増幅器で増幅された高周波信号は、地導体２とスト
リップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路を
介して周波数変換器３１に入力される。周波数変換器３
１において高周波信号は帯域通過フィルタ２０ａを通過
し、半導体素子８に入力される。一方、局発信号入力端
子１１から入力した局発信号は帯域通過フィルタ２０ｂ
を通過し、半導体素子８を励起する。半導体素子８にお
いて局発信号と高周波信号は周波数混合され、中間周波
信号を発生する。発生した中間周波信号は帯域阻止フィ
ルタ２１を通過し、出力端子９から出力される。ここ
で、帯域通過フィルタ２０ａは高周波信号のみを通過す
る構成になっているため、局発信号及び中間周波信号は
漏れ出さない。また、帯域通過フィルタ２０ｂは局発信
号のみを通過する構成になっているため、高周波信号及
び中間周波信号は漏れ出さない。また、帯域阻止フィル
タ２１は、高周波信号及び中間周波信号を通過しない構
成になっているために、中間周波信号は通過し、高周波
信号及び中間周波信号は漏れ出さない。
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器３０に入力される。低雑音増幅
器３０は、半導体素子８と整合用スタブ７から構成され
ており、入力した高周波信号を低い雑音で増幅する。低
雑音増幅器で増幅された高周波信号は、地導体２とスト
リップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路を
介して周波数変換器３１に入力される。周波数変換器３
１において高周波信号は帯域通過フィルタ２０ａを通過
し、半導体素子８に入力される。一方、局発信号入力端
子１１から入力した局発信号は帯域通過フィルタ２０ｂ
を通過し、半導体素子８を励起する。半導体素子８にお
いて局発信号と高周波信号は周波数混合され、中間周波
信号を発生する。発生した中間周波信号は帯域阻止フィ
ルタ２１を通過し、出力端子９から出力される。ここ
で、帯域通過フィルタ２０ａは高周波信号のみを通過す
る構成になっているため、局発信号及び中間周波信号は
漏れ出さない。また、帯域通過フィルタ２０ｂは局発信
号のみを通過する構成になっているため、高周波信号及
び中間周波信号は漏れ出さない。また、帯域阻止フィル
タ２１は、高周波信号及び中間周波信号を通過しない構
成になっているために、中間周波信号は通過し、高周波
信号及び中間周波信号は漏れ出さない。
【００１７】実施例２．図２（ａ）はこの発明の実施例
２を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣＣ断面図
である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、１２は
ワイアである。
２を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣＣ断面図
である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、１２は
ワイアである。
【００１８】次に動作について説明する。地導体２と放
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器３０に入力される。低雑音増幅
器３０で増幅された高周波信号は、地導体２とストリッ
プ導体６から構成されるマイクロストリップ線路、およ
びワイア１２を介して誘電体基板１ｂ上のストリップ導
体６と地導体２から構成されるマイクロストリップ線路
に入力される。誘電体基板１ｂ上のマイクロストリップ
線路に入力された高周波信号は、出力端子９から出力さ
れる。
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路
を介して、低雑音増幅器３０に入力される。低雑音増幅
器３０で増幅された高周波信号は、地導体２とストリッ
プ導体６から構成されるマイクロストリップ線路、およ
びワイア１２を介して誘電体基板１ｂ上のストリップ導
体６と地導体２から構成されるマイクロストリップ線路
に入力される。誘電体基板１ｂ上のマイクロストリップ
線路に入力された高周波信号は、出力端子９から出力さ
れる。
【００１９】実施例３．図３（ａ）はこの発明の実施例
３を示す斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤＤ断面図
である。図において、１３ａ，１３ｂは半導体素子であ
る。
３を示す斜視図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤＤ断面図
である。図において、１３ａ，１３ｂは半導体素子であ
る。
【００２０】次に動作について説明する。低雑音増幅器
３０ａは、半導体素子８から構成されており、入力した
高周波信号を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器３０ａ
に入力した高周波信号は低い雑音で増幅され、地導体２
とストリップ導体６から構成されるマイクロストリップ
線路を介して低雑音増幅器３０ｂに入力される。低雑音
増幅器３０ｂは、半導体基板４とは別構成になった半導
体素子１３ａから構成されており、入力した高周波信号
を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器３０ｂで増幅され
た高周波信号は、地導体２と誘電体基板１ｂ上のストリ
ップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路を介
して周波数変換器３１に入力される。周波数変換器３１
は、誘電体基板１ｂ上に配置された２つの帯域通過フィ
ルタ２０ａ，２０ｂと帯域阻止フィルタ２１及び異なる
基板上に配置された半導体素子１３ｂとから構成されて
いる。周波数変換器３１において高周波信号は帯域通過
フィルタ２０ａを通過し、半導体素子１３ｂに入力され
る。一方、局発信号入力端子１１から入力した局発信号
は帯域通過フィルタ２０ｂを通過し、半導体素子１３ｂ
を励起する。半導体素子１３ｂにおいて局発信号と高周
波信号は周波数混合され、中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は帯域阻止フィルタ２１を通過し、
出力端子９から出力される。
３０ａは、半導体素子８から構成されており、入力した
高周波信号を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器３０ａ
に入力した高周波信号は低い雑音で増幅され、地導体２
とストリップ導体６から構成されるマイクロストリップ
線路を介して低雑音増幅器３０ｂに入力される。低雑音
増幅器３０ｂは、半導体基板４とは別構成になった半導
体素子１３ａから構成されており、入力した高周波信号
を低い雑音で増幅する。低雑音増幅器３０ｂで増幅され
た高周波信号は、地導体２と誘電体基板１ｂ上のストリ
ップ導体６から構成されるマイクロストリップ線路を介
して周波数変換器３１に入力される。周波数変換器３１
は、誘電体基板１ｂ上に配置された２つの帯域通過フィ
ルタ２０ａ，２０ｂと帯域阻止フィルタ２１及び異なる
基板上に配置された半導体素子１３ｂとから構成されて
いる。周波数変換器３１において高周波信号は帯域通過
フィルタ２０ａを通過し、半導体素子１３ｂに入力され
る。一方、局発信号入力端子１１から入力した局発信号
は帯域通過フィルタ２０ｂを通過し、半導体素子１３ｂ
を励起する。半導体素子１３ｂにおいて局発信号と高周
波信号は周波数混合され、中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は帯域阻止フィルタ２１を通過し、
出力端子９から出力される。
【００２１】実施例４．上記実施例では、金属筐体は誘
電体基板を支えるだけのものであったが、回路の上部に
蓋をして、気密構造にしてもよい。
電体基板を支えるだけのものであったが、回路の上部に
蓋をして、気密構造にしてもよい。
【００２２】図４はこの発明の実施例４を示す断面図で
ある。図において、１０は金属筐体、４０はコネクタで
ある。
ある。図において、１０は金属筐体、４０はコネクタで
ある。
【００２３】次に動作について説明する。出力端子９に
出力された信号は、コネクタ４０より出力される。
出力された信号は、コネクタ４０より出力される。
【００２４】ここで、コネクタ４０を気密性のあるもの
にし、誘電体基板１ａと誘電体基板１ｂとの、及び誘電
体基板１ｂと金属筐体１０との地導体の接続部を半田付
等により気密すれば、金属筐体１０の内部は密封され、
半導体基板４が外気に触れることがない。
にし、誘電体基板１ａと誘電体基板１ｂとの、及び誘電
体基板１ｂと金属筐体１０との地導体の接続部を半田付
等により気密すれば、金属筐体１０の内部は密封され、
半導体基板４が外気に触れることがない。
【００２５】ここで金属筐体１０は一体化してある必要
がなく、基板装着後に蓋をする構造でも構わない。ま
た、信号出力部はコネクタ以外にも、マイクロストリッ
プ線路、コプレーナ線路などでもよい。
がなく、基板装着後に蓋をする構造でも構わない。ま
た、信号出力部はコネクタ以外にも、マイクロストリッ
プ線路、コプレーナ線路などでもよい。
【００２６】実施例５．図５はこの発明の実施例５のマ
イクロ波回路を示す平面図である。図において、６ａ，
６ｂはストリップ導体、８ａ，８ｂは半導体素子、２２
は高域通過フィルタである。なお、このマイクロ波回路
の裏面には、上記実施例同様に、結合孔５を介してマイ
クロ波回路に結合する地導体２と放射素子３から構成さ
れるマイクロストリップアンテナが設けられている。
イクロ波回路を示す平面図である。図において、６ａ，
６ｂはストリップ導体、８ａ，８ｂは半導体素子、２２
は高域通過フィルタである。なお、このマイクロ波回路
の裏面には、上記実施例同様に、結合孔５を介してマイ
クロ波回路に結合する地導体２と放射素子３から構成さ
れるマイクロストリップアンテナが設けられている。
【００２７】次に動作について説明する。地導体２と放
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６ａから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、半導体素子８ａ，８ｂに入力する。ここ
で、結合孔５から半導体素子８ａまでの距離と半導体素
子までの距離がともにλ／４であるが、結合孔からの方
向が異なるために、高周波信号は半導体素子８ａと半導
体素子８ｂに逆位相で入力する。また、帯域阻止フィル
タ２１は高周波信号を通過しない構成になっている。ま
た、半導体素子８ａからの高周波信号と、半導体素子８
ｂからの高周波信号は逆位相のため、中間給電点でのイ
ンピーダンスは短絡となり、高周波信号は半導体素子８
ａ，８ｂに効率よく印加される。一方、局発信号入力端
子１１から入力した局発信号はストリップ導体６ｂと地
導体２から構成されるマイクロストリップ線路を介して
高域通過フィルタ２２に入力する。ここで高域通過フィ
ルタ２２は局発信号を通過する構成になっている。ま
た、帯域阻止フィルタ２１は局発信号を通過しない構成
になっているために局発信号は出力端子９側に漏れださ
ない。高域通過フィルタ２２を通過した局発信号はスト
リップ導体６ｂと地導体から構成されたマイクロストリ
ップ線路を介して半導体素子８ａ及び８ｂに入力し、半
導体素子８ａ、８ｂを励起する。このとき局発信号はス
トリップ導体６ａの結合孔部では定在波の開放端となる
ため、λ／４離れた半導体素子８ａおよび半導体素子８
ｂからは短絡端となり、局発信号は地導体２とストリッ
プ導体６ｂから構成されるマイクロストリップ線路のイ
ンピーダンスにより半導体素子８ａおよび８ｂに効率よ
く印加される。また、半導体素子８ａおよび半導体素子
８ｂから漏れ出した局発信号は、ストリップ導体６ａの
結合孔部では同相となるために放射素子３に結合せず、
局発信号が放射素子３から漏れ出さない。局発信号と高
周波信号は周波数混合され中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は地導体２とストリップ導体６ｂか
ら構成されるマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フ
ィルタ２１を介して出力端子９から出力される。ここで
帯域阻止フィルタ２１は中間周波信号を通過する構成に
なっており、通過した中間周波信号は接地されるため
に、中間周波信号はストリップ導体６ａに漏れ出さな
い。また、高域通過フィルタ２２は中間周波信号を通過
しない構成となっているために、中間周波信号は局発信
号入力端子１１側に漏れ出さない。
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６ａから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、半導体素子８ａ，８ｂに入力する。ここ
で、結合孔５から半導体素子８ａまでの距離と半導体素
子までの距離がともにλ／４であるが、結合孔からの方
向が異なるために、高周波信号は半導体素子８ａと半導
体素子８ｂに逆位相で入力する。また、帯域阻止フィル
タ２１は高周波信号を通過しない構成になっている。ま
た、半導体素子８ａからの高周波信号と、半導体素子８
ｂからの高周波信号は逆位相のため、中間給電点でのイ
ンピーダンスは短絡となり、高周波信号は半導体素子８
ａ，８ｂに効率よく印加される。一方、局発信号入力端
子１１から入力した局発信号はストリップ導体６ｂと地
導体２から構成されるマイクロストリップ線路を介して
高域通過フィルタ２２に入力する。ここで高域通過フィ
ルタ２２は局発信号を通過する構成になっている。ま
た、帯域阻止フィルタ２１は局発信号を通過しない構成
になっているために局発信号は出力端子９側に漏れださ
ない。高域通過フィルタ２２を通過した局発信号はスト
リップ導体６ｂと地導体から構成されたマイクロストリ
ップ線路を介して半導体素子８ａ及び８ｂに入力し、半
導体素子８ａ、８ｂを励起する。このとき局発信号はス
トリップ導体６ａの結合孔部では定在波の開放端となる
ため、λ／４離れた半導体素子８ａおよび半導体素子８
ｂからは短絡端となり、局発信号は地導体２とストリッ
プ導体６ｂから構成されるマイクロストリップ線路のイ
ンピーダンスにより半導体素子８ａおよび８ｂに効率よ
く印加される。また、半導体素子８ａおよび半導体素子
８ｂから漏れ出した局発信号は、ストリップ導体６ａの
結合孔部では同相となるために放射素子３に結合せず、
局発信号が放射素子３から漏れ出さない。局発信号と高
周波信号は周波数混合され中間周波信号を発生する。発
生した中間周波信号は地導体２とストリップ導体６ｂか
ら構成されるマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フ
ィルタ２１を介して出力端子９から出力される。ここで
帯域阻止フィルタ２１は中間周波信号を通過する構成に
なっており、通過した中間周波信号は接地されるため
に、中間周波信号はストリップ導体６ａに漏れ出さな
い。また、高域通過フィルタ２２は中間周波信号を通過
しない構成となっているために、中間周波信号は局発信
号入力端子１１側に漏れ出さない。
【００２８】実施例６．図６はこの発明の実施例６のマ
イクロ波回路を示す平面図である。なお、このマイクロ
波回路の裏面には、上記実施例同様に、結合孔５を介し
てマイクロ波回路に結合する地導体２と放射素子３から
構成されるマイクロストリップアンテナが設けられてい
る。
イクロ波回路を示す平面図である。なお、このマイクロ
波回路の裏面には、上記実施例同様に、結合孔５を介し
てマイクロ波回路に結合する地導体２と放射素子３から
構成されるマイクロストリップアンテナが設けられてい
る。
【００２９】次に動作について説明する。地導体２と放
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６ａから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、一方の端子が接地された半導体素子８ａお
よび半導体素子８ｂに入力する。ここで、半導体素子８
ａと半導体素子８ｂは結合孔５に対して互いに反対側に
接続されているために、高周波信号は半導体素子８ａと
半導体素子８ｂは逆位相で、環状のストリップ導体６ａ
を伝わる高周波信号は定在波を生じ、ストリップ導体６
ｂとの接続部では、定在波の節となりインピーダンスが
短絡状態となるので、ストリップ導体６ｂには高周波信
号は結合しない。また、結合孔５からストリップ導体６
ｂの接続部までの距離がともにλ／４であるために、半
導体素子８ａおよび８ｂの接続部からみるとインピーダ
ンスは開放となり、高周波信号は半導体素子８ａおよび
半導体素子８ｂに効率よく印加される。一方、局発信号
入力端子１１から入力した局発信号はストリップ導体６
ｂと地導体２から構成されるマイクロストリップ線路を
介して高域通過フィルタ２２に入力する。ここで高域通
過フィルタ２２は局発信号を通過する構成になってい
る。また、帯域阻止フィルタ２１は局発信号を通過しな
い構成になっているために局発信号は出力端子９側に漏
れださない。高域通過フィルタ２２を通過した局発信号
は、ストリップ導体６ｂとストリップ導体６ａとの接続
部で同相分配され、環状のストリップ導体６ａをそれぞ
れ伝わり、結合孔５付近に配置された半導体素子８ａお
よび半導体素子８ｂに同相に入力され半導体素子８ａ，
８ｂを励起するが、結合孔５を介して放射素子３には結
合せず、放射素子３から放射されない。半導体素子８ａ
および半導体素子８ｂにおいて局発信号と高周波信号は
周波数混合され中間周波信号を発生する。発生した中間
周波信号は地導体２とストリップ導体６ｂから構成され
るマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フィルタ２１
を介して出力端子９から出力される。ここで、高域通過
フィルタ２２は中間周波信号を通過しない構成となって
いるために、中間周波信号は局発信号入力端子１１側に
漏れ出さない。
射素子３から構成されるマイクロストリップアンテナに
入射した高周波信号は、結合孔５および、地導体２とス
トリップ導体６ａから構成されるマイクロストリップ線
路を介して、一方の端子が接地された半導体素子８ａお
よび半導体素子８ｂに入力する。ここで、半導体素子８
ａと半導体素子８ｂは結合孔５に対して互いに反対側に
接続されているために、高周波信号は半導体素子８ａと
半導体素子８ｂは逆位相で、環状のストリップ導体６ａ
を伝わる高周波信号は定在波を生じ、ストリップ導体６
ｂとの接続部では、定在波の節となりインピーダンスが
短絡状態となるので、ストリップ導体６ｂには高周波信
号は結合しない。また、結合孔５からストリップ導体６
ｂの接続部までの距離がともにλ／４であるために、半
導体素子８ａおよび８ｂの接続部からみるとインピーダ
ンスは開放となり、高周波信号は半導体素子８ａおよび
半導体素子８ｂに効率よく印加される。一方、局発信号
入力端子１１から入力した局発信号はストリップ導体６
ｂと地導体２から構成されるマイクロストリップ線路を
介して高域通過フィルタ２２に入力する。ここで高域通
過フィルタ２２は局発信号を通過する構成になってい
る。また、帯域阻止フィルタ２１は局発信号を通過しな
い構成になっているために局発信号は出力端子９側に漏
れださない。高域通過フィルタ２２を通過した局発信号
は、ストリップ導体６ｂとストリップ導体６ａとの接続
部で同相分配され、環状のストリップ導体６ａをそれぞ
れ伝わり、結合孔５付近に配置された半導体素子８ａお
よび半導体素子８ｂに同相に入力され半導体素子８ａ，
８ｂを励起するが、結合孔５を介して放射素子３には結
合せず、放射素子３から放射されない。半導体素子８ａ
および半導体素子８ｂにおいて局発信号と高周波信号は
周波数混合され中間周波信号を発生する。発生した中間
周波信号は地導体２とストリップ導体６ｂから構成され
るマイクロストリップ線路及び、帯域阻止フィルタ２１
を介して出力端子９から出力される。ここで、高域通過
フィルタ２２は中間周波信号を通過しない構成となって
いるために、中間周波信号は局発信号入力端子１１側に
漏れ出さない。
【００３０】実施例７．上記実施例では、放射素子３
と、それに接続されるマイクロ波回路が各々１つの場合
について述べたが、放射素子３を２次元に複数配置し、
各々の放射素子３に接続されるマイクロ波回路も複数個
配置してもよい。
と、それに接続されるマイクロ波回路が各々１つの場合
について述べたが、放射素子３を２次元に複数配置し、
各々の放射素子３に接続されるマイクロ波回路も複数個
配置してもよい。
【００３１】図７は、この発明の実施例７を示す構成図
である。図において、３２は移相器である。
である。図において、３２は移相器である。
【００３２】低雑音増幅器３０にて低い雑音で増幅され
た高周波信号は移相器３２に入力される。移相器３２に
て高周波信号は位相を変化されて、出力端子９から出力
される。ここで、移相器３２の移相量を、各マイクロ波
回路ごとに所要の値に設定することにより、フェーズド
アレーとして使用できる。
た高周波信号は移相器３２に入力される。移相器３２に
て高周波信号は位相を変化されて、出力端子９から出力
される。ここで、移相器３２の移相量を、各マイクロ波
回路ごとに所要の値に設定することにより、フェーズド
アレーとして使用できる。
【００３３】なお、以上の実施例では、受信についての
み述べたが、低雑音増幅器３０の代わりに高出力増幅器
を用いるなどしてマイクロ波回路を構成することによ
り、上記各実施例と同様の構成により送信にも用いるこ
とができるアンテナ一体化マイクロ波回路を得られるこ
とは言うまでもない。
み述べたが、低雑音増幅器３０の代わりに高出力増幅器
を用いるなどしてマイクロ波回路を構成することによ
り、上記各実施例と同様の構成により送信にも用いるこ
とができるアンテナ一体化マイクロ波回路を得られるこ
とは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の発明においては、マイクロ波
回路とアンテナが地導体の表裏に分離配置でき、マイク
ロ波回路からの不要放射がアンテナの放射パターンを乱
さない、小形なアンテナ一体化マイクロ波回路が得られ
る。
回路とアンテナが地導体の表裏に分離配置でき、マイク
ロ波回路からの不要放射がアンテナの放射パターンを乱
さない、小形なアンテナ一体化マイクロ波回路が得られ
る。
【００３５】請求項２の発明においては、さらに、半導
体基板の周囲を誘電体基板で構成し、地導体を連続させ
ることにより、電気的性能を劣化させること無く、高価
な半導体基板の大きさを小さくでき、コストを低減でき
る。
体基板の周囲を誘電体基板で構成し、地導体を連続させ
ることにより、電気的性能を劣化させること無く、高価
な半導体基板の大きさを小さくでき、コストを低減でき
る。
【００３６】請求項３の発明においては、さらに、複数
の半導体基板を用いることにより、異なる種類の半導体
素子を用いることができ、設計の自由度を向上できる。
の半導体基板を用いることにより、異なる種類の半導体
素子を用いることができ、設計の自由度を向上できる。
【００３７】請求項４または請求項５の発明において
は、さらに、所要のマイクロ波回路を小形にできるた
め、フェーズドアレーアンテナを構成する場合において
も、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができ、アン
テナ間隔を所要の値に設定できる。
は、さらに、所要のマイクロ波回路を小形にできるた
め、フェーズドアレーアンテナを構成する場合において
も、マイクロ波回路の間隔を狭くすることができ、アン
テナ間隔を所要の値に設定できる。
【図１】この発明の実施例１を示す構成図である。
【図２】この発明の実施例２を示す構成図である。
【図３】この発明の実施例３を示す構成図である。
【図４】この発明の実施例４を示す構成図である。
【図５】この発明の実施例５を示す構成図である。
【図６】この発明の実施例６を示す構成図である。
【図７】この発明の実施例７を示す構成図である。
【図８】従来のアンテナ一体化マイクロ波回路の構成図
である。
である。
１，１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ 地導体 ３ 放射素子 ４ 半導体基板 ５ 結合孔 ６，６ａ，６ｂ ストリップ導体 ７ スタブ ８，８ａ，８ｂ 半導体素子 ９ 出力端子 １０ 金属筐体 １１ 局発信号入力端子 １２ ワイア １３ａ，１３ｂ 半導体素子 １５ ランゲカップラ ２０ａ，２０ｂ 帯域通過フィルタ ２１ 帯域阻止フィルタ ２２ 高域通過フィルタ ３０ 低雑音増幅器 ３１ 周波数変換器 ３２ 移相器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】また、図９は、特開平４−１６０８０４に
示された別の従来のアンテナ一体化マイクロ波回路を示
したもので、図９（ａ）は放射導体側から見た図、図９
（ｂ）はマイクロ波回路側から見た図である。図におい
て、１は誘電体基板、２は地導体、３は放射導体、４は
半導体基板、５は結合孔、６はストリップ導体、３２は
移相器、３３は増幅器、３４は入力端子である。入力端
子３４に入力した高周波信号は移相器にて所定の位相に
設定され増幅器３３に入力する。増幅器３３にて増幅さ
れた高周波信号は、ストリップ導体６と裏面に地導体２
の付いた半導体基板４から構成されたマイクロストリッ
プ線路と、結合孔５を介して、誘電体基板１上に構成さ
れた放射素子３に入力される。ここで、放射素子３と地
導体はマイクロストリップアンテナを構成しており、高
周波信号は放射素子３から空間に放射される。ここで
は、１つのアンテナと前記アンテナに接続された回路に
付いて示したが、図８、及び図９に示す回路を２次元的
に多数配置し、個々のアンテナに接続された移相器の移
相量を変えることにより、フェーズドアレイとして使用
できる。
示された別の従来のアンテナ一体化マイクロ波回路を示
したもので、図９（ａ）は放射導体側から見た図、図９
（ｂ）はマイクロ波回路側から見た図である。図におい
て、１は誘電体基板、２は地導体、３は放射導体、４は
半導体基板、５は結合孔、６はストリップ導体、３２は
移相器、３３は増幅器、３４は入力端子である。入力端
子３４に入力した高周波信号は移相器にて所定の位相に
設定され増幅器３３に入力する。増幅器３３にて増幅さ
れた高周波信号は、ストリップ導体６と裏面に地導体２
の付いた半導体基板４から構成されたマイクロストリッ
プ線路と、結合孔５を介して、誘電体基板１上に構成さ
れた放射素子３に入力される。ここで、放射素子３と地
導体はマイクロストリップアンテナを構成しており、高
周波信号は放射素子３から空間に放射される。ここで
は、１つのアンテナと前記アンテナに接続された回路に
付いて示したが、図８、及び図９に示す回路を２次元的
に多数配置し、個々のアンテナに接続された移相器の移
相量を変えることにより、フェーズドアレイとして使用
できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のアンテナ一体化
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射画、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を２次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた文の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所用の性能を得るための放射素子の間隔に
狭められないという問題点があった。また、誘電体基板
を重ねた構成となっているために、機械的に弱く、入力
端子、及び出力端子としてコネクタなどを使用できない
という問題点があった。
マイクロ波回路は以上のように構成されており、アンテ
ナと同一面上にあるマイクロ波回路からの不要放射画、
アンテナの放射パターンを乱すという問題点があった。
また、アンテナの放射素子とマイクロ波回路を２次元的
に配置するために、アンテナとマイクロ波回路の足し合
わせた文の面積が必要になり、フェーズドアレイを構成
する場合に、所用の性能を得るための放射素子の間隔に
狭められないという問題点があった。また、誘電体基板
を重ねた構成となっているために、機械的に弱く、入力
端子、及び出力端子としてコネクタなどを使用できない
という問題点があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができ、コネ
クタなどを用いて容易に外部の回路と接続可能で小形な
アンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的として
いる。
ためになされたもので、アンテナとマイクロ波回路が干
渉せず、フェーズドアレーアンテナを構成する場合にお
いても、アンテナ間隔を十分狭くすることができ、コネ
クタなどを用いて容易に外部の回路と接続可能で小形な
アンテナ一体化マイクロ波回路を得ることを目的として
いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】追加
【補正内容】
【図９】従来のアンテナ一体化マイクロ波回路の構成図
である。
である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １，１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ 地導体 ３ 放射素子 ４ 半導体基板 ５ 結合孔 ６，６ａ，６ｂ ストリップ導体 ７ スタブ ８，８ａ，８ｂ 半導体素子 ９ 出力端子 １０ 金属筐体 １１ 局発信号入力端子 １２ ワイア １３ａ，１３ｂ 半導体素子 １５ ランゲカップラ ２０ａ，２０ｂ 帯域通過フィルタ ２１ 帯域阻止フィルタ ２２ 高域通過フィルタ ３０ 低雑音増幅器 ３１ 周波数変換器 ３２ 移相器３３ 増幅器 ３４ 入力端子
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】追加
【補正内容】
【図９】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｑ 13/08 8940−5Ｊ
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記地導
体と電気的に連続で、上記第二の基板を回避する切り欠
きが設けられた金属筐体とを備え、上記第二の基板の他
方の面を上記地導体に対向させて上記第一の基板と第二
の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導体と
マイクロ波回路とを電磁的に結合させることを特徴とす
るアンテナ一体化マイクロ波回路。 - 【請求項２】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二
の基板の他方の面に形成された地導体と、誘電体または
半導体からなり、上記第一の基板を回避する切り欠きが
設けられた第三の基板と、上記第三の基板の一方の面に
形成された地導体と、上記第三の基板の他方の面に形成
されたマイクロ波回路と、上記第三の基板の地導体と電
気的に連続で、上記第二の基板を回避する切り欠きが設
けられた金属筐体とを備え、上記第二の基板の地導体を
上記第一の地導体と上記第三の基板の地導体が電気的に
連続になるように対向させて第一の基板と第二の基板と
第三の基板とを積層し、上記結合孔を介して上記放射導
体と上記第一の基板上に形成されたマイクロ波回路とを
電磁的に結合させることを特徴とするアンテナ一体化マ
イクロ波回路。 - 【請求項３】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体と、上記第二
の基板の他方の面に形成された地導体と、上記第二の基
板の地導体上に配置された半導体素子と、誘電体または
半導体からなり、上記第一の基板と上記半導体素子とを
回避する切り欠きが設けられた第三の基板と、上記第三
の基板の一方の面に形成された地導体と、上記第三の基
板の他方の面に形成されたマイクロ波回路と、上記第三
の基板の地導体と電気的に連続で、上記第二の基板を回
避する切り欠きが設けられた金属筐体とを備え、上記第
二の基板の地導体を上記第一の地導体と上記第三の基板
の地導体が電気的に連続になるように対向させて第一の
基板と第二の基板と第三の基板とを積層し、上記結合孔
を介して放射導体と上記第一の基板上に形成されたマイ
クロ波回路とを電磁的に結合させることを特徴とするア
ンテナ一体化マイクロ波回路。 - 【請求項４】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上
記第二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるア
ンテナ一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波
回路が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する長
さがλ／２（λ：ストリップ導体上におけるアンテナ信
号波の１波長）の第一のストリップ導体と、上記第一の
ストリップ導体の両端に一方の端子が各々接続され、他
方の端子が共通とされた２つの半導体素子と、上記２つ
の半導体素子の共通とされた端子に接続された第二のス
トリップ導体とを備えて構成された周波数変換器を有す
ることを特徴とするアンテナ一体化マイクロ波回路。 - 【請求項５】 誘電体または半導体からなる第一の基板
と、上記第一の基板の一方の面に形成された地導体と、
上記地導体に設けられた結合孔と、上記第一の基板の他
方の面に形成された半導体素子を用いたマイクロ波回路
と、誘電体または半導体からなる第二の基板と、上記第
二の基板の一方の面に形成された放射導体とを備え、上
記第二の基板の他方の面を上記地導体に対向させて第一
の基板と第二の基板とを積層し、上記結合孔を介して上
記放射導体とマイクロ波回路とを電磁的に結合させるア
ンテナ一体化マイクロ波回路において、上記マイクロ波
回路が、上記結合孔を介して上記放射導体に結合する環
状の第一のストリップ導体と、上記第一のストリップ導
体の上記結合孔と対称の位置に接続された第二のストリ
ップ導体と、上記第一のストリップ導体の上記第二のス
トリップ導体を接続した位置からλ／４（λ：ストリッ
プ導体上におけるアンテナ信号波の１波長）離れた位置
に一方の端子が各々接続され、他方の端子が地導体に接
続された２つの半導体素子とを備えて構成された周波数
変換器を有することを特徴とするアンテナ一体化マイク
ロ波回路。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4225853A JPH0677729A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | アンテナ一体化マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225853A JPH0677729A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | アンテナ一体化マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677729A true JPH0677729A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16835874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4225853A Pending JPH0677729A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | アンテナ一体化マイクロ波回路 |
Country Status (1)
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