JPH0677900A - 周波数変調光信号用受光器 - Google Patents
周波数変調光信号用受光器Info
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- JPH0677900A JPH0677900A JP5098318A JP9831893A JPH0677900A JP H0677900 A JPH0677900 A JP H0677900A JP 5098318 A JP5098318 A JP 5098318A JP 9831893 A JP9831893 A JP 9831893A JP H0677900 A JPH0677900 A JP H0677900A
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- Japan
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- laser
- frequency
- modulated optical
- fabry
- optical signal
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/67—Optical arrangements in the receiver
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0028—Laser diodes used as detectors
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は増透コーティングを用いた面の１つ
を覆うことからなる通常のファブリ・ペローレーザの修
正を提供することを目的とする。 【構成】 本発明はこの目的を達成するためにレーザの
端子での電圧変動をタッピングする手段(E,C,44)を有し
て増透処理を与えられる面(41)の１つをもつファブリ・
ペロー共振器(41,42) の半導体レーザ(40)によって構成
される。
を覆うことからなる通常のファブリ・ペローレーザの修
正を提供することを目的とする。 【構成】 本発明はこの目的を達成するためにレーザの
端子での電圧変動をタッピングする手段(E,C,44)を有し
て増透処理を与えられる面(41)の１つをもつファブリ・
ペロー共振器(41,42) の半導体レーザ(40)によって構成
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光伝送に用いられる周波
数変調光信号用受光器に関する。
数変調光信号用受光器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光信号に対して用いられる変調の可変型
等の間で特に重要な構成はＦＳＫによって占められる。
伝送されるための情報の変数として放射される光信号の
周波数をシフトすることを含む。この変調は偏光電流を
変調することによって単一周波数の半導体レーザを用い
て簡単に得られる。
等の間で特に重要な構成はＦＳＫによって占められる。
伝送されるための情報の変数として放射される光信号の
周波数をシフトすることを含む。この変調は偏光電流を
変調することによって単一周波数の半導体レーザを用い
て簡単に得られる。
【０００３】一般にＦＳＫ変調光信号の検出はファブリ
・ペローエタロンあるいはエアウェッジを用いてコヒー
レント検出によって、又は直接強度変調変換などによっ
て成される。第１の方法はローカルオシレータ（一般に
波長チューナブル、単一周波数レーザによって構成され
る）、高速光検出器、信号混合器及び複合電子回路を必
要とする。よって実施することは困難である。またこれ
は後者の場合で説明すると変調されるべき信号の周波数
にエタロンの共振周波数の１つを調整するためのトラッ
キング回路を必要とする。
・ペローエタロンあるいはエアウェッジを用いてコヒー
レント検出によって、又は直接強度変調変換などによっ
て成される。第１の方法はローカルオシレータ（一般に
波長チューナブル、単一周波数レーザによって構成され
る）、高速光検出器、信号混合器及び複合電子回路を必
要とする。よって実施することは困難である。またこれ
は後者の場合で説明すると変調されるべき信号の周波数
にエタロンの共振周波数の１つを調整するためのトラッ
キング回路を必要とする。
【０００４】「調整可能なＦＳＫ周波数弁別器／光検出
器における２電極型ＤＦＢレーザを用いた１．５Ｇｂｉ
ｔ／ｓＦＳＫ伝送システム」（1990年７月１９日，Vol.
26,No.15,PP.1146-1147 ）という題のエム．ジェイ．シ
ャウキ（ M.J.Chawki ）氏、アール．オウフレット（R.
Auffret ）氏及びエル．バーソウ（L.Berthou ）氏によ
る論文には２つの電極をもつ分布形フィードバックレー
ザ（ＤＦＢ）からなるＦＳＫ変調光信号における受光器
が開示されている。このレーザは閾値よりすぐ下を偏光
される。手段は受信レーザの２つの電極の１つの端子に
現れる電圧変動をタッピングすることを提供する。この
電圧変動は光ビームを変調するために用いられる情報を
復号する。
器における２電極型ＤＦＢレーザを用いた１．５Ｇｂｉ
ｔ／ｓＦＳＫ伝送システム」（1990年７月１９日，Vol.
26,No.15,PP.1146-1147 ）という題のエム．ジェイ．シ
ャウキ（ M.J.Chawki ）氏、アール．オウフレット（R.
Auffret ）氏及びエル．バーソウ（L.Berthou ）氏によ
る論文には２つの電極をもつ分布形フィードバックレー
ザ（ＤＦＢ）からなるＦＳＫ変調光信号における受光器
が開示されている。このレーザは閾値よりすぐ下を偏光
される。手段は受信レーザの２つの電極の１つの端子に
現れる電圧変動をタッピングすることを提供する。この
電圧変動は光ビームを変調するために用いられる情報を
復号する。
【０００５】フランス国特許公開第2,652,465 号明細書
には半導体レーザからなり光信号を周波数変調するため
の受光器の他のタイプのものが開示され、この場合はレ
ーザ閾値より上に供給される。レーザ端子での電圧変動
はタップされる。
には半導体レーザからなり光信号を周波数変調するため
の受光器の他のタイプのものが開示され、この場合はレ
ーザ閾値より上に供給される。レーザ端子での電圧変動
はタップされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、供給電流が閾
値より上になるように値を調整されるので、オシレータ
としてレーザの機能は自然周波数を有する。そして、注
入されたビームのない場合でタップされた自然電圧を比
較するとタップされた電圧は変動を有しており、増幅は
注入されたビームの周波数とレーザの自然周波数との間
の差に比例され、それらの信号は前記周波数の変動の電
圧である。従って注入されるビームの周波数変調はレー
ザ端子でタップされた電圧の増幅変調に直接変えられ
る。ある面では良い結果であるが、これらの手段は活性
レーザにおける回折格子を必要となるという欠点を引き
及ぼす。
値より上になるように値を調整されるので、オシレータ
としてレーザの機能は自然周波数を有する。そして、注
入されたビームのない場合でタップされた自然電圧を比
較するとタップされた電圧は変動を有しており、増幅は
注入されたビームの周波数とレーザの自然周波数との間
の差に比例され、それらの信号は前記周波数の変動の電
圧である。従って注入されるビームの周波数変調はレー
ザ端子でタップされた電圧の増幅変調に直接変えられ
る。ある面では良い結果であるが、これらの手段は活性
レーザにおける回折格子を必要となるという欠点を引き
及ぼす。
【０００７】本発明はこの問題点を解決することを目的
とする。周波数変調された信号の受信において半導体レ
ーザの使用は電圧変動が端子でタッピングされるがこの
レーザはエッチングされた格子を有しておらずかつファ
ブリ・ペロー共振器を用いる方がよい。このように述べ
たように、周波数変調ビームを復号するためのファブリ
・ペローエタロンの使用はそれ自体が周知であるが前の
使用されたエタロンは受動であった。本発明で、ファブ
リ・ペロー共振器は半導体レーザの共振器からなり、従
って活性装置の一部である。もちろん、ファブリ・ペロ
ー半導体レーザは周知であるが、固定化された周波数発
生器と周波数変調された光ビーム受光器は知られていな
い。しかしながら、本発明は増透コーティングを用いた
面の１つを覆うことからなる通常のファブリ・ペローレ
ーザの修正を提供するものである。この処理はファブリ
・ペローレーザのピークのフィネスを減少させ、これら
のピークの側面の準直線上での動作を保証する。またこ
の処理はもちろん閾値より上の良い状態で半導体構造を
供給することによって電気的に補償されなければならな
い共振器の光損失を増加させる。例えば、レーザは閾値
より上のほぼ３倍の電力を供給される。
とする。周波数変調された信号の受信において半導体レ
ーザの使用は電圧変動が端子でタッピングされるがこの
レーザはエッチングされた格子を有しておらずかつファ
ブリ・ペロー共振器を用いる方がよい。このように述べ
たように、周波数変調ビームを復号するためのファブリ
・ペローエタロンの使用はそれ自体が周知であるが前の
使用されたエタロンは受動であった。本発明で、ファブ
リ・ペロー共振器は半導体レーザの共振器からなり、従
って活性装置の一部である。もちろん、ファブリ・ペロ
ー半導体レーザは周知であるが、固定化された周波数発
生器と周波数変調された光ビーム受光器は知られていな
い。しかしながら、本発明は増透コーティングを用いた
面の１つを覆うことからなる通常のファブリ・ペローレ
ーザの修正を提供するものである。この処理はファブリ
・ペローレーザのピークのフィネスを減少させ、これら
のピークの側面の準直線上での動作を保証する。またこ
の処理はもちろん閾値より上の良い状態で半導体構造を
供給することによって電気的に補償されなければならな
い共振器の光損失を増加させる。例えば、レーザは閾値
より上のほぼ３倍の電力を供給される。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は前記問
題点を解決するために、活性層をもつ半導体レーザと、
閾値に基づいてレーザに供給する偏光電流源と、レーザ
の活性層に周波数変調光ビームを注入する光学手段と、
レーザの端子での電圧変動をタッピングする手段とから
なる周波数変調光信号用受光器において、周波数変調光
ビームを受光する、前記レーザが増透コーティングによ
って覆われた第１の面をもつファブリ・ペロー共振器か
らなることに特徴がある。
題点を解決するために、活性層をもつ半導体レーザと、
閾値に基づいてレーザに供給する偏光電流源と、レーザ
の活性層に周波数変調光ビームを注入する光学手段と、
レーザの端子での電圧変動をタッピングする手段とから
なる周波数変調光信号用受光器において、周波数変調光
ビームを受光する、前記レーザが増透コーティングによ
って覆われた第１の面をもつファブリ・ペロー共振器か
らなることに特徴がある。
【０００９】第２の面は処理されていないか、または反
射コーティングで覆われているのいずれかである。この
コーティングは１または１以上の層で形成されるもので
ある。ここで閾値電流は増透処理として従来適応された
閾値電流を意味するものと理解される。
射コーティングで覆われているのいずれかである。この
コーティングは１または１以上の層で形成されるもので
ある。ここで閾値電流は増透処理として従来適応された
閾値電流を意味するものと理解される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１は表面における反射係数Ｒを変数とす
るファブリ・ペロー共振器の伝送効率Ｔを示す図であ
る。この特性曲線は周波数ごとに間欠的であり、縦モー
ドｍ，ｍ＋１等において異なることを明らかに示すもの
である。この係数は図示した多種の曲線上をプロットし
たものである。
て説明する。図１は表面における反射係数Ｒを変数とす
るファブリ・ペロー共振器の伝送効率Ｔを示す図であ
る。この特性曲線は周波数ごとに間欠的であり、縦モー
ドｍ，ｍ＋１等において異なることを明らかに示すもの
である。この係数は図示した多種の曲線上をプロットし
たものである。
【００１１】図２は通常のファブリ・ペロー共振器を用
いた半導体レーザのスペクトラムを示す図である。横座
標軸には波長（この場合１５５０．９〜１６００．９ｎ
ｍ）をプロットされている。縦座標軸はｄＢｍ（１ミリ
ワットに対するデシベル）で強度を表している。
いた半導体レーザのスペクトラムを示す図である。横座
標軸には波長（この場合１５５０．９〜１６００．９ｎ
ｍ）をプロットされている。縦座標軸はｄＢｍ（１ミリ
ワットに対するデシベル）で強度を表している。
【００１２】図３は本発明に関する受光器として用いた
レーザのスペクトラムを示す図である。ファブリ・ペロ
ーレーザの入力面はおおよそ１０-5落ち込む面の反射係
数を成す増透層で覆われている。周波数レンジは１５２
２．４〜１５３２．４ｎｍである。ピークの側面上に位
置されたＺで示されたゾーンの１つは周波数変調を実施
するために用いられる。
レーザのスペクトラムを示す図である。ファブリ・ペロ
ーレーザの入力面はおおよそ１０-5落ち込む面の反射係
数を成す増透層で覆われている。周波数レンジは１５２
２．４〜１５３２．４ｎｍである。ピークの側面上に位
置されたＺで示されたゾーンの１つは周波数変調を実施
するために用いられる。
【００１３】図４は本発明に係る受光器を試験すること
ができる基準となる装置を示す図である。この基準装置
はまず波長チューナブル、周波数変調、単一周波数光源
からなる。この光源は覆われたリッジストライプを有す
るＤＦＢレーザ等であり、供給電極は２つの電力源Ｓ
１，Ｓ２に接続された２つの電極Ｅ１，Ｅ２を分けられ
ている。信号発振器１２はこのレーザの周波数を変調で
きる。空洞の長さは２％増透処理を与えらた面１４を用
いた４２５μｍである。
ができる基準となる装置を示す図である。この基準装置
はまず波長チューナブル、周波数変調、単一周波数光源
からなる。この光源は覆われたリッジストライプを有す
るＤＦＢレーザ等であり、供給電極は２つの電力源Ｓ
１，Ｓ２に接続された２つの電極Ｅ１，Ｅ２を分けられ
ている。信号発振器１２はこのレーザの周波数を変調で
きる。空洞の長さは２％増透処理を与えらた面１４を用
いた４２５μｍである。
【００１４】また基準となる回路はレーザ１０によって
放射されたビームを平行にする顕微鏡の第１の対物レン
ズなどの光学手段、レーザ１０の動作を妨害する反射を
除去するための絶縁体２２（１．５２μｍで３８ｄＢの
絶縁）、モノモードファイバのコアの中に光を結合する
ための第２の対物レンズ２４及び可変光減衰器２６から
なる。これらの手段は光ファイバ２８の中に周波数変調
されたビームを注入することができる。
放射されたビームを平行にする顕微鏡の第１の対物レン
ズなどの光学手段、レーザ１０の動作を妨害する反射を
除去するための絶縁体２２（１．５２μｍで３８ｄＢの
絶縁）、モノモードファイバのコアの中に光を結合する
ための第２の対物レンズ２４及び可変光減衰器２６から
なる。これらの手段は光ファイバ２８の中に周波数変調
されたビームを注入することができる。
【００１５】受信側には、顕微鏡の第１の対物レンズ３
０のような可変光学手段と、絶縁体３２と、受光器の活
性層内の光ビーム３６を注入することができる顕微鏡の
第２の対物レンズ３４が設けられている。
０のような可変光学手段と、絶縁体３２と、受光器の活
性層内の光ビーム３６を注入することができる顕微鏡の
第２の対物レンズ３４が設けられている。
【００１６】受光器４０は増透コーティング処理された
前面４１と背面、反射面、活性レーザ４３、偏光源Ｓに
接続された電極Ｅ、電極Ｅの端子での電圧変動をタップ
する手段からなる。これらの手段は増幅器４４（５５ｄ
Ｂのもの）に接続されたカップリングコンデンサＣを用
いた偏光Ｔ形カップラによって構成される。増幅器はス
ペクトラムアナライザ４６とエラーカウンタ４８に供給
する。
前面４１と背面、反射面、活性レーザ４３、偏光源Ｓに
接続された電極Ｅ、電極Ｅの端子での電圧変動をタップ
する手段からなる。これらの手段は増幅器４４（５５ｄ
Ｂのもの）に接続されたカップリングコンデンサＣを用
いた偏光Ｔ形カップラによって構成される。増幅器はス
ペクトラムアナライザ４６とエラーカウンタ４８に供給
する。
【００１７】図５はそれぞれＰ1 ＝−３０ｄＢｍとＰ2
＝−３３ｄＢｍで、２つの注入された光源のための前記
基準回路を用いて１ＭＨｚ〜２ＧＨｚの測定周波数レス
ポンスを示す図である。ＤＦＢレーザの電極に供給され
た電流変調はピーク−ｔｏ−ピークで４ｍＡであり、と
いうのは２ＧＨｚの周波数変位があるためである。この
周波数レスポンス曲線特性は２ＧＨｚまで比較的に平坦
な変化である。
＝−３３ｄＢｍで、２つの注入された光源のための前記
基準回路を用いて１ＭＨｚ〜２ＧＨｚの測定周波数レス
ポンスを示す図である。ＤＦＢレーザの電極に供給され
た電流変調はピーク−ｔｏ−ピークで４ｍＡであり、と
いうのは２ＧＨｚの周波数変位があるためである。この
周波数レスポンス曲線特性は２ＧＨｚまで比較的に平坦
な変化である。
【００１８】伝送速度の制限は放射されるＤＦＡレーザ
の周波数レスポンスによって強いられる。１．５ＧＢｉ
ｔ／ｓの伝送と符号（２-15 −１）ＮＲＺ（０へリター
ンしない）、受信された電力Ｐ（ｄＢｍ）の変数として
エラー率曲線ＢＥＲは図６に示されている。１０-9のエ
ラー率は−３０ｄＢｍのシステム感度として得られる。
の周波数レスポンスによって強いられる。１．５ＧＢｉ
ｔ／ｓの伝送と符号（２-15 −１）ＮＲＺ（０へリター
ンしない）、受信された電力Ｐ（ｄＢｍ）の変数として
エラー率曲線ＢＥＲは図６に示されている。１０-9のエ
ラー率は−３０ｄＢｍのシステム感度として得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
増透コーティングを用いた面の１つを覆うことからなる
通常のファブリ・ペローレーザの修正を提供でき、この
処理はファブリ・ペローレーザのピークのフィネスを減
少させ、これらのピークの側面の準直線上での動作を保
証できる。またこの処理はもちろん閾値より上の良い状
態で半導体構造を供給することによって電気的に補償さ
れなければならない共振器の光損失を増加できる。
増透コーティングを用いた面の１つを覆うことからなる
通常のファブリ・ペローレーザの修正を提供でき、この
処理はファブリ・ペローレーザのピークのフィネスを減
少させ、これらのピークの側面の準直線上での動作を保
証できる。またこの処理はもちろん閾値より上の良い状
態で半導体構造を供給することによって電気的に補償さ
れなければならない共振器の光損失を増加できる。
【図１】表面における反射係数Ｒを変数とするファブリ
・ペロー共振器の伝送効率Ｔを示す図である。
・ペロー共振器の伝送効率Ｔを示す図である。
【図２】通常のファブリ・ペロー共振器を用いた半導体
レーザのスペクトラムを示す図である。
レーザのスペクトラムを示す図である。
【図３】増透層によって処理された面を用いたレーザの
スペクトラムを示す図である。
スペクトラムを示す図である。
【図４】本発明に係る受光器を試験することができる基
準となる装置を示す図である。
準となる装置を示す図である。
【図５】本発明に係る受光器の周波数レスポンスを示す
図である。
図である。
【図６】受信された電力の変数としてエラー率を示す図
である。
である。
１０ レーザ １２ 信号発振器 １４ 面 ２０，２４，３０，３４ 対物レンズ ２６ 可変減衰器 ２８ 光ファイバ ３６ ビーム ４０ 受光器 ４１ 前面 ４３ 活性レーザ ４４ 増幅器 ４６ スペクトラムアナライザ ４８ エラーカウンタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０４Ｌ 27/14 Ｚ 9297−5Ｋ (72)発明者 ルワク ル ギニエール フランス国， 29750 ロクテュディ， リュー ド カレク イール 11番地 (72)発明者 ダニエル デュメイ フランス国， 78120 ランブイレ， リ ュー ド ラ グランジュ コロンブ 35 番地
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層をもつ半導体レーザ(40)と、閾値
に基づいてレーザ(40)に供給する偏光電流源(S) と、レ
ーザの活性層に周波数変調光ビームを注入する光学手段
(30,32,34)と、レーザ(40)の端子(E) での電圧変動をタ
ッピングする手段(C,44)とからなる周波数変調光信号用
受光器において、周波数変調光ビームを受光する、前記
レーザが増透コーティングによって覆われた第１の面(4
1)をもちファブリ・ペロー共振器(41,42) からなること
を特徴とする周波数変調光信号用受光器。 - 【請求項２】 前記レーザが反射コーティングによって
覆われていない第２の面を有する請求項１記載の周波数
変調光信号用受光器。 - 【請求項３】 前記レーザが反射コーティングによって
覆われている第２の面を有する請求項１記載の周波数変
調光信号用受光器。 - 【請求項４】 前記偏光電流は閾値電流をほぼ３倍に調
整される請求項１記載の周波数変調光信号用受光器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9204005 | 1992-04-02 | ||
| FR9204005A FR2689708B1 (fr) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Photorecepteur pour signaux optiques modules en frequence. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677900A true JPH0677900A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=9428389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098318A Withdrawn JPH0677900A (ja) | 1992-04-02 | 1993-04-02 | 周波数変調光信号用受光器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5404242A (ja) |
| EP (1) | EP0564355A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0677900A (ja) |
| FR (1) | FR2689708B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0733288B1 (en) * | 1994-05-24 | 2004-08-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optoelectronic semiconductor device comprising laser and photodiode |
| DE112004002240T5 (de) * | 2003-11-21 | 2006-11-02 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Positiv arbeitender Photolack und Verfahren zur Erzeugung einer Struktur |
| CN102723985B (zh) * | 2012-06-27 | 2014-12-10 | 长春理工大学 | 光谱幅度编/解码系统的光频码片带宽优化设计方法 |
| CN102829870B (zh) * | 2012-09-05 | 2014-07-16 | 天津奇谱光电技术有限公司 | 一种光学频谱分析设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4730327A (en) * | 1985-12-16 | 1988-03-08 | Lytel Incorporated | Dual channel fabry-perot laser |
| US4861136A (en) * | 1987-07-15 | 1989-08-29 | American Telephone And Telegraph Company | Optical communication systems using fabry-perot cavities |
| US5027435A (en) * | 1987-07-15 | 1991-06-25 | At&T Bell Laboratories | Optical communication systems using Fabry-Perot cavities |
| US5020153A (en) * | 1989-02-08 | 1991-05-28 | At&T Bell Laboratories | Tunable narrowband receiver utilizing distributed Bragg reflector laser structure |
| FR2652465B1 (fr) * | 1989-09-27 | 1991-11-15 | France Etat | Photorecepteur pour signaux optiques modules en frequence. |
| FR2685590B1 (fr) * | 1991-12-20 | 1995-01-13 | France Telecom | Photorecepteur non selectif pour signaux optiques modules en frequence et liaison optique utilisant ce photorecepteur. |
-
1992
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1993
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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