JPH0679444B2 - 電気皮膜 - Google Patents
電気皮膜Info
- Publication number
- JPH0679444B2 JPH0679444B2 JP61201251A JP20125186A JPH0679444B2 JP H0679444 B2 JPH0679444 B2 JP H0679444B2 JP 61201251 A JP61201251 A JP 61201251A JP 20125186 A JP20125186 A JP 20125186A JP H0679444 B2 JPH0679444 B2 JP H0679444B2
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- coating
- film
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、誘電層、抵抗層、絶縁層などに使用する電気
皮膜に関する。
皮膜に関する。
従来の技術 従来、代表的な電気の良導体であるアルミニウム系の合
金は、電気工業において、各種電気部品あるいは構造体
の材料に、その軽量性、加工容易性、耐腐蝕性などのゆ
えに多用されている。
金は、電気工業において、各種電気部品あるいは構造体
の材料に、その軽量性、加工容易性、耐腐蝕性などのゆ
えに多用されている。
そのアルミニウム系合金表面の保護材料あるいは絶縁材
料として、陽極酸化法により酸化アルミニウム層を析出
・形成させて用いることは広く知られている。第７図
は、従来の陽極酸化アルミニウム皮膜の断面図を示すも
のである。陽極酸化アルミニウム皮膜は、酸化物生成の
過程で無数の孔が生じ、多孔性となり、表面積が実質上
増大している。この陽極酸化アルミニウム皮膜をワック
ス、樹脂などで封孔処理して耐湿性を向上することも知
られている。
料として、陽極酸化法により酸化アルミニウム層を析出
・形成させて用いることは広く知られている。第７図
は、従来の陽極酸化アルミニウム皮膜の断面図を示すも
のである。陽極酸化アルミニウム皮膜は、酸化物生成の
過程で無数の孔が生じ、多孔性となり、表面積が実質上
増大している。この陽極酸化アルミニウム皮膜をワック
ス、樹脂などで封孔処理して耐湿性を向上することも知
られている。
又陽極酸化処理技術は、比較的製造コストが安いこと、
基体金属との結着が強力であること、皮膜の硬度が極め
て高いこと、生成する膜厚を制御できること等、捨て難
い多くのメリットである。
基体金属との結着が強力であること、皮膜の硬度が極め
て高いこと、生成する膜厚を制御できること等、捨て難
い多くのメリットである。
一方、近年、半導体製造プロセスでよく用いられる薄膜
作成技術の進歩は著しく、種々の材料に応じた各種薄膜
作成法が多数提案され、実施されている。しかしなが
ら、これ等薄膜は、生成速度が遅いこともあり、太陽電
池やアモルファスシリコン感光体などの例を除き、一般
に数10Åから数μｍ程度の薄い厚さで用いられることが
多い。又、用途も半導体の製造に限られ、その他の機能
部品には、未だ活用されていないのが現状である。
作成技術の進歩は著しく、種々の材料に応じた各種薄膜
作成法が多数提案され、実施されている。しかしなが
ら、これ等薄膜は、生成速度が遅いこともあり、太陽電
池やアモルファスシリコン感光体などの例を除き、一般
に数10Åから数μｍ程度の薄い厚さで用いられることが
多い。又、用途も半導体の製造に限られ、その他の機能
部品には、未だ活用されていないのが現状である。
発明が解決しようとする問題点 所で、陽極酸化アルミニウム皮膜は、前記のように多孔
性であり、又酸化アルミニウム自体が元来水分子を化学
的又は物理的に吸着し易い、その特性、特に電気特性
が、環境の湿度変化によって大きく変動し、著しく不安
定である。又、ワックス、樹脂などで封孔処理しても所
望の電気特性を得ることができない。したがって、誘電
層、抵抗層、絶縁層などとして有利に使用することは出
来ない。
性であり、又酸化アルミニウム自体が元来水分子を化学
的又は物理的に吸着し易い、その特性、特に電気特性
が、環境の湿度変化によって大きく変動し、著しく不安
定である。又、ワックス、樹脂などで封孔処理しても所
望の電気特性を得ることができない。したがって、誘電
層、抵抗層、絶縁層などとして有利に使用することは出
来ない。
本発明は、アルミニウム系合金上に形成された陽極アル
ミニウム皮膜における上記の欠点を解消する為になされ
たものであって、新しい薄膜作成技術を利用して陽極酸
化アルミニウム皮膜表面を無機質抵抗性薄膜により被覆
することによって、湿度の影響を受けず、特性が安定な
電気皮膜を提供することを目的とするものである。本発
明は、又、電気的、機械的に適度な厚さの制御が可能
で、かつ強度が高く、製造コストも低い電気皮膜を提供
することを目的とするものである。
ミニウム皮膜における上記の欠点を解消する為になされ
たものであって、新しい薄膜作成技術を利用して陽極酸
化アルミニウム皮膜表面を無機質抵抗性薄膜により被覆
することによって、湿度の影響を受けず、特性が安定な
電気皮膜を提供することを目的とするものである。本発
明は、又、電気的、機械的に適度な厚さの制御が可能
で、かつ強度が高く、製造コストも低い電気皮膜を提供
することを目的とするものである。
本発明は、又、従来からある陽極酸化処理技術と新しい
薄膜作成技術を組み合わせることにより、強度、耐湿性
などの物理的特性と絶縁性、誘電性などの電気的性質を
両立させた電気皮膜を提供することを目的とするもので
ある。
薄膜作成技術を組み合わせることにより、強度、耐湿性
などの物理的特性と絶縁性、誘電性などの電気的性質を
両立させた電気皮膜を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段及び作用 本発明の電気皮膜は、アルミニウム合金基体表面に形成
された陽極酸化アルミニウム皮膜及びその表面にアルミ
ニウム合金基体温度を300℃以下に保持して成膜された
無機質抵抗性薄膜から構成される。
された陽極酸化アルミニウム皮膜及びその表面にアルミ
ニウム合金基体温度を300℃以下に保持して成膜された
無機質抵抗性薄膜から構成される。
本発明において、陽極酸化アルミニウム皮膜は、封孔処
理されたものであるのが好ましい。なぜならば、封孔処
理を施すことにより、無機質抵抗性薄膜の結着を良く
し、又無機質抵抗性薄膜表面の平滑性が向上するからで
ある。
理されたものであるのが好ましい。なぜならば、封孔処
理を施すことにより、無機質抵抗性薄膜の結着を良く
し、又無機質抵抗性薄膜表面の平滑性が向上するからで
ある。
本発明において、無機質抵抗性薄膜は、窒化けい素（Si
3N4）、酸化けい素（SiO2）、炭化けい素（SiC）、窒化
アルミニウム（AlN）、アルミナ（Al2O3）、ジルコニア
（ZrO2）、リンガラス（PSG）、シリコンオキシナイト
ライド（SiOxNy）、窒化硼素（BN）、絶縁性炭素（Ｃ）
から選択されたものから構成される。
3N4）、酸化けい素（SiO2）、炭化けい素（SiC）、窒化
アルミニウム（AlN）、アルミナ（Al2O3）、ジルコニア
（ZrO2）、リンガラス（PSG）、シリコンオキシナイト
ライド（SiOxNy）、窒化硼素（BN）、絶縁性炭素（Ｃ）
から選択されたものから構成される。
本発明の電気皮膜において、陽極酸化アルミニウム皮膜
の厚さは、一般に10μｍ〜数100μｍである。又、無機
質抵抗性薄膜の厚さは、数10Å〜10数μｍであるのが実
用上有利である。なぜならば、耐湿性などの優れた無機
質抵抗性薄膜のみで数10μｍの厚さにすることも考えら
れるが、その様な厚さのものを得るには、数時間から数
10時間を要し、コストの点で実用性が乏しい。
の厚さは、一般に10μｍ〜数100μｍである。又、無機
質抵抗性薄膜の厚さは、数10Å〜10数μｍであるのが実
用上有利である。なぜならば、耐湿性などの優れた無機
質抵抗性薄膜のみで数10μｍの厚さにすることも考えら
れるが、その様な厚さのものを得るには、数時間から数
10時間を要し、コストの点で実用性が乏しい。
次に、本発明を図面によって説明する。第１図ないし第
４図は、それぞれ本発明の実施例の断面図である。図
中、１は、アルミニウム合金基体、２は陽極酸化アルミ
ニウム皮膜、３は無機質抵抗性薄膜、４は孔である。こ
れら第１図ないし第４図に示される状態は、陽極酸化ア
ルミニウム皮膜の形成状態と、使用する皮膜形成方法及
び皮膜形成時間等の条件の相違によって生じるものであ
る。
４図は、それぞれ本発明の実施例の断面図である。図
中、１は、アルミニウム合金基体、２は陽極酸化アルミ
ニウム皮膜、３は無機質抵抗性薄膜、４は孔である。こ
れら第１図ないし第４図に示される状態は、陽極酸化ア
ルミニウム皮膜の形成状態と、使用する皮膜形成方法及
び皮膜形成時間等の条件の相違によって生じるものであ
る。
すなわち、第１図においては、アルミニウム合金基体１
の表面に形成されたアルミニウム皮膜２の最外面のみに
無機質抵抗性薄膜３が形成されている。第２図において
は、無機質抵抗性薄膜３は、孔の上部にブリッヂを形成
し、孔を塞いだ状態で形成されている。第３図において
は、無機質抵抗性薄膜を形成する材料が、孔の内部まで
進入して孔を埋めた状態で皮膜を形成している。又、第
４図においては、無機質抵抗性薄膜３が孔に沿って被着
した状態で形成されている。
の表面に形成されたアルミニウム皮膜２の最外面のみに
無機質抵抗性薄膜３が形成されている。第２図において
は、無機質抵抗性薄膜３は、孔の上部にブリッヂを形成
し、孔を塞いだ状態で形成されている。第３図において
は、無機質抵抗性薄膜を形成する材料が、孔の内部まで
進入して孔を埋めた状態で皮膜を形成している。又、第
４図においては、無機質抵抗性薄膜３が孔に沿って被着
した状態で形成されている。
第５図及び第６図は、陽極酸化アルミニウム皮膜２を封
孔処理した場合における本発明の実施例である。第５図
において、（ａ）は、陽極酸化アルミニウム皮膜の状態
を示し、（ｂ）は、水和封孔処理を施した後の状態を示
し、（ｃ）は、封孔処理された陽極酸化アルミニウム皮
膜上に無機質抵抗性薄膜３を形成させた状態を示す。第
６図においては封孔処理を無機物質又は有機物質からな
る封孔材料を用いて行っている。第６図中、（ａ）、
（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、封孔処理を封孔材料５
を用いて行った以外は、第５図におけると同様の状態を
示す。
孔処理した場合における本発明の実施例である。第５図
において、（ａ）は、陽極酸化アルミニウム皮膜の状態
を示し、（ｂ）は、水和封孔処理を施した後の状態を示
し、（ｃ）は、封孔処理された陽極酸化アルミニウム皮
膜上に無機質抵抗性薄膜３を形成させた状態を示す。第
６図においては封孔処理を無機物質又は有機物質からな
る封孔材料を用いて行っている。第６図中、（ａ）、
（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、封孔処理を封孔材料５
を用いて行った以外は、第５図におけると同様の状態を
示す。
次に、本発明の電気皮膜の形成方法について説明する。
所望の形状を有するアルミニウム合金基体を常法により
陽極酸化した後、所望により、形成した陽極酸化アルミ
ニウム皮膜に封孔処理を施す。
所望の形状を有するアルミニウム合金基体を常法により
陽極酸化した後、所望により、形成した陽極酸化アルミ
ニウム皮膜に封孔処理を施す。
封孔処理は、どのような方法によって実施しても好い。
例えば、水和封孔は、水分を含んだ雰囲気によって陽極
酸化アルミニウム皮膜を加熱処理し、陽極酸化アルミニ
ウム皮膜の上層を水和酸化物に変えることによって行う
ことができ、上記加熱処理として、一般には加圧水蒸気
処理法又は沸騰水封孔法が用いられる。この処理によ
り、孔の壁が膨脹し、特に孔の入り口付近では、孔が完
全に塞がれる。
例えば、水和封孔は、水分を含んだ雰囲気によって陽極
酸化アルミニウム皮膜を加熱処理し、陽極酸化アルミニ
ウム皮膜の上層を水和酸化物に変えることによって行う
ことができ、上記加熱処理として、一般には加圧水蒸気
処理法又は沸騰水封孔法が用いられる。この処理によ
り、孔の壁が膨脹し、特に孔の入り口付近では、孔が完
全に塞がれる。
封孔処理の他の方法としては、シリカゾル、アルミナゾ
ル等の無機コロイド溶液中に酸化アルミニウム皮膜を浸
漬し、電解処理する方法や、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、フッ素樹脂あるいはワックス類を浸漬又は塗装によ
り孔に埋め込む方法が利用できる。
ル等の無機コロイド溶液中に酸化アルミニウム皮膜を浸
漬し、電解処理する方法や、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、フッ素樹脂あるいはワックス類を浸漬又は塗装によ
り孔に埋め込む方法が利用できる。
次いで、陽極酸化アルミニウム皮膜の上に、無機質抵抗
性薄膜を形成させる。すなわち、窒化けい素（Si
3N4）、酸化けい素（SiO2）、炭化けい素（SiC）、窒化
アルミニウム（AlN）、アルミナ（Al2O3）、ジルコニア
（ZrO2）、リンガラス（PSG）、シリコンオキシナイト
ライド（SiOxNy）、窒化硼素（BN）、絶縁性炭素（Ｃ）
から選択された無機材料を用い、その被着方法として、
（１）プラズマCVDを含むCVD（Chemical Vapor Deposit
ion 化学的気相成長）法（２）加熱又は電子ビーム等に
よる真空蒸着法、（３）不活性ガスイオンをターゲット
に衝突させるスパッタリング、（４）印刷した材料の焼
成などを用いることによって、無機質抵抗性薄膜を形成
させる。
性薄膜を形成させる。すなわち、窒化けい素（Si
3N4）、酸化けい素（SiO2）、炭化けい素（SiC）、窒化
アルミニウム（AlN）、アルミナ（Al2O3）、ジルコニア
（ZrO2）、リンガラス（PSG）、シリコンオキシナイト
ライド（SiOxNy）、窒化硼素（BN）、絶縁性炭素（Ｃ）
から選択された無機材料を用い、その被着方法として、
（１）プラズマCVDを含むCVD（Chemical Vapor Deposit
ion 化学的気相成長）法（２）加熱又は電子ビーム等に
よる真空蒸着法、（３）不活性ガスイオンをターゲット
に衝突させるスパッタリング、（４）印刷した材料の焼
成などを用いることによって、無機質抵抗性薄膜を形成
させる。
上記の被着方法は、本発明の電気皮膜の用途に応じて使
用する材料と適宜組み合わせて用いることができる。
用する材料と適宜組み合わせて用いることができる。
本発明において、陽極酸化アルミニウム皮膜の表面に形
成される無機質抵抗性薄膜は、アルミニウム合金基体温
度を300℃以下に保持して成膜されることが必要であ
り、好ましくは250℃以下の温度に保持して行う。何故
ならば、基体温度を300℃よりも高くして成膜すると、
アルミニウム合金と陽極酸化アルミニウム皮膜の熱膨張
率の差によって、陽極酸化アルミニウム皮膜に亀裂が生
じ、電気皮膜の使用目的に適合しなくなるからである。
すなわち、軽度の亀裂の場合には、電気皮膜の表面抵抗
の場所的なむらが生じたり、耐湿性がまったく得られな
いという問題を生じ、重度の亀裂の場合には、薄膜の形
成を施す前の陽極酸化アルミニウム皮膜よりむしろ帯電
性や絶縁性が低下してしまう。
成される無機質抵抗性薄膜は、アルミニウム合金基体温
度を300℃以下に保持して成膜されることが必要であ
り、好ましくは250℃以下の温度に保持して行う。何故
ならば、基体温度を300℃よりも高くして成膜すると、
アルミニウム合金と陽極酸化アルミニウム皮膜の熱膨張
率の差によって、陽極酸化アルミニウム皮膜に亀裂が生
じ、電気皮膜の使用目的に適合しなくなるからである。
すなわち、軽度の亀裂の場合には、電気皮膜の表面抵抗
の場所的なむらが生じたり、耐湿性がまったく得られな
いという問題を生じ、重度の亀裂の場合には、薄膜の形
成を施す前の陽極酸化アルミニウム皮膜よりむしろ帯電
性や絶縁性が低下してしまう。
実施例 以下、実施例によって本発明を説明する。
実施例１ 高周波マグネトロンスパッタリング装置によって、陽極
酸化アルミニウム皮膜上に酸化けい素薄膜を形成した。
すなわち、高周波マグネトロンスパッタリング装置の所
定の位置に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成されている
アルミニウム合金基板を設置し、一方ターゲット材とし
て、酸化けい素を所定の場所に設置した。装置内にアル
ゴンガスを送り、圧力を５×10-3Torrに保ちながら、高
周波電力0.5KWの印加の下に、２時間の薄膜形成処理を
行った。その結果、陽極酸化アルミニウム皮膜上に、約
１μｍの厚さの酸化けい素薄膜が形成された。
酸化アルミニウム皮膜上に酸化けい素薄膜を形成した。
すなわち、高周波マグネトロンスパッタリング装置の所
定の位置に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成されている
アルミニウム合金基板を設置し、一方ターゲット材とし
て、酸化けい素を所定の場所に設置した。装置内にアル
ゴンガスを送り、圧力を５×10-3Torrに保ちながら、高
周波電力0.5KWの印加の下に、２時間の薄膜形成処理を
行った。その結果、陽極酸化アルミニウム皮膜上に、約
１μｍの厚さの酸化けい素薄膜が形成された。
実施例２ プラズマCVD装置によって、陽極酸化アルミニウム皮膜
上に窒化けい素薄膜を形成した。すなわち、プラズマCV
D装置の所定の位置に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成
されているアルミニウム合金基板を設置し、反応ガスと
してシラン（SiH4）ガスとアンモニア（NH3）ガスを導
入し圧力1Torr、アルミニウム合金基板温度300℃におい
て、50分間薄膜形成処理を行った。その結果、陽極酸化
アルミニウム皮膜上に、約１μｍの厚さの窒化けい素薄
膜が形成された。
上に窒化けい素薄膜を形成した。すなわち、プラズマCV
D装置の所定の位置に陽極酸化アルミニウム皮膜が形成
されているアルミニウム合金基板を設置し、反応ガスと
してシラン（SiH4）ガスとアンモニア（NH3）ガスを導
入し圧力1Torr、アルミニウム合金基板温度300℃におい
て、50分間薄膜形成処理を行った。その結果、陽極酸化
アルミニウム皮膜上に、約１μｍの厚さの窒化けい素薄
膜が形成された。
発明の効果 本発明の無機質抵抗性薄膜を上層に被着した陽極酸化ア
ルミニウムよりなる電気皮膜は、従来の陽極酸化アルミ
ニウム皮膜の封孔処理として用いられた樹脂塗装を行っ
たものとは全く特性が異なるものであり、表面の機械的
強度、硬度、耐湿性、耐熱性、耐溶剤性、クラックの無
さ、段差被覆性など、ほとんどの点で勝るものである。
すなわち、本発明の電気皮膜は、陽極酸化アルミニウム
皮膜による電気的特性及び強度の要求を満たすに十分な
厚さと、その特性を維持したまま、無機質抵抗性薄膜に
よる耐湿性の両者を兼ね備えるものである。したがっ
て、本発明の電気皮膜は、誘電層、抵抗層、絶縁層など
の用途に適している。
ルミニウムよりなる電気皮膜は、従来の陽極酸化アルミ
ニウム皮膜の封孔処理として用いられた樹脂塗装を行っ
たものとは全く特性が異なるものであり、表面の機械的
強度、硬度、耐湿性、耐熱性、耐溶剤性、クラックの無
さ、段差被覆性など、ほとんどの点で勝るものである。
すなわち、本発明の電気皮膜は、陽極酸化アルミニウム
皮膜による電気的特性及び強度の要求を満たすに十分な
厚さと、その特性を維持したまま、無機質抵抗性薄膜に
よる耐湿性の両者を兼ね備えるものである。したがっ
て、本発明の電気皮膜は、誘電層、抵抗層、絶縁層など
の用途に適している。
第１図ないし第４図は、それぞれ本発明の実施例の概略
断面図であり、第５図及び第６図は、陽極酸化アルミニ
ウム皮膜を封孔処理する場合の状態を説明するもので、
（ａ）は封孔処理前、（ｂ）は封孔処理後、（ｃ）は無
機質抵抗性薄膜を形成させた後の状態を示す断面図であ
り、第７図は、従来の陽極酸化アルミニウム皮膜の断面
図である。 １…アルミニウム合金基体、２…陽極酸化アルミニウム
皮膜、３…無機質抵抗性薄膜、４…孔、５…封孔材料。
断面図であり、第５図及び第６図は、陽極酸化アルミニ
ウム皮膜を封孔処理する場合の状態を説明するもので、
（ａ）は封孔処理前、（ｂ）は封孔処理後、（ｃ）は無
機質抵抗性薄膜を形成させた後の状態を示す断面図であ
り、第７図は、従来の陽極酸化アルミニウム皮膜の断面
図である。 １…アルミニウム合金基体、２…陽極酸化アルミニウム
皮膜、３…無機質抵抗性薄膜、４…孔、５…封孔材料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−225770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−167301（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−72946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−118248（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】アルミニウム合金基体表面に形成された陽
極酸化アルミニウム皮膜、及びその表面にアルミニウム
合金基体温度を300℃以下に保持して成膜された無機質
抵抗性薄膜からなる電気皮膜。 - 【請求項２】無機質抵抗性薄膜が、窒化けい素（Si
3N4）、酸化けい素（SiO2）、炭化けい素（SiC）、窒化
アルミニウム（AlN）、アルミナ（Al2O3）、ジルコニア
（ZrO2）、リンガラス（PSG）、シリコンオキシナイト
ライド（SiOxNy）、窒化硼素（BN）、絶縁性炭素（Ｃ）
から選択されたものよりなる特許請求の範囲第１項に記
載の電気皮膜。 - 【請求項３】陽極酸化アルミニウム皮膜が封孔処理され
たものである特許請求の範囲第１項に記載の電気皮膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201251A JPH0679444B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電気皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201251A JPH0679444B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電気皮膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358706A JPS6358706A (ja) | 1988-03-14 |
| JPH0679444B2 true JPH0679444B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16437840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201251A Expired - Fee Related JPH0679444B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 電気皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679444B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2737950B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1998-04-08 | 住友電気工業株式会社 | セラミックス絶縁電線 |
| JPH0282817U (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-27 | ||
| JPH02177212A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 耐熱電線及びその製造方法 |
| JP2010258255A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 陽極酸化基板、それを用いた光電変換素子の製造方法、光電変換素子及び太陽電池 |
| KR101067091B1 (ko) | 2010-03-31 | 2011-09-22 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 및 그 제조방법 |
| JP6397637B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-09-26 | イビデン株式会社 | 複層コートアルミニウム基材 |
| JP6178303B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関 |
| JP6327242B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2018-05-23 | アイシン精機株式会社 | アルミニウム成形品及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60225770A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | Seiko Epson Corp | サ−マルヘツド |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61201251A patent/JPH0679444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358706A (ja) | 1988-03-14 |
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