JPH0680857B2 - 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ - Google Patents
集積分布ブラッグ反射型半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0680857B2 JPH0680857B2 JP59216802A JP21680284A JPH0680857B2 JP H0680857 B2 JPH0680857 B2 JP H0680857B2 JP 59216802 A JP59216802 A JP 59216802A JP 21680284 A JP21680284 A JP 21680284A JP H0680857 B2 JPH0680857 B2 JP H0680857B2
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- dbr
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は発振波長が制御可能な半導体レーザに関する。
（従来技術とその問題点） Gb/sレベルの超高速変調時にも安定な単一軸モード動作
を示す分布帰還型半導体レーザ（DFB−LD）、分布ブラ
ッグ反射型半導体レーザ（DBR−LD）は長距離・大容量
光ファイバ通信用光源として有望視されている。単一軸
モード性の良好なこれらの半導体レーザに波長制御機構
を導入することは、現在の長距離・大容量直接伝送方式
のみならず、将来の光ヘテロダイン通信、高密度波長多
重伝送等の分野への展開が期待され、きわめて有用と考
えられる。その一例として例えば、東盛氏らはエレクト
ロニクス・レターズ誌（Electron.Lett.19（1983）,pp6
56）において報告しているような発振波長の制御が可能
な直接結合型の集積化DBR−LDを開発した。東盛氏らは
第２図に示すように活性領域１を素子中央に、その片側
にDBR領域２を、もう一方の側に位相制御領域３を配置
した発振波長制御可能な集積化DBR−LDを試作し、位相
制御領域３に4mAの電流注入を行なうことにより、４Å
程度の発振波長変化を実現した。第３図はその動作原理
を示すためのものである。第３図の横軸は波長、たて軸
はしきい値利得を与える反射損失を示す。すなわち、た
て軸は低い値ほど反射損失が小さく、したがってしきい
値利得が小さく軸モードは発振しやすことを示す。東盛
氏らによる波長制御集積化DBR−LDにおいては第３図に
示した反射損失曲線は変化せず、この曲線上を各軸モー
ドが移動することになる。各軸モードの点はDBR領域２
で決定される位相曲線と活性領域１および位相制御領域
３とで決定される位相曲線との交点で決まる。位相制御
領域３に電流注入することにより後者の位相曲線が変化
し、したがって２つの位相曲線の支点が変化するために
発振波長が変化することになる。例えば電流注入のない
ときに第３図に示したように31,32,33,34のような軸モ
ードがあるとすると、はじめは最も反射損失の小さな32
のモードが発振する。位相制御領域に電流を注入するこ
とにより位相曲線の支点で与えられる各軸モードは矢印
の方向に移動し、発振波長が短波長側に変化する。ある
程度電流を注入していくと32のモードと33のモードとの
反射損失が逆転し、そこでモードのとびが生じて、こん
どは33のモードが発振するようになる。以後、同様の波
長変化を示すことになる。ところがこの場合には反射損
失曲線は変化しないので、最低のしきい値利得を与える
ブラッグ波長は変化しない。すなわち制御可能な波長範
囲は軸モード間隔で決定され、現実的な素子寸法を考え
るとたかだか数Åにとどまってしまう。将来の高密度波
長多重光通信等への適用を考えた場合、数＋Åオーダー
の波長制御は必要となる。同時にそのときの微調も必要
となってくる。
を示す分布帰還型半導体レーザ（DFB−LD）、分布ブラ
ッグ反射型半導体レーザ（DBR−LD）は長距離・大容量
光ファイバ通信用光源として有望視されている。単一軸
モード性の良好なこれらの半導体レーザに波長制御機構
を導入することは、現在の長距離・大容量直接伝送方式
のみならず、将来の光ヘテロダイン通信、高密度波長多
重伝送等の分野への展開が期待され、きわめて有用と考
えられる。その一例として例えば、東盛氏らはエレクト
ロニクス・レターズ誌（Electron.Lett.19（1983）,pp6
56）において報告しているような発振波長の制御が可能
な直接結合型の集積化DBR−LDを開発した。東盛氏らは
第２図に示すように活性領域１を素子中央に、その片側
にDBR領域２を、もう一方の側に位相制御領域３を配置
した発振波長制御可能な集積化DBR−LDを試作し、位相
制御領域３に4mAの電流注入を行なうことにより、４Å
程度の発振波長変化を実現した。第３図はその動作原理
を示すためのものである。第３図の横軸は波長、たて軸
はしきい値利得を与える反射損失を示す。すなわち、た
て軸は低い値ほど反射損失が小さく、したがってしきい
値利得が小さく軸モードは発振しやすことを示す。東盛
氏らによる波長制御集積化DBR−LDにおいては第３図に
示した反射損失曲線は変化せず、この曲線上を各軸モー
ドが移動することになる。各軸モードの点はDBR領域２
で決定される位相曲線と活性領域１および位相制御領域
３とで決定される位相曲線との交点で決まる。位相制御
領域３に電流注入することにより後者の位相曲線が変化
し、したがって２つの位相曲線の支点が変化するために
発振波長が変化することになる。例えば電流注入のない
ときに第３図に示したように31,32,33,34のような軸モ
ードがあるとすると、はじめは最も反射損失の小さな32
のモードが発振する。位相制御領域に電流を注入するこ
とにより位相曲線の支点で与えられる各軸モードは矢印
の方向に移動し、発振波長が短波長側に変化する。ある
程度電流を注入していくと32のモードと33のモードとの
反射損失が逆転し、そこでモードのとびが生じて、こん
どは33のモードが発振するようになる。以後、同様の波
長変化を示すことになる。ところがこの場合には反射損
失曲線は変化しないので、最低のしきい値利得を与える
ブラッグ波長は変化しない。すなわち制御可能な波長範
囲は軸モード間隔で決定され、現実的な素子寸法を考え
るとたかだか数Åにとどまってしまう。将来の高密度波
長多重光通信等への適用を考えた場合、数＋Åオーダー
の波長制御は必要となる。同時にそのときの微調も必要
となってくる。
（発明の目的） 本発明の目的は上述の観点から、数＋Åオーダーの波長
制御と同時に発振モードの微調が可能な新規な構造の集
積化DBR−LDを提供することにある。
制御と同時に発振モードの微調が可能な新規な構造の集
積化DBR−LDを提供することにある。
（発明の構成） 本発明の構成による集積分布ブラッグ反射型半導体レー
ザは、半導体基板上に少なくとも活性層と、前記活性層
よりもエネルギーギャップが大きく、かつ一方の面に回
折格子が形成されたガイド層とを有する積層構造を備
え、少なくとも前記活性層を有する活性領域，レーザ光
に対して透明な位相制御領域、少なくとも前記ガイド層
を有するDBR領域がレーザ共振軸方向につらなって形成
され、前記活性領域の一方の端面が反射端面となり、前
記積層構造上部に２つの独立な電極が形成され、その１
つの電極が２つの領域にまたがって形成されていること
を特徴としている。
ザは、半導体基板上に少なくとも活性層と、前記活性層
よりもエネルギーギャップが大きく、かつ一方の面に回
折格子が形成されたガイド層とを有する積層構造を備
え、少なくとも前記活性層を有する活性領域，レーザ光
に対して透明な位相制御領域、少なくとも前記ガイド層
を有するDBR領域がレーザ共振軸方向につらなって形成
され、前記活性領域の一方の端面が反射端面となり、前
記積層構造上部に２つの独立な電極が形成され、その１
つの電極が２つの領域にまたがって形成されていること
を特徴としている。
（発明の作用・原理） 本発明による集積型DBR−LDは、活性領域，位相制御領
域、DBR領域が形成され、少なくとも２つの独立の電極
が形成されている。DBR領域へのキャリア注入により、
第３図に示したブラッグ波長そのものが変化することに
なる。また同時に位相制御領域へのキャリア注入により
各軸モードの発振波長も変化させることができる。前者
の場合、数＋Åのオーダーのブラッグ波長変化が実現で
き、また後者の場合数＋Åオーダーのスムーズな波長変
化が可能となるので、例えばそれら２つの領域に同じ電
極を形成する場合、２つの領域の長さを適切に設定して
やることにより、数＋Åオーダーの波長範囲をほぼ完全
にカバーすることが可能となる。
域、DBR領域が形成され、少なくとも２つの独立の電極
が形成されている。DBR領域へのキャリア注入により、
第３図に示したブラッグ波長そのものが変化することに
なる。また同時に位相制御領域へのキャリア注入により
各軸モードの発振波長も変化させることができる。前者
の場合、数＋Åのオーダーのブラッグ波長変化が実現で
き、また後者の場合数＋Åオーダーのスムーズな波長変
化が可能となるので、例えばそれら２つの領域に同じ電
極を形成する場合、２つの領域の長さを適切に設定して
やることにより、数＋Åオーダーの波長範囲をほぼ完全
にカバーすることが可能となる。
（実施例） 以下実施例を示す図面を用いて本発明をより詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例である集積分布ブラッグ反射
型半導体レーザの断面模式図である。このような素子を
作製するにはまずInP基板11上に部分的に回折格子12を
形成し、そのうえに全面に例えば波長1.3μｍに相当す
るIn0.72Ga0.28As0.61P0.39光ガイド層13等を積層し
た。そのうち選択エッチング、選択エピタキシャル成長
を行なって例えば波長1.55μｍ相当のIn0.59Ga0.41As
0.90P0.10活性層14等を光が直接結合するように積層
し、横モード制御と電流とじ込めの目的で埋め込み構造
に形成した。その後図に示すように２つの電極を形成し
た。制御電極20は位相制御領域３とDBR領域２とに対し
て共通している。それぞれの領域の長さを適切に設定し
てやることにより数＋Åの波長範囲をカバーして発振さ
せることができるし、すべての波長範囲を連続的に波長
変化しないまでもモードジャンプを生じない状態で数Å
程度の連続波長変化が実現できることになる。一例とし
てDBR領域２部分での位相変化分が活性領域１と位相制
御領域３とから成る部分の位相変化分のほぼ２倍程度と
なるようにすればモードジャンプを含めた全体の波長変
化分のほぼ半分以上の波長領域にわたって連続的な波長
変化を実現することができ、FSKヘテロダイン光通信方
式等への適用にはほぼ十分な波長チューニングが行なえ
ることになる。
型半導体レーザの断面模式図である。このような素子を
作製するにはまずInP基板11上に部分的に回折格子12を
形成し、そのうえに全面に例えば波長1.3μｍに相当す
るIn0.72Ga0.28As0.61P0.39光ガイド層13等を積層し
た。そのうち選択エッチング、選択エピタキシャル成長
を行なって例えば波長1.55μｍ相当のIn0.59Ga0.41As
0.90P0.10活性層14等を光が直接結合するように積層
し、横モード制御と電流とじ込めの目的で埋め込み構造
に形成した。その後図に示すように２つの電極を形成し
た。制御電極20は位相制御領域３とDBR領域２とに対し
て共通している。それぞれの領域の長さを適切に設定し
てやることにより数＋Åの波長範囲をカバーして発振さ
せることができるし、すべての波長範囲を連続的に波長
変化しないまでもモードジャンプを生じない状態で数Å
程度の連続波長変化が実現できることになる。一例とし
てDBR領域２部分での位相変化分が活性領域１と位相制
御領域３とから成る部分の位相変化分のほぼ２倍程度と
なるようにすればモードジャンプを含めた全体の波長変
化分のほぼ半分以上の波長領域にわたって連続的な波長
変化を実現することができ、FSKヘテロダイン光通信方
式等への適用にはほぼ十分な波長チューニングが行なえ
ることになる。
本実施例ではDBR領域２の長さを300μｍ、位相制御領域
３の長さを150μｍ、活性領域１の長さを150μｍとする
ことにより、60mA程度の電流注入により45Åの波長変化
が実現できた。軸モードとびを生ずる前後の４Å程度の
範囲ではやや不安定な動作を示したが、それ以外の波長
範囲では軸モード選択比が30dB以上の良好な単一軸モー
ド動作下で波長制御が行なえた。室温cw動作においても
活性領域１だけに電流注入する場合に、しきい値電流40
mA、微分量子効率15％程度のものが再現性よく得られ
た。光出力の点からも活性領域１側の出力端面４から最
大20mWまでの安定な単一軸モード発振が得られた。制御
電極20はDBR領域２および位相制御領域３とに共通とし
たが、DBR領域２のみ独立させ、活性領域１と位相制御
領域３とに共通の電極を形成してもよい。２つの独立な
電極だけで良好な波長制御が行なえる。活性領域１と位
相制御領域３を合わせた長さで、位相条件が決定され、
それとDBR位相曲線との交点が各軸モードの発振波長を
決定するので、それぞれの領域の長さや注入する電流を
適切に設定することにより、いずれの場合も40〜50Å程
度の範囲で波長制御が可能となる。
３の長さを150μｍ、活性領域１の長さを150μｍとする
ことにより、60mA程度の電流注入により45Åの波長変化
が実現できた。軸モードとびを生ずる前後の４Å程度の
範囲ではやや不安定な動作を示したが、それ以外の波長
範囲では軸モード選択比が30dB以上の良好な単一軸モー
ド動作下で波長制御が行なえた。室温cw動作においても
活性領域１だけに電流注入する場合に、しきい値電流40
mA、微分量子効率15％程度のものが再現性よく得られ
た。光出力の点からも活性領域１側の出力端面４から最
大20mWまでの安定な単一軸モード発振が得られた。制御
電極20はDBR領域２および位相制御領域３とに共通とし
たが、DBR領域２のみ独立させ、活性領域１と位相制御
領域３とに共通の電極を形成してもよい。２つの独立な
電極だけで良好な波長制御が行なえる。活性領域１と位
相制御領域３を合わせた長さで、位相条件が決定され、
それとDBR位相曲線との交点が各軸モードの発振波長を
決定するので、それぞれの領域の長さや注入する電流を
適切に設定することにより、いずれの場合も40〜50Å程
度の範囲で波長制御が可能となる。
本発明の実施例においては、活性領域1,位相制御領域2,
DBR領域３を形成し、DBR領域３にも制御電極20を形成し
た。これによって制御電流を変化させることにより数＋
Å程度の波長範囲をほぼ安定な単一軸モード動作の状態
で変化させることができた。さらに単一軸モード発振時
の発振スペクトル線幅も制御状態に依存し、最も安定な
状態に設定することにより4MHzの発振スペクトル線幅が
得られた。
DBR領域３を形成し、DBR領域３にも制御電極20を形成し
た。これによって制御電流を変化させることにより数＋
Å程度の波長範囲をほぼ安定な単一軸モード動作の状態
で変化させることができた。さらに単一軸モード発振時
の発振スペクトル線幅も制御状態に依存し、最も安定な
状態に設定することにより4MHzの発振スペクトル線幅が
得られた。
なお本発明の実施例においては電流注入によるキャリア
のプラズマ効果を利用して屈折率変化させ、波長制御を
行なったが、Ｐ−Ｎ接合に逆バイアスを印加し、空乏層
の拡がりを利用して屈折率変化させる等の手段を用いて
もよい。用いる半導体材料も実施例においてはInPを基
板,InGaAsPを活性層，光ガイド層とする波長１μｍ帯の
材料を用いたが、これに限ることなく、GaAlAs,InGaAl
P,GaAsSb系等、他の半導体材料を用いてさしつかえな
い。実施例においてはDBR領域２と位相制御領域３とに
同じ組成の光ガイド層13を用いたが、これらは異なる組
成の結晶であってもかまわない。また独立な電極間には
電気的絶縁を良好にするためにエッチング溝を形成した
り、プロトン照射高抵抗層を形成してもよい。
のプラズマ効果を利用して屈折率変化させ、波長制御を
行なったが、Ｐ−Ｎ接合に逆バイアスを印加し、空乏層
の拡がりを利用して屈折率変化させる等の手段を用いて
もよい。用いる半導体材料も実施例においてはInPを基
板,InGaAsPを活性層，光ガイド層とする波長１μｍ帯の
材料を用いたが、これに限ることなく、GaAlAs,InGaAl
P,GaAsSb系等、他の半導体材料を用いてさしつかえな
い。実施例においてはDBR領域２と位相制御領域３とに
同じ組成の光ガイド層13を用いたが、これらは異なる組
成の結晶であってもかまわない。また独立な電極間には
電気的絶縁を良好にするためにエッチング溝を形成した
り、プロトン照射高抵抗層を形成してもよい。
（発明の効果） 本発明の特徴は集積型DBR−LDにおいて、活性領域，位
相制御領域,DBR領域を形成し、DBR領域上にも制御電極
を形成したことである。これによって数＋Åの範囲で安
定な単一軸モード状態での発振波長制御が可能となっ
た。さらに光ヘテロダイン通信において重要な発振スペ
クトル線幅も制御することができ、光ヘテロダイン通
信，高密度波長多重通信等将来の高級光ファイバ通信用
光源として大きな発展が期待できる。
相制御領域,DBR領域を形成し、DBR領域上にも制御電極
を形成したことである。これによって数＋Åの範囲で安
定な単一軸モード状態での発振波長制御が可能となっ
た。さらに光ヘテロダイン通信において重要な発振スペ
クトル線幅も制御することができ、光ヘテロダイン通
信，高密度波長多重通信等将来の高級光ファイバ通信用
光源として大きな発展が期待できる。
第１図，第２図はそれぞれ本発明の一実施例である集積
DBR−LD,従来例の集積DBR−LDの断面模式図，第３図は
動作原理を示すための発振波長とDBR反射損失との関係
を示す図。図中１は活性領域、２はDBR領域、３は位相
制御領域,4は出力端面、11はInP基板、12は回折格子、1
3は光ガイド層、14は活性層、20は制御電極、31,32,33,
34は発振軸モードをそれぞれあらわす。
DBR−LD,従来例の集積DBR−LDの断面模式図，第３図は
動作原理を示すための発振波長とDBR反射損失との関係
を示す図。図中１は活性領域、２はDBR領域、３は位相
制御領域,4は出力端面、11はInP基板、12は回折格子、1
3は光ガイド層、14は活性層、20は制御電極、31,32,33,
34は発振軸モードをそれぞれあらわす。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に少なくとも活性層と、前記
活性層よりもエネルギーギャップが大きく、かつ一方の
面に回折格子が形成されたガイド層とを有する積層構造
を備え、少なくとも前記活性層を有する活性領域，レー
ザ光に対して透明な位相制御領域，少なくとも前記ガイ
ド層を有するDBR領域がレーザ共振軸方向につらなって
形成され、前記活性領域の一方の端面が反射端面とな
り、前記積層構造上部に２つの独立な電極が形成され、
そのうちの１つの電極が２つの領域にまたがって形成さ
れていることを特徴とする集積分布ブラッグ反射型半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216802A JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216802A JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195592A JPS6195592A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0680857B2 true JPH0680857B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16694112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216802A Expired - Lifetime JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680857B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122188A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JP2655600B2 (ja) * | 1987-04-09 | 1997-09-24 | 日本電気株式会社 | 光フィルタ素子 |
| JPS649679A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Semiconductor laser of long resonator length |
| DE69505064T4 (de) * | 1994-07-15 | 2000-02-24 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Wellenlängenabstimmbarer Halbleiterlaser |
| JP2011253977A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄｂｒレーザ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116683A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Tokyo Inst Of Technol | Distribution reflecting type semiconductor laser having tuning and requency-modulating mechanism |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59216802A patent/JPH0680857B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6195592A (ja) | 1986-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |