JPH0681145A - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH0681145A JPH0681145A JP23181392A JP23181392A JPH0681145A JP H0681145 A JPH0681145 A JP H0681145A JP 23181392 A JP23181392 A JP 23181392A JP 23181392 A JP23181392 A JP 23181392A JP H0681145 A JPH0681145 A JP H0681145A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- target
- sputtered
- magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 移動成膜方式マグネトロンスパッタ装置の膜
質を均一にする。 【構成】 ターゲットを基板に対し傾斜させて配置す
る。これにより不均一な膜が形成される原因であるエロ
ージョン溝からの大きな運動エネルギーをもつスパッタ
原子によるダメージを低減する。
質を均一にする。 【構成】 ターゲットを基板に対し傾斜させて配置す
る。これにより不均一な膜が形成される原因であるエロ
ージョン溝からの大きな運動エネルギーをもつスパッタ
原子によるダメージを低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板を移動しながら成
膜するマグネトロンスパッタ装置に関する。
膜するマグネトロンスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ装置では、基板がターゲット電
極前面のスパッタリング可能領域空間内を移動しながら
成膜する移動成膜方式のものがある。
極前面のスパッタリング可能領域空間内を移動しながら
成膜する移動成膜方式のものがある。
【０００３】この成膜方式は、大面積基板に成膜するの
に適しており、たとえば液晶ディスプレイ用の薄膜トラ
ンジスタに使用するＩＴＯ膜の製造装置などに使用され
る。図２は従来の移動成膜方式のマグネトロンスパッタ
装置を示す図である。このスパッタ装置は、内部が真空
に保持される成膜室１と、基板を出し入れするための図
示しない出入口室との間の仕切弁２ａおよび２ｂと、タ
ーゲット電極３と、基板４を移動成膜するための基板ホ
ルダ５と、ターゲット電極３に対向するアース板６とか
ら主に構成される。
に適しており、たとえば液晶ディスプレイ用の薄膜トラ
ンジスタに使用するＩＴＯ膜の製造装置などに使用され
る。図２は従来の移動成膜方式のマグネトロンスパッタ
装置を示す図である。このスパッタ装置は、内部が真空
に保持される成膜室１と、基板を出し入れするための図
示しない出入口室との間の仕切弁２ａおよび２ｂと、タ
ーゲット電極３と、基板４を移動成膜するための基板ホ
ルダ５と、ターゲット電極３に対向するアース板６とか
ら主に構成される。
【０００４】基板ホルダ５は成膜室１内の搬送機構によ
り成膜開始前の位置Ａから成膜可能領域中の位置Ｂを通
って成膜終了後の位置Ｃまで移動できる。
り成膜開始前の位置Ａから成膜可能領域中の位置Ｂを通
って成膜終了後の位置Ｃまで移動できる。
【０００５】ターゲット電極３は、ターゲット１１と、
図示しない冷却機構からの冷熱伝導材であるバッキング
プレート１２と、バッキングプレート１２を保持すると
ともに電力が印加される電極箱１３と、電極箱１３に内
蔵される内側磁石１４および外側磁石１５およびヨーク
１６とから構成される。内側磁石１４と外側磁石１５と
は極性が逆向きに設けられ、両磁石のターゲット１１と
反対側の端部はヨーク１６に連結されている。この磁気
回路によりターゲット表面付近にはターゲット表面と平
行な成分を持つ磁力線ｊが発生する。
図示しない冷却機構からの冷熱伝導材であるバッキング
プレート１２と、バッキングプレート１２を保持すると
ともに電力が印加される電極箱１３と、電極箱１３に内
蔵される内側磁石１４および外側磁石１５およびヨーク
１６とから構成される。内側磁石１４と外側磁石１５と
は極性が逆向きに設けられ、両磁石のターゲット１１と
反対側の端部はヨーク１６に連結されている。この磁気
回路によりターゲット表面付近にはターゲット表面と平
行な成分を持つ磁力線ｊが発生する。
【０００６】このような従来のスパッタ装置において、
基板４を載置した基板ホルダ５は、装置外部から図示し
ない入口室に搬送されこの中で真空引される。入口室が
真空状態になると仕切弁２ａが開かれ、基板ホルダ５は
成膜開始前のＡ位置に搬送される。仕切弁２ａを閉止
後、図示しないガス導入系および排気系により成膜室１
内は所定の圧力に調整される。そしてターゲット電極３
にＲＦ電力が印加されることにより、ターゲット電極３
とこれと対向するアース板６との間で放電が発生し、プ
ラズマ領域ｐが形成される。
基板４を載置した基板ホルダ５は、装置外部から図示し
ない入口室に搬送されこの中で真空引される。入口室が
真空状態になると仕切弁２ａが開かれ、基板ホルダ５は
成膜開始前のＡ位置に搬送される。仕切弁２ａを閉止
後、図示しないガス導入系および排気系により成膜室１
内は所定の圧力に調整される。そしてターゲット電極３
にＲＦ電力が印加されることにより、ターゲット電極３
とこれと対向するアース板６との間で放電が発生し、プ
ラズマ領域ｐが形成される。
【０００７】この状態で基板ホルダ５をＡ位置からＢ位
置を通ってＣ位置まで移動させると途中のプラズマ領域
ｐを通過中はターゲット１１からスパッタリングされた
スパッタ原子が基板４に付着し膜が形成される。そして
やがてＣ位置に達した時点でＲＦ電力の投入をやめて放
電を停止するとともにガス導入も停止し、成膜室圧力を
所定の真空度まで真空引した後、仕切弁２ｂを開いて基
板ホルダ５を図示しない出口室に搬出する。そして出口
室を大気圧まで戻した後基板ホルダ５を装置外部に取り
出し一連の成膜処理を終える。
置を通ってＣ位置まで移動させると途中のプラズマ領域
ｐを通過中はターゲット１１からスパッタリングされた
スパッタ原子が基板４に付着し膜が形成される。そして
やがてＣ位置に達した時点でＲＦ電力の投入をやめて放
電を停止するとともにガス導入も停止し、成膜室圧力を
所定の真空度まで真空引した後、仕切弁２ｂを開いて基
板ホルダ５を図示しない出口室に搬出する。そして出口
室を大気圧まで戻した後基板ホルダ５を装置外部に取り
出し一連の成膜処理を終える。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のマグネトロ
ンスパッタ装置では、ターゲット電極３内の磁気回路に
より磁力線ｊが発生している。ＲＦ電力を投入してプラ
ズマを発生すると、ターゲット表面付近にはこの磁力線
ｊの影響を受けて局所的にプラズマ密度の高い部分が形
成される。このプラズマ密度の高い部分にさらされるタ
ーゲット１１の表面の一部はその他の表面より強くスパ
ッタリングされる。そのためこの部分はしばらくスパッ
タ成膜を続けていくうちにやがてエロージョン溝ｇがで
きる。
ンスパッタ装置では、ターゲット電極３内の磁気回路に
より磁力線ｊが発生している。ＲＦ電力を投入してプラ
ズマを発生すると、ターゲット表面付近にはこの磁力線
ｊの影響を受けて局所的にプラズマ密度の高い部分が形
成される。このプラズマ密度の高い部分にさらされるタ
ーゲット１１の表面の一部はその他の表面より強くスパ
ッタリングされる。そのためこの部分はしばらくスパッ
タ成膜を続けていくうちにやがてエロージョン溝ｇがで
きる。
【０００９】従来はこのエロージョン溝ｇからのスパッ
タ原子もその他のターゲット表面からのスパッタ原子も
同じように成膜に寄与させていた。すなわち、図２にお
いてｂ、ｄ部で示したエロージョン溝ｇからのスパッタ
原子による成膜とａ、ｃ、ｅ部で示したその他のターゲ
ット表面からのスパッタ原子による成膜とを区別するこ
とがなかった。したがって基板ホルダ５をＡ位置、Ｂ位
置、Ｃ位置と移動しながら成膜すると基板４上にはａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部で付着された膜がこの順で積層され
た。
タ原子もその他のターゲット表面からのスパッタ原子も
同じように成膜に寄与させていた。すなわち、図２にお
いてｂ、ｄ部で示したエロージョン溝ｇからのスパッタ
原子による成膜とａ、ｃ、ｅ部で示したその他のターゲ
ット表面からのスパッタ原子による成膜とを区別するこ
とがなかった。したがって基板ホルダ５をＡ位置、Ｂ位
置、Ｃ位置と移動しながら成膜すると基板４上にはａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部で付着された膜がこの順で積層され
た。
【００１０】ところが、エロージョン溝ｇからのスパッ
タ原子による膜の膜質とその他のターゲット表面からの
スパッタ原子による膜の膜質はかなり異なることがわか
ってきた。
タ原子による膜の膜質とその他のターゲット表面からの
スパッタ原子による膜の膜質はかなり異なることがわか
ってきた。
【００１１】図４は従来のスパッタ装置において、基板
をターゲットに対向するＢ位置で停止してＩＴＯ膜を形
成したときの比抵抗値の分布を示す図である。
をターゲットに対向するＢ位置で停止してＩＴＯ膜を形
成したときの比抵抗値の分布を示す図である。
【００１２】これによると、エロージョン溝ｇから垂直
に放出されるスパッタ原子による膜であるｂ、ｄ部のＩ
ＴＯ膜の比抵抗が６×１０-3Ω・cmであるのに対し、エ
ロ−ジョン溝周辺部からのスパッタ原子による膜である
ｃ部のＩＴＯ膜の比抵抗は５×１０-4Ω・cmであり一桁
以上比抵抗値が違うことがわかった。また、ＩＴＯ用エ
ッチング液（佐々木薬品製ＩＳー２）を用いて液温摂氏
４０度の条件でエッチングを行い、エッチング速度を調
べた結果、エロージョン溝からのスパッタ原子によるＩ
ＴＯ膜のエッチング速度が４０オングストローム／min
であるのに対し、ターゲット中央部らのスパッタ原子に
よるＩＴＯ膜のエッチング速度は４００オングストロー
ム／min でありこれについても大きく異なることがわか
った。
に放出されるスパッタ原子による膜であるｂ、ｄ部のＩ
ＴＯ膜の比抵抗が６×１０-3Ω・cmであるのに対し、エ
ロ−ジョン溝周辺部からのスパッタ原子による膜である
ｃ部のＩＴＯ膜の比抵抗は５×１０-4Ω・cmであり一桁
以上比抵抗値が違うことがわかった。また、ＩＴＯ用エ
ッチング液（佐々木薬品製ＩＳー２）を用いて液温摂氏
４０度の条件でエッチングを行い、エッチング速度を調
べた結果、エロージョン溝からのスパッタ原子によるＩ
ＴＯ膜のエッチング速度が４０オングストローム／min
であるのに対し、ターゲット中央部らのスパッタ原子に
よるＩＴＯ膜のエッチング速度は４００オングストロー
ム／min でありこれについても大きく異なることがわか
った。
【００１３】この膜質の差はエロージョン溝ｇ付近から
のスパッタ原子、スパッタイオンがその他の領域からの
スパッタ原子に比べて大きい運動エネルギーを持つこと
によると考えられる。すなわち、エロージョン溝ｇ付近
からのスパッタ原子は激しくスパッタされたものであり
大きい運動エネルギーをもつことから基板に付着する際
に激しく衝突して、直前に付着した下地の膜にダメージ
を与え膜質を悪くするからと考えられる。 したがっ
て、図２の装置によって移動成膜すると、膜質が深さ方
向に不均一になってしまう問題が生じた。すなわち、図
３に示すように移動成膜をすれば基板４の各点はａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部を順次通過するため、ａ部による第１
層目が形成された後、その上にｂ部による第２層目が積
層され、その上にｃ部による第３層目、ｄ部による第４
層目、ｅ部による第５層目が積層される。このうちｂ、
ｄ部による第２、４層目とａ、ｃ、ｅ部による第１、
３、５層目の膜質が異なることになる。
のスパッタ原子、スパッタイオンがその他の領域からの
スパッタ原子に比べて大きい運動エネルギーを持つこと
によると考えられる。すなわち、エロージョン溝ｇ付近
からのスパッタ原子は激しくスパッタされたものであり
大きい運動エネルギーをもつことから基板に付着する際
に激しく衝突して、直前に付着した下地の膜にダメージ
を与え膜質を悪くするからと考えられる。 したがっ
て、図２の装置によって移動成膜すると、膜質が深さ方
向に不均一になってしまう問題が生じた。すなわち、図
３に示すように移動成膜をすれば基板４の各点はａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ部を順次通過するため、ａ部による第１
層目が形成された後、その上にｂ部による第２層目が積
層され、その上にｃ部による第３層目、ｄ部による第４
層目、ｅ部による第５層目が積層される。このうちｂ、
ｄ部による第２、４層目とａ、ｃ、ｅ部による第１、
３、５層目の膜質が異なることになる。
【００１４】深さ方向に均質でない膜は、デバイス作成
時の膜抵抗値の制御やエッチング時間の制御が困難であ
り、デバイス不良原因につながる。
時の膜抵抗値の制御やエッチング時間の制御が困難であ
り、デバイス不良原因につながる。
【００１５】本発明はかかる膜質の深さ方向の不均一が
発生せず、均一な膜質の成膜が可能なスパッタ装置を提
供することを目的とする。
発生せず、均一な膜質の成膜が可能なスパッタ装置を提
供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
になされた本発明は、基板を搬送しつつ、この基板にマ
グネトロンスパッタリング法による成膜処理を行う移動
成膜方式のマグネトロンスパッタ装置において、基板に
対してターゲットを傾斜するように設置することで、タ
ーゲットに形成されるエロージョン領域からの大きい運
動エネルギーをもつスパッタ原子やスパッタイオンの基
板への付着によるダメージを緩和したことを特徴とす
る。
になされた本発明は、基板を搬送しつつ、この基板にマ
グネトロンスパッタリング法による成膜処理を行う移動
成膜方式のマグネトロンスパッタ装置において、基板に
対してターゲットを傾斜するように設置することで、タ
ーゲットに形成されるエロージョン領域からの大きい運
動エネルギーをもつスパッタ原子やスパッタイオンの基
板への付着によるダメージを緩和したことを特徴とす
る。
【００１７】以下、この構造のスパッタ装置がどのよう
に作用するかを説明する。
に作用するかを説明する。
【００１８】
【作用】本発明のスパッタ装置は、ターゲット表面が基
板に対して平行ではなく傾斜させて設置される。そのた
めエロージョン溝付近から垂直放射する大きい運動エネ
ルギーをもつスパッタ原子は、基板に対し斜め方向から
衝突することになり直前に付着した膜表面へのダメージ
が低減する。たとえば、基板とターゲットとが角度Ｘ傾
斜させて設置された場合、速度Ｖでターゲットから垂直
放射するスパッタ原子の質量をＭとすると、スパッタ原
子の速度の基板に垂直な成分はＶCOS Ｘとることからス
パッタ原子が基板に付着するときに基板と垂直方向に
（１）式の衝突エネルギーＵVERTを与えることになる。
板に対して平行ではなく傾斜させて設置される。そのた
めエロージョン溝付近から垂直放射する大きい運動エネ
ルギーをもつスパッタ原子は、基板に対し斜め方向から
衝突することになり直前に付着した膜表面へのダメージ
が低減する。たとえば、基板とターゲットとが角度Ｘ傾
斜させて設置された場合、速度Ｖでターゲットから垂直
放射するスパッタ原子の質量をＭとすると、スパッタ原
子の速度の基板に垂直な成分はＶCOS Ｘとることからス
パッタ原子が基板に付着するときに基板と垂直方向に
（１）式の衝突エネルギーＵVERTを与えることになる。
【００１９】ＵVERT＝ＭＶ2 COS 2 Ｘ／２ （１） この式で基板とターゲットの傾斜角（Ｘ）が４５度のと
きと、０度すなわち平行であるときとを比較すると４５
度のときは衝突エネルギーＵVERTは半減することにな
る。したがって下地膜へのダメージが低減される結果、
膜質の差は小さくなり均一な成膜が可能になる。
きと、０度すなわち平行であるときとを比較すると４５
度のときは衝突エネルギーＵVERTは半減することにな
る。したがって下地膜へのダメージが低減される結果、
膜質の差は小さくなり均一な成膜が可能になる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【００２１】図１は本発明によるスパッタ装置の一例を
示す図である。図において図２の従来装置と同じ部分は
同記号を用いているので同じ部分の説明は省略する。こ
のマグネトロンスパッタ装置ではターゲット電極３が基
板ホルダ４に対して傾斜して配置される。そして、ター
ゲット電極３内には従来装置と同様に内側磁石１４、外
側磁石１５が設けてありこれによってターゲット１１表
面付近にはこの表面と平行な成分を持つ磁力線ｊが発生
する。
示す図である。図において図２の従来装置と同じ部分は
同記号を用いているので同じ部分の説明は省略する。こ
のマグネトロンスパッタ装置ではターゲット電極３が基
板ホルダ４に対して傾斜して配置される。そして、ター
ゲット電極３内には従来装置と同様に内側磁石１４、外
側磁石１５が設けてありこれによってターゲット１１表
面付近にはこの表面と平行な成分を持つ磁力線ｊが発生
する。
【００２２】上記の構成をもつスパッタ装置において、
基板４を載置した基板ホルダ５は、装置外部から図示し
ない入口室に搬送されこの中で真空引される。入口室が
真空状態になると仕切弁２ａが開かれ、基板ホルダ５は
成膜開始前のＡ位置に搬送される。仕切弁２ａを閉止
後、図示しないガス導入系および排気系により成膜室１
内は所定の圧力に調整される。そしてターゲット電極３
にＲＦ電力が印加されることにより、ターゲット電極３
と、アース板６との間で放電が発生し、プラズマ領域ｐ
が形成される。ターゲット１１表面付近には磁力線ｊの
影響を受けて局所的にプラズマ密度の高い部分が形成さ
れる。このプラズマ密度の高い部分にさらされるターゲ
ット１１の表面の一部はその他の表面より強くスパッタ
リングされる。そのためこの部分はしばらくスパッタ成
膜を続けていくうちにやがてエロージョン溝ｇができ
る。このエロージョン溝ｇからのスパッタ原子は激しく
スパッタされたものであり大きい運動エネルギーをもっ
ている。
基板４を載置した基板ホルダ５は、装置外部から図示し
ない入口室に搬送されこの中で真空引される。入口室が
真空状態になると仕切弁２ａが開かれ、基板ホルダ５は
成膜開始前のＡ位置に搬送される。仕切弁２ａを閉止
後、図示しないガス導入系および排気系により成膜室１
内は所定の圧力に調整される。そしてターゲット電極３
にＲＦ電力が印加されることにより、ターゲット電極３
と、アース板６との間で放電が発生し、プラズマ領域ｐ
が形成される。ターゲット１１表面付近には磁力線ｊの
影響を受けて局所的にプラズマ密度の高い部分が形成さ
れる。このプラズマ密度の高い部分にさらされるターゲ
ット１１の表面の一部はその他の表面より強くスパッタ
リングされる。そのためこの部分はしばらくスパッタ成
膜を続けていくうちにやがてエロージョン溝ｇができ
る。このエロージョン溝ｇからのスパッタ原子は激しく
スパッタされたものであり大きい運動エネルギーをもっ
ている。
【００２３】この状態で基板ホルダ５をＡ位置からＢ位
置を通ってＣ位置まで移動させると、基板４がプラズマ
領域ｐを通過中はスパッタリングされた原子が基板４表
面に付着する。
置を通ってＣ位置まで移動させると、基板４がプラズマ
領域ｐを通過中はスパッタリングされた原子が基板４表
面に付着する。
【００２４】このとき、スパッタ原子は基板に対し斜め
方向から付着するために直前に付着した膜に与えるダメ
ージは小さくなる。したがってエロージョン溝ｇ付近か
ら放射される大きな運動エネルギーをもつスパッタ原子
やスパッタイオンが基板に付着してもダメージが減り、
他の領域からのスパッタ原子の付着による膜と膜質に差
がなくなる。すなわち、図３で示したエロージョン溝ｇ
付近からのスパッタ原子やスパッタイオンによるｂ，ｄ
部における膜の膜質が、ダメージの低減によって他の領
域からのスパッタ原子やスパッタイオンによるａ、ｃ、
ｅ部における膜の膜質と差がなくなる。
方向から付着するために直前に付着した膜に与えるダメ
ージは小さくなる。したがってエロージョン溝ｇ付近か
ら放射される大きな運動エネルギーをもつスパッタ原子
やスパッタイオンが基板に付着してもダメージが減り、
他の領域からのスパッタ原子の付着による膜と膜質に差
がなくなる。すなわち、図３で示したエロージョン溝ｇ
付近からのスパッタ原子やスパッタイオンによるｂ，ｄ
部における膜の膜質が、ダメージの低減によって他の領
域からのスパッタ原子やスパッタイオンによるａ、ｃ、
ｅ部における膜の膜質と差がなくなる。
【００２５】したがって移動成膜をした場合においても
深さ方向に均質な成膜が形成されることになる。
深さ方向に均質な成膜が形成されることになる。
【００２６】なお、基板とターゲットとの傾斜角Ｘにつ
いては傾斜角が大きいほどスパッタ原子の衝突によるダ
メージが低減するが同時に成膜速度についても低下して
しまうため両者を総合的に考慮して傾斜角は４５度前後
にするのが望ましい。
いては傾斜角が大きいほどスパッタ原子の衝突によるダ
メージが低減するが同時に成膜速度についても低下して
しまうため両者を総合的に考慮して傾斜角は４５度前後
にするのが望ましい。
【００２７】本実施例ではターゲットを基板に対し一方
向に傾斜したターゲットを用いたがこの形状に限られる
ものではない。たとえば図５に示すようにターゲットを
Ｖ字形に設けてもよい。要するにエロージョン溝ｇ付近
から放射される大きな運動エネルギーをもつスパッタ原
子やスパッタイオンが斜めに基板に当たるようにすれば
よい。
向に傾斜したターゲットを用いたがこの形状に限られる
ものではない。たとえば図５に示すようにターゲットを
Ｖ字形に設けてもよい。要するにエロージョン溝ｇ付近
から放射される大きな運動エネルギーをもつスパッタ原
子やスパッタイオンが斜めに基板に当たるようにすれば
よい。
【００２８】本発明はＩＴＯ膜の膜質について説明して
きたが他の種類の膜についても同様に考えることができ
エロージョン溝付近からのスパッタ原子によるダメージ
を低減することで均質な膜を形成することができる。
きたが他の種類の膜についても同様に考えることができ
エロージョン溝付近からのスパッタ原子によるダメージ
を低減することで均質な膜を形成することができる。
【００２９】また、本発明によるスパッタ装置の電源
は、ＲＦ電源に限られず、直流電源であってもよい。
は、ＲＦ電源に限られず、直流電源であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
基板に対しターゲットを傾斜させて配置することでエロ
ージョン溝付近からの大きな運動エネルギーをもつスパ
ッタ原子やスパッタイオンが基板に斜め方向から付着す
ることによりダメージが低減する。この結果移動成膜を
実施した場合でも膜質の異なる層が形成されることがな
くなり均質な成膜が可能となる。しかも、ダメージが低
減したことにより膜質についても改善されることにな
る。
基板に対しターゲットを傾斜させて配置することでエロ
ージョン溝付近からの大きな運動エネルギーをもつスパ
ッタ原子やスパッタイオンが基板に斜め方向から付着す
ることによりダメージが低減する。この結果移動成膜を
実施した場合でも膜質の異なる層が形成されることがな
くなり均質な成膜が可能となる。しかも、ダメージが低
減したことにより膜質についても改善されることにな
る。
【図１】本発明の一実施例であるスパッタ装置の成膜室
断面図。
断面図。
【図２】従来のスパッタ装置の成膜室断面図。
【図３】従来のスパッタ装置により移動成膜された膜の
深さ方向の断面図。
深さ方向の断面図。
【図４】従来のスパッタ装置においてターゲットに対向
する位置で基板を停止してＩＴＯ膜を形成したときの比
抵抗値の分布を示す図。
する位置で基板を停止してＩＴＯ膜を形成したときの比
抵抗値の分布を示す図。
【図５】本発明の他の一実施例であるスパッタ装置の成
膜室断面図。
膜室断面図。
１：成膜室 ３：ターゲット電極 ４：基板 ５：基板ホルダ ６：アース板 １１：ターゲット １４：内側磁石 １５：外側磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 進一郎 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所三条工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を搬送しつつ、この基板にマグネト
ロンスパッタリング法による成膜処理を行う移動成膜方
式のマグネトロンスパッタ装置において、基板に対して
ターゲットを傾斜して設置することにより、ターゲット
に形成されるエロージョン領域からの大きい運動エネル
ギーをもつスパッタ原子またはスパッタイオンの基板へ
の付着によるダメージを緩和することを特徴とするマグ
ネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23181392A JPH0681145A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23181392A JPH0681145A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681145A true JPH0681145A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16929429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23181392A Pending JPH0681145A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681145A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241857B1 (en) | 1996-11-20 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Method of depositing film and sputtering apparatus |
| JP2001234336A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-31 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 |
| KR100446918B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2004-09-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 촉매금속을 증착하기 위한 디씨 마그네트론 증착장비의 증착조건 |
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1992
- 1992-08-31 JP JP23181392A patent/JPH0681145A/ja active Pending
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