JPH0681175A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0681175A JPH0681175A JP4233371A JP23337192A JPH0681175A JP H0681175 A JPH0681175 A JP H0681175A JP 4233371 A JP4233371 A JP 4233371A JP 23337192 A JP23337192 A JP 23337192A JP H0681175 A JPH0681175 A JP H0681175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- end point
- level
- detecting
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング装置の検出窓に付着した反
応生成物による発光スペクトル強度の低下を自動的に判
断し、反応室内のクリーニングの生産性向上を目的とす
る。 【構成】 終点検出に用いるために反応室１７に取り付
けられたガラス窓２，６と、レベル低下検出に用いるた
めに反応室に取り付けられた開閉器５と、発光スペクト
ル強度を電圧に変換する回路とを備え、発光スペクトル
の強度比を計算してレベル低下を自動的に判断し、表示
装置に信号を出力することにより、発光スペクトル強度
のレベル変化をエッチングのたびごとに自動的に判断し
ていくので、反応室内のクリーニングの生産性が大幅に
向上する。
応生成物による発光スペクトル強度の低下を自動的に判
断し、反応室内のクリーニングの生産性向上を目的とす
る。 【構成】 終点検出に用いるために反応室１７に取り付
けられたガラス窓２，６と、レベル低下検出に用いるた
めに反応室に取り付けられた開閉器５と、発光スペクト
ル強度を電圧に変換する回路とを備え、発光スペクトル
の強度比を計算してレベル低下を自動的に判断し、表示
装置に信号を出力することにより、発光スペクトル強度
のレベル変化をエッチングのたびごとに自動的に判断し
ていくので、反応室内のクリーニングの生産性が大幅に
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ放電を利用する
ドライエッチング装置に関するものである。
ドライエッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光分光分析法により発光スペクトル強
度の変化からドライエッチングの終点を検出する方式の
終点検出器は、図２に示すように反応ガスの流量と圧力
が一定に保たれた反応室１７内の電極１６間に高周波電
源１より高周波電圧を印加することによって発生するプ
ラズマ放電の発光スペクトルを反応室１７に取り付けら
れたガラス窓２及び一定の波長の光だけを通過させる干
渉フィルター３，光を電流に変換するフォトダイオード
４，電流→電圧変換回路９を通して電圧信号に変換し、
図３に示すようにその電圧信号（以下原信号と呼ぶ）の
時間変化を観察することによって反応の終点を検出す
る。
度の変化からドライエッチングの終点を検出する方式の
終点検出器は、図２に示すように反応ガスの流量と圧力
が一定に保たれた反応室１７内の電極１６間に高周波電
源１より高周波電圧を印加することによって発生するプ
ラズマ放電の発光スペクトルを反応室１７に取り付けら
れたガラス窓２及び一定の波長の光だけを通過させる干
渉フィルター３，光を電流に変換するフォトダイオード
４，電流→電圧変換回路９を通して電圧信号に変換し、
図３に示すようにその電圧信号（以下原信号と呼ぶ）の
時間変化を観察することによって反応の終点を検出す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチング
膜，反応ガス等のプロセス条件によって、反応室に取り
付けられたガラス窓に反応生成物が付着していく場合が
あり、そのような場合にはフォトダイオードが受け取る
光の強さがだんだんと小さくなっていく。したがって、
そのようなプロセス条件の場合は反応のたびに原信号の
レベルが図４に示すようにだんだんと下がっていく。従
来の終点検出器では図４の破線で示すところまで原信号
のレベルが低下すると正しい終点検出ができなくなる。
したがって従来の終点検出器では原信号のレベル低下に
よって正しい終点検出ができなくなる前に、反応室に取
り付けられたガラス窓に付着した反応生成物を除去しな
ければならなかった。プロセス条件によってガラス窓に
付着した反応生成物を除去する時期が異なるので、半導
体製造装置の総稼働時間から経験的に反応生成物を除去
しなければならないので生産性が非常に悪い。
膜，反応ガス等のプロセス条件によって、反応室に取り
付けられたガラス窓に反応生成物が付着していく場合が
あり、そのような場合にはフォトダイオードが受け取る
光の強さがだんだんと小さくなっていく。したがって、
そのようなプロセス条件の場合は反応のたびに原信号の
レベルが図４に示すようにだんだんと下がっていく。従
来の終点検出器では図４の破線で示すところまで原信号
のレベルが低下すると正しい終点検出ができなくなる。
したがって従来の終点検出器では原信号のレベル低下に
よって正しい終点検出ができなくなる前に、反応室に取
り付けられたガラス窓に付着した反応生成物を除去しな
ければならなかった。プロセス条件によってガラス窓に
付着した反応生成物を除去する時期が異なるので、半導
体製造装置の総稼働時間から経験的に反応生成物を除去
しなければならないので生産性が非常に悪い。
【０００４】本発明はこのような従来の課題を解決させ
るものであり、簡単な構成で原信号のレベル低下に対し
て自動的に判断する機能をもった終点検出器を提供する
ものである。
るものであり、簡単な構成で原信号のレベル低下に対し
て自動的に判断する機能をもった終点検出器を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のドライエッチング装置では、発光スペクト
ル強度を電圧に変換する回路と、終点検出に用いるため
の反応室に取り付けられたガラス窓と、レベル低下検出
に用いるための反応室に取り付けられた開閉器付ガラス
窓とを備え、前記回路の出力を観察して電圧比を計算
し、原信号のレベル低下を自動的に検出する手段を有し
たものである。
め、本発明のドライエッチング装置では、発光スペクト
ル強度を電圧に変換する回路と、終点検出に用いるため
の反応室に取り付けられたガラス窓と、レベル低下検出
に用いるための反応室に取り付けられた開閉器付ガラス
窓とを備え、前記回路の出力を観察して電圧比を計算
し、原信号のレベル低下を自動的に検出する手段を有し
たものである。
【０００６】
【作用】まずレベル低下検出用のガラス窓の開閉器を開
いた状態でエッチングを開始し、その時に得られる終点
検出の発光スペクトル強度の原信号１とレベル低下検出
の発光スペクトル強度の原信号２を観察して電圧比（原
信号１／原信号２×１００）を計算する。計算結果が設
定したレベルより小さくなった場合に反応室内のクリー
ニングが必要と判断する。その後レベル低下検出用のガ
ラス窓の開閉器を閉めて、エッチングを行い通常の終点
検出を行う。
いた状態でエッチングを開始し、その時に得られる終点
検出の発光スペクトル強度の原信号１とレベル低下検出
の発光スペクトル強度の原信号２を観察して電圧比（原
信号１／原信号２×１００）を計算する。計算結果が設
定したレベルより小さくなった場合に反応室内のクリー
ニングが必要と判断する。その後レベル低下検出用のガ
ラス窓の開閉器を閉めて、エッチングを行い通常の終点
検出を行う。
【０００７】本発明の終点検出器は、発光スペクトル強
度のレベル低下をエッチングのたびごと自動的に判断し
ていくので、反応室内の反応生成物の付着量が増えて反
応に影響を及ぼすようになるまでは確実な終点検出が行
える。また、反応室内の反応生成物の付着量が増えて反
応室内のクリーニングが必要になった時は、自動的に判
断する機能をもつので半導体製造装置の総稼働時間を管
理する必要はない。
度のレベル低下をエッチングのたびごと自動的に判断し
ていくので、反応室内の反応生成物の付着量が増えて反
応に影響を及ぼすようになるまでは確実な終点検出が行
える。また、反応室内の反応生成物の付着量が増えて反
応室内のクリーニングが必要になった時は、自動的に判
断する機能をもつので半導体製造装置の総稼働時間を管
理する必要はない。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるドライエッ
チング装置のブロック図である。図１で示すように反応
室１７に取り付けられたガラス窓２，６を通る光は干渉
フィルター３，７によって反応ガス固有の波長の光だけ
になりフォトダイオード４，８により電流に変換され
る。その電流は電流／電圧変換回路９，１０により電圧
に変換され、その電圧はＡ／Ｄ変換器１３によってデジ
タル信号に変換されてマイコン１４に入力される。
チング装置のブロック図である。図１で示すように反応
室１７に取り付けられたガラス窓２，６を通る光は干渉
フィルター３，７によって反応ガス固有の波長の光だけ
になりフォトダイオード４，８により電流に変換され
る。その電流は電流／電圧変換回路９，１０により電圧
に変換され、その電圧はＡ／Ｄ変換器１３によってデジ
タル信号に変換されてマイコン１４に入力される。
【０００９】まず最初は、レベル低下検出用のガラス窓
６の開閉器５を開いた状態でエッチングを開始し、その
時に得られる終点検出の発光スペクトル強度の原信号１
とレベル低下検出の発光スペクトル強度の原信号２をＡ
／Ｄ変換して電圧比をマイコン１４によって計算する。
すなわち、原信号１をＯＵＴ１，原信号２をＯＵＴ２、
電圧比をＲＡＴＩＯとすると、 ＲＡＴＩＯ＝ＯＵＴ１÷ＯＵＴ２×１００ ％ である。計算によって得られた電圧比が設定した値より
小さくなった場合に反応室内のクリーニングが必要とマ
イクロコンピュータ１４が判断し、表示装置１５に信号
を出力する。その後レベル低下検出用のガラス窓６の開
閉器５を閉めて、エッチングを行い通常の終点検出を行
う。
６の開閉器５を開いた状態でエッチングを開始し、その
時に得られる終点検出の発光スペクトル強度の原信号１
とレベル低下検出の発光スペクトル強度の原信号２をＡ
／Ｄ変換して電圧比をマイコン１４によって計算する。
すなわち、原信号１をＯＵＴ１，原信号２をＯＵＴ２、
電圧比をＲＡＴＩＯとすると、 ＲＡＴＩＯ＝ＯＵＴ１÷ＯＵＴ２×１００ ％ である。計算によって得られた電圧比が設定した値より
小さくなった場合に反応室内のクリーニングが必要とマ
イクロコンピュータ１４が判断し、表示装置１５に信号
を出力する。その後レベル低下検出用のガラス窓６の開
閉器５を閉めて、エッチングを行い通常の終点検出を行
う。
【００１０】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、発光スペクトル強度のレベル変化をエッチングのた
びごとに自動的に判断していくので、反応室内のクリー
ニングを半導体製造装置の総稼働時間から経験的に行う
必要がなくなり、生産性が大幅に向上する。
ば、発光スペクトル強度のレベル変化をエッチングのた
びごとに自動的に判断していくので、反応室内のクリー
ニングを半導体製造装置の総稼働時間から経験的に行う
必要がなくなり、生産性が大幅に向上する。
【図１】本発明の実施例を示すブロック図
【図２】従来の終点検出器の構成を表すブロック図
【図３】終点検出器により測定される発光スペクトル強
度の原信号の波形の一例を示す図
度の原信号の波形の一例を示す図
【図４】発光スペクトル強度のレベル低下を表す図
１ 高周波電源 ２，６ ガラス窓 ３，７ 干渉フィルター ４，８ フォトダイオード ５ 開閉器 ９，１０ 電流→電圧変換回路 １１，１２ 増幅器 １３ Ａ／Ｄ変換器 １４ マイコン １５ 表示装置 １６ 電極 １７ 反応室
Claims (1)
- 【請求項１】 発光分光分析法により発光スペクトル強
度の変化からドライエッチングの終点を検出する終点検
出方法において、発光スペクトル強度を電圧に変換する
回路と、終点検出に用いるために反応室に取り付けられ
たガラス窓と、レベル低下検出に用いるために反応室に
取り付けられた開閉器付ガラス窓とを備え、前記回路の
出力から電圧比を計算し、発光スペクトルのレベル低下
を自動的に検出する手段を有したドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233371A JPH0681175A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233371A JPH0681175A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681175A true JPH0681175A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16954077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4233371A Pending JPH0681175A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679214A (en) * | 1996-06-14 | 1997-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method of maintaining a strong endpoint detection signal for RIE processes, via use of an insitu dry clean procedure |
| US5788869A (en) * | 1995-11-02 | 1998-08-04 | Digital Equipment Corporation | Methodology for in situ etch stop detection and control of plasma etching process and device design to minimize process chamber contamination |
| US6784445B2 (en) | 1999-06-28 | 2004-08-31 | Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. | Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP4233371A patent/JPH0681175A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5788869A (en) * | 1995-11-02 | 1998-08-04 | Digital Equipment Corporation | Methodology for in situ etch stop detection and control of plasma etching process and device design to minimize process chamber contamination |
| US5679214A (en) * | 1996-06-14 | 1997-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method of maintaining a strong endpoint detection signal for RIE processes, via use of an insitu dry clean procedure |
| US6784445B2 (en) | 1999-06-28 | 2004-08-31 | Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. | Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5910011A (en) | Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system | |
| US4615761A (en) | Method of and apparatus for detecting an end point of plasma treatment | |
| TW409289B (en) | Method and apparatus for detecting the endpoint of a chamber cleaning | |
| KR100935406B1 (ko) | 플라즈마 이상 감지 장치와 플라즈마 이상 감지 방법 | |
| US6586262B1 (en) | Etching end-point detecting method | |
| US5738756A (en) | Method and apparatus for detecting optimal endpoints in plasma etch processes | |
| JP3893276B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6104487A (en) | Plasma etching with fast endpoint detector | |
| CN107154372A (zh) | 一种真空腔体漏率监测方法 | |
| JP2003151958A (ja) | エッチング終末点検出装置及びそのエッチング終末点検出方法 | |
| US6919279B1 (en) | Endpoint detection for high density plasma (HDP) processes | |
| JPH0681175A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| CN117102156A (zh) | 一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法 | |
| JPH0773105B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63244847A (ja) | ドライエッチング終点検出方法 | |
| JP4476551B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JPS6381929A (ja) | ドライエッチング終点検出方法 | |
| JP3118743B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5884431A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP4007748B2 (ja) | プラズマエッチング処理の終点検出方法 | |
| JPH05226296A (ja) | スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 | |
| JP6705083B2 (ja) | プラズマ洗浄装置およびプラズマ洗浄方法 | |
| RU2248646C2 (ru) | Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления | |
| JPH0261140B2 (ja) | ||
| JPS6393115A (ja) | 終点判定方法 |