JPH0682072B2 - 位置検出用半導体装置 - Google Patents
位置検出用半導体装置Info
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- JPH0682072B2 JPH0682072B2 JP63122550A JP12255088A JPH0682072B2 JP H0682072 B2 JPH0682072 B2 JP H0682072B2 JP 63122550 A JP63122550 A JP 63122550A JP 12255088 A JP12255088 A JP 12255088A JP H0682072 B2 JPH0682072 B2 JP H0682072B2
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- semiconductor substrate
- conductive layer
- incident
- position signal
- signal electrodes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光や粒子線の入射位置についての情報を、電流
等として出力できる位置検出用半導体装置に関する。
等として出力できる位置検出用半導体装置に関する。
従来、このような分野の技術として、例えば特開昭59−
17288号公報に示されるものがあった。この第１の従来
例では、まずｎ型の矩形の半導体基板の両端部に一対の
位置信号電極が設けられる。そして、これらの間の入射
面の中央には、均一な断面積で均一な不純物濃度のｐ型
の基幹導電層が形成され、の基幹導電層から入射面に延
びるように、複数のｐ型の分枝導電層が形成されてい
る。
17288号公報に示されるものがあった。この第１の従来
例では、まずｎ型の矩形の半導体基板の両端部に一対の
位置信号電極が設けられる。そして、これらの間の入射
面の中央には、均一な断面積で均一な不純物濃度のｐ型
の基幹導電層が形成され、の基幹導電層から入射面に延
びるように、複数のｐ型の分枝導電層が形成されてい
る。
この第１の従来例によれば、光や粒子線の入射によって
入射面で生成された電荷は、分枝導電層で集められて基
幹導電層で抵抗分割される。ここで、基幹導電層は細く
形成されているので、その抵抗値は十分に高く、精度よ
く設定することができ、従って検出感度を向上させるこ
とができる。
入射面で生成された電荷は、分枝導電層で集められて基
幹導電層で抵抗分割される。ここで、基幹導電層は細く
形成されているので、その抵抗値は十分に高く、精度よ
く設定することができ、従って検出感度を向上させるこ
とができる。
一方、位置検出のための領域を複数に区分するものとし
て、「距離検出の高精度化におけるPSDの応用事例」
（理研シンポジウム第８回「非接触計測と画像処理」第
13〜20頁、昭和62年10月15日）や、「RORSに基づく３次
元計測用光触針の構成」（上記文献の第21〜32頁）など
が知られている。これら第２の従来例によれば、半導体
基板上の受光面に所定間隔で複数の位置信号電極が設け
られ、これによって受光面が複数の受光エリアに分割さ
れている。
て、「距離検出の高精度化におけるPSDの応用事例」
（理研シンポジウム第８回「非接触計測と画像処理」第
13〜20頁、昭和62年10月15日）や、「RORSに基づく３次
元計測用光触針の構成」（上記文献の第21〜32頁）など
が知られている。これら第２の従来例によれば、半導体
基板上の受光面に所定間隔で複数の位置信号電極が設け
られ、これによって受光面が複数の受光エリアに分割さ
れている。
上記の第１および第２の従来例によって、光の入射位置
を実際に検出するためには、得られた信号光電流に対し
て所定の信号処理を施す必要がある。具体的には、一対
の位置信号電極からの信号光電流をＩＡ,IＢとするとき
には、これらを増幅するための増幅回路や、（ＩＡ＋Ｉ
Ｂ）のアナログ演算を行なう加算回路や、（ＩＡ−
ＩＢ）のアナログ演算を行なう減算回路や、（ＩＡ−Ｉ
Ｂ）／（ＩＡ＋ＩＢ）のアナログ演算を行なう割算回路
が必要になる。これは、上記の理研シンポジウムの文献
にも示されている。
を実際に検出するためには、得られた信号光電流に対し
て所定の信号処理を施す必要がある。具体的には、一対
の位置信号電極からの信号光電流をＩＡ,IＢとするとき
には、これらを増幅するための増幅回路や、（ＩＡ＋Ｉ
Ｂ）のアナログ演算を行なう加算回路や、（ＩＡ−
ＩＢ）のアナログ演算を行なう減算回路や、（ＩＡ−Ｉ
Ｂ）／（ＩＡ＋ＩＢ）のアナログ演算を行なう割算回路
が必要になる。これは、上記の理研シンポジウムの文献
にも示されている。
しかしながら、上記の第１の従来例によれば、位置分解
能が悪化しやすいという欠点があった。
能が悪化しやすいという欠点があった。
これは、位置信号電極が基幹導電層の両端にのみ一対だ
け設けられているためである。すなわち、これら位置信
号電極からの信号電流ＩＡ,IＢが、上記のアナログ演算
のアナログ演算回路および位置検出用の半導体装置自体
からの雑音に比べて小さいときには、アナログ演算回路
から得られる位置信号出力における位置分解能は低下し
てしまう。
け設けられているためである。すなわち、これら位置信
号電極からの信号電流ＩＡ,IＢが、上記のアナログ演算
のアナログ演算回路および位置検出用の半導体装置自体
からの雑音に比べて小さいときには、アナログ演算回路
から得られる位置信号出力における位置分解能は低下し
てしまう。
このような位置分解能の悪化は、第２の従来例のように
受光面を複数の位置信号電極で複数の受光エリアに分解
することにより、かなり改善することができる。しかし
ながら、この第２の従来例では光を透過しない位置信号
電極が受光面上に形成されるので、この位置に入射光が
当たると感度が低下してしまう。特に、入射光のスポッ
トが位置信号電極との関係で十分に小さいときには、ス
ポットが電極上に位置したときに感度は著しく低下し、
不安定な出力しか得られなかった。
受光面を複数の位置信号電極で複数の受光エリアに分解
することにより、かなり改善することができる。しかし
ながら、この第２の従来例では光を透過しない位置信号
電極が受光面上に形成されるので、この位置に入射光が
当たると感度が低下してしまう。特に、入射光のスポッ
トが位置信号電極との関係で十分に小さいときには、ス
ポットが電極上に位置したときに感度は著しく低下し、
不安定な出力しか得られなかった。
そこで本発明は、位置分解能を高くしながら、しかも検
出感度を高くかつ安定にすることのできる位置検出用半
導体装置を提供することを目的とする。
出感度を高くかつ安定にすることのできる位置検出用半
導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係る位置検出用半導体装置は、一導電型の半導
体基板と、この半導体基板の一方の面に設定され、検出
すべき光が入射面に沿って形成され、入射光により生成
された光電流を抵抗分割し得る程度の抵抗を有する基幹
導電層と、この基幹導電層から前記入射面に延びるよう
に形成された複数の分枝導電層と、一定の間隔または要
求される位置分解能に応じて設定される所定の間隔で前
記基幹導電層に接続して前記半導体基板上に形成された
３以上の位置信号電極とを備えること特徴とする。ま
た、複数の分枝電層、反対電型の不純物を含むこととし
てよい。
体基板と、この半導体基板の一方の面に設定され、検出
すべき光が入射面に沿って形成され、入射光により生成
された光電流を抵抗分割し得る程度の抵抗を有する基幹
導電層と、この基幹導電層から前記入射面に延びるよう
に形成された複数の分枝導電層と、一定の間隔または要
求される位置分解能に応じて設定される所定の間隔で前
記基幹導電層に接続して前記半導体基板上に形成された
３以上の位置信号電極とを備えること特徴とする。ま
た、複数の分枝電層、反対電型の不純物を含むこととし
てよい。
また、本発明に係る位置検出用半導体装置は、この半導
体基板に、３以上の位置信号電極のそれぞれに接続され
信号光電流の取り出しをする２つの位置信号電極を選択
する選択回路が形成されることとしてもよい。
体基板に、３以上の位置信号電極のそれぞれに接続され
信号光電流の取り出しをする２つの位置信号電極を選択
する選択回路が形成されることとしてもよい。
また、この半導体基板に、絶縁膜を介して基幹導電極を
覆い、かつ表面保護層の電荷の影響から基幹導電層をシ
ールドする導電性のシールド膜が形成されることとして
もよい。
覆い、かつ表面保護層の電荷の影響から基幹導電層をシ
ールドする導電性のシールド膜が形成されることとして
もよい。
本発明の構成によれば、半導体基板の受光面上には入射
光を遮ぎる位置取出電極が設けられることなく、かつ受
光面に形成された分枝導電層に接続された基幹導電層は
複数の位置取出電極と所定間隔で接続され、従って、受
光面は見掛け上で複数の受光エリアに分割されることに
なる。
光を遮ぎる位置取出電極が設けられることなく、かつ受
光面に形成された分枝導電層に接続された基幹導電層は
複数の位置取出電極と所定間隔で接続され、従って、受
光面は見掛け上で複数の受光エリアに分割されることに
なる。
以下、添付図面の第１図ないし第３図を参照して、本発
明の実施例を説明する。なお、図面の説明において同一
要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
明の実施例を説明する。なお、図面の説明において同一
要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
本発明の実施例の装置の詳細な構成を、第１図の平面図
およびＡ−Ａ線断面図により説明する。
およびＡ−Ａ線断面図により説明する。
例えば、各辺が１〜50mmのｎ型のシリコンからなる半導
体基板１の表面には、１×1013〜1014cm-2程度にｐ型不
純物を注入した基幹導電層３が0.5〜1.0μｍ程度の深さ
で形成され、同様の工程によって分枝導電層４が５μｍ
程度のピッチで0.5〜１μｍ程度の深さに形成される。
入射面の両端およびその間には１×1018〜1019cm-2程度
にｐ型不純物を注入したオーミックコンタクト領域6a,6
b,6t1〜6tｎが形成され、これらは上記の基幹導電層３
と接続されている。これらの上には、例えば熱酸化SiO2
からなる絶縁膜７が形成され、オーミックコンタクト領
域6a,6b,6t1〜6tｎ上の絶縁膜７の開口を介して、例え
ばアルミニウムからなる位置信号電極2a,2b,2t1〜2tｎ
とのオーミック接触がとられている。
体基板１の表面には、１×1013〜1014cm-2程度にｐ型不
純物を注入した基幹導電層３が0.5〜1.0μｍ程度の深さ
で形成され、同様の工程によって分枝導電層４が５μｍ
程度のピッチで0.5〜１μｍ程度の深さに形成される。
入射面の両端およびその間には１×1018〜1019cm-2程度
にｐ型不純物を注入したオーミックコンタクト領域6a,6
b,6t1〜6tｎが形成され、これらは上記の基幹導電層３
と接続されている。これらの上には、例えば熱酸化SiO2
からなる絶縁膜７が形成され、オーミックコンタクト領
域6a,6b,6t1〜6tｎ上の絶縁膜７の開口を介して、例え
ばアルミニウムからなる位置信号電極2a,2b,2t1〜2tｎ
とのオーミック接触がとられている。
一方、例えばアルミニウムからなるシールド膜５は基幹
導電層３の上を覆い、ワイヤ9Gを介して接地されてい
る。シールド膜５は外乱光の影響を低減するための遮光
作用をも有している。そして、これらの上には例えばエ
ポキシ樹脂からなる表面保護層８が塗布形成され、その
開口（図示せず）を介してワイヤ9a,9b,9t1〜9tｎ,9Gが
位置信号電極2a,2b,2t1〜2tｎおよびシールド膜５にボ
ンディングされている。半導体基板１の裏面側には、例
えば１×1019〜1020cm-2程度のｎ型不純物を含むオーミ
ックコンタクト層10が形成され、この表面には裏面電極
11がオーミック接触して設けられる。
導電層３の上を覆い、ワイヤ9Gを介して接地されてい
る。シールド膜５は外乱光の影響を低減するための遮光
作用をも有している。そして、これらの上には例えばエ
ポキシ樹脂からなる表面保護層８が塗布形成され、その
開口（図示せず）を介してワイヤ9a,9b,9t1〜9tｎ,9Gが
位置信号電極2a,2b,2t1〜2tｎおよびシールド膜５にボ
ンディングされている。半導体基板１の裏面側には、例
えば１×1019〜1020cm-2程度のｎ型不純物を含むオーミ
ックコンタクト層10が形成され、この表面には裏面電極
11がオーミック接触して設けられる。
次に、上記実施例の装置の作用を説明する。
例えば、赤外線スポットが表面側から入射されると、こ
れは表面保護層８および絶縁膜７を透過して半導体基板
１の入射面に達する。これにより半導体基板１で電子／
正孔対が発生すると、電子はオーミックコンタクト層10
および裏面電極11側へ流れ、正孔はｐ型の分枝導電層４
に流れ込む。そして、この正孔による光電流は分枝導電
層４を通って基幹導電層３に流れ、例えば光電流の取り
出し位置を位置信号電極2a,2bに設定すると、基幹導電
層３の流入点から位置信号電極2a,2bまでの距離の比に
応じた抵抗比により分割される。
れは表面保護層８および絶縁膜７を透過して半導体基板
１の入射面に達する。これにより半導体基板１で電子／
正孔対が発生すると、電子はオーミックコンタクト層10
および裏面電極11側へ流れ、正孔はｐ型の分枝導電層４
に流れ込む。そして、この正孔による光電流は分枝導電
層４を通って基幹導電層３に流れ、例えば光電流の取り
出し位置を位置信号電極2a,2bに設定すると、基幹導電
層３の流入点から位置信号電極2a,2bまでの距離の比に
応じた抵抗比により分割される。
赤外線スポットが位置信号電極2t1,2t2の区間内に存在
するときには、光電流流の取り出し位置を位置信号電極
2t1,2t2に設定し、得られる光電流をI1,I2とすると、ア
ナログ演算出力（I1−I2）／（I1＋I2）は上記区間内に
おける赤外線スポットの入射位置に対応することにな
る。従って、基幹導電層３に接続する位置信号電極の数
（ｎ）を多くし、各区間の長さを小さくすることによ
り、位置検出分解能を高めることができる。
するときには、光電流流の取り出し位置を位置信号電極
2t1,2t2に設定し、得られる光電流をI1,I2とすると、ア
ナログ演算出力（I1−I2）／（I1＋I2）は上記区間内に
おける赤外線スポットの入射位置に対応することにな
る。従って、基幹導電層３に接続する位置信号電極の数
（ｎ）を多くし、各区間の長さを小さくすることによ
り、位置検出分解能を高めることができる。
ここで、基幹導電層３を覆うシールド膜５は入射面の端
部に設けられているので、シールド膜５の材料としてア
ルミニウムなどを用いたときにも、外乱光は遮ぎられる
ことがあっても受光面に集光された信号成分の入射光は
遮ぎられることがない。従って、受光感度は低下するこ
とがない。また、表面保護層８にNa+などの電荷ががあ
るときにも、基幹導電層３はシールド膜５によってシー
ルドされるので、抵抗値が変化することはなくなる。従
って、光電流の抵抗分割精度よくなされるので、検出感
度の向上が可能になる。なお、シールド膜５が存在する
ことにより基幹導電層３の抵抗が変動すると、位置検出
そのものが精度よく行なえなくなるので、基幹導電層３
の不純物濃度は例えば１×1013cm-2程度以上であること
が望ましい。
部に設けられているので、シールド膜５の材料としてア
ルミニウムなどを用いたときにも、外乱光は遮ぎられる
ことがあっても受光面に集光された信号成分の入射光は
遮ぎられることがない。従って、受光感度は低下するこ
とがない。また、表面保護層８にNa+などの電荷ががあ
るときにも、基幹導電層３はシールド膜５によってシー
ルドされるので、抵抗値が変化することはなくなる。従
って、光電流の抵抗分割精度よくなされるので、検出感
度の向上が可能になる。なお、シールド膜５が存在する
ことにより基幹導電層３の抵抗が変動すると、位置検出
そのものが精度よく行なえなくなるので、基幹導電層３
の不純物濃度は例えば１×1013cm-2程度以上であること
が望ましい。
第２図は位置信号電極選択用スイッチを含んだアナログ
演算回路とA/D変換器のブロック図である。
演算回路とA/D変換器のブロック図である。
同図において、位置信号電極選択回路SWは第１図の半導
体基板に設けられ、これは要素スイッチＳＡ,SA1〜
ＳAn,SＢ,SB1,SB1〜ＳBnを有している。そして、要素ス
イッチＳＡ,SA1〜ＳAnの一端はそれぞれ位置信号電極2
a,2t1〜2tｎに接続され、他端は相互に短絡されて、こ
こから信号光電流ＩＡが取り出される。要素スイッチＳ
Ｂ,SB1〜ＳBnの一端はそれぞれ位置信号電極2b,2t1〜2t
ｎに接続され、他端は相互に短絡されて、ここから信号
光電流ＩＢが取り出される。そして、信号光電流ＩＡ,I
Ｂは増幅器B1,B2および減算器A1,,A2を介して割算器30
に与えられ、この出力A/D変換器31でA/D変換される。
体基板に設けられ、これは要素スイッチＳＡ,SA1〜
ＳAn,SＢ,SB1,SB1〜ＳBnを有している。そして、要素ス
イッチＳＡ,SA1〜ＳAnの一端はそれぞれ位置信号電極2
a,2t1〜2tｎに接続され、他端は相互に短絡されて、こ
こから信号光電流ＩＡが取り出される。要素スイッチＳ
Ｂ,SB1〜ＳBnの一端はそれぞれ位置信号電極2b,2t1〜2t
ｎに接続され、他端は相互に短絡されて、ここから信号
光電流ＩＢが取り出される。そして、信号光電流ＩＡ,I
Ｂは増幅器B1,B2および減算器A1,,A2を介して割算器30
に与えられ、この出力A/D変換器31でA/D変換される。
次に、上記の回路の作用を説明する。
まず、初めに位置信号電極2a,2bを選択し、位置信号電
極選択回路SW中の要素スイッチＳＡ,SＢをON状態にし、
他の要素スイッチをOFF状態に設定する。この時、得ら
れた光電流ＩＡ,IＢは増幅器B1,B2で増幅され、減算器A
1により（ＩＡ−ＩＢ）が演算され、加算器A2により
（ＩＡ＋ＩＢ）が演算される。この２つの信号はアナロ
グ演算器30で（ＩＡ−ＩＢ）／（ＩＡ＋ＩＢ）が演算さ
れ、この出力電圧はA/D変換器31でディジタル信号ＸＤ
に変換される。
極選択回路SW中の要素スイッチＳＡ,SＢをON状態にし、
他の要素スイッチをOFF状態に設定する。この時、得ら
れた光電流ＩＡ,IＢは増幅器B1,B2で増幅され、減算器A
1により（ＩＡ−ＩＢ）が演算され、加算器A2により
（ＩＡ＋ＩＢ）が演算される。この２つの信号はアナロ
グ演算器30で（ＩＡ−ＩＢ）／（ＩＡ＋ＩＢ）が演算さ
れ、この出力電圧はA/D変換器31でディジタル信号ＸＤ
に変換される。
このディジタル信号ＸＤは位置検出用半導体装置の入射
面に入射した赤外スポット光の位置と対応関係にある。
それ故、ディジタル信号ＸＤを用いて位置信号電極選択
回路SWの選択制御が可能となる。第２図ではディジタル
信号ＸＤより、赤外スポット光が位置信号電極2t1,2t2
の区間に入射していることが判定され、位置信号電極選
択回路SW内の要素スイッチＳA1,SB1がON状態になり、そ
の他のスイッチがOFF状態に制御されている状態を示し
ている。
面に入射した赤外スポット光の位置と対応関係にある。
それ故、ディジタル信号ＸＤを用いて位置信号電極選択
回路SWの選択制御が可能となる。第２図ではディジタル
信号ＸＤより、赤外スポット光が位置信号電極2t1,2t2
の区間に入射していることが判定され、位置信号電極選
択回路SW内の要素スイッチＳA1,SB1がON状態になり、そ
の他のスイッチがOFF状態に制御されている状態を示し
ている。
第２図では外部回路として位置信号電極選択回路のスイ
ッチを示したが、これら要素スイッチＳＡ,SA1〜ＳAnお
よびＳB1〜ＳBn,SＢは位置検出用半導体装置にアナログ
スイッチ回路を集積化し、外部からの選択信号で所望の
区間の位置信号電極からの信号光電流を出力できるよう
構成することが望ましい。
ッチを示したが、これら要素スイッチＳＡ,SA1〜ＳAnお
よびＳB1〜ＳBn,SＢは位置検出用半導体装置にアナログ
スイッチ回路を集積化し、外部からの選択信号で所望の
区間の位置信号電極からの信号光電流を出力できるよう
構成することが望ましい。
第３図は区分けした各区間の長さが左側で短く、右側で
長くなっている実施例を示す。図示の通り、半導体基板
１の受光面には等間隔で複数本の分枝導電層４が形成さ
れ、図示しない基幹導電層には位置信号電極2a,2b,2t1
〜2t10が接続されている。図に示すように、位置信号電
極2t1〜2t10を同図の上下方向に２列またはそれ以上の
列に配列することにより、位置信号電極2t1〜2tｎの大
きさに制限されることなく、狭い位置検出区間を作り出
すことができる。これは、入射位置によって要求される
分解能が異なる場合などに用いるのに適している。
長くなっている実施例を示す。図示の通り、半導体基板
１の受光面には等間隔で複数本の分枝導電層４が形成さ
れ、図示しない基幹導電層には位置信号電極2a,2b,2t1
〜2t10が接続されている。図に示すように、位置信号電
極2t1〜2t10を同図の上下方向に２列またはそれ以上の
列に配列することにより、位置信号電極2t1〜2tｎの大
きさに制限されることなく、狭い位置検出区間を作り出
すことができる。これは、入射位置によって要求される
分解能が異なる場合などに用いるのに適している。
本発明は上記実施例および変形例に限定されず、種々の
態様が可能である。
態様が可能である。
例えば、半導体基板１などの材料や基幹導電層３、分枝
導電層４の不純物濃度は、例示のものに限られない。ま
た、基幹導電層３は半導体基板１の表面にポリシリコン
を被着形式したり、 SnO2等の金属薄膜を形成したりすることによっても実現
できる。そして、このポリシリコン膜や金属薄膜による
基幹導電層３に分枝導電層４を接続すれば、光電流は実
施例と同様に抵抗分割されることになる。さらに、受光
面は矩形に限られず、また分枝導電層も等間隔に設けた
ものに限られない。
導電層４の不純物濃度は、例示のものに限られない。ま
た、基幹導電層３は半導体基板１の表面にポリシリコン
を被着形式したり、 SnO2等の金属薄膜を形成したりすることによっても実現
できる。そして、このポリシリコン膜や金属薄膜による
基幹導電層３に分枝導電層４を接続すれば、光電流は実
施例と同様に抵抗分割されることになる。さらに、受光
面は矩形に限られず、また分枝導電層も等間隔に設けた
ものに限られない。
以上、詳細に説明した通り本発明では、半導体基板の受
光面上には入射光を遮ぎる位置取出電極が設けられるこ
となく、かつ受光面に形成された分枝導電層に接続され
た基幹導電層は複数の位置信号電極と所定間隔で接続さ
れるので、受光面は見掛け上で複数の受光エリアに分割
されることになる。従って、位置分解能を高くしなが
ら、しかも検出感度を高くかつ安定にすることができ
る。
光面上には入射光を遮ぎる位置取出電極が設けられるこ
となく、かつ受光面に形成された分枝導電層に接続され
た基幹導電層は複数の位置信号電極と所定間隔で接続さ
れるので、受光面は見掛け上で複数の受光エリアに分割
されることになる。従って、位置分解能を高くしなが
ら、しかも検出感度を高くかつ安定にすることができ
る。
第１図は、本発明の実施例に係る位置検出用半導体装置
の平面図および断面図、第２図は、信号処理回路の回路
図、第３図は、変形例の平面図である。 １……半導体基板、2a,2b,2t1〜2tｎ……位置信号電
極、３……基幹導電層、４……分枝導電層、５……シー
ルド膜、6a,6b,6t1〜6tｎ……オーミックコンタクト領
域、７……絶縁膜、８……表面保護層、9a,9b,9t1〜9t
ｎ,9G……ワイヤ、10……オーミックコンタクト層、11
……裏面電極、30……割算回路、31……A/D変換器。
の平面図および断面図、第２図は、信号処理回路の回路
図、第３図は、変形例の平面図である。 １……半導体基板、2a,2b,2t1〜2tｎ……位置信号電
極、３……基幹導電層、４……分枝導電層、５……シー
ルド膜、6a,6b,6t1〜6tｎ……オーミックコンタクト領
域、７……絶縁膜、８……表面保護層、9a,9b,9t1〜9t
ｎ,9G……ワイヤ、10……オーミックコンタクト層、11
……裏面電極、30……割算回路、31……A/D変換器。
フロントページの続き (72)発明者 倉橋 明 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 田中 均 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 出澤 正徳 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内
Claims (4)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板と、この半導体基板
の一方の面に設定され、検出すべき光が入射される入射
面に沿って形成され、入射光により生成された光電流を
抵抗分割し得る程度の抵抗を有する基幹電層と、この基
幹導電層から前記入射面に延びるように形成された複数
の分枝導電層と、一定の間隔または要求される位置分解
能に応じて設定される所定の間隔で前記基幹導電層に接
続して前記半導体基板上に形成された３以上の位置信号
電極とを備えることを特徴とするる位置検出用半導体装
置。 - 【請求項２】一導電型の半導体基板と、この半導体基板
の一方の面に設定され、検出すべき光が入射される入射
面に沿って形成され、入射光により生成された光電流を
抵抗分割し得る程度の抵抗の基幹導電層と、この基幹導
電層から前記入射面に延びるように形成された反対導電
型の不純物を含む複数の分枝導電層と、一定の間隔また
は要求される位置分解能に応じて設定される所定の間隔
で前記基幹導電層に接続して前記半導体基板上に形成さ
れた３以上の位置信号電極とを備えることを特徴とする
位置検出用半導体装置。 - 【請求項３】前記半導体基板に、前記３以上の位置信号
電極のそれぞれに接続され信号光電流の取り出しをする
２つの位置信号電極を選択する選択回路が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の位置検出用半導体装
置。 - 【請求項４】前記半導体基板に、絶縁膜を介して前記基
幹導電層を覆い、かつ表面保護層の電荷の影響から前記
基幹導電層をシールドする導電性のシールド膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の位置検検出用
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122550A JPH0682072B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 位置検出用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122550A JPH0682072B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 位置検出用半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292219A JPH01292219A (ja) | 1989-11-24 |
| JPH0682072B2 true JPH0682072B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=14838650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122550A Expired - Fee Related JPH0682072B2 (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 位置検出用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682072B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP63122550A patent/JPH0682072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292219A (ja) | 1989-11-24 |
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Legal Events
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