JPH0682150B2 - 磁場計測装置 - Google Patents
磁場計測装置Info
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- JPH0682150B2 JPH0682150B2 JP62232227A JP23222787A JPH0682150B2 JP H0682150 B2 JPH0682150 B2 JP H0682150B2 JP 62232227 A JP62232227 A JP 62232227A JP 23222787 A JP23222787 A JP 23222787A JP H0682150 B2 JPH0682150 B2 JP H0682150B2
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- Japan
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- coil
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- measurement
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁場計測装置に係り、特にプラズマの放電時間
が数百秒を超える核融合装置において精度良くポロイダ
ル磁場を計測するに好適な磁場計測装置に関する。
が数百秒を超える核融合装置において精度良くポロイダ
ル磁場を計測するに好適な磁場計測装置に関する。
〔従来の技術〕 従来、核融合装置の磁場計測装置については、フユージ
ヨン・エンジニアリング・イレヴンス・シンポジウム・
プロシーデイングス・ボリユーム１（1985年）第586頁
から第589頁（Fusion Engineeing 11th Symposium,Proc
eedings Volume1（1985）pp586−589）に詳しく論じら
れている。この方法を、第２図により説明する。
ヨン・エンジニアリング・イレヴンス・シンポジウム・
プロシーデイングス・ボリユーム１（1985年）第586頁
から第589頁（Fusion Engineeing 11th Symposium,Proc
eedings Volume1（1985）pp586−589）に詳しく論じら
れている。この方法を、第２図により説明する。
第２図において、ピツクアツプコイル２には、それに鎖
交する磁束Фの時間変化に等しい大きさのｖ＝ｄΨ/dt
が誘起される。この信号ｖをプリアンプ７で増巾し、ロ
ーパスフイルタ12でノイズを除去し、積分器13で積分す
る。プリアンプ７の増巾度をＡ、積分器13の時定数を
τ、出力信号をＶとれば、 となり、時刻ｔにおいてピツクアツプコイルに鎖交する
磁束Ψ（ｔ）を計測できる。
交する磁束Фの時間変化に等しい大きさのｖ＝ｄΨ/dt
が誘起される。この信号ｖをプリアンプ７で増巾し、ロ
ーパスフイルタ12でノイズを除去し、積分器13で積分す
る。プリアンプ７の増巾度をＡ、積分器13の時定数を
τ、出力信号をＶとれば、 となり、時刻ｔにおいてピツクアツプコイルに鎖交する
磁束Ψ（ｔ）を計測できる。
前述の文献では、コンデンサや抵抗器、オペアンプなど
を用いたアナログの積分器でなく、入力信号ｖ＝ｄΨ/d
tをＶ−Ｆコンバータによりパルス列に変換し、そのパ
ルスを数えるデイジタル積分方式について述べている。
この方法では、積分器13の精度を向上させることができ
るが、計測系の構成としては、第２図と同じである。
を用いたアナログの積分器でなく、入力信号ｖ＝ｄΨ/d
tをＶ−Ｆコンバータによりパルス列に変換し、そのパ
ルスを数えるデイジタル積分方式について述べている。
この方法では、積分器13の精度を向上させることができ
るが、計測系の構成としては、第２図と同じである。
尚、超電導を応用した磁場計測装置としては、特開昭59
−90069号公報に記載のものがある。しかし、この装置
は、超電導−常電導状態を温度により変化させて用いる
必要があるため、核融合装置の磁場計測のように応答性
が要求されるものにあまり適さない。
−90069号公報に記載のものがある。しかし、この装置
は、超電導−常電導状態を温度により変化させて用いる
必要があるため、核融合装置の磁場計測のように応答性
が要求されるものにあまり適さない。
上記従来技術では、プラズマの放電時間、すなわち、磁
場計測装置の動作時間が長くなるとともに、磁場計測誤
差が増大するという問題があつた。
場計測装置の動作時間が長くなるとともに、磁場計測誤
差が増大するという問題があつた。
これは、従来技術による磁場の計測方法が、微分信号ｖ
＝ｄΨ/dtを用い、その信号の積分値として磁束Ψを得
ているためである。入力信号ｖ＝ｄΨ/dtに、時間的変
動のない誤差Δｖが乗つており、ｖ＝ｄΨ/dt＋Δｖで
あつたとする。このとき出力信号Ｖは、式（１）より となり、計測誤差は（２）式最右辺第２項に示すよう
に、計測時間ｔに比例して増大する。
＝ｄΨ/dtを用い、その信号の積分値として磁束Ψを得
ているためである。入力信号ｖ＝ｄΨ/dtに、時間的変
動のない誤差Δｖが乗つており、ｖ＝ｄΨ/dt＋Δｖで
あつたとする。このとき出力信号Ｖは、式（１）より となり、計測誤差は（２）式最右辺第２項に示すよう
に、計測時間ｔに比例して増大する。
上記の計測誤差の原因は、第２図に示したプリアンプ7,
ローパスフイルタ12,積分器13に含まれるアナログ素子
のオフセツト電圧の変動が主なものである。この変動
は、素子の温度変化や経年変化によつても影響されるた
め、完全に消すことはできない。現在、上記従来技術に
よる磁場計測装置には、計測時間ｔ＝10秒につき計測値
に対する相対値で約0.2％の誤差がある。今後建設が予
定される核融合装置では、プラズマの放電時間（すなわ
ち、磁場を計測する必要がある時間）は、1000秒程度、
あるいはそれ以上となる予定であり、一方、磁場計測に
は相対誤差１％程度が要求される。従つて、従来技術に
よる磁場計測装置では誤測精度が悪化し、今後の核融合
装置に使用できないという問題がある。
ローパスフイルタ12,積分器13に含まれるアナログ素子
のオフセツト電圧の変動が主なものである。この変動
は、素子の温度変化や経年変化によつても影響されるた
め、完全に消すことはできない。現在、上記従来技術に
よる磁場計測装置には、計測時間ｔ＝10秒につき計測値
に対する相対値で約0.2％の誤差がある。今後建設が予
定される核融合装置では、プラズマの放電時間（すなわ
ち、磁場を計測する必要がある時間）は、1000秒程度、
あるいはそれ以上となる予定であり、一方、磁場計測に
は相対誤差１％程度が要求される。従つて、従来技術に
よる磁場計測装置では誤測精度が悪化し、今後の核融合
装置に使用できないという問題がある。
本発明の目的は、核融合装置におけるプラズマの1000秒
以上の長時間放電に対して適用可能な磁場計測装置を提
供することにある。
以上の長時間放電に対して適用可能な磁場計測装置を提
供することにある。
上記目的は、第３図に示すように、超電導体のピツクア
ツプコイル２と、スイツチング素子３、及び前記ピツク
アツプコイルの電流を計測するための抵抗５、抵抗５に
発生する電圧を計測する手段を設け、ピツクアツプコイ
ル２を流れる電流値を計測することにより達成される。
ツプコイル２と、スイツチング素子３、及び前記ピツク
アツプコイルの電流を計測するための抵抗５、抵抗５に
発生する電圧を計測する手段を設け、ピツクアツプコイ
ル２を流れる電流値を計測することにより達成される。
本発明は、超電導体を用いたコイルでは、それ自身と鎖
交する磁束が保存されることに着目してなされたもので
ある。すなわち、スイツチング素子３が閉のとき、ピツ
クアツプコイル１とスイツチング素子３で構成されるル
ープには超電導電流が流れている。磁場中に置かれた超
電導状態のコイルには、磁場の変化に合せて、コイルと
鎖交する磁束が保存されるように超電導電流が流れるこ
とになるので、磁場の測定時に、スイツチング素子３を
開とし、抵抗５に発生する電圧を測定すれば、電流が求
められ、その時の磁場を測定することができることにな
る。
交する磁束が保存されることに着目してなされたもので
ある。すなわち、スイツチング素子３が閉のとき、ピツ
クアツプコイル１とスイツチング素子３で構成されるル
ープには超電導電流が流れている。磁場中に置かれた超
電導状態のコイルには、磁場の変化に合せて、コイルと
鎖交する磁束が保存されるように超電導電流が流れるこ
とになるので、磁場の測定時に、スイツチング素子３を
開とし、抵抗５に発生する電圧を測定すれば、電流が求
められ、その時の磁場を測定することができることにな
る。
上記方法は、磁場計測の方法として、磁束変化の微分信
号ｖ＝ｄΨ/dtを計測するのでなく、磁束Ψそのものを
計測しているので、長時間計測における誤差の蓄積が小
さくなる。
号ｖ＝ｄΨ/dtを計測するのでなく、磁束Ψそのものを
計測しているので、長時間計測における誤差の蓄積が小
さくなる。
まず、本発明の原理を詳細に説明する。
第３図において、スイツチング素子３が閉じていると
き、ピツクアツプコイル２およびスイツチング素子がつ
くる閉回路の回路方程式は、構成素子が超電導体である
から L:ピツクアツプコイルの自己誘導係数 Ψ：ピツクアツプコイルに鎖交する磁束 I:回路に流れる電流 である。ここで、時刻ｔ＝０で回路に流れる電流および
ピツクアツプコイルに鎖交する磁束をともにゼロとし
た。
き、ピツクアツプコイル２およびスイツチング素子がつ
くる閉回路の回路方程式は、構成素子が超電導体である
から L:ピツクアツプコイルの自己誘導係数 Ψ：ピツクアツプコイルに鎖交する磁束 I:回路に流れる電流 である。ここで、時刻ｔ＝０で回路に流れる電流および
ピツクアツプコイルに鎖交する磁束をともにゼロとし
た。
なお、前記の回路はすべて超電導体を用いる。超電導体
のスイツチング素子としては、ジヨセフソン接合を用い
た抵抗ゼロのスイツチング素子が既に存在するため、装
置構成上問題はない。
のスイツチング素子としては、ジヨセフソン接合を用い
た抵抗ゼロのスイツチング素子が既に存在するため、装
置構成上問題はない。
式（３）より、前記回路に流れる電流Ｉは、磁束Ψに比
例するので、Ｉを計測することにより磁束Ψを、従つて
磁場を計測することができる。電流Ｉの計測の際は、ス
イツチング素子３を開きこの電流を抵抗５に転流させ
る。
例するので、Ｉを計測することにより磁束Ψを、従つて
磁場を計測することができる。電流Ｉの計測の際は、ス
イツチング素子３を開きこの電流を抵抗５に転流させ
る。
スイツチング素子３が開いたとき、ピツクアツプコイル
２と抵抗５とのつくる回路の回路方程式は、 R:抵抗値 である。磁束Ψの変化する特徴的時間は数十ミリ秒以上
であり、スイツチング素子３を開いている時間をマイク
ロ秒程度とすれば、式（４）の左辺は無視できる。この
とき電流Ｉの時間変化は、 t0：スイツチング素子を開いた時刻 であり、抵抗５の両端に生ずる電圧Voutは である。即ち、電圧Voutは、時定数L/Rで減衰する。ス
イツチを開いている時刻ｔ−t0がL/Rよりも十分小さけ
れば、電流はほとんど減衰せず、 Vout≒RI（t0） であり、電圧Voutを測定することにより、電流Ｉが、従
つて式（３）より磁束Ψが計測できる。電圧Voutを測定
し終わると、ただちにスイツチング素子３を閉じ、再び
ピツクアツプコイル２とスイツチング素子３とのつくる
回路に電流を戻す なお、スイツチを開いている時間が、電流減衰の時定数
に比べ小さくないとき、即ち式（６）で ｔ−t0≪L/R が成り立たないときでも、その間の減衰比 は既知であるから、電流を計測する毎に、式（７）の分
だけ計測値を補正すればよい。
２と抵抗５とのつくる回路の回路方程式は、 R:抵抗値 である。磁束Ψの変化する特徴的時間は数十ミリ秒以上
であり、スイツチング素子３を開いている時間をマイク
ロ秒程度とすれば、式（４）の左辺は無視できる。この
とき電流Ｉの時間変化は、 t0：スイツチング素子を開いた時刻 であり、抵抗５の両端に生ずる電圧Voutは である。即ち、電圧Voutは、時定数L/Rで減衰する。ス
イツチを開いている時刻ｔ−t0がL/Rよりも十分小さけ
れば、電流はほとんど減衰せず、 Vout≒RI（t0） であり、電圧Voutを測定することにより、電流Ｉが、従
つて式（３）より磁束Ψが計測できる。電圧Voutを測定
し終わると、ただちにスイツチング素子３を閉じ、再び
ピツクアツプコイル２とスイツチング素子３とのつくる
回路に電流を戻す なお、スイツチを開いている時間が、電流減衰の時定数
に比べ小さくないとき、即ち式（６）で ｔ−t0≪L/R が成り立たないときでも、その間の減衰比 は既知であるから、電流を計測する毎に、式（７）の分
だけ計測値を補正すればよい。
第３図において、タイミングパルス６がhighのときスイ
ツチング素子３が開くとする。このときの計測すべき磁
束Ψと、抵抗の両端の出力電圧Voutおよびタイミングパ
ルスの関係は第４図に示すようになる。
ツチング素子３が開くとする。このときの計測すべき磁
束Ψと、抵抗の両端の出力電圧Voutおよびタイミングパ
ルスの関係は第４図に示すようになる。
次に、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図において、１はプラズマ、２は計測用の超電導ピツク
アツプコイルである。ピツクアツプコイル２の大きさ
は、例えば 断面積:0.02m×0.05m 長 さ:0.05m 巻 数:100ターン とする。このとき、自己インダクタンスＬは Ｌ≒0.25mH である。３はジヨセフソン接合を用いたスイツチング素
子、５は電流計測のための抵抗である。この抵抗値を Ｒ≒1mΩ とする。６は計測のためのタイミングパルスである。７
はプリアンプであり、８はＡ−Ｄコンバータそして、９
は計測データ収集及び計測系制御のためのコンピユータ
である。
図において、１はプラズマ、２は計測用の超電導ピツク
アツプコイルである。ピツクアツプコイル２の大きさ
は、例えば 断面積:0.02m×0.05m 長 さ:0.05m 巻 数:100ターン とする。このとき、自己インダクタンスＬは Ｌ≒0.25mH である。３はジヨセフソン接合を用いたスイツチング素
子、５は電流計測のための抵抗である。この抵抗値を Ｒ≒1mΩ とする。６は計測のためのタイミングパルスである。７
はプリアンプであり、８はＡ−Ｄコンバータそして、９
は計測データ収集及び計測系制御のためのコンピユータ
である。
次に動作を説明する。コンピユータ９は、100Hzで10μ
ｓのパルス巾のタイミングパルスを出す。すなわち、デ
ータの収集は10ms毎に、10μｓの間に行なう。この10μ
ｓの間、スイツチング素子３は開となり、抵抗５に電流
が流れ、電圧が抵抗５の両端に生ずる。この電圧をプリ
アンプ７で増巾し、Ａ−Ｄコンバータでデイジタル信号
とした後、コンピユータ９へ取り込む。
ｓのパルス巾のタイミングパルスを出す。すなわち、デ
ータの収集は10ms毎に、10μｓの間に行なう。この10μ
ｓの間、スイツチング素子３は開となり、抵抗５に電流
が流れ、電圧が抵抗５の両端に生ずる。この電圧をプリ
アンプ７で増巾し、Ａ−Ｄコンバータでデイジタル信号
とした後、コンピユータ９へ取り込む。
ところで、式（６）及び（７）で示したように、電流計
測のためスイツチング素子３を開とする10μｓの間に、
電流値は 倍に減衰する。１回の計測については、この電流値の減
衰による誤差は４×10-3％であり無視できるが、計測回
数が多くなると無視できなくなる。但し、この誤差の大
きさは完全に既知であるから、コンピユータ９で、以下
の処理をすることによりこの誤差を無くすことができ
る。
測のためスイツチング素子３を開とする10μｓの間に、
電流値は 倍に減衰する。１回の計測については、この電流値の減
衰による誤差は４×10-3％であり無視できるが、計測回
数が多くなると無視できなくなる。但し、この誤差の大
きさは完全に既知であるから、コンピユータ９で、以下
の処理をすることによりこの誤差を無くすことができ
る。
まず、第ｋ回めの計測で減衰する電流値をΔIkとする
と、 ΔIk＝αＩ（tk） α ：減衰率（＝４×10-5） tk：第ｋ回めの計測時刻 Ｉ（tk）：時刻tkで回路を流れる電流値 従つて第ｎ回めの計測までに だけの電流が、計測のために消費される。従つて、時刻
tnにおいて、ピツクアツプコイル２に鎖交する磁束Ψと
しては、 となる。
と、 ΔIk＝αＩ（tk） α ：減衰率（＝４×10-5） tk：第ｋ回めの計測時刻 Ｉ（tk）：時刻tkで回路を流れる電流値 従つて第ｎ回めの計測までに だけの電流が、計測のために消費される。従つて、時刻
tnにおいて、ピツクアツプコイル２に鎖交する磁束Ψと
しては、 となる。
第７図に、本発明の第２の実施例を示す。第７図の例
は、スイツチング素子を複数個並列に使用した例であ
る。第１図に示した実施例では、計測できる磁場の強度
は、スイツチング素子３が制御し得る電流の大きさに比
例する。スイツチング素子としてジヨセフソン素子を用
いたとき、流し得る最大電流（超電導体の臨界電流）は
1mA程度である。第７図に示すために、このジヨセフソ
ン素子３を、例えば50個並列に使用したとすると、制御
し得る電流Imaxは＝50mA程度である。このとき、ピツク
アツプコイル２の大きさを、 巻 数 Ｎ＝5000 コイル長さ ｌ＝0.005m とする。すると、計測できる磁束及び磁束密度の最大値
Ψmax，Bmaxは、 となり、核融合装置のポロイダル磁場強度0.01〜0.1Tes
laを計測できる。
は、スイツチング素子を複数個並列に使用した例であ
る。第１図に示した実施例では、計測できる磁場の強度
は、スイツチング素子３が制御し得る電流の大きさに比
例する。スイツチング素子としてジヨセフソン素子を用
いたとき、流し得る最大電流（超電導体の臨界電流）は
1mA程度である。第７図に示すために、このジヨセフソ
ン素子３を、例えば50個並列に使用したとすると、制御
し得る電流Imaxは＝50mA程度である。このとき、ピツク
アツプコイル２の大きさを、 巻 数 Ｎ＝5000 コイル長さ ｌ＝0.005m とする。すると、計測できる磁束及び磁束密度の最大値
Ψmax，Bmaxは、 となり、核融合装置のポロイダル磁場強度0.01〜0.1Tes
laを計測できる。
第５図には、核融合装置のポロイダル断面と、ピツクア
ツプコイルの配置を示した。磁場計測は、第５図に示す
ように、プラズマを囲む多くの点で行なう必要がある。
また、プラズマスを閉じ込めるための磁場をつくるコイ
ルは、電源容量の要求から、超電導コイルになることは
ほぼ確実である。そこで、本発明によるピツクアツプコ
イルおよびスイツチング素子を、第５図に示すように核
融合装置のトロイダル磁場コイルを組み込む。第６図に
は、トロイダル磁場コイルの断面と、その中に組み込ん
だ超電導体のピツクアツプコイル２を示した。こうすれ
ば、計測用のピツクアツプコイルのための新たな冷却系
統が不要である。また、計測すべき磁場はトロイダル磁
場とは垂直方向であること、及び、磁場計測中は、トロ
イダル磁場は時間変化が無いことから、トロイダル磁場
コイル電流がピツクアツプコイル２の計測に影響を与え
ることは無い。
ツプコイルの配置を示した。磁場計測は、第５図に示す
ように、プラズマを囲む多くの点で行なう必要がある。
また、プラズマスを閉じ込めるための磁場をつくるコイ
ルは、電源容量の要求から、超電導コイルになることは
ほぼ確実である。そこで、本発明によるピツクアツプコ
イルおよびスイツチング素子を、第５図に示すように核
融合装置のトロイダル磁場コイルを組み込む。第６図に
は、トロイダル磁場コイルの断面と、その中に組み込ん
だ超電導体のピツクアツプコイル２を示した。こうすれ
ば、計測用のピツクアツプコイルのための新たな冷却系
統が不要である。また、計測すべき磁場はトロイダル磁
場とは垂直方向であること、及び、磁場計測中は、トロ
イダル磁場は時間変化が無いことから、トロイダル磁場
コイル電流がピツクアツプコイル２の計測に影響を与え
ることは無い。
以上示したように、本実施例によれば、核融合装置のト
ロイダル磁場コイルの冷却系統を利用した超電導ピツク
アツプコイルを用い、プラズマの放電時間とともに増大
する誤差無しに、プラズマ周辺の磁場を計測することが
できる。また本実施例による磁場計測の誤差は、第１図
において、回数定数Ｌ及びＲの測定誤差、プリアンプ７
のゲインの調整時の誤差、Ａ−Ｄコンバータ８のピツト
誤差，ピツクアツプコイル２の設置誤差等があるが、こ
れらは１％以下に抑えることができる。
ロイダル磁場コイルの冷却系統を利用した超電導ピツク
アツプコイルを用い、プラズマの放電時間とともに増大
する誤差無しに、プラズマ周辺の磁場を計測することが
できる。また本実施例による磁場計測の誤差は、第１図
において、回数定数Ｌ及びＲの測定誤差、プリアンプ７
のゲインの調整時の誤差、Ａ−Ｄコンバータ８のピツト
誤差，ピツクアツプコイル２の設置誤差等があるが、こ
れらは１％以下に抑えることができる。
尚、磁場計測の方法で、磁束変化の微分信号を計測し電
子回路等で処理するものでなく、磁束（あるいは磁束密
度）そのものを直接計測する方法のうち、核融合装置の
つくる0.1〜10テスラ程度の磁場に適用できる可能性の
あるものとして、上記の本発明の方法以外に次の２つの
方法が考えられる。まず、半導体磁気センサ（ホール素
子）であるが、これは室温で動作するが、温度係数が0.
6％／℃と大きく、核融合装置のように厳しい条件下で
は使用が困難である。また、磁場中での電磁波の偏波面
のフアラデー回転を計測する方法もあるが、これは、計
測した磁場が電磁波が行路上の積分値となつてしまうた
め、従来のピツクアツプコイルによる計測の代替方法と
はなり得ない。
子回路等で処理するものでなく、磁束（あるいは磁束密
度）そのものを直接計測する方法のうち、核融合装置の
つくる0.1〜10テスラ程度の磁場に適用できる可能性の
あるものとして、上記の本発明の方法以外に次の２つの
方法が考えられる。まず、半導体磁気センサ（ホール素
子）であるが、これは室温で動作するが、温度係数が0.
6％／℃と大きく、核融合装置のように厳しい条件下で
は使用が困難である。また、磁場中での電磁波の偏波面
のフアラデー回転を計測する方法もあるが、これは、計
測した磁場が電磁波が行路上の積分値となつてしまうた
め、従来のピツクアツプコイルによる計測の代替方法と
はなり得ない。
本発明によれば、核融合装置のプラズマ放電時間の長さ
に影響されない磁場計測が可能である。従来技術では、
1000秒のプラズマ放電の際、磁場の計測誤差は20％程度
になると予想されるが、本発明によれば、計測誤差を１
％以下に抑えることができるという効果がある。
に影響されない磁場計測が可能である。従来技術では、
1000秒のプラズマ放電の際、磁場の計測誤差は20％程度
になると予想されるが、本発明によれば、計測誤差を１
％以下に抑えることができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例のブロツク図、第２図は
従来技術を示すブロツク図、第３図は本発明の原理を示
す回路図、第４図は第１の実施例の動作を示す図、第５
図は本発明の一実施例の核融合装置のポロイダル断面
図、第６図は第５図のトロイダル磁場コイルの断面図、
第７図は本発明の第２の実施例のブロツク図である。 ２…ピツクアツプコイル、３…スイツチング素子、４…
超電導体、５…抵抗、６…タイミングパルス、７…プリ
アンプ、８…A/Dコンバータ、９…コンピユータ。
従来技術を示すブロツク図、第３図は本発明の原理を示
す回路図、第４図は第１の実施例の動作を示す図、第５
図は本発明の一実施例の核融合装置のポロイダル断面
図、第６図は第５図のトロイダル磁場コイルの断面図、
第７図は本発明の第２の実施例のブロツク図である。 ２…ピツクアツプコイル、３…スイツチング素子、４…
超電導体、５…抵抗、６…タイミングパルス、７…プリ
アンプ、８…A/Dコンバータ、９…コンピユータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 重中 顕 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社日 立製作所エネルギー研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−72086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−282674（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−37978（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−78601（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】超電導体より構成される磁場計測用ピツク
アツプコイルと、前記ピツクアツプコイルとともに閉ル
ープを構成する超電導体のスイツチング素子と、前記ス
イツチング素子と並列に接続した抵抗と、前記抵抗に発
生する電圧を測定する装置を設けたことを特徴とする磁
場計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62232227A JPH0682150B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 磁場計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62232227A JPH0682150B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 磁場計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6475980A JPS6475980A (en) | 1989-03-22 |
| JPH0682150B2 true JPH0682150B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16935968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62232227A Expired - Lifetime JPH0682150B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 磁場計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682150B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596918B1 (en) | 2000-06-05 | 2003-07-22 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent articles having wetness indicating graphics and employing masking techniques |
| US6307119B1 (en) | 1999-06-15 | 2001-10-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent articles having wetness indicating graphics incorporating a training zone |
| US6710221B1 (en) | 1999-06-15 | 2004-03-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent articles incorporating color change graphics |
| US6297424B1 (en) | 1999-06-15 | 2001-10-02 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent articles having wetness indicating graphics providing an interactive training aid |
-
1987
- 1987-09-18 JP JP62232227A patent/JPH0682150B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6475980A (en) | 1989-03-22 |
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