JPH0683026A - Phototransfer mask and its production - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 32
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、光転写用マ
スクに関するものであり、より特定的には、光の位相を
ずらせる位相シフターを有する光転写用マスクに関する
ものである。この発明は、また、そのような光転写用マ
スクの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to an optical transfer mask, and more particularly to an optical transfer mask having a phase shifter for shifting the phase of light. The present invention also relates to a method for manufacturing such an optical transfer mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光転写用マスク上の拡大パターンを、ウ
エハ上に縮小して、繰返し結像させ、所望のＬＳＩパタ
ーンを形成する光リソグラフィー技術は、従来より、よ
く知られている。2. Description of the Related Art An optical lithography technique for forming a desired LSI pattern by reducing an enlarged pattern on an optical transfer mask on a wafer and repeatedly forming an image on the wafer has been well known.
【０００３】図６は、縮小光学式の光ステッパを用い
た、従来の光リソグラフィー技術による露光法を示す原
理図である。図６を参照して、１は光転写用マスクの透
明基板となる石英基板である。石英基板１の上に、Ｍｏ
Ｓｉ等からなる不透明の光遮蔽膜パターン２が形成され
ている。光遮蔽膜パターン２の材料は、光リソグラフィ
ーで用いられる光、たとえば、ｇ線、ｉ線、エキシマレ
ーザ等を十分に遮断できるものなら、何でもよい。FIG. 6 is a principle diagram showing an exposure method by a conventional optical lithography technique using a reduction optical type optical stepper. Referring to FIG. 6, reference numeral 1 is a quartz substrate which serves as a transparent substrate of a light transfer mask. On the quartz substrate 1, Mo
An opaque light shielding film pattern 2 made of Si or the like is formed. The material of the light shielding film pattern 2 may be any material as long as it can sufficiently shield light used in photolithography, such as g-line, i-line and excimer laser.
【０００４】石英基板１および光遮蔽膜パターン２から
なる光転写用マスクに光を照射すると、図６を参照し
て、光遮蔽膜パターン２の縁部に光が回り込むので、光
強度はなだらかな干渉波型となる。このような光強度の
分布では、パターンの解像を行なうことはできない。When the light transfer mask composed of the quartz substrate 1 and the light-shielding film pattern 2 is irradiated with light, the light wraps around the edge of the light-shielding film pattern 2 as shown in FIG. 6, so that the light intensity is gentle. It becomes an interference wave type. With such a light intensity distribution, the pattern cannot be resolved.
【０００５】このような問題点を解決するために、従来
より、次に述べるような、位相シフターを有する光転写
用マスクを用いた露光法が提案されている。In order to solve such a problem, an exposure method using an optical transfer mask having a phase shifter as described below has been conventionally proposed.
【０００６】図７は、たとえば特開昭５７−６２０５２
号公報および特開昭５８−１７３７４４号公報に記載さ
れた、改良された従来の光リソグラフィー技術による露
光法を示す原理図である。FIG. 7 shows, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-62052.
FIG. 3 is a principle diagram showing an exposure method by an improved conventional photolithography technique described in Japanese Patent Publication No. 58-173744 and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 58-173744.
【０００７】図７を参照して、石英基板１の上に光遮蔽
膜パターン２が形成されている。隣接する光遮蔽膜パタ
ーン２の間（光透過部）に、ＳｉＯ2 等の透明材からな
る位相シフター３１が、１つ置きに配置されている。位
相シフター３１は、透過した光の位相を１８０°だけシ
フトさせる機能を有している。Referring to FIG. 7, a light shielding film pattern 2 is formed on a quartz substrate 1. Between the adjacent light-shielding film patterns 2 (light-transmitting portions), every other phase shifter 31 made of a transparent material such as SiO 2 is arranged. The phase shifter 31 has a function of shifting the phase of transmitted light by 180 °.
【０００８】図７に示す、位相シフターを有する光転写
用マスクによれば、マスクを透過した光の電場の強度分
布は、交互に位相が反転されるため、図示したような反
転パルス状となる。したがって、ウエハへの光強度は、
パターン像が隣接して重なり合う部分で、光強度が相殺
されるため、図示したように分離されたパターン波型が
得られる。According to the optical transfer mask having a phase shifter shown in FIG. 7, the intensity distribution of the electric field of the light transmitted through the mask is inverted in phase alternately, and thus has an inverted pulse shape as shown in the figure. . Therefore, the light intensity on the wafer is
Since the light intensities are canceled at the portions where the pattern images are adjacent to each other and overlap with each other, the separated pattern corrugations are obtained as illustrated.
【０００９】この従来例によれば、解像力が図６に示す
従来例よりも高くなり、実験的には、最小解像パターン
幅を約半分にすることができる。According to this conventional example, the resolution is higher than that of the conventional example shown in FIG. 6, and the minimum resolution pattern width can be halved experimentally.
【００１０】図８は、従来の位相シフター付の光転写用
マスク（以下、位相シフトマスクという）の断面図であ
る。石英基板１の上に光遮蔽膜パターン２が形成されて
いる。石英基板１の上には、光遮蔽膜パターン２の間を
通り、石英基板１を通過する光の位相を１８０°ずらせ
るための位相シフター３１が設けられている。光遮蔽膜
パターン２は、たとえば、ＣｒまたはＭｏＳｉx 等で形
成される。位相シフター３１は、シリコン酸化膜、たと
えばスピンオングラス膜で形成される。FIG. 8 is a sectional view of a conventional optical transfer mask with a phase shifter (hereinafter referred to as a phase shift mask). The light shielding film pattern 2 is formed on the quartz substrate 1. On the quartz substrate 1, there is provided a phase shifter 31 for shifting the phase of light passing through the light shielding film patterns 2 and passing through the quartz substrate 1 by 180 °. The light shielding film pattern 2 is formed of, for example, Cr or MoSi x . The phase shifter 31 is formed of a silicon oxide film, for example, a spin-on-glass film.
【００１１】図９は、図８に示す位相シフトマスクを製
造する方法の順序の各工程における基板の断面図であ
る。FIG. 9 is a sectional view of the substrate in each step of the sequence of the method for manufacturing the phase shift mask shown in FIG.
【００１２】図９（ａ）を参照して、石英基板１の上
に、光遮蔽膜パターン２を形成する。図９（ｂ）を参照
して、光遮蔽膜パターン２を覆うように、石英基板１の
上に、スピンオングラス膜３を全面に塗布する。スピン
オングラス膜３の上に、形成すべき位相シフターに相当
する形状の、レジストパターン４を形成する。Referring to FIG. 9A, the light shielding film pattern 2 is formed on the quartz substrate 1. With reference to FIG. 9B, the spin-on-glass film 3 is applied on the entire surface of the quartz substrate 1 so as to cover the light shielding film pattern 2. A resist pattern 4 having a shape corresponding to the phase shifter to be formed is formed on the spin-on-glass film 3.
【００１３】図９（ｂ）と（ｃ）を参照して、レジスト
パターン４をマスクにして、スピンオングラス膜３を、
その膜厚分だけ、異方性エッチングする。Referring to FIGS. 9B and 9C, the spin-on-glass film 3 is formed by using the resist pattern 4 as a mask.
Anisotropic etching is performed by the film thickness.
【００１４】図９（ｃ）と（ｄ）を参照して、レジスト
パターン４を除去すると、位相シフター３１を有する位
相シフトマスクが完成する。Referring to FIGS. 9C and 9D, when the resist pattern 4 is removed, the phase shift mask having the phase shifter 31 is completed.
【００１５】なお、上記従来例において、位相シフター
となるスピンオングラス膜３の膜厚は、使用する光の位
相が１８０°だけずれるような、膜厚に設定される。In the above-mentioned conventional example, the film thickness of the spin-on-glass film 3 serving as the phase shifter is set so that the phase of the light used is shifted by 180 °.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】位相シフトマスクの従
来の製造方法は、以上のように構成されていたので、次
のような問題点があった。Since the conventional method of manufacturing a phase shift mask is constructed as described above, it has the following problems.
【００１７】図９（ｃ）を参照して、スピンオングラス
膜３の異方性エッチングの際、下地の石英基板１がエッ
チングストッパとして働かないため、石英基板１の主表
面が削られるという問題点があった。Referring to FIG. 9C, when anisotropically etching the spin-on-glass film 3, the underlying quartz substrate 1 does not act as an etching stopper, so that the main surface of the quartz substrate 1 is scraped. was there.
【００１８】また、スピンオングラス膜３の膜厚の、堆
積時における面内不均一性および、エッチング時の面内
不均一性が存在するため、完成した位相シフター３１に
よる光の位相のずれが１８０°とならず、位相シフター
３１の無い領域との位相差に不均一性が大きく生じ、位
相シフターとしての効果が小さくなるという問題点があ
った。Further, since the spin-on-glass film 3 has in-plane non-uniformity during deposition and in-plane non-uniformity during etching, the phase shift of the light by the completed phase shifter 31 is 180. However, there is a problem that the phase difference with the region where the phase shifter 31 is not present is largely non-uniform and the effect as the phase shifter is reduced.
【００１９】また、光遮蔽膜パターン２と位相シフター
３１が、石英基板１の同一面に存在するため、スピンオ
ングラス膜３を異方性エッチングにより形成したとき、
光遮蔽膜パターン２の側壁部に、スピンオングラス膜が
サイドウォール３ａとして残り、実際の光転写の際に、
光の波の乱れが生じるという問題点もあった。Since the light shielding film pattern 2 and the phase shifter 31 are present on the same surface of the quartz substrate 1, when the spin-on-glass film 3 is formed by anisotropic etching,
The spin-on-glass film remains on the side wall of the light shielding film pattern 2 as the side wall 3a, and during the actual light transfer,
There was also a problem that the wave of light was disturbed.
【００２０】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、高精度の位相シフターを有す
る光転写用マスクおよびその製造方法を提供することを
目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide an optical transfer mask having a highly accurate phase shifter and a method for manufacturing the same.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従う光転写用マスクは、主表面を有する透明基板を備え
る。上記透明基板の上に光遮蔽膜パターンが設けられて
いる。上記透明基板の主表面中に、上記光遮蔽膜パター
ンの間を通り、上記透明基板を通過する光の位相を１８
０°ずらせるための不純物イオン注入領域が設けられて
いる。A mask for optical transfer according to a first aspect of the present invention includes a transparent substrate having a main surface. A light shielding film pattern is provided on the transparent substrate. The phase of light passing between the light shielding film patterns and passing through the transparent substrate in the main surface of the transparent substrate is 18
An impurity ion implantation region is provided for shifting by 0 °.
【００２２】この発明の第２の局面に従う光転写用マス
クは、一方の面と他方の面を有する透明基板を備える。
上記透明基板の一方の面上に、光遮蔽膜パターンが設け
られている。上記透明基板の他方の面上に、上記光遮蔽
膜パターンの間を通り、上記透明基板を通過してくる光
の位相を１８０°ずらせるためのシリコン酸化膜のパタ
ーンが設けられている。A light transfer mask according to a second aspect of the present invention includes a transparent substrate having one surface and the other surface.
A light shielding film pattern is provided on one surface of the transparent substrate. A pattern of a silicon oxide film is provided on the other surface of the transparent substrate to shift the phase of light passing through the light shielding film patterns and passing through the transparent substrate by 180 °.
【００２３】この発明の第３の局面に従う光転写用マス
クは、透明基板を備える。上記透明基板の上に光遮蔽膜
パターンが設けられている。上記光遮蔽膜パターンを覆
うように上記透明基板の上に、上記光遮蔽膜パターンを
エッチャントから保護するための、光透過性材料で形成
されたエッチングストッパ用膜が設けられている。上記
エッチングストッパ用膜の上に、上記光遮蔽膜パターン
の間を通過する光の位相を１８０°ずらせるための位相
シフターパターンが設けられている。The optical transfer mask according to the third aspect of the present invention includes a transparent substrate. A light shielding film pattern is provided on the transparent substrate. An etching stopper film made of a light transmissive material is provided on the transparent substrate so as to cover the light shielding film pattern and protects the light shielding film pattern from an etchant. A phase shifter pattern for shifting the phase of light passing between the light shielding film patterns by 180 ° is provided on the etching stopper film.
【００２４】この発明の第４の局面に従う光転写用マス
クの製造方法においては、まず、透明基板の上に光遮蔽
膜パターンを形成する。上記透明基板の主表面中であっ
て、上記光遮蔽膜パターンの間を通過する光の位相を１
８０°ずらせようとする部分に、不純物イオン注入領域
を形成する。In the method for manufacturing a light transfer mask according to the fourth aspect of the present invention, first, a light shielding film pattern is formed on a transparent substrate. The phase of light passing between the light shielding film patterns in the main surface of the transparent substrate is set to 1
Impurity ion-implanted regions are formed in the portions to be shifted by 80 °.
【００２５】上記不純物イオン注入領域は、レジストを
マスクとして不純物イオンを注入することによって形成
してもよく、または、描画イオン注入法によって形成さ
れてもよい。The impurity ion implantation region may be formed by implanting impurity ions using a resist as a mask, or may be formed by a drawing ion implantation method.
【００２６】この発明の第５の局面に従う光転写用マス
クの製造方法においては、まず一方の面と他方の面を有
する透明基板を準備する。上記透明基板の一方の面上に
光遮蔽膜パターンを形成する。上記透明基板の他方の面
上であって、上記光遮蔽膜パターンの間を通過してくる
光の位相を１８０°ずらせようとする部分にシリコン酸
化膜のパターンを形成する。In the method of manufacturing a light transfer mask according to the fifth aspect of the present invention, first, a transparent substrate having one surface and the other surface is prepared. A light shielding film pattern is formed on one surface of the transparent substrate. A pattern of a silicon oxide film is formed on a portion of the other surface of the transparent substrate where the phase of light passing between the light shielding film patterns is to be shifted by 180 °.
【００２７】この発明の第６の局面に従う光転写用マス
クの製造方法においては、まず透明基板の上に光遮蔽膜
パターンを形成する。上記光遮蔽膜パターンを覆うよう
に上記透明基板の上にポリシリコン膜を形成する。位相
シフターを形成すべき部分に開口部ができるように、上
記ポリシリコン膜をパターニングする。上記開口部を埋
めるように上記透明基板の上に、スピンオングラス膜を
塗布する。上記ポリシリコン膜の上表面を完全に露出さ
せるように上記スピンオングラス膜をエッチバックし、
それによって上記開口部内にのみ上記スピンオングラス
膜を残す。上記開口部内に残った上記スピンオングラス
膜を残しながら、上記ポリシリコン膜を除去する。In the method of manufacturing a light transfer mask according to the sixth aspect of the present invention, first, a light shielding film pattern is formed on a transparent substrate. A polysilicon film is formed on the transparent substrate so as to cover the light shielding film pattern. The polysilicon film is patterned so that an opening is formed in the portion where the phase shifter is to be formed. A spin-on-glass film is applied on the transparent substrate so as to fill the opening. Etch back the spin-on-glass film to completely expose the upper surface of the polysilicon film,
This leaves the spin-on-glass film only in the opening. The polysilicon film is removed while leaving the spin-on-glass film remaining in the opening.
【００２８】この発明の第７の局面に従う光転写用マス
クの製造方法においては、まず透明基板の上に光遮蔽膜
パターンを形成する。上記光遮蔽膜パターンを覆うよう
に上記透明基板の上に、上記光遮蔽膜パターンをエッチ
ャントから保護するための、光透過性材料で形成された
エッチングストッパ用膜を形成する。上記エッチングス
トッパ用膜の上にポリシリコン膜を形成する。位相シフ
ターを形成すべき部分に開口部ができるように上記ポリ
シリコン膜をパターニングする。上記開口部を埋めるよ
うに上記ポリシリコン膜の上にスピンオングラス膜を塗
布する。上記ポリシリコン膜の上表面を完全に露出させ
るように上記スピンオングラス膜をエッチバックし、そ
れによって、上記開口部内にのみ上記スピンオングラス
膜を残す。上記開口部内に残った上記スピンオングラス
膜を残しながら、上記ポリシリコン膜をエッチング除去
する。In the method of manufacturing a light transfer mask according to the seventh aspect of the present invention, first, a light shielding film pattern is formed on a transparent substrate. An etching stopper film made of a light transmissive material is formed on the transparent substrate so as to cover the light shielding film pattern and protect the light shielding film pattern from an etchant. A polysilicon film is formed on the etching stopper film. The polysilicon film is patterned so that an opening is formed in the portion where the phase shifter is to be formed. A spin-on-glass film is applied on the polysilicon film so as to fill the opening. The spin-on-glass film is etched back so that the upper surface of the polysilicon film is completely exposed, thereby leaving the spin-on-glass film only in the opening. The polysilicon film is removed by etching while leaving the spin-on-glass film remaining in the opening.
【００２９】[0029]
【作用】この発明の第１の局面に従う光転写用マスクに
よれば、位相シフターを不純物イオン注入領域によって
形成するので、イオン種、注入エネルギー、注入量を設
定することによって、光の位相がずれる量を高精度に制
御できる。According to the optical transfer mask of the first aspect of the present invention, since the phase shifter is formed by the impurity ion implantation region, the phase of light is shifted by setting the ion species, implantation energy and implantation amount. The amount can be controlled with high precision.
【００３０】この発明の第２の局面に従う光転写用マス
クによれば、光遮蔽膜パターンを形成する面と、位相シ
フターパターンであるシリコン酸化膜パターンを形成す
る面とが異なるので、位相シフターパターンの形成時
に、光遮蔽膜パターンとの選択加工をする必要がなくな
り、プロセスの自由度が大きくなる。In the optical transfer mask according to the second aspect of the present invention, the surface on which the light-shielding film pattern is formed is different from the surface on which the silicon oxide film pattern, which is the phase shifter pattern, is formed. Therefore, the phase shifter pattern is formed. It is not necessary to perform selective processing with the light shielding film pattern at the time of forming, and the degree of freedom of the process is increased.
【００３１】この発明の第３の局面に従う光転写用マス
クによれば、光遮蔽膜パターンをエッチングストッパ用
膜で覆っているので、位相シフターパターンの加工の自
由度が大きくなる。In the optical transfer mask according to the third aspect of the present invention, since the light shielding film pattern is covered with the etching stopper film, the degree of freedom in processing the phase shifter pattern is increased.
【００３２】この発明の第４の局面に従う光転写用マス
クの製造方法によれば、位相シフターを不純物イオン注
入領域で形成するので、従来のように、位相シフター材
料を加工する工程がなくなる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the fourth aspect of the present invention, since the phase shifter is formed in the impurity ion implantation region, there is no need to process the phase shifter material as in the conventional case.
【００３３】この発明の第５の局面に従う光転写用マス
クの製造方法によれば、光遮蔽膜を形成する面と、位相
シフターパターンを形成する面が異なるので、位相シフ
ターパターンの形成時に、光遮蔽膜パターンとの選択加
工をする必要がなくなり、プロセスの自由度が大きくな
る。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the fifth aspect of the present invention, since the surface on which the light shielding film is formed and the surface on which the phase shifter pattern is formed are different from each other, it is possible to reduce the amount of light when forming the phase shifter pattern. There is no need to perform selective processing with the shielding film pattern, and the degree of freedom in the process is increased.
【００３４】この発明の第６の局面に従う光転写用マス
クの製造方法によれば、開口部内に残ったスピンオング
ラス膜を残しながらポリシリコン膜を除去し、位相シフ
ターを形成する。ポリシリコン膜と透明基板との選択加
工は可能であるため、十分なオーバーエッチングを行な
うことができる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the sixth aspect of the present invention, the polysilicon film is removed while leaving the spin-on-glass film remaining in the opening to form the phase shifter. Since the polysilicon film and the transparent substrate can be selectively processed, sufficient over-etching can be performed.
【００３５】この発明の第７の局面に従う光転写用マス
クの製造方法によれば、光遮蔽膜パターンをエッチング
ストッパ用膜で覆っているので、ポリシリコンの異方エ
ッチングのときに、光遮蔽膜パターンとの選択加工をす
る必要がなくなり、ポリシリコン膜の加工プロセスの自
由度が大きくなる。According to the method of manufacturing the light transfer mask in accordance with the seventh aspect of the present invention, since the light shielding film pattern is covered with the etching stopper film, the light shielding film is anisotropically etched when polysilicon is anisotropically etched. It is not necessary to selectively process the pattern, and the degree of freedom in the process of processing the polysilicon film is increased.
【００３６】[0036]
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００３７】実施例１ 図１は、この発明の一実施例に係る光転写用マスクの製
造方法の順序の各工程における基板の断面図である。 Embodiment 1 FIG. 1 is a sectional view of a substrate in each step of the order of the method for manufacturing a mask for optical transfer according to one embodiment of the present invention.
【００３８】図１（ａ）を参照して、石英基板１の表面
１ａの上に光遮蔽膜パターン２を形成する。光遮蔽膜パ
ターン２は、周知の写真製版・加工技術を用いて形成さ
れる。Referring to FIG. 1A, the light shielding film pattern 2 is formed on the surface 1a of the quartz substrate 1. The light shielding film pattern 2 is formed by using a well-known photoengraving / processing technique.
【００３９】図１（ｂ）を参照して、光遮蔽膜パターン
２を覆うように石英基板１の表面上にレジスト４を塗布
する。位相シフターとなるべき不純物イオン注入領域を
形成する部分に相当する部分に開口部ができるように、
レジスト４を選択的にエッチングし、レジストパターン
４を形成する。レジストのパターニングは、周知の写真
製版技術を用いて行なわれる。Referring to FIG. 1B, a resist 4 is applied on the surface of the quartz substrate 1 so as to cover the light shielding film pattern 2. To make an opening in a portion corresponding to a portion forming an impurity ion implantation region to be a phase shifter,
The resist 4 is selectively etched to form a resist pattern 4. The patterning of the resist is performed using a well-known photolithography technique.
【００４０】図１（ｃ）を参照して、レジストパターン
４をマスクにして、石英基板１の表面に、所望の不純物
イオン５を、所望の量で、かつ所望のエネルギーで注入
し、これによって、位相シフターとなるべき不純物イオ
ン注入領域３００を形成する。不純物イオンのイオン
種、注入エネルギー、注入量は、光転写の際の光の位相
が１８０°だけずれるように設定される。Referring to FIG. 1 (c), the resist pattern 4 is used as a mask to implant desired impurity ions 5 into the surface of the quartz substrate 1 in a desired amount and at a desired energy. , An impurity ion-implanted region 300 to be a phase shifter is formed. The ion species of the impurity ions, the implantation energy, and the implantation amount are set so that the phase of light at the time of optical transfer is shifted by 180 °.
【００４１】図１（ｃ）と（ｄ）を参照して、レジスト
パターン４をＯ2 プラズマ等で除去し、光転写用マスク
を得る。Referring to FIGS. 1C and 1D, the resist pattern 4 is removed by O 2 plasma or the like to obtain an optical transfer mask.
【００４２】なお、上記実施例では、不純物イオン注入
領域３００を石英基板１の表面１ａ中に形成する場合を
例示したが、この発明はこれに限られるものでなく、石
英基板１の裏面１ｂ中の相当する部分に形成しても、実
施例と同様の効果を実現する。In the above embodiment, the case where the impurity ion-implanted region 300 is formed in the front surface 1a of the quartz substrate 1 is illustrated, but the present invention is not limited to this, and in the back surface 1b of the quartz substrate 1. Even if it is formed in a portion corresponding to, the same effect as that of the embodiment is realized.
【００４３】実施例２ 図２は、この発明の他の実施例に係る光転写用マスクの
製造方法の順序の各工程における基板の断面図である。 Embodiment 2 FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate in each step of the order of the method for manufacturing an optical transfer mask according to another embodiment of the present invention.
【００４４】図１に示す実施例では、レジストパターン
を用いて不純物イオンを注入する場合を例示したが、こ
の実施例では、描画イオン注入法によって、不純物注入
領域を形成する場合である。In the embodiment shown in FIG. 1, the case where the impurity ions are implanted using the resist pattern is illustrated, but in this embodiment, the impurity implantation region is formed by the drawing ion implantation method.
【００４５】図２（ａ）を参照して、石英基板１の表面
上に光遮蔽膜パターン２を形成する。Referring to FIG. 2A, the light shielding film pattern 2 is formed on the surface of the quartz substrate 1.
【００４６】図２（ｂ）を参照して所望のＦＩＢ（Ｆｏ
ｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍ）６を所望の量およびエ
ネルギーで、光遮蔽膜パターン２の間を通過する光の位
相を１８０°ずらせようとする部分に、描画イオン注入
し、不純物イオン注入領域３００を形成する。不純物イ
オン注入領域３００は、イオン種、注入エネルギー、注
入量を設定することにより、光転写の際の光の位相が１
８０°だけずれるように設定される。Referring to FIG. 2B, the desired FIB (Fo
The doped ion beam 6 is implanted into the portion where the phase of the light passing between the light shielding film patterns 2 is to be shifted by 180 ° with a desired amount and energy, and the impurity ion implantation region 300 is formed. In the impurity ion implantation region 300, the phase of light at the time of optical transfer is set to 1 by setting the ion species, the implantation energy, and the implantation amount.
It is set to be shifted by 80 °.
【００４７】実施例３ 図３は、この発明のさらに他の実施例に係る光転写用マ
スクの断面図である。石英基板１の裏面１ｂに、所望の
形状の光遮蔽膜パターン２が設けられている。光遮蔽膜
パターン２は、周知の写真製版・加工技術により形成さ
れる。石英基板１の表面１ａの上に、光遮蔽膜パターン
２の間を通り、石英基板１を通過する光の位相を１８０
°ずらせるための位相シフター３が設けられている。位
相シフター３は、周知の写真製版・加工技術により形成
される。位相シフター３は、シリコン酸化膜、たとえば
スピンオングラス膜で形成される。この実施例による
と、位相シフター３を形成する面１ａと光遮蔽膜パター
ン２を形成する面１ｂが異なるので、位相シフター３を
写真製版・加工技術によって形成するときに、光遮蔽膜
２の側壁にサイドウォールは形成されない。 Embodiment 3 FIG. 3 is a sectional view of an optical transfer mask according to still another embodiment of the present invention. A light shielding film pattern 2 having a desired shape is provided on the back surface 1b of the quartz substrate 1. The light shielding film pattern 2 is formed by a well-known photoengraving / processing technique. The phase of light passing between the light shielding film patterns 2 and passing through the quartz substrate 1 on the surface 1a of the quartz substrate 1 is set to 180
A phase shifter 3 for shifting the angle is provided. The phase shifter 3 is formed by a well-known photoengraving / processing technique. The phase shifter 3 is formed of a silicon oxide film, for example, a spin-on-glass film. According to this embodiment, the surface 1a on which the phase shifter 3 is formed is different from the surface 1b on which the light shielding film pattern 2 is formed. Therefore, when the phase shifter 3 is formed by photoengraving / processing technology, the side wall of the light shielding film 2 is formed. No side wall is formed.
【００４８】実施例４ 図４は、この発明のさらに他の実施例に係る光転写マス
クの製造方法の順序の各工程における基板の断面図であ
る。 Embodiment 4 FIG. 4 is a sectional view of a substrate in each step of the order of the method of manufacturing an optical transfer mask according to still another embodiment of the present invention.
【００４９】図４（ａ）を参照して、石英基板１の上に
光遮蔽膜パターン２を、周知の写真製版・加工技術を用
いて形成する。Referring to FIG. 4A, the light-shielding film pattern 2 is formed on the quartz substrate 1 by using a well-known photoengraving / processing technique.
【００５０】図４（ｂ）を参照して、光遮蔽膜パターン
２を覆うように、石英基板１の上にポリシリコン膜７を
形成する。位相シフターを形成する部分に開口部７ａが
できるように、ポリシリコン膜７をパターニングする。
このとき、光遮蔽膜パターン２の側壁部にポリシリコン
膜７のサイドウォール残渣が残らないように、ポリシリ
コン膜７を十分にオーバーエッチングする。Referring to FIG. 4B, a polysilicon film 7 is formed on the quartz substrate 1 so as to cover the light shielding film pattern 2. The polysilicon film 7 is patterned so that the opening 7a is formed in the portion where the phase shifter is formed.
At this time, the polysilicon film 7 is sufficiently over-etched so that the sidewall residue of the polysilicon film 7 does not remain on the sidewall portion of the light shielding film pattern 2.
【００５１】図４（ｃ）を参照して、開口部７ａを埋め
るように、石英基板１の上にスピンオングラス膜３を塗
布する。スピンオングラス膜３は、その表面が十分に平
坦化されるように、塗布される。Referring to FIG. 4C, spin-on-glass film 3 is applied on quartz substrate 1 so as to fill opening 7a. The spin-on-glass film 3 is applied so that its surface is sufficiently flattened.
【００５２】図４（ｃ）と（ｄ）を参照して、ポリシリ
コン膜７の上表面を完全に露出させるようにスピンオン
グラス膜３をエッチバックし、それによって、開口部７
ａ内にのみスピンオングラス膜３を残す。エッチバック
は、開口部７ａ内に残ったスピンオングラス膜の膜厚が
所望の値になるように行なわれる。Referring to FIGS. 4C and 4D, the spin-on-glass film 3 is etched back so that the upper surface of the polysilicon film 7 is completely exposed, whereby the openings 7 are formed.
The spin-on-glass film 3 is left only in a. The etch back is performed so that the film thickness of the spin-on-glass film remaining in the opening 7a has a desired value.
【００５３】図４（ｄ）と（ｅ）を参照して、ポリシリ
コン膜７をドライエッチングにより選択的に除去する。
これによって、位相シフター３１を有する光転写用マス
クが得られる。Referring to FIGS. 4D and 4E, the polysilicon film 7 is selectively removed by dry etching.
As a result, an optical transfer mask having the phase shifter 31 is obtained.
【００５４】実施例５ 図５は、この発明のさらに他の実施例に係る光転写用マ
スクの製造方法の順序の各工程における基板の断面図で
ある。 Embodiment 5 FIG. 5 is a sectional view of a substrate in each step of the order of the method for manufacturing a light transfer mask according to still another embodiment of the present invention.
【００５５】図５（ａ）を参照して、石英基板１の上に
光遮蔽膜パターン２を周知の写真製版・加工技術を用い
て形成する。Referring to FIG. 5A, the light-shielding film pattern 2 is formed on the quartz substrate 1 by a known photolithography / processing technique.
【００５６】図５（ｂ）を参照して、光遮蔽膜パターン
２を覆うように、石英基板１の上に、シリコン酸化膜あ
るいはシリコン窒化膜等のエッチングストッパ用膜８を
全面に堆積する。Referring to FIG. 5B, an etching stopper film 8 such as a silicon oxide film or a silicon nitride film is deposited on the entire surface of the quartz substrate 1 so as to cover the light shielding film pattern 2.
【００５７】図５（ｃ）を参照して、石英基板１の上に
ポリシリコン膜７を堆積する。位相シフターを形成すべ
き部分に開口部７ａができるようにポリシリコン膜７を
パターニングする。このとき、光遮蔽膜パターン２の側
壁部にポリシリコン膜のサイドウォール残渣が残らない
ように十分にオーバーエッチングする。実施例の場合、
光遮蔽膜パターン２をエッチングストッパ用膜８で覆っ
ているので、ポリシリコン膜７のオーバーエッチングを
行なっても、光遮蔽膜パターン２はエッチングされな
い。Referring to FIG. 5C, a polysilicon film 7 is deposited on the quartz substrate 1. The polysilicon film 7 is patterned so that the opening 7a is formed in the portion where the phase shifter is to be formed. At this time, the sidewall of the light shielding film pattern 2 is sufficiently over-etched so that the sidewall residue of the polysilicon film does not remain. In the case of the embodiment,
Since the light shielding film pattern 2 is covered with the etching stopper film 8, the light shielding film pattern 2 is not etched even if the polysilicon film 7 is over-etched.
【００５８】図５（ｄ）を参照して、開口部７ａを埋め
るように、石英基板１の上にスピンオングラス膜３を塗
布する。スピンオングラス膜３の表面が十分に平坦化さ
れるように、スピンオングラス膜３は塗布される。Referring to FIG. 5D, spin-on-glass film 3 is applied on quartz substrate 1 so as to fill opening 7a. The spin-on-glass film 3 is applied so that the surface of the spin-on-glass film 3 is sufficiently flattened.
【００５９】図５（ｅ）を参照して、ポリシリコン膜７
の上表面を完全に露出させるようにスピンオングラス膜
３をエッチバックし、それによって、開口部７ａ内にの
みスピンオングラス膜３を残す。上記エッチバックは、
開口部内に残ったスピンオングラス膜３の膜厚が所望の
値になるように行なわれる。Referring to FIG. 5E, the polysilicon film 7
The spin-on-glass film 3 is etched back so that the upper surface of the spin-on-glass film 3 is completely exposed, thereby leaving the spin-on-glass film 3 only in the opening 7a. The etch back is
It is performed so that the thickness of the spin-on-glass film 3 remaining in the opening becomes a desired value.
【００６０】図５（ｅ）と（ｆ）を参照して、ポリシリ
コン膜７をドライエッチングにより選択的に除去する。
これによって、位相シフター３１を有する光転写用マス
クが得られる。Referring to FIGS. 5E and 5F, the polysilicon film 7 is selectively removed by dry etching.
As a result, an optical transfer mask having the phase shifter 31 is obtained.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の第１の局
面に従う光転写用マスクによれば、位相シフターを不純
物イオン注入領域によって形成するので、イオン種、注
入エネルギー、注入量を設定することによって、光の位
相のずれ量を高精度に制御できる。その結果、高精度の
位相シフターを有する位相シフトマスクが得られる。As described above, in the optical transfer mask according to the first aspect of the present invention, since the phase shifter is formed by the impurity ion implantation region, the ion species, implantation energy and implantation amount can be set. This makes it possible to control the phase shift amount of light with high accuracy. As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６２】本発明の第２の局面に従う光転写用マスク
によれば、光遮蔽膜パターンを形成する面と位相シフタ
ーパターンを形成する面とが異なるので、位相シフター
パターンの形成時に、光遮蔽膜パターンとの選択加工を
する必要がなくなり、プロセスの自由度が大きくなる。
ひいては、高精度の位相シフターを有する位相シフトマ
スクが得られる。In the light transfer mask according to the second aspect of the present invention, the surface on which the light-shielding film pattern is formed is different from the surface on which the phase shifter pattern is formed. Therefore, when forming the phase shifter pattern, the light-shielding film is formed. There is no need to perform selective processing with the pattern, and the degree of freedom in the process increases.
As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６３】本発明の第３の局面に従う光転写用マスク
によれば、光遮蔽膜パターンをエッチングストッパ用膜
で覆っているので、位相シフターパターンの加工の自由
度が大きくなる。その結果、高精度の位相シフターを有
する位相シフトマスクが得られる。In the light transfer mask according to the third aspect of the present invention, since the light shielding film pattern is covered with the etching stopper film, the degree of freedom in processing the phase shifter pattern is increased. As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６４】本発明の第４の局面に従う光転写用マスク
の製造方法によれば、位相シフターを不純物イオン注入
領域で形成するので、従来のように位相シフター材料を
加工する工程がなくなる。その結果、高精度の位相シフ
ターを有する位相シフトマスクが得られる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the fourth aspect of the present invention, since the phase shifter is formed in the impurity ion-implanted region, there is no need to process the phase shifter material as in the conventional case. As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６５】本発明の第５の局面に従う光転写用マスク
の製造方法によれば、光遮蔽膜を形成する面と、位相シ
フトパターンを形成する面が異なるので、位相シフター
パターンの形成時に、光遮蔽膜パターンとの選択加工を
する必要がなくなり、プロセスの自由度が大きくなる。
その結果、高精度の位相シフターを有する位相シフトマ
スクが得られる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the fifth aspect of the present invention, since the surface on which the light shielding film is formed and the surface on which the phase shift pattern is formed are different from each other, it is possible to reduce the amount of light when forming the phase shifter pattern. There is no need to perform selective processing with the shielding film pattern, and the degree of freedom in the process is increased.
As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６６】本発明の第６の局面に従う光転写用マスク
の製造方法によれば、開口部内に残ったスピンオングラ
ス膜を残しながらポリシリコン膜を除去し、位相シフタ
ーを形成する。ポリシリコン基板と透明基板との選択加
工は可能であるため、十分なオーバーエッチングを行な
うことができる。その結果、高精度の位相シフターを有
する位相シフトマスクが得られる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the sixth aspect of the present invention, the polysilicon film is removed while leaving the spin-on-glass film remaining in the opening to form the phase shifter. Since the polysilicon substrate and the transparent substrate can be selectively processed, sufficient over-etching can be performed. As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【００６７】本発明の第７の局面に従う光転写用マスク
の製造方法によれば、光遮蔽膜パターンをエッチングス
トッパ用膜で覆っているので、ポリシリコン膜の異方性
エッチングのときに、光遮蔽膜パターンとの選択加工を
する必要がなくなり、ポリシリコン膜の加工プロセスの
自由度が大きくなる。その結果、高精度の位相シフター
を有する位相シフトマスクが得られる。According to the method of manufacturing the optical transfer mask according to the seventh aspect of the present invention, since the light shielding film pattern is covered with the etching stopper film, it is possible to perform light etching during anisotropic etching of the polysilicon film. It is not necessary to perform selective processing with the shielding film pattern, and the degree of freedom in the processing process of the polysilicon film is increased. As a result, a phase shift mask having a highly accurate phase shifter can be obtained.
【図１】本発明の一実施例に係る光転写用マスクの製造
方法の順序の各工程における基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate in each step of the order of the method for manufacturing a light transfer mask according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例に係る光転写用マスクの製
造方法の順序の各工程における基板の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate in each step of the order of the method for manufacturing the optical transfer mask according to another embodiment of the present invention.
【図３】本発明のさらに他の実施例に係る光転写用マス
クの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an optical transfer mask according to still another embodiment of the present invention.
【図４】本発明のさらに他の実施例に係る光転写用マス
クの製造方法の順序の各工程における基板の断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate in each step of the order of the method for manufacturing the optical transfer mask according to still another embodiment of the present invention.
【図５】本発明のさらに他の実施例に係る光転写用マス
クの製造方法の順序の各工程における基板の断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate in each step of the order of the method for manufacturing the optical transfer mask according to still another embodiment of the present invention.
【図６】縮小光学式の光ストッパを用いた従来の光リソ
グラフィー技術による露光法を示す原理図である。FIG. 6 is a principle diagram showing an exposure method by a conventional optical lithography technique using a reduction optical stopper.
【図７】従来の位相シフトマスクの原理を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing the principle of a conventional phase shift mask.
【図８】従来の位相シフターを有する光転写用マスクの
断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a conventional optical transfer mask having a phase shifter.
【図９】従来の位相シフターを有する光転写用マスクの
製造方法の順序の各工程における基板の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the substrate in each step of the order of the method for manufacturing the optical transfer mask having the conventional phase shifter.
１ 石英基板 ２ 光遮蔽膜パターン ３ 不純物イオン注入領域 1 quartz substrate 2 light shielding film pattern 3 impurity ion implantation region
Claims (7)
ーンの間を通り、前記透明基板を通過する光の位相を１
８０°ずらせるための不純物イオン注入領域と、を備え
た光転写用マスク。1. A transparent substrate having a main surface, a light-shielding film pattern provided on the transparent substrate, a light-shielding film pattern provided on the main surface of the transparent substrate, passing through the light-shielding film pattern, Phase of light passing through transparent substrate is 1
An optical transfer mask provided with an impurity ion implantation region for shifting by 80 °.
と、 前記透明基板の一方の面上に設けられた光遮蔽膜パター
ンと、 前記透明基板の他方の面上に設けられ、前記光遮蔽膜パ
ターンの間を通り、前記透明基板を通過してくる光の位
相を１８０°ずらせるためのシリコン酸化膜のパターン
と、を備えた光転写用マスク。2. A transparent substrate having one surface and the other surface, a light shielding film pattern provided on one surface of the transparent substrate, and a light shielding film pattern provided on the other surface of the transparent substrate. A mask for optical transfer, comprising: a pattern of a silicon oxide film for shifting the phase of light passing through the transparent substrate and passing through the shielding film patterns by 180 °.
設けられ、前記光遮蔽膜パターンをエッチャントから保
護するための、光透過性材料で形成されたエッチングス
トッパ用膜と、 前記エッチングストッパ用膜の上に設けられ、前記光遮
蔽膜パターンの間を通過する光の位相を１８０°ずらせ
るための位相シフターパターンと、を備えた光転写用マ
スク。3. A transparent substrate, a light-shielding film pattern provided on the transparent substrate, and a light-shielding film pattern provided on the transparent substrate so as to cover the light-shielding film pattern. An etching stopper film formed of a light-transmissive material for protection, and provided on the etching stopper film for shifting the phase of light passing between the light shielding film patterns by 180 ° An optical transfer mask having a phase shifter pattern.
する工程と、 前記透明基板の主表面中であって、前記光遮蔽膜パター
ンの間を通過する光の位相を１８０°ずらせようとする
部分に、不純物イオン注入領域を形成する工程と、を備
えた、光転写用マスクの製造方法。4. A step of forming a light shielding film pattern on a transparent substrate, and an attempt to shift the phase of light passing between the light shielding film patterns in the main surface of the transparent substrate by 180 °. And a step of forming an impurity ion-implanted region in a portion to be formed.
準備する工程と、 前記透明基板の一方の面上に光遮蔽膜パターンを形成す
る工程と、 前記透明基板の他方の面上であって、前記光遮蔽膜パタ
ーンの間を通過してくる光の位相を１８０°ずらせよう
とする部分にシリコン酸化膜のパターンを形成する工程
と、を備えた、光転写用マスクの製造方法。5. A step of preparing a transparent substrate having one surface and the other surface, a step of forming a light shielding film pattern on one surface of the transparent substrate, and a step of forming a light shielding film pattern on the other surface of the transparent substrate. And a step of forming a pattern of a silicon oxide film in a portion where the phase of the light passing between the light shielding film patterns is to be shifted by 180 °.
する工程と、 前記光遮蔽膜パターンを覆うように前記透明基板の上に
ポリシリコン膜を形成する工程と、 位相シフターを形成すべき部分に開口部ができるように
前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、 前記開口部を埋めるように前記透明基板の上にスピンオ
ングラス膜を塗布する工程と、 前記ポリシリコン膜の上表面を完全に露出させるように
前記スピンオングラス膜をエッチバックし、それによっ
て、前記開口部内にのみ前記スピンオングラス膜を残す
工程と、 前記開口部内に残った前記スピンオングラス膜を残しな
がら、前記ポリシリコン膜を除去する工程と、を備え
た、光転写用マスクの製造方法。6. A step of forming a light shielding film pattern on a transparent substrate, a step of forming a polysilicon film on the transparent substrate so as to cover the light shielding film pattern, and forming a phase shifter. Patterning the polysilicon film so that an opening is formed in a portion, applying a spin-on-glass film on the transparent substrate so as to fill the opening, and completely covering the upper surface of the polysilicon film. Etching back the spin-on-glass film to expose it, thereby leaving the spin-on-glass film only in the opening, and removing the polysilicon film while leaving the spin-on-glass film left in the opening. A method of manufacturing a mask for optical transfer, comprising:
する工程と、 前記光遮蔽膜パターンを覆うように前記透明基板の上
に、前記光遮蔽膜パターンをエッチャントから保護する
ための、光透過性材料で形成されたエッチングストッパ
用膜を形成する工程と、 前記エッチングストッパ用膜の上にポリシリコン膜を形
成する工程と、 位相シフターを形成すべき部分に開口部ができるように
前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、 前記開口部を埋めるように前記ポリシリコン膜の上にス
ピンオングラス膜を塗布する工程と、 前記ポリシリコン膜の上表面を完全に露出させるように
前記スピンオングラス膜をエッチバックし、それによっ
て前記開口部内にのみ前記スピンオングラス膜を残す工
程と、 前記開口部内に残った前記スピンオングラス膜を残しな
がら、前記ポリシリコン膜をエッチング除去する工程
と、を備えた、光転写用マスクの製造方法。7. A step of forming a light-shielding film pattern on a transparent substrate, and a method of protecting the light-shielding film pattern from an etchant on the transparent substrate so as to cover the light-shielding film pattern. Forming an etching stopper film made of a transparent material; forming a polysilicon film on the etching stopper film; and forming a polysilicon film so that an opening is formed at a portion where a phase shifter is to be formed. Patterning a silicon film, applying a spin-on-glass film on the polysilicon film so as to fill the opening, and forming the spin-on-glass film so as to completely expose the upper surface of the polysilicon film. Etching back, thereby leaving the spin-on-glass film only in the opening, and the spin-on remaining in the opening. And a step of etching and removing the polysilicon film while leaving the glass film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23175892A JPH0683026A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Phototransfer mask and its production |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23175892A JPH0683026A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Phototransfer mask and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683026A true JPH0683026A (en) | 1994-03-25 |
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| JP23175892A Withdrawn JPH0683026A (en) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Phototransfer mask and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683026A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07152143A (en) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nec Corp | Phase shift mask and its production and correcting method |
| JPH09127678A (en) * | 1995-09-27 | 1997-05-16 | At & T Corp | Manufacture of metal mask in semiconductor integrated circuit device |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23175892A patent/JPH0683026A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07152143A (en) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nec Corp | Phase shift mask and its production and correcting method |
| JPH09127678A (en) * | 1995-09-27 | 1997-05-16 | At & T Corp | Manufacture of metal mask in semiconductor integrated circuit device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |