JPH0683150A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接触帯電方法を利用する画像形成装置におい
て、帯電バイアス電圧及び現像バイアス電圧の両交流成
分の周波数を現像ムラ発生領域外の周波数となるように
設定する。 【構成】 帯電回路２１の正弦波発振回路３２から周波
数Ｆｐの正弦波交流信号を発生させ、これを増幅して第
１の昇圧トランス３０を駆動するとともに、正弦波交流
信号の周波数ＦｐをＦ／Ｖ変換器３３で電圧に変換し、
Ａ／Ｄ変換器３４でディジタル信号に変換してＣＰＵ２
３に入力し、帯電周波数Ｆｐを検出する。帯電周波数Ｆ
ｐの検出結果から、現像ムラ発生領域外の現像バイアス
周波数Ｆｄを設定し、ＣＰＵ２３の出力ポートＰｄから
周波数Ｆｄの矩形波交流信号を発生させ、これを増幅し
て第２の昇圧トランス３５を駆動し、この昇圧トランス
３５の２次側に周波数Ｆｄの矩形波交流電圧に負の直流
電圧を重畳した現像バイアス電圧を発生させ、現像スリ
ーブに印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真方式等の複写
機、プリンタなどの画像形成装置に関し、詳しく言う
と、像担持体に接触する接触帯電装置によりこの像担持
体を帯電する接触帯電方法を利用した画像形成装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば電子写真方式の画像形成装
置においては、像担持体としての感光体ドラムを一様帯
電させる方法としてコロナ帯電方法、接触帯電方法など
が用いられている。接触帯電方法の場合には、一般に、
感光体ドラムに当接する導電ローラ、導電ブラシなどの
帯電部材に外部の電源から直流電圧と交流電圧を重畳し
た電圧を印加することにより、感光体ドラムを一様に帯
電している（例えば、本出願人の特開昭６３−１４９６
６９号公報参照）。

【０００３】この接触帯電方法は、例えば図７に示すよ
うに、図示矢印方向に回転駆動される感光体ドラム２に
ローラ形式の接触帯電装置１を接触従動回転させ、帯電
開始電圧の２倍以上のピーク間電圧Ｖ_PPを有する交流電
圧Ｖａｃと所定の直流電圧Ｖｄｃとを重畳した電圧（Ｖ
ａｃ＋Ｖｄｃ）を帯電装置１に印加し、感光体ドラム２
を均一に帯電するものである。

【０００４】この接触帯電装置１は、本例では、芯金と
なる金属ローラ等の導電体ローラ１ａとこの導電体ロー
ラ１ａの外周面に装着されたローラ状の帯電部材１ｂと
から構成され、導電体ローラ１ａがスプリング５によっ
て感光体ドラム方向にバイアスされることにより、帯電
部材１ｂが感光体ドラム２に圧接従動し、導電体ローラ
１ａに電気接触子４を通じて電源３から上記交流電圧と
直流電圧とを重畳した電圧（Ｖａｃ＋Ｖｄｃ）を印加す
ることにより、感光体ドラム１を均一に帯電するもので
ある。

【０００５】一方、潜像が形成された感光体ドラム２を
現像する現像方法としては、現像剤担持体としての現像
スリーブに現像剤を均一な薄層状に塗布して感光体ドラ
ム上の潜像面に近接させ、直流電圧と交流電圧を重畳し
た現像バイアス電圧を現像スリーブに印加して現像剤を
飛散させて潜像に付着させ、可視画像に現像する、いわ
ゆるジャンピング現像法が使用されることが多い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように帯電バイアス電圧と現像バイアス電圧とにそれぞ
れ直流電圧と交流電圧を重畳した電圧を使用する場合に
は、次のような問題点がある。

【０００７】即ち、帯電バイアス電圧の交流成分の周波
数が、現像バイアス電圧の交流成分の周波数、その整数
倍の周波数、又はその整数分の１の周波数のいずれかに
近い周波数の場合、周期的な現像ムラが発生するという
ことである。この周期的な現像ムラが発生するメカニズ
ムは完全には解明されていないが、以下のように推測さ
れる。

【０００８】被帯電体である感光体ドラムに当接させた
ローラ状の帯電部材に直流電圧と交流電圧を重畳した帯
電バイアス電圧を印加して感光体ドラムを帯電させる
と、おおよその表面電位は直流電圧に対応してほぼ均一
になる。しかし、感光体ドラムの表面は帯電部材に対し
て移動するので、微視的には、交流電圧の影響で、交流
電圧の周波数に対応した表面電位の周期的な変化、即ち
ピッチムラを生じている。感光体ドラムの周速度をＰ
（ｍｍ／ｓｅｃ）、帯電バイアス電圧の交流電圧の周波
数をＦｐ（Ｈｚ）とすると、感光体ドラム表面上での表
面電位の周期的な変化がＰ／Ｆｐ（ｍｍ）ピッチで繰り
返されている。

【０００９】一方、現像スリーブに印加する現像バイア
ス電圧にも交流電圧が重畳されているので、移動する感
光体ドラム表面に対し、微視的には、現像特性が周期的
に変化していると考えられる。現像バイアス電圧の交流
電圧の周波数をＦｄ（Ｈｚ）とすると、感光体ドラム表
面上での現像特性の周期的な変化はＰ／Ｆｄ（ｍｍ）ピ
ッチで繰り返される。

【００１０】上記のＰ／Ｆｐｍｍピッチ及びＰ／Ｆｄｍ
ｍピッチは各々単独では通常画像上では識別できない間
隔の周期的変化であるが、Ｐ／Ｆｐｍｍピッチで周期的
に変化する表面電位をＰ／Ｆｄｍｍピッチで周期的に変
化する現像特性によって現像するので、干渉して両者よ
り大きな周期での、即ち画像上で識別できる現像ムラが
生じてしまう。

【００１１】ここで、帯電及び現像バイアス電圧の交流
電圧の周波数Ｆｐ及びＦｄ（以下、それぞれ帯電周波数
及び現像バイアス周波数と称す）はそれぞれ電子写真プ
ロセスの関係から、３００Ｈｚ及び２０００Ｈｚ前後の
値を取ることが多い。

【００１２】一方、帯電及び現像バイアスの高電圧を発
生させる高圧発生回路は、小スペース或は低コスト化の
ために、極めて簡単に構成されるのが一般的である。こ
のため、帯電或は現像バイアスの交流高電圧を発生させ
るための発振回路は一般にコンデンサ、抵抗を使用した
構成となっており、発振周波数は±１０％程度のバラツ
キがある。

【００１３】仮に、帯電周波数（Ｆｐ）の中心値を３０
０Ｈｚ、現像バイアス周波数（Ｆｄ）の中心値を２００
０Ｈｚに設定したとすると、図６に示すように、発振周
波数のバラツキ（±１０％）を考慮すると、図において
ハッチングした領域で現像ムラが発生することになる。

【００１４】従来、生産工程では、図６に示された現像
ムラ発生領域を避けるために、実装された高圧発生回路
基板の帯電周波数及び現像バイアス周波数のそれぞれの
周波数を測定し、現像ムラ発生領域内に各周波数が存在
する場合には、その高圧発生回路基板は使用しないよう
にしていた。しかしながら、このような処置を取ってい
たのでは高圧発生回路基板の歩留りが上がらず、生産効
率を低下させるという問題があった。

【００１５】従って、本発明の目的は、帯電周波数或は
現像バイアス周波数のいずれか一方の周波数を検知して
他方の周波数を現像ムラ発生領域外の周波数となるよう
に制御することにより、現像ムラの発生をなくし、生産
工程での歩留りを高くした接触帯電装置を使用する画像
形成装置を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
画像形成装置によって達成される。要約すれば、本発明
は、帯電部材を像担持体に当接させて帯電を行なう接触
帯電装置と、該接触帯電装置の帯電部材に少なくとも交
流成分を有する帯電バイアス電圧を印加する手段と、現
像剤を担持、搬送する現像剤担持体を含み、該現像剤担
持体に担持された現像剤を前記像担持体上に形成された
静電潜像に付着させて現像する現像手段と、該現像手段
の現像剤担持体に交流成分を有する現像バイアス電圧を
印加する手段とを備え、接触帯電方法を利用して可視画
像を形成する画像形成装置において、前記帯電バイアス
電圧の交流成分の周波数及び前記現像バイアス電圧の交
流成分の周波数のいずれか一方の周波数を検知する周波
数検知手段と、前記帯電バイアス電圧の交流成分の周波
数及び前記現像バイアス電圧の交流成分の周波数の他方
の周波数を設定する周波数設定手段とを具備し、前記周
波数検知手段によって前記一方の周波数が検知された結
果に基づいて前記周波数設定手段により前記他方の周波
数を設定することを特徴とする画像形成装置である。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照して詳細に説明する。

【００１８】図１は本発明による画像形成装置の第１の
実施例の概略構成を示す断面図であり、本発明を接触帯
電装置を使用した電子写真方式の複写機に適用した場合
を示す。この複写機は図示矢印Ａ方向に回転する被帯電
体である感光体ドラム２を備え、この感光体ドラム２の
周囲には感光体ドラム２を一様帯電するローラ形式の接
触帯電装置１と、感光体ドラム２上に画像情報に応じた
静電潜像を形成する像露光装置１２と、感光体ドラム２
上に形成された静電潜像を可視画像に現像する現像器１
３と、感光体ドラム２上の可視画像を給紙された記録材
に転写するための転写帯電器１４と、可視画像の転写後
に感光体ドラム２上に残留する現像剤を除去するクリー
ナ１５等が配設されている。

【００１９】上記接触帯電装置２は前記従来例と同様に
金属等の導電体ローラ１ａの外周面にローラ状の帯電部
材１ｂが取り付けられた構成を有し、その導電体ローラ
１ａに帯電回路２１から負の直流電圧と正弦波からなる
交流電圧とを重畳した帯電バイアス電圧が印加される。
一方、現像器１３の現像スリーブ１３ａには現像バイア
ス回路２２から直流電圧と矩形波からなる交流電圧とを
重畳した現像バイアス電圧が印加される。なお、接触帯
電装置１はローラ形状に限られるものではなく、例えば
ブラシ、ブレード等であってもよい。

【００２０】感光体ドラム２はアルミニウム、鉄等から
なるドラム形状の導電性基板２ａとその表面に被着され
た例えば有機光導電体からなる感光層２ｂとから構成さ
れており、導電性基板２ａは接地されている。

【００２１】上記構成の複写機の画像形成動作について
簡単に説明すると、感光体ドラム２は接触帯電装置１に
よって負の電位に均一に帯電された後、例えばレーザス
キャナ等の像露光装置１２からの画像情報に応じた走査
光により露光を受け、静電潜像が形成される。この静電
潜像は現像器１３の現像スリーブ１３ａに薄層状に担持
された現像剤によって現像される。この現像法は露光さ
れて電位の減衰した潜像部分に負の現像剤（トナー）が
付着する反転現像であり、現像領域において現像剤層と
感光体ドラム２は微小間隙をもって対面しており、上述
したように現像バイアス回路２２から現像バイアスが現
像スリーブ１３ａに印加されることによって感光体ドラ
ム２と現像スリーブ１３ａとの間に交互電界が形成さ
れ、現像剤が潜像にジャンピング付着して可視画像に現
像される。

【００２２】感光体ドラム２上の可視画像は転写領域に
おいて転写帯電器１４の作用によって、この転写領域に
給紙機構により送給された記録材上に転写され、その後
記録材は定着器１６に送られて転写画像が定着され、所
望のプリント画像が形成されて機外へと排出される。一
方、転写されずに感光体ドラム２上に残留する現像剤は
クリーナ１５によってクリーニングされ、再び帯電装置
１によって均一に帯電され、次の画像形成に備える。

【００２３】ここで、上述したように、本実施例では帯
電回路２１から印加される帯電バイアス電圧の交流電圧
は正弦波であり、最大振幅Ｖｐｐが１８００Ｖ、周波数
が３００Ｈｚ±３０Ｈｚに設定されており、重畳される
直流電圧は−７００Ｖに設定されている。

【００２４】一方、現像バイアス回路２２から印加され
る現像バイアス電圧の交流電圧は矩形波であり、最大振
幅Ｖｐｐが１２００Ｖ、周波数が２０００Ｈｚ±２００
Ｈｚに設定されており、重畳される直流電圧は−５０Ｖ
〜−４５０Ｖに設定されている。この直流電圧が可変に
なっているのは画像濃度を希望の値に選択できるように
するためである。なお、感光体ドラム２の周速度は４７
ｍｍ／ｓｅｃに設定されている。

【００２５】また、本実施例では、帯電回路２１及び現
像バイアス回路２２は複写機の動作をシーケンス制御す
るＣＰＵ（中央処理装置）２３に接続されており、ＣＰ
Ｕ２３はそれぞれの回路２１、２２から印加される交流
電圧の周波数の検知或は周波数の設定を制御する。

【００２６】次に、図２及び図３を参照して本実施例を
具体的に説明する。

【００２７】まず、図２を参照して本実施例の制御系の
回路構成について説明する。図示するように、帯電回路
２１は、第１の昇圧トランス３０と、周波数Ｆｐの正弦
波の交流出力信号を発生する正弦波発振回路３２と、こ
の正弦波発振回路３２からの正弦波交流出力信号を増幅
して第１の昇圧トランス３０を駆動する帯電バイアス駆
動回路３１と、正弦波発振回路３２からの正弦波交流出
力信号の周波数Ｆｐを対応する電圧に変換する周波数−
電圧変換器（Ｆ／Ｖ変換器）３３と、このＦ／Ｖ変換器
３３からの電圧信号をディジタル信号に変換するアナロ
グ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）３４とから構成
されている。

【００２８】上記第１の昇圧トランス３０はその第１の
２次巻線３０ａから周波数Ｆｐの正弦波の交流高電圧信
号を発生し、また、この昇圧トランス３０の第２の２次
巻線３０ｂに発生された正弦波交流電圧は例えばダイオ
ードＤ１及びコンデンサＣ１よりなる整流手段により負
の直流電圧に変換され、第１の２次巻線３０ａに発生さ
れた正弦波の交流高電圧に重畳されて接触帯電装置に印
加される。さらに、Ａ／Ｄ変換器３４からのディジタル
信号はＣＰＵ２３に入力され、ＣＰＵ２３において正弦
波発振回路３２の発振周波数である帯電周波数Ｆｐが検
出できるように構成されている。

【００２９】一方、現像バイアス回路２２は第２の昇圧
トランス３５と、ＣＰＵ２３の出力ポートＰｄから出力
される周波数Ｆｄの矩形波の交流信号を増幅して第２の
昇圧トランス３５を駆動する現像バイアス駆動回路３６
とから構成され、第２の昇圧トランス３５によって昇圧
された矩形波の交流高電圧はその第１の２次巻線３５ａ
に発生され、また、この昇圧トランス３５の第２の２次
巻線３５ｂに発生された矩形波交流電圧は例えばダイオ
ードＤ２及びコンデンサＣ２よりなる整流手段により負
の直流電圧に変換され、第１の２次巻線３５ａに発生さ
れた矩形波の交流高電圧に重畳されて現像スリーブに印
加される。

【００３０】上述したように、現像バイアス用の高電圧
はマイナスの直流電圧に矩形波の交流電圧が重畳された
波形であるため、ＣＰＵ２３のポートＰｄから出力する
ことが可能である。従って、本実施例では、回路構成を
簡単化する上でも、現像バイアス回路２２には矩形波を
発生する別個の発振器を設けていない。このＣＰＵ２３
から出力される矩形波の周波数、即ち現像バイアス周波
数ＦｄはＣＰＵ２３のソフトウエア処理によって任意の
周波数に設定することが可能である。

【００３１】次に、上記構成の本実施例の制御系の動作
について図３を参照して説明する。図３はＣＰＵでのシ
ーケンス制御動作を説明するためのフローチャートであ
り、まず、ステップＳ１においてＡ／Ｄ変換器３４から
のディジタル出力データを読み取って帯電周波数Ｆｐを
検知する。次いで、ステップＳ２にてこの帯電周波数Ｆ
ｐが２９０Ｈｚ未満であるか否かを判別し、２９０Ｈｚ
未満である（ＹＥＳ）場合には、現像バイアス周波数Ｆ
ｄが最小から最大まで変化しても現像ムラが発生しない
ことが分かっている（図６参照）ので、ステップＳ３に
おいて現像バイアス周波数Ｆｄを２０００Ｈｚに設定す
る。

【００３２】これに対し、上記ステップＳ２において帯
電周波数Ｆｐが２９０Ｈｚ以上である（ＮＯ）場合に
は、図６に示したように現像バイアス周波数Ｆｄがある
範囲の値のときには現像ムラが発生することになる。本
実施例では現像バイアス周波数Ｆｄが、Ｆｄ＝Ｆｐ×６
±５０の数式で計算された値以内（図６の現像ムラ発生
領域）だと現像ムラが発生することが分かっているの
で、ステップＳ４において若干の余裕を持たせたＦｄ＝
Ｆｐ×６＋１００の計算を行ない、その計算値を現像バ
イアス周波数Ｆｄの設定値としている。

【００３３】その後のルーチンは上記手順で設定された
現像バイアス周波数Ｆｄの矩形波をＣＰＵ２３の出力ポ
ートＰｄから出力するための処理ルーチンである。まず
ステップＳ５において、設定されたＦｄの値から現像バ
イアス周波数Ｆｄの周期Ｔｄを計算する。そして、ステ
ップＳ６においてこの周期Ｔｄの１／２の値をＣＰＵ２
３の内部カウンタに設定する。同時にステップＳ７で現
像バイアス信号出力用ポートＰｄをセットする（高レベ
ル「Ｈ」にする）。この時点から現像バイアス信号が出
力され始まる。出力ポートＰｄをセットした後、ステッ
プＳ８において内部インターラプトを許可（イネーブ
ル）し、次のルーチンへ移行する。

【００３４】内部カウンタはステップＳ６で設定された
値をカウントし始め、カウントした値が設定値と一致す
ると内部インターラプトがかかり、内部インターラプト
ルーチンが起動される。この内部インターラプトルーチ
ンにおいては、まず、ステップＳ１１において出力ポー
トＰｄがセットされているか否かを判別し、セットされ
ている（ＹＥＳ）場合には、ステップＳ１２において出
力ポートＰｄのセットを解除し、現像バイアス信号の出
力を停止させる。つまり、出力ポートＰｄの論理を高レ
ベル「Ｈ」から低レベル「Ｌ」に反転させる。また、出
力ポートＰｄがセットされていない（ＮＯ）場合には、
ステップＳ１３において出力ポートＰｄをセットし、現
像バイアス信号を出力させる。つまり、出力ポートＰｄ
の論理を低レベル「Ｌ」から高レベル「Ｈ」に反転させ
る。次に、ステップＳ１４において再度現像バイアス周
波数Ｆｄの周期Ｔｄの１／２の値をＣＰＵ２３の内部カ
ウンタに設定し、ステップＳ１５において内部インター
ラプトを許可して次のルーチンへ移行する。

【００３５】上記動作が繰り返されることにより、ＣＰ
Ｕ２３の出力ポートＰｄからはソフトウエアによって設
定された周波数Ｆｄの矩形波の交流信号が出力されるこ
とになる。

【００３６】かくして、本実施例によれば、１つの正弦
波発振回路によって周波数Ｆｐの正弦波交流電圧信号を
発生し、この周波数Ｆｐの値をＣＰＵ２３で検知し、こ
の検知した帯電周波数Ｆｐから現像ムラが発生しない領
域の現像バイアス周波数Ｆｄを設定し、この周波数Ｆｄ
の矩形波交流電圧信号をＣＰＵ２３から発生するもので
あるから、これら２つの周波数Ｆｐ、Ｆｄが現像ムラ発
生領域内に存在することがなくなり、生産工程において
実装された高圧発生回路基板の帯電周波数及び現像バイ
アス周波数のそれぞれを測定する必要がないので作業性
が向上する。その上、実装した後で現像ムラ発生領域内
にあるためにその高圧発生回路基板を破棄するという処
置を取る必要もないので、高圧発生回路基板の歩留りが
一段と高くなり、生産効率が大幅に上昇するという利点
がある。また、回路構成も簡単であるので、コストアッ
プになることもない。

【００３７】次に、本発明の第２の実施例について図４
及び図５を参照して説明する。

【００３８】図４は本実施例の制御系の回路構成を示す
もので、上記第１の実施例では帯電回路２１側に発振回
路を設けたが、本実施例では現像バイアス回路２２側に
発振回路を設けたものである。なお、図２と対応する回
路構成要素には同一符号を付して説明する。

【００３９】図示するように、現像バイアス回路２２は
周波数Ｆｄの矩形波を発生する矩形波発振回路４０を備
え、この矩形波発振回路４０からの矩形波交流出力信号
は現像バイアス駆動回路３６及び周波数−電圧変換器
（Ｆ／Ｖ変換器）４１に供給される。現像バイアス駆動
回路３６は供給された矩形波交流出力信号を増幅して第
２の昇圧トランス３５を駆動する。上述したように、こ
の昇圧トランス３５からは、その第１の２次巻線３５ａ
に発生された周波数Ｆｄの矩形波の交流高電圧信号に、
その第２の２次巻線３５ｂに発生されて整流された負の
直流電圧が重畳された現像バイアス電圧が発生され、現
像スリーブに印加される。また、Ｆ／Ｖ変換器４１は入
力される矩形波交流出力信号の周波数Ｆｄを対応する電
圧に変換し、アナログ−ディジタル変換器（Ａ／Ｄ変換
器）４２に供給する。Ａ／Ｄ変換器４２は入力された電
圧信号をディジタル信号に変換してＣＰＵ２３に送り、
ＣＰＵ２３において矩形波発振回路４０の発振周波数で
ある現像バイアス周波数Ｆｄを検出する。

【００４０】一方、帯電回路２１は、ＣＰＵ２３で設定
されたディジタル信号をアナログ信号に変換するディジ
タル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ変換器）４３と、このＤ
／Ａ変換器４３からの電圧信号によって対応する周波数
の正弦波交流信号を発振する電圧制御発振器（ＶＣＯ）
４４とによって、周波数Ｆｐの正弦波交流出力信号を発
生し、このＶＣＯ４４からの交流出力信号を帯電バイア
ス駆動回路３１によって増幅して第１の昇圧トランス３
０を駆動する。上述したように、この第１の昇圧トラン
ス３０からは、その第１の２次巻線３０ａに発生された
周波数Ｆｐの正弦波の交流高電圧信号に、その第２の２
次巻線３０ｂに発生されて整流された負の直流電圧が重
畳された帯電バイアス電圧が発生され、接触帯電装置に
印加される。

【００４１】次に、上記構成の本実施例の制御系の動作
について図５を参照して説明する。図５はＣＰＵでのシ
ーケンス制御動作を説明するためのフローチャートであ
り、まず、ＣＰＵ２３はステップＳ２１においてＡ／Ｄ
変換器４２からのディジタル出力データを読み取って現
像バイアス周波数Ｆｄを検知する。次いで、ステップＳ
２２にてこの現像バイアス周波数Ｆｄが２０３０Ｈｚ未
満であるか否かを判別し、２０３０Ｈｚ未満である（Ｙ
ＥＳ）場合には、帯電周波数Ｆｐが最小から最大まで変
化しても現像ムラが発生しないことが分かっている（図
６参照）ので、ステップＳ２３において帯電周波数Ｆｐ
を３００Ｈｚに設定する。

【００４２】これに対し、上記ステップＳ２２において
現像バイアス周波数Ｆｄが２０３０Ｈｚ以上である（Ｎ
Ｏ）場合には、図６に示したように帯電周波数Ｆｐがあ
る範囲の値のときには現像ムラが発生することになる。
本実施例では帯電周波数Ｆｐが、Ｆｐ＝（Ｆｄ±５０）
／６の数式で計算された値以内（図６の現像ムラ発生領
域）だと現像ムラが発生することが分かっているので、
ステップＳ２４において若干の余裕を持たせたＦｐ＝
（Ｆｄ−１００）／６の計算を行ない、その計算値を帯
電周波数Ｆｐの設定値としている。

【００４３】その後上記手順で設定された帯電周波数Ｆ
ｐに対応するディジタルデータをＣＰＵ２３からＤ／Ａ
変換器４３へ出力し、この変換されたアナログ電圧信号
をＶＣＯ４４に供給してこのＶＣＯ４４から入力電圧値
に対応した周波数を持つ正弦波交流電圧信号を発振さ
せ、これを帯電バイアス駆動回路３１によって増幅して
第１の昇圧トランス３０を駆動し、所定の帯電周波数Ｆ
ｐの帯電バイアス電圧を発生させる。

【００４４】このように、本実施例においても、１つの
矩形波発振回路によって周波数Ｆｄの矩形波交流電圧信
号を発生し、この周波数Ｆｄの値をＣＰＵ２３で検知
し、この検知した現像バイアス周波数Ｆｄから現像ムラ
が発生しない領域の帯電周波数Ｆｐを設定し、この周波
数Ｆｐのディジタルデータをアナログ電圧信号に変換し
てＶＣＯを制御し、周波数Ｆｐの正弦波交流電圧信号を
発生させるものであるから、これら２つの周波数Ｆｐ、
Ｆｄが現像ムラ発生領域内に存在することがなくなり、
生産工程において実装された高圧発生回路基板の帯電周
波数及び現像バイアス周波数のそれぞれを測定する必要
がないので作業性が向上する。その上、実装した後で現
像ムラ発生領域内にあるためにその高圧発生回路基板を
破棄するという処置を取る必要もないので、高圧発生回
路基板の歩留りが一段と高くなり、生産効率が上昇する
という利点がある。また、回路構成も簡単であるので、
コストアップになることもない。

【００４５】なお、上記実施例では本発明を電子写真方
式の複写機に適用した場合について説明したが、本発明
は上記実施例に示す画像形成装置に限定されるものでは
なく、接触帯電装置を使用する他の種々の構成の画像形
成装置に本発明が適用でき、同様の作用効果が得られる
ことは言うまでもない。また、接触帯電装置の構成、制
御系の回路構成や制御動作態様等についても上記実施例
のものに限定されるものではない。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の画像形成
装置によれば、帯電周波数或は現像バイアス周波数のい
ずれか一方を検知し、この検知した周波数から他方の周
波数を設定するようにしたので、これら２つの周波数が
現像ムラ発生領域内に存在することがなくなり、生産工
程において実装された高圧発生回路基板の帯電周波数及
び現像バイアス周波数のそれぞれを測定する必要がなく
なる。このため作業性が向上する。また、実装した後で
これら周波数が現像ムラ発生領域内にあるためにその高
圧発生回路基板を破棄するという処置を取る必要もない
ので、高圧発生回路基板の歩留りが一段と高くなり、生
産効率が上昇する。さらに、回路構成も簡単であるの
で、コストアップになることもない等の多くの顕著な効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を接触帯電装置を使用した電子写真方式
の複写機に適用した第１の実施例の制御系を含む概略構
成を示す断面図である。

【図２】図１の本発明の第１の実施例の制御系の具体的
な回路構成を示すブロック図である。

【図３】図２に示す本発明の第１の実施例の制御系のシ
ーケンス動作を説明するためのフローチャートである。

【図４】本発明による画像形成装置の第２の実施例の制
御系の具体的な回路構成を示すブロック図である。

【図５】図４に示す本発明の第２の実施例の制御系のシ
ーケンス動作を説明するためのフローチャートである。

【図６】帯電バイアス電圧及び現像バイアス電圧にそれ
ぞれ交流電圧を使用した場合に干渉が生じて現像ムラが
発生する現象を説明するための図である。

【図７】従来の電子写真方式の画像形成装置において使
用されている接触帯電方法の一例を説明するための概略
図である。

【符号の説明】

１ 接触帯電装置 ２ 感光体ドラム １３ 現像器 １３ａ 現像スリーブ ２１ 帯電回路 ２２ 現像バイアス回路 ２３ ＣＰＵ ３０、３５ 昇圧トランス ３１ 帯電バイアス駆動回路 ３２ 正弦波発振回路 ３３、４１ 周波数−電圧変換器 ３４、４２ アナログ−ディジタル変換器 ３６ 現像バイアス駆動回路 ４０ 矩形波発振回路 ４３ ディジタル−アナログ変換器 ４４ 電圧制御発振器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 帯電部材を像担持体に当接させて帯電を
   行なう接触帯電装置と、該接触帯電装置の帯電部材に少
   なくとも交流成分を有する帯電バイアス電圧を印加する
   手段と、現像剤を担持、搬送する現像剤担持体を含み、
   該現像剤担持体に担持された現像剤を前記像担持体上に
   形成された静電潜像に付着させて現像する現像手段と、
   該現像手段の現像剤担持体に交流成分を有する現像バイ
   アス電圧を印加する手段とを備え、接触帯電方法を利用
   して可視画像を形成する画像形成装置において、前記帯
   電バイアス電圧の交流成分の周波数及び前記現像バイア
   ス電圧の交流成分の周波数のいずれか一方の周波数を検
   知する周波数検知手段と、前記帯電バイアス電圧の交流
   成分の周波数及び前記現像バイアス電圧の交流成分の周
   波数の他方の周波数を設定する周波数設定手段とを具備
   し、前記周波数検知手段によって前記一方の周波数が検
   知された結果に基づいて前記周波数設定手段により前記
   他方の周波数を設定することを特徴とする画像形成装
   置。
2. 【請求項２】 前記周波数設定手段は、前記周波数検知
   手段によって前記一方の周波数が検知された結果に基づ
   いて、前記帯電バイアス電圧の交流成分の周波数と前記
   現像バイアス電圧の交流成分の周波数が干渉を起こす組
   み合わせとならないように、前記他方の周波数を設定す
   ることを特徴とする請求項１の画像形成装置。