JPH06836Y2 - 太陽電池セル型ダイオ−ド - Google Patents
太陽電池セル型ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPH06836Y2 JPH06836Y2 JP1987107988U JP10798887U JPH06836Y2 JP H06836 Y2 JPH06836 Y2 JP H06836Y2 JP 1987107988 U JP1987107988 U JP 1987107988U JP 10798887 U JP10798887 U JP 10798887U JP H06836 Y2 JPH06836 Y2 JP H06836Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- solar cell
- glass
- metal film
- cell type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本考案は、例えば、人工衛星などの宇宙飛翔体に電力を
供給する太陽電池アレイにおいて、ブロッキングダイオ
ードあるいはシャントダイオードとしてアレイ基板上に
取り付けて使用する太陽電池セル型ダイオードに関す
る。
供給する太陽電池アレイにおいて、ブロッキングダイオ
ードあるいはシャントダイオードとしてアレイ基板上に
取り付けて使用する太陽電池セル型ダイオードに関す
る。
＜考案の概要＞ 太陽電池と同じ形態すなわちウエハー状に形成されその
ウエハーの表面にダイオードとして機能するＰＮ接合が
形成され、接合の上面とチップ裏面に電極が設けられて
なる太陽電池セル型ダイオードにおいて、これをブロッ
キングダイオードあるいはシャントダイオードとして正
常に動作させるには、外部からの光の入射を完全に遮断
し、ダイオードにおける光起電力の発生を防止しなけれ
ばならない。そこで、一主面に太陽光に対して高反射率
をもつ金属膜を付着させこのガラスを接着材によりダイ
オードチツプに貼り付ける構造とすることにより、ガラ
スの放射率を損なうことなく、またダイオードへの太陽
光の入射を遮断して、太陽光吸収率対放射率の比を小さ
くすることが可能となり、一般的に半導体デバイスにと
って好ましい低温度での動作を可能とする。
ウエハーの表面にダイオードとして機能するＰＮ接合が
形成され、接合の上面とチップ裏面に電極が設けられて
なる太陽電池セル型ダイオードにおいて、これをブロッ
キングダイオードあるいはシャントダイオードとして正
常に動作させるには、外部からの光の入射を完全に遮断
し、ダイオードにおける光起電力の発生を防止しなけれ
ばならない。そこで、一主面に太陽光に対して高反射率
をもつ金属膜を付着させこのガラスを接着材によりダイ
オードチツプに貼り付ける構造とすることにより、ガラ
スの放射率を損なうことなく、またダイオードへの太陽
光の入射を遮断して、太陽光吸収率対放射率の比を小さ
くすることが可能となり、一般的に半導体デバイスにと
って好ましい低温度での動作を可能とする。
＜従来の技術＞ 従来はダイオードチツプ表面の全面に電極を設けて遮光
していた。また、熱特性を改善するためにカバーガラス
が接着されていた。
していた。また、熱特性を改善するためにカバーガラス
が接着されていた。
＜発明が解決しようとする問題点＞ ところが、太陽電池セル型ダイオードは太陽電池セルと
同様に太陽電池アレイ基板に取付けられて使用されるた
め、太陽電池セルと同様に太陽光の照射を受ける。もし
ダイオードに対する遮光が不十分ならば、ダイオードの
ＰＮ接合による光起電力が発生し、ブロッキングダイオ
ードの場合は太陽電池アレイの発生電圧を打ち消す作用
をし、シャントダイオードの場合は、太陽電池アレイの
発生電圧をダイオードの両端子電圧でシャントするため
本来の発生電力を著るしく失うことになる。したがっ
て、ダイオードへの光入射を遮るためにダイオード表面
全面に電極を設けようとすると、P,N両領域の短絡を防
ぐための工夫が必要である。
同様に太陽電池アレイ基板に取付けられて使用されるた
め、太陽電池セルと同様に太陽光の照射を受ける。もし
ダイオードに対する遮光が不十分ならば、ダイオードの
ＰＮ接合による光起電力が発生し、ブロッキングダイオ
ードの場合は太陽電池アレイの発生電圧を打ち消す作用
をし、シャントダイオードの場合は、太陽電池アレイの
発生電圧をダイオードの両端子電圧でシャントするため
本来の発生電力を著るしく失うことになる。したがっ
て、ダイオードへの光入射を遮るためにダイオード表面
全面に電極を設けようとすると、P,N両領域の短絡を防
ぐための工夫が必要である。
＜問題点を解決するための手段＞ ダイオードチツプと、一主面に太陽光に対して高反射率
をもつ金属膜を付着させたガラスと、を有し、前記ガラ
スが前記ダイオードチツプに対し、接着剤を介し、前記
ガラスの前記金属膜が前記ダイオードチツプの表面に対
向するように接着されてなることを特徴とする。
をもつ金属膜を付着させたガラスと、を有し、前記ガラ
スが前記ダイオードチツプに対し、接着剤を介し、前記
ガラスの前記金属膜が前記ダイオードチツプの表面に対
向するように接着されてなることを特徴とする。
＜作用＞ 本考案は上記構成により、ダイオードチツプ表面と金属
膜の間に接着剤等の絶縁物層が形成されるように接着す
れば、Ｐ領域とＮ領域を短絡させることなく、容易にダ
イオードチツプへの光の入射を防止できる。また、ガラ
ス表面からの放射率を失うこともないのでガラスの高い
放射率は維持され、金属膜面での光の入射の防止効果と
ともに、ダイオードの太陽光吸収率対放射率比を小さく
することができ、ダイオードの動作温度を低くすること
が可能となる。
膜の間に接着剤等の絶縁物層が形成されるように接着す
れば、Ｐ領域とＮ領域を短絡させることなく、容易にダ
イオードチツプへの光の入射を防止できる。また、ガラ
ス表面からの放射率を失うこともないのでガラスの高い
放射率は維持され、金属膜面での光の入射の防止効果と
ともに、ダイオードの太陽光吸収率対放射率比を小さく
することができ、ダイオードの動作温度を低くすること
が可能となる。
＜実施例＞ 以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明する。
図面は本考案の一実施例の太陽電池セル型ダイオードの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
１はガラス、２は金属膜、３はＮ型シリコン基板、４は
Ｐ型拡散層、５はＰ電極、６はＮ電極、７はダイオード
チツプ、８は薄膜状リード、９は接着剤である。
Ｐ型拡散層、５はＰ電極、６はＮ電極、７はダイオード
チツプ、８は薄膜状リード、９は接着剤である。
この実施例は、図に示すように、ガラス１の一主面に太
陽光に対して高反射率をもつ金属膜２を付着させ、この
ガラス１をダイオードチツプ７の表面に貼り付けて構成
している。
陽光に対して高反射率をもつ金属膜２を付着させ、この
ガラス１をダイオードチツプ７の表面に貼り付けて構成
している。
上記構造の太陽電池セル型ダイオードについて、その製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
まず、Ｎ型シリコン基板３にボロン等のＰ型の不純物を
拡散しＰ型拡散層４を形成し、メサエッチングを行い、
基板３の表面にダイオードとして機能するＰＮ接合を形
成する。この後、Ｐ電極５及びＮ電極６を形成しダイオ
ードチツプ７を作製する。さらに、ダイオードチツプ７
の表面側のＰ電極５に薄板状のリード８を溶接などによ
り取り付ける。一方、例えば５０〜５００ミクロン程度
の厚さをもつガラス１の一主面に、アルミニウム等の太
陽光に対して良好な反射率をもつ金属膜２を真空蒸着法
等により太陽光が透過しない程度の厚さに付着させてお
く。このアルミニウム等の金属膜２が付着された面を、
ダイオードチツプ７の表面側に、シリコーン樹脂等の接
着剤９を用いて接着する。
拡散しＰ型拡散層４を形成し、メサエッチングを行い、
基板３の表面にダイオードとして機能するＰＮ接合を形
成する。この後、Ｐ電極５及びＮ電極６を形成しダイオ
ードチツプ７を作製する。さらに、ダイオードチツプ７
の表面側のＰ電極５に薄板状のリード８を溶接などによ
り取り付ける。一方、例えば５０〜５００ミクロン程度
の厚さをもつガラス１の一主面に、アルミニウム等の太
陽光に対して良好な反射率をもつ金属膜２を真空蒸着法
等により太陽光が透過しない程度の厚さに付着させてお
く。このアルミニウム等の金属膜２が付着された面を、
ダイオードチツプ７の表面側に、シリコーン樹脂等の接
着剤９を用いて接着する。
なお、図示した例ではメサ型のダイオードとなっている
が、本考案をプレーナ型のダイオードに適用することも
可能である。
が、本考案をプレーナ型のダイオードに適用することも
可能である。
本考案は、ガラスの一主面に付着させた金属膜により太
陽光の入射を遮断するため、太陽電池アレイにブロッキ
ングダイオードまたはシャントダイオードとして使用し
た場合に、アレイの動作に悪影響を及ぼす光電流の発生
を防止することができる。また、太陽のほとんどすべて
が金属膜面から反射されるので、いわゆる太陽光吸収率
を極めて低く抑えることができ、ガラスの好ましい特性
である良好な熱放射率が維持されるので、太陽光吸収率
対熱放射率が小さくなり、ダイオードの動作温度を低く
保つことが可能となる。
陽光の入射を遮断するため、太陽電池アレイにブロッキ
ングダイオードまたはシャントダイオードとして使用し
た場合に、アレイの動作に悪影響を及ぼす光電流の発生
を防止することができる。また、太陽のほとんどすべて
が金属膜面から反射されるので、いわゆる太陽光吸収率
を極めて低く抑えることができ、ガラスの好ましい特性
である良好な熱放射率が維持されるので、太陽光吸収率
対熱放射率が小さくなり、ダイオードの動作温度を低く
保つことが可能となる。
＜考案の効果＞ 以上述べてきたように本考案によれば、簡単な構造で、
外部からの光の入射を遮断することにより光電流の発生
を防ぎ、かつ外部からの熱の伝導も遮断するとともに、
ガラスからの放散によりダイオードの発熱を空間へ逃が
すことができる新規有用な太陽電池セル型ダイオードを
提供できる。
外部からの光の入射を遮断することにより光電流の発生
を防ぎ、かつ外部からの熱の伝導も遮断するとともに、
ガラスからの放散によりダイオードの発熱を空間へ逃が
すことができる新規有用な太陽電池セル型ダイオードを
提供できる。
図面は本考案の一実施例の太陽電池セル型ダイオードの
構造を示す断面図である。 １…ガラス、２…金属膜，７…ダイオードチツプ、９…
接着剤。
構造を示す断面図である。 １…ガラス、２…金属膜，７…ダイオードチツプ、９…
接着剤。
Claims (1)
- 【請求項１】ダイオードチップと、一主面に太陽光に対
して高反射率をもつ金属膜を付着させたガラスと、を有
し、 前記ガラスが前記ダイオードチツプに対し、接着剤を介
し、前記ガラスの前記金属膜が前記ダイオードチップの
表面に対向するように接着されてなることを特徴とする
太陽電池セル型ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987107988U JPH06836Y2 (ja) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | 太陽電池セル型ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987107988U JPH06836Y2 (ja) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | 太陽電池セル型ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6413160U JPS6413160U (ja) | 1989-01-24 |
| JPH06836Y2 true JPH06836Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=31342903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987107988U Expired - Lifetime JPH06836Y2 (ja) | 1987-07-14 | 1987-07-14 | 太陽電池セル型ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06836Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224284A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Seikosha Co Ltd | 逆流防止用ダイオ−ド付き太陽電池セル |
| JPS60222888A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | シチズン時計株式会社 | 表示装置用薄膜非線形抵抗素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-07-14 JP JP1987107988U patent/JPH06836Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6413160U (ja) | 1989-01-24 |
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