JPH0684380A - 三進法デジタルメモリー素子 - Google Patents
三進法デジタルメモリー素子Info
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- JPH0684380A JPH0684380A JP4257416A JP25741692A JPH0684380A JP H0684380 A JPH0684380 A JP H0684380A JP 4257416 A JP4257416 A JP 4257416A JP 25741692 A JP25741692 A JP 25741692A JP H0684380 A JPH0684380 A JP H0684380A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 三進法によるデジタル信号を発生することが
できるメモリー素子を得る。 【構成】 紫外光や可視光などの外部刺激に応じて、円
二色性スペクトルなどの旋光特性が可逆的に変化する物
質から成る。特定波長における旋光特性の値が、可逆的
に、正、零、負の値をとることができるので、この性質
に基づき、書き込み可能な三進法デジタル信号を発生す
る素子が得られる。
できるメモリー素子を得る。 【構成】 紫外光や可視光などの外部刺激に応じて、円
二色性スペクトルなどの旋光特性が可逆的に変化する物
質から成る。特定波長における旋光特性の値が、可逆的
に、正、零、負の値をとることができるので、この性質
に基づき、書き込み可能な三進法デジタル信号を発生す
る素子が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタルメモリー素子
に関し、詳しくは、三進法（３進法）に従ってデジタル
信号を発生することができる書きこみ可能な新規なメモ
リー素子に関する。
に関し、詳しくは、三進法（３進法）に従ってデジタル
信号を発生することができる書きこみ可能な新規なメモ
リー素子に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】現在、コンピュータを始め
として各種のＯＡ機器や家電製品等において多くのデジ
タルメモリー素子が用いられている。しかしながら、こ
れらはいずれも二進法（２進法）を用いたものであり、
記録容量は８ビットで２8＝２５６となる。この記録容
量を向上させるためには素子そのものを小型化すること
が必要であり、そのための工夫が精力的に行われてい
る。他方、三進法に従うメモリー素子の場合、８ビット
は３8＝６５６１となり、理論的には、二進法に比べて
約２５倍の記録容量の向上が期待できる。
として各種のＯＡ機器や家電製品等において多くのデジ
タルメモリー素子が用いられている。しかしながら、こ
れらはいずれも二進法（２進法）を用いたものであり、
記録容量は８ビットで２8＝２５６となる。この記録容
量を向上させるためには素子そのものを小型化すること
が必要であり、そのための工夫が精力的に行われてい
る。他方、三進法に従うメモリー素子の場合、８ビット
は３8＝６５６１となり、理論的には、二進法に比べて
約２５倍の記録容量の向上が期待できる。
【０００３】このような三進法に従うメモリー素子を構
成する物質は、−１、０、＋１のように表現され、互い
に峻別できる３種類の不連続な信号に変換できるような
物理量を与えるものでなければならない。しかしなが
ら、このような要件を充分に満たし得る系として実現さ
れたものは殆ど見当たらない。例えば、特開昭６１−１
３３８１９号には、Ｎ磁化、Ｓ磁化、および、無磁化の
状態を磁気的方法により記録する方法が開示されている
が、この方法は磁気による方法であるため、Ｓ／Ｎ比が
充分でないこと、偶発的な磁力によってデータが簡単に
消滅するおそれがあるなどの問題を有するものと予測さ
れる。
成する物質は、−１、０、＋１のように表現され、互い
に峻別できる３種類の不連続な信号に変換できるような
物理量を与えるものでなければならない。しかしなが
ら、このような要件を充分に満たし得る系として実現さ
れたものは殆ど見当たらない。例えば、特開昭６１−１
３３８１９号には、Ｎ磁化、Ｓ磁化、および、無磁化の
状態を磁気的方法により記録する方法が開示されている
が、この方法は磁気による方法であるため、Ｓ／Ｎ比が
充分でないこと、偶発的な磁力によってデータが簡単に
消滅するおそれがあるなどの問題を有するものと予測さ
れる。
【０００４】光学系の記録方法を採れば磁気系のメモリ
ー素子の使用に伴う前述のような問題は回避されるもの
と考えられるが、実際には三進法デジタルメモリー素子
として具現化されたものは見出されない。例えば、特開
昭５９−１０９３０号、同５９−３５９８９号、同６２
−１１２２９５号、同６２−１０７４４８号には、高分
子液晶をメモリー素子とし、光エネルギーで記録する光
記録方式が示されているが、いずれも二進法的な記録方
式である。
ー素子の使用に伴う前述のような問題は回避されるもの
と考えられるが、実際には三進法デジタルメモリー素子
として具現化されたものは見出されない。例えば、特開
昭５９−１０９３０号、同５９−３５９８９号、同６２
−１１２２９５号、同６２−１０７４４８号には、高分
子液晶をメモリー素子とし、光エネルギーで記録する光
記録方式が示されているが、いずれも二進法的な記録方
式である。
【０００５】
【問題を解決するための手段と発明の効果】本発明者
は、デジタルメモリー素子について探究するうちに、光
学活性物質、すなわち、キラリティを有する物質であっ
て、そのキラリティに応じた旋光特性を示す物理量が、
可逆的に、正、負、および零の値をとり得るような物質
を利用することによって、優れた三進法デジタルメモリ
ー素子が得られることを見出し本発明に到達した。
は、デジタルメモリー素子について探究するうちに、光
学活性物質、すなわち、キラリティを有する物質であっ
て、そのキラリティに応じた旋光特性を示す物理量が、
可逆的に、正、負、および零の値をとり得るような物質
を利用することによって、優れた三進法デジタルメモリ
ー素子が得られることを見出し本発明に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、外部刺激に応じて旋
光特性の値が正、負、および零に可逆的に変化し得る物
質から成る三進法デジタルメモリー素子に関する。
光特性の値が正、負、および零に可逆的に変化し得る物
質から成る三進法デジタルメモリー素子に関する。
【０００７】光学活性物質すなわちキラリティ（掌性）
を有する物質中を平面偏光が通過すると、偏光面が回転
する旋光性を示す。これは、光学活性物質中を通る左お
よび右円偏光の屈折率が異なるために生じるものであ
り、旋光度の周波数依存性を旋光分散（ＯＲＤスペクト
ル）と呼んでいる。また、左および右円偏光の吸収係数
の違いを円二色性と呼び、その周波数特性を円二色性ス
ペクトル（ＣＤスペクトル）と呼んでいる。本発明にお
いて用いる「旋光特性を示す物理量」または「旋光特性
の値」という語は、ＯＲＤスペクトル、またはＣＤスペ
クトルの値を指称する。
を有する物質中を平面偏光が通過すると、偏光面が回転
する旋光性を示す。これは、光学活性物質中を通る左お
よび右円偏光の屈折率が異なるために生じるものであ
り、旋光度の周波数依存性を旋光分散（ＯＲＤスペクト
ル）と呼んでいる。また、左および右円偏光の吸収係数
の違いを円二色性と呼び、その周波数特性を円二色性ス
ペクトル（ＣＤスペクトル）と呼んでいる。本発明にお
いて用いる「旋光特性を示す物理量」または「旋光特性
の値」という語は、ＯＲＤスペクトル、またはＣＤスペ
クトルの値を指称する。
【０００８】本発明の三進法デジタルメモリー素子を構
成する物質においては、このような旋光特性の値が、可
逆的に正、負、および零に変化し、その結果、＋１、−
１、および０として表現されるような不連続な信号に変
換され得る。このような特徴を有する物質としては、あ
る種の液晶やゲルのように分子の一部または全体がヘリ
ックス構造を呈すると考えられる分子集合体が挙げられ
る。
成する物質においては、このような旋光特性の値が、可
逆的に正、負、および零に変化し、その結果、＋１、−
１、および０として表現されるような不連続な信号に変
換され得る。このような特徴を有する物質としては、あ
る種の液晶やゲルのように分子の一部または全体がヘリ
ックス構造を呈すると考えられる分子集合体が挙げられ
る。
【０００９】例えば、コレステロール誘導体系の液晶や
ゲルの中には、このような性質を示すものがある。その
好ましい例として、下の一般式〔化１〕で表されるコレ
ステロール誘導体を挙げる。
ゲルの中には、このような性質を示すものがある。その
好ましい例として、下の一般式〔化１〕で表されるコレ
ステロール誘導体を挙げる。
【００１０】
【化１】Ｒ1−φ−Ｎ＝Ｎ−φ−Ｒ2−Ｃｈｏ 但し、φはベンゼン環を表し、Ｃｈｏはコレステロール
基を示す。また、式中、Ｒ1は、ＣＨ3（ＣＨ2）nＯ−、
［ＣＨ3（ＣＨ2）n］2−Ｎ−、水素、または、クラウン
エーテル環などを表し、ｎは０〜８の整数であり、クラ
ウンエーテル環としては、ベンゾ−１８−クラウン−
６、ベンゾ−１５−クラウン−５、ベンゾ−１２−クラ
ウン−４、ベンゾ−１３−クラウン−４が好ましい。ま
た、Ｒ2としては、−Ｏ（ＣＨ2）mＣＯＯ−または−
（ＣＨ2）mＣＯＯ−であり、ｍは一般に０〜３の整数で
ある。このコレステロール誘導体は各種の有機溶媒に対
してゲルを形成する性質を有する。好ましい有機溶媒と
しては、メタノール、エタノール、オクタノール等のア
ルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭
化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケト
ン系溶媒、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等の
エーテル系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混
合溶媒があり、コレステロール誘導体の種類に応じて至
適な溶媒が選択される。
基を示す。また、式中、Ｒ1は、ＣＨ3（ＣＨ2）nＯ−、
［ＣＨ3（ＣＨ2）n］2−Ｎ−、水素、または、クラウン
エーテル環などを表し、ｎは０〜８の整数であり、クラ
ウンエーテル環としては、ベンゾ−１８−クラウン−
６、ベンゾ−１５−クラウン−５、ベンゾ−１２−クラ
ウン−４、ベンゾ−１３−クラウン−４が好ましい。ま
た、Ｒ2としては、−Ｏ（ＣＨ2）mＣＯＯ−または−
（ＣＨ2）mＣＯＯ−であり、ｍは一般に０〜３の整数で
ある。このコレステロール誘導体は各種の有機溶媒に対
してゲルを形成する性質を有する。好ましい有機溶媒と
しては、メタノール、エタノール、オクタノール等のア
ルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭
化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケト
ン系溶媒、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル等の
エーテル系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混
合溶媒があり、コレステロール誘導体の種類に応じて至
適な溶媒が選択される。
【００１１】このコレステロール誘導体／有機溶媒系の
ゲルは熱や光などの外部刺激によって、可逆的に出現し
たり消滅する。すなわち、当該ゲルに紫外光を照射した
り、レーザや赤外加熱により高温域にすると、系は溶液
状態となってゲルは消失し、ＣＤスペクトルは現れな
い。この理由は、それらの外部刺激に応じてコレステロ
ール誘導体にトランス（ゲル状態）−シス（溶液状態）
変化が生じるためと考えられる。さらに、当該ゲルはレ
ーザ照射や赤外加熱によって、ＣＤスペクトルの値の正
負が反転するような性質も有する。これは、当該コレス
テロール誘導体は、ゲルの調製法に応じて、温度ヒステ
リシス的に変化しながら、正と負のキラリティに対応す
る２つの構造をとるためと推測される。かくして、この
ゲル系は、室温域においてＣＤスペクトルのような旋光
特性の値が、可逆的に、正、零、負の値をとり得るの
で、この性質に基づき、＋１、０、−１のようなデジタ
ル信号を発生し、且つ書き込み可能な三進法デジタルメ
モリー素子として利用することができる。
ゲルは熱や光などの外部刺激によって、可逆的に出現し
たり消滅する。すなわち、当該ゲルに紫外光を照射した
り、レーザや赤外加熱により高温域にすると、系は溶液
状態となってゲルは消失し、ＣＤスペクトルは現れな
い。この理由は、それらの外部刺激に応じてコレステロ
ール誘導体にトランス（ゲル状態）−シス（溶液状態）
変化が生じるためと考えられる。さらに、当該ゲルはレ
ーザ照射や赤外加熱によって、ＣＤスペクトルの値の正
負が反転するような性質も有する。これは、当該コレス
テロール誘導体は、ゲルの調製法に応じて、温度ヒステ
リシス的に変化しながら、正と負のキラリティに対応す
る２つの構造をとるためと推測される。かくして、この
ゲル系は、室温域においてＣＤスペクトルのような旋光
特性の値が、可逆的に、正、零、負の値をとり得るの
で、この性質に基づき、＋１、０、−１のようなデジタ
ル信号を発生し、且つ書き込み可能な三進法デジタルメ
モリー素子として利用することができる。
【００１２】なお、上述した〔化１〕は、発色団として
アゾベンゼン部分を有しているが、この部分が他の発色
団、例えば −ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−（アゾメチ
ン）や−ＣＨ＝ＣＨ−となっている化合物も可能であ
る。さらに、発色団を有しない場合においても、ヘリッ
クス構造を有するマトリックス中にアゾベンゼン誘導体
のような発色団をドープすることにより、スペクトル強
度を強める方法も可能である。
アゾベンゼン部分を有しているが、この部分が他の発色
団、例えば −ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−（アゾメチ
ン）や−ＣＨ＝ＣＨ−となっている化合物も可能であ
る。さらに、発色団を有しない場合においても、ヘリッ
クス構造を有するマトリックス中にアゾベンゼン誘導体
のような発色団をドープすることにより、スペクトル強
度を強める方法も可能である。
【００１３】さらに、本発明に用いることができる分子
集合体の例としては、上述したようなコレステロール誘
導体の他に、ポリペプチド類があり、外部刺激に応じて
ＣＤスペクトルや旋光度などの値が可逆的に変化して３
種類の不連続な信号に変換し得るようなものであれば、
本発明の三進法デジタルメモリー素子に利用できる。
集合体の例としては、上述したようなコレステロール誘
導体の他に、ポリペプチド類があり、外部刺激に応じて
ＣＤスペクトルや旋光度などの値が可逆的に変化して３
種類の不連続な信号に変換し得るようなものであれば、
本発明の三進法デジタルメモリー素子に利用できる。
【００１４】さらに、本発明の素子に用いることができ
る物質としては、上述したような分子集合体として、Ｃ
Ｄスペクトルのような旋光特性の変化を与えるもののみ
ならず、分子会合体としてキラリティ変化を示すような
系も含まれる。例えば、ボロン酸系化合物の中には糖類
と会合体を形成し、糖類の構造の相違によりキラリティ
の変化を呈するものがある。このような系であって旋光
特性の値が可逆的に変化して３種類のデジタル信号に変
換し得るようなものであれば、本発明の三進法デジタル
メモリー素子の構成物質として用いることができる。こ
の場合は、一般的には前述したようなゲル系としてでは
なく、溶液系として使用される。
る物質としては、上述したような分子集合体として、Ｃ
Ｄスペクトルのような旋光特性の変化を与えるもののみ
ならず、分子会合体としてキラリティ変化を示すような
系も含まれる。例えば、ボロン酸系化合物の中には糖類
と会合体を形成し、糖類の構造の相違によりキラリティ
の変化を呈するものがある。このような系であって旋光
特性の値が可逆的に変化して３種類のデジタル信号に変
換し得るようなものであれば、本発明の三進法デジタル
メモリー素子の構成物質として用いることができる。こ
の場合は、一般的には前述したようなゲル系としてでは
なく、溶液系として使用される。
【００１５】本発明のメモリー素子は、当該分野におい
て知られた技術に従って、ユニット化し、各種の回路な
いしは装置に組み込まれて使用されることになる。それ
らの技術そのものは本発明の主旨ではないので説明を省
略する。例えば、上述したようにゲル系、溶液系または
液晶系として得られる本発明のメモリー素子用物質は、
中空繊維や３次元ネットワック構造体の中にうめ込み素
子化されて使用される。
て知られた技術に従って、ユニット化し、各種の回路な
いしは装置に組み込まれて使用されることになる。それ
らの技術そのものは本発明の主旨ではないので説明を省
略する。例えば、上述したようにゲル系、溶液系または
液晶系として得られる本発明のメモリー素子用物質は、
中空繊維や３次元ネットワック構造体の中にうめ込み素
子化されて使用される。
【００１６】得られる素子は、所望の情報量に応じた適
当な数と形状に従って配置される。本発明のメモリー素
子においては、情報の処理に必要な信号は、該素子を構
成する物質に応じた特定波長に対する旋光特性の値とし
て得られ、これらの値が適当な変換回路を介して処理さ
れて３進法式のデジタル信号が得られる。そして、情報
の書き込みおよび消去も光学的手段により自由に行われ
る。
当な数と形状に従って配置される。本発明のメモリー素
子においては、情報の処理に必要な信号は、該素子を構
成する物質に応じた特定波長に対する旋光特性の値とし
て得られ、これらの値が適当な変換回路を介して処理さ
れて３進法式のデジタル信号が得られる。そして、情報
の書き込みおよび消去も光学的手段により自由に行われ
る。
【００１７】以上の説明から理解されるように、本発明
は三進法式のデジタルメモリー素子を具現化するもので
あり、この素子によって各種の機器における処理情報量
の増加が可能となる。さらに、本発明のメモリー素子
は、光学的方式に基づくものであり、従来見られる磁気
方式のものに比べて、情報の偶発的消滅の可能性が少な
くなっており、また、Ｓ／Ｎ比の上昇も期待できる。
は三進法式のデジタルメモリー素子を具現化するもので
あり、この素子によって各種の機器における処理情報量
の増加が可能となる。さらに、本発明のメモリー素子
は、光学的方式に基づくものであり、従来見られる磁気
方式のものに比べて、情報の偶発的消滅の可能性が少な
くなっており、また、Ｓ／Ｎ比の上昇も期待できる。
【００１８】以下、本発明の特徴をさらに明らかにする
ため実施例に沿って本発明を説明する。
ため実施例に沿って本発明を説明する。
【００１９】
【実施例】実施例１ 本発明の三進法デジタルメモリー素子を構成する物質と
して利用可能であるか否かを調べるために下記式〔化
２〕の化合物と有機溶媒とから成る系について円二色性
スペクトル（ＣＤスペクトル）を測定した。なお、ＣＤ
スペクトルの値は、〔θ〕（モル楕円率）として示す。
して利用可能であるか否かを調べるために下記式〔化
２〕の化合物と有機溶媒とから成る系について円二色性
スペクトル（ＣＤスペクトル）を測定した。なお、ＣＤ
スペクトルの値は、〔θ〕（モル楕円率）として示す。
【００２０】
【化２】
【００２１】〔化２〕の化合物（５ｍｇ）とメチルシク
ロヘキサン（５００ｍｇ）とをチューブに入れ、加熱溶
解し、厚さ０．１ｍｍ、面積１ｃｍ2の石英板に入れた
後、冷却してゲルを形成させ、まわりを封止した。ＣＤ
スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍを中心に正の
分裂型スペクトルが観測された（図１の実線参照）。最
大値は、３８２ｎｍにおける１．５×１０5ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。最小値は、３７０ｎｍにおけ
る−１．２×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。
ロヘキサン（５００ｍｇ）とをチューブに入れ、加熱溶
解し、厚さ０．１ｍｍ、面積１ｃｍ2の石英板に入れた
後、冷却してゲルを形成させ、まわりを封止した。ＣＤ
スペクトルを測定したところ、３７５ｎｍを中心に正の
分裂型スペクトルが観測された（図１の実線参照）。最
大値は、３８２ｎｍにおける１．５×１０5ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。最小値は、３７０ｎｍにおけ
る−１．２×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。
【００２２】約２分間赤外加熱したところ、３７５ｎｍ
を中心とした負の分裂型スペクトルが観測された（図１
の破線参照）。３８２ｎｍの値は−５×１０5ｄｅｇ・
ｃｍ2／ｄｍｏｌ、３７０ｎｍでは８×１０4ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。
を中心とした負の分裂型スペクトルが観測された（図１
の破線参照）。３８２ｎｍの値は−５×１０5ｄｅｇ・
ｃｍ2／ｄｍｏｌ、３７０ｎｍでは８×１０4ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。
【００２３】紫外線（３５０〜４６０ｎｍ）を照射した
ところ、ゲルは崩壊し溶液状態となった。このとき、Ｃ
Ｄスペクトルは全く観測されず、その値は０ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。その後、４６０ｎｍ以上の可
視光を照射したところ、ゲルが再び形成され、最初と同
じスペクトルが得られた。
ところ、ゲルは崩壊し溶液状態となった。このとき、Ｃ
Ｄスペクトルは全く観測されず、その値は０ｄｅｇ・ｃ
ｍ2／ｄｍｏｌであった。その後、４６０ｎｍ以上の可
視光を照射したところ、ゲルが再び形成され、最初と同
じスペクトルが得られた。
【００２４】以上のように、式〔化２〕の化合物とメチ
ルシクロヘキサンの系は、例えば、３８２ｎｍにおいて
ＣＤスペクトルの値が、互いに充分な差のある正、負、
および零の値をとるように状態変化し、そして、これら
の状態変化は、赤外加熱、紫外線照射および可視光照射
により可逆的に起こることが認められた。かくして、こ
の系は書き込み可能な三進法デジタルメモリー素子の構
成材料となり得ることが確認された。
ルシクロヘキサンの系は、例えば、３８２ｎｍにおいて
ＣＤスペクトルの値が、互いに充分な差のある正、負、
および零の値をとるように状態変化し、そして、これら
の状態変化は、赤外加熱、紫外線照射および可視光照射
により可逆的に起こることが認められた。かくして、こ
の系は書き込み可能な三進法デジタルメモリー素子の構
成材料となり得ることが確認された。
【００２５】実施例２ 実施例１と同様にして、三進法デジタルメモリー素子の
構成材料として、次の式〔化３〕の化合物と有機溶媒系
の適用性を調べた。
構成材料として、次の式〔化３〕の化合物と有機溶媒系
の適用性を調べた。
【００２６】
【化３】
【００２７】〔化３〕の化合物（１０ｍｇ）とメチルシ
クロヘキサン／ベンゼン（９：１）（２００ｍｇ）をチ
ューブに入れ、加熱溶解させ、厚さ０．０５ｍｍ、１ｃ
ｍ2の石英板に入れ、封止した。
クロヘキサン／ベンゼン（９：１）（２００ｍｇ）をチ
ューブに入れ、加熱溶解させ、厚さ０．０５ｍｍ、１ｃ
ｍ2の石英板に入れ、封止した。
【００２８】実施例１と同様にＣＤスペクトル測定を行
ったところ、同様な結果が得られた。分裂型スペクトル
の中心は、３６０ｎｍであり、最大値は３９０ｎｍで３
×１０4ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。赤外加熱を
約４分行うと、３９０ｎｍにおけるＣＤスペクトルの値
は−５×１０4ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌとなった。３３
０〜３８０ｎｍの紫外光を照射すると、０ｄｅｇ・ｃｍ
2／ｄｍｏｌとなり、さらに、４６０ｎｍ以上の可視光
を照射すると最初と同じスペクトルが再び得られた。ま
た、紫外光照射後、赤外加熱を行いながら可視光を照射
すると負の分裂型スペクトルが得られた。
ったところ、同様な結果が得られた。分裂型スペクトル
の中心は、３６０ｎｍであり、最大値は３９０ｎｍで３
×１０4ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。赤外加熱を
約４分行うと、３９０ｎｍにおけるＣＤスペクトルの値
は−５×１０4ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌとなった。３３
０〜３８０ｎｍの紫外光を照射すると、０ｄｅｇ・ｃｍ
2／ｄｍｏｌとなり、さらに、４６０ｎｍ以上の可視光
を照射すると最初と同じスペクトルが再び得られた。ま
た、紫外光照射後、赤外加熱を行いながら可視光を照射
すると負の分裂型スペクトルが得られた。
【００２９】実施例３ 実施例１と同様にして、式〔化４〕の化合物／有機溶媒
系について調べた。
系について調べた。
【００３０】
【化４】
【００３１】式〔化４〕の化合物（５ｍｇ）とエタノー
ル（５００ｍｇ）をチューブに入れ、実施例１と同様な
検討を行った。
ル（５００ｍｇ）をチューブに入れ、実施例１と同様な
検討を行った。
【００３２】分裂型スペクトルの中心は、３５０ｎｍで
あり、正のスペクトルの最大値は３９０ｎｍで４×１０
5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌ、負のスペクトルの３９０ｎ
ｍの値は１×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。
照射した紫外光および可視光は、それぞれ３３０〜３８
０ｎｍ、および４６０ｎｍ以上である。
あり、正のスペクトルの最大値は３９０ｎｍで４×１０
5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌ、負のスペクトルの３９０ｎ
ｍの値は１×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであった。
照射した紫外光および可視光は、それぞれ３３０〜３８
０ｎｍ、および４６０ｎｍ以上である。
【００３３】実施例２および３に示す結果も、それぞれ
の系は、特定波長においてＣＤスペクトルが３種類の信
号を与えるような値をとることができ、且つ、それらの
値を示す状態が可逆的に起こり、したがって、三進法デ
ジタルメモリー素子の構成材料として適していることを
示している。
の系は、特定波長においてＣＤスペクトルが３種類の信
号を与えるような値をとることができ、且つ、それらの
値を示す状態が可逆的に起こり、したがって、三進法デ
ジタルメモリー素子の構成材料として適していることを
示している。
【００３４】実施例４ デジタル素子として機能する様子を示すために、実施例
１で得られた素子（セル）を５個並列に列べたユニット
を製作した。セルは順次ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと呼ぶ。Ｃ
Ｄスペクトルの値がコード化されるようにエンコーダと
接続した。
１で得られた素子（セル）を５個並列に列べたユニット
を製作した。セルは順次ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅと呼ぶ。Ｃ
Ｄスペクトルの値がコード化されるようにエンコーダと
接続した。
【００３５】素子全体を紫外光（３５０〜４６０ｎｍ）
で光照射した後の３８２ｎｍにおけるＣＤスペクトルの
値はいずれのセルも約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであ
り、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）＝（０、０、０、０、０）
の信号が得られた。ａ、ｃ、ｅのセルを４６０ｎｍ以上
の可視光で照射すると、ＣＤスペクトル値は、ａ、ｃ、
ｅが約５×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌ、ｂおよびｄ
が約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであり、（ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅ）＝（１、０、１、０、１）の信号が得られ
た。更に、ｂのセルに４６０ｎｍ以上の可視光照射した
後、ｂ、ｅのセルを加熱したところ、ＣＤスペクトル
（３８２ｎｍ）は、ａ、ｃが約５×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2
／ｄｍｏｌ、ｂ、ｅが約−４×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄ
ｍｏｌ、ｄが約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであり、
（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）＝（１、−１、１、０、−１）
であった。
で光照射した後の３８２ｎｍにおけるＣＤスペクトルの
値はいずれのセルも約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであ
り、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）＝（０、０、０、０、０）
の信号が得られた。ａ、ｃ、ｅのセルを４６０ｎｍ以上
の可視光で照射すると、ＣＤスペクトル値は、ａ、ｃ、
ｅが約５×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌ、ｂおよびｄ
が約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであり、（ａ、ｂ、
ｃ、ｄ、ｅ）＝（１、０、１、０、１）の信号が得られ
た。更に、ｂのセルに４６０ｎｍ以上の可視光照射した
後、ｂ、ｅのセルを加熱したところ、ＣＤスペクトル
（３８２ｎｍ）は、ａ、ｃが約５×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2
／ｄｍｏｌ、ｂ、ｅが約−４×１０5ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄ
ｍｏｌ、ｄが約０ｄｅｇ・ｃｍ2／ｄｍｏｌであり、
（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）＝（１、−１、１、０、−１）
であった。
【００３６】このように、本発明の素子は＋１、０、−
１に対応するデジタル信号を発生し、データの書き込み
および消去も可能である。
１に対応するデジタル信号を発生し、データの書き込み
および消去も可能である。
【図１】本発明のデジタルメモリー素子に適用できるコ
レステロール誘導体のＣＤスペクトルを示す。
レステロール誘導体のＣＤスペクトルを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 外部刺激に応じて施光特性の値が正、
負、および零に可逆的に変化し得る物質から成ることを
特徴とする三進法デジタルメモリー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257416A JP2872495B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 三進法デジタルメモリー素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257416A JP2872495B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 三進法デジタルメモリー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684380A true JPH0684380A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2872495B2 JP2872495B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17306077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257416A Expired - Fee Related JP2872495B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 三進法デジタルメモリー素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872495B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180108776A (ko) | 2016-05-17 | 2018-10-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 누전 차단기 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4257416A patent/JP2872495B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180108776A (ko) | 2016-05-17 | 2018-10-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 누전 차단기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2872495B2 (ja) | 1999-03-17 |
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