JPH0684831A - シリサイド形成法 - Google Patents
シリサイド形成法Info
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- JPH0684831A JPH0684831A JP4235049A JP23504992A JPH0684831A JP H0684831 A JPH0684831 A JP H0684831A JP 4235049 A JP4235049 A JP 4235049A JP 23504992 A JP23504992 A JP 23504992A JP H0684831 A JPH0684831 A JP H0684831A
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- silicide
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- gas
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- electron beam
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- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリサイドの形成を、任意の位置に直接行え
るようにしたシリサイド形成法を提供することにある。 【構成】 電子線源１は、透過型電子顕微鏡の電子銃を
用いている。この電子顕微鏡は、試料チャンバ２内の磁
極３の間に置かれた試料４の近傍に、ソースガス６を導
入できるように改造され、シリサイド形成用の装置を構
成している。電子顕微鏡像を得るための電子線は、励起
ビームを兼ねているので、ソースガス６として、ＷＦ6
ガスを用いた場合、ＷＦ6 ガスを分析してＷを析出し、
反応させる位置及び析出物の形状をカメラ室５内に設置
した蛍光板（図示せず）で、同時に確認できる。
るようにしたシリサイド形成法を提供することにある。 【構成】 電子線源１は、透過型電子顕微鏡の電子銃を
用いている。この電子顕微鏡は、試料チャンバ２内の磁
極３の間に置かれた試料４の近傍に、ソースガス６を導
入できるように改造され、シリサイド形成用の装置を構
成している。電子顕微鏡像を得るための電子線は、励起
ビームを兼ねているので、ソースガス６として、ＷＦ6
ガスを用いた場合、ＷＦ6 ガスを分析してＷを析出し、
反応させる位置及び析出物の形状をカメラ室５内に設置
した蛍光板（図示せず）で、同時に確認できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子線を利用したシリ
コン表面上へのシリサイド及びシリサイドパターン形成
法に関する。
コン表面上へのシリサイド及びシリサイドパターン形成
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリサイド形成法としては、金属
を蒸着した後、熱処理を行うか、あるいは、シリコンと
金属を同時に蒸着する方法がある。また、そのパターン
形成にあたっては、シリサイド膜形成の後、レジスト塗
布、パターン描画、エッチングという過程を経て行って
いる。
を蒸着した後、熱処理を行うか、あるいは、シリコンと
金属を同時に蒸着する方法がある。また、そのパターン
形成にあたっては、シリサイド膜形成の後、レジスト塗
布、パターン描画、エッチングという過程を経て行って
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシリサイド
形成法では、直接、任意の位置にシリサイドを形成でき
ないという問題点があった。
形成法では、直接、任意の位置にシリサイドを形成でき
ないという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、シリサイドの形成を、任
意の位置に直接行えるようにした新規なシリサイド形成
法を提供することにある。
意の位置に直接行えるようにした新規なシリサイド形成
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、透過型の電子顕微鏡の電子銃を有する電
子線源と、磁極及び磁極の間に置かれた試料を有する試
料チャンバと、カメラ室とからなるシリサイド形成用の
装置において、試料の近傍にソースガスを導入したもの
である。
に、本発明は、透過型の電子顕微鏡の電子銃を有する電
子線源と、磁極及び磁極の間に置かれた試料を有する試
料チャンバと、カメラ室とからなるシリサイド形成用の
装置において、試料の近傍にソースガスを導入したもの
である。
【０００６】また、上記目的を達成するために、本発明
は、走査電子顕微鏡の電子銃を有する電子線源と、コイ
ルと、試料とからなるシリサイド形成用の装置におい
て、試料の近傍にソースガスを導入したものである。
は、走査電子顕微鏡の電子銃を有する電子線源と、コイ
ルと、試料とからなるシリサイド形成用の装置におい
て、試料の近傍にソースガスを導入したものである。
【０００７】
【作用】本発明において、電子線は、電気的に容易に線
径を変化させたり、走査させたりできるので、シリコン
表面に吸着させた金属ガス分子を任意の位置で分解、析
出、反応させることができ、電子線のエネルギー、密
度、線径、走査方向、走査速度を制御することにより、
任意の位置に、任意のパターンを形成することができ
る。
径を変化させたり、走査させたりできるので、シリコン
表面に吸着させた金属ガス分子を任意の位置で分解、析
出、反応させることができ、電子線のエネルギー、密
度、線径、走査方向、走査速度を制御することにより、
任意の位置に、任意のパターンを形成することができ
る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。
する。
【０００９】図１は、本発明の第１実施例を示す図であ
る。図１において、電子線源１は、透過型電子顕微鏡の
電子銃を用いている。この電子顕微鏡は、試料チャンバ
２内の磁極３の間に置かれた試料４の近傍に、ソースガ
ス６を導入できるように改造され、シリサイド形成用の
装置を構成している。電子顕微鏡像を得るための電子線
は、励起ビームを兼ねているので、ソースガス６とし
て、ＷＦ6 ガスを用いた場合、ＷＦ6 ガスを分解してＷ
を析出し、反応させる位置及び析出物の形状をカメラ室
５内に設置した蛍光板（図示せず）で、同時に確認でき
る。
る。図１において、電子線源１は、透過型電子顕微鏡の
電子銃を用いている。この電子顕微鏡は、試料チャンバ
２内の磁極３の間に置かれた試料４の近傍に、ソースガ
ス６を導入できるように改造され、シリサイド形成用の
装置を構成している。電子顕微鏡像を得るための電子線
は、励起ビームを兼ねているので、ソースガス６とし
て、ＷＦ6 ガスを用いた場合、ＷＦ6 ガスを分解してＷ
を析出し、反応させる位置及び析出物の形状をカメラ室
５内に設置した蛍光板（図示せず）で、同時に確認でき
る。
【００１０】図２は、第１実施例により形成されたシリ
サイドパターンの例を示す斜視図である。図２におい
て、ソースガス６として、ＷＦ6 ガスを１×１０-6Ｔｏ
ｒｒの圧力で供給しながら、試料（シリコン基板）４の
表面を電子線７で走査することにより、タングステンシ
リサイドの微細パターン８を形成した例である。加速電
圧２００ｋＶ、電流密度１００Ａ／ｃｍ2 、線径３ｎ
ｍ、走査速度１ｎｍ／秒の電子線により、線幅１５ｎｍ
の微細パターン８が形成された。
サイドパターンの例を示す斜視図である。図２におい
て、ソースガス６として、ＷＦ6 ガスを１×１０-6Ｔｏ
ｒｒの圧力で供給しながら、試料（シリコン基板）４の
表面を電子線７で走査することにより、タングステンシ
リサイドの微細パターン８を形成した例である。加速電
圧２００ｋＶ、電流密度１００Ａ／ｃｍ2 、線径３ｎ
ｍ、走査速度１ｎｍ／秒の電子線により、線幅１５ｎｍ
の微細パターン８が形成された。
【００１１】図３は、本発明の第２実施例を示す図であ
る。図３において、電子線源１は、走査電子顕微鏡の電
子銃を用いている。この電子顕微鏡は、コイル９の下方
に置かれた試料４の近傍に、ソースガス６を導入できる
ように改造され、シリサイド形成用の装置を構成してい
る。ソースガス６として、ＷＦ6 ガスを用いた場合、Ｗ
Ｆ6 ガスを分解してＷを析出する。この場合は、析出物
の位置や形状を２次電子で確認する。
る。図３において、電子線源１は、走査電子顕微鏡の電
子銃を用いている。この電子顕微鏡は、コイル９の下方
に置かれた試料４の近傍に、ソースガス６を導入できる
ように改造され、シリサイド形成用の装置を構成してい
る。ソースガス６として、ＷＦ6 ガスを用いた場合、Ｗ
Ｆ6 ガスを分解してＷを析出する。この場合は、析出物
の位置や形状を２次電子で確認する。
【００１２】なお、第１実施例及び第２実施例で、ソー
スガス６として、ＷＦ6 以外の金属ハロゲン化合物、ア
ルコキシド化合物、及び、有機金属化合物のガスを用い
ることもできる。
スガス６として、ＷＦ6 以外の金属ハロゲン化合物、ア
ルコキシド化合物、及び、有機金属化合物のガスを用い
ることもできる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電子線
及びソースガスを用いることにより、種々のシリサイド
膜及びパターンが、任意の位置に直接形成でき、実用的
には、ＬＳＩデバイスの作成に有用であるという効果を
有する。
及びソースガスを用いることにより、種々のシリサイド
膜及びパターンが、任意の位置に直接形成でき、実用的
には、ＬＳＩデバイスの作成に有用であるという効果を
有する。
【図１】本発明の第１実施例を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例により形成されたシリサイ
ドパターンの例を示す斜視図である。
ドパターンの例を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す図である。
１ 電子線源 ２ 試料チャンバ ３ 磁極 ４ 試料 ５ カメラ室 ６ ソースガス ７ 電子線 ８ 微細パターン ９ コイル
Claims (2)
- 【請求項１】透過型の電子顕微鏡の電子銃を有する電子
線源と、磁極及び磁極の間に置かれた試料を有する試料
チャンバと、カメラ室とからなるシリサイド形成用の装
置において、試料の近傍にソースガスを導入したことを
特徴とするシリサイド形成法。 - 【請求項２】走査電子顕微鏡の電子銃を有する電子線源
と、コイルと、試料とからなるシリサイド形成用の装置
において、試料の近傍にソースガスを導入したことを特
徴とするシリサイド形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235049A JPH0684831A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | シリサイド形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235049A JPH0684831A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | シリサイド形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684831A true JPH0684831A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16980333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4235049A Pending JPH0684831A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | シリサイド形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250542A (ja) * | 2007-03-13 | 2007-09-27 | National Institute For Materials Science | 微細加工方法 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235049A patent/JPH0684831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250542A (ja) * | 2007-03-13 | 2007-09-27 | National Institute For Materials Science | 微細加工方法 |
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