JPH0684840A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0684840A JPH0684840A JP4235045A JP23504592A JPH0684840A JP H0684840 A JPH0684840 A JP H0684840A JP 4235045 A JP4235045 A JP 4235045A JP 23504592 A JP23504592 A JP 23504592A JP H0684840 A JPH0684840 A JP H0684840A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウム合金配線の形成方法に関し、コ
ロジョンによる断線を防止することを目的とする。 【構成】 アルミニウム若しくはその合金薄膜からなる
電極配線パターン3Lを形成するに際して、アルミニウム
若しくはその合金の薄膜３を、レジスト４をマスクに
し、ハロゲン系のガスを用いたドライエッチング手段に
より電極配線3L形状にパターニングした後、 該アルミ
ニウム若しくはその合金薄膜パターン3L上のレジスト４
を、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル類、ケトン
類の中の少なくとも１種類のガスを添加したアッシング
ガス６を用いてアッシング除去する工程を有するように
構成する。
ロジョンによる断線を防止することを目的とする。 【構成】 アルミニウム若しくはその合金薄膜からなる
電極配線パターン3Lを形成するに際して、アルミニウム
若しくはその合金の薄膜３を、レジスト４をマスクに
し、ハロゲン系のガスを用いたドライエッチング手段に
より電極配線3L形状にパターニングした後、 該アルミ
ニウム若しくはその合金薄膜パターン3L上のレジスト４
を、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル類、ケトン
類の中の少なくとも１種類のガスを添加したアッシング
ガス６を用いてアッシング除去する工程を有するように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特にアルミニウム合金配線の形成方法に関する。
特にアルミニウム合金配線の形成方法に関する。
【０００２】近年の半導体装置の高集積化に伴って、ア
ルミニウム(Al)配線も極度に微細化され、ストレスマイ
グレーションやエレクトロマイグレーションによる信頼
性低下が顕在化して来た。そこでAl配線の材料に、Al−
銅(Cu)合金や、Al−チタン(Ti)−Cu合金等を用いて上記
マイグレーションの防止が図られるようになったが、一
方、これらの材料を用いたAl配線には、コロジョンによ
る信頼性低下の問題があり、対策が望まれている。
ルミニウム(Al)配線も極度に微細化され、ストレスマイ
グレーションやエレクトロマイグレーションによる信頼
性低下が顕在化して来た。そこでAl配線の材料に、Al−
銅(Cu)合金や、Al−チタン(Ti)−Cu合金等を用いて上記
マイグレーションの防止が図られるようになったが、一
方、これらの材料を用いたAl配線には、コロジョンによ
る信頼性低下の問題があり、対策が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】上記Al-Cu 合金やAl-Ti-Cu合金には、塩
素(Cl)等のハロゲンイオンが存在する場合、合金を構成
する金属分子間の電池作用によって急速にコロジョンが
進むという性質がある。そのため上記Al-Cu 合金やAl-T
i-Cu合金等を用いたAl配線においては、コロジョンによ
る断線が発生し易いという問題がある。
素(Cl)等のハロゲンイオンが存在する場合、合金を構成
する金属分子間の電池作用によって急速にコロジョンが
進むという性質がある。そのため上記Al-Cu 合金やAl-T
i-Cu合金等を用いたAl配線においては、コロジョンによ
る断線が発生し易いという問題がある。
【０００４】そこで従来の上記Al合金を配線に用いる半
導体装置の製造方法においては、配線の形成に際して、
配線材料である上記Al合金薄膜を、レジストをマスクに
し、例えば３塩化硼素(BCl3)と塩素(Cl2) との混合ガス
等のハロゲン系ガスを用いたドライエッチング手段によ
り配線形状にパターニングし、次いで周知の４弗化炭素
(CF4) を含んだ酸素(O2)によるアッシングによりAl合金
配線パターン上のレジストを除去した後に、このAl合金
配線パターンを有する基板に対し、紫外線照射、熱処
理、十分な水洗等を施すことによって、前記エッチング
に際して配線パターンの表面や基板面に吸着されたCl等
のハロゲン系分子を除去することで、コロジョンの防止
がなされていた。
導体装置の製造方法においては、配線の形成に際して、
配線材料である上記Al合金薄膜を、レジストをマスクに
し、例えば３塩化硼素(BCl3)と塩素(Cl2) との混合ガス
等のハロゲン系ガスを用いたドライエッチング手段によ
り配線形状にパターニングし、次いで周知の４弗化炭素
(CF4) を含んだ酸素(O2)によるアッシングによりAl合金
配線パターン上のレジストを除去した後に、このAl合金
配線パターンを有する基板に対し、紫外線照射、熱処
理、十分な水洗等を施すことによって、前記エッチング
に際して配線パターンの表面や基板面に吸着されたCl等
のハロゲン系分子を除去することで、コロジョンの防止
がなされていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記加熱或い
は水洗によるハロゲン分子の除去方法は、何れもAl合金
配線及び基板の表面に吸着されているハロゲン例えばCl
を物理的に除去する方法であるために、その除去が十分
にはなされず、また水洗法では水分が吸着されることも
あって、コロジョンの防止は完全にはなし得ず、そのた
めに、製造工程中或いは製品の動作時にコロジョンによ
るAl合金配線の断線が発生し、半導体装置の製造歩留り
や信頼性が低下するという問題が生じていた。
は水洗によるハロゲン分子の除去方法は、何れもAl合金
配線及び基板の表面に吸着されているハロゲン例えばCl
を物理的に除去する方法であるために、その除去が十分
にはなされず、また水洗法では水分が吸着されることも
あって、コロジョンの防止は完全にはなし得ず、そのた
めに、製造工程中或いは製品の動作時にコロジョンによ
るAl合金配線の断線が発生し、半導体装置の製造歩留り
や信頼性が低下するという問題が生じていた。
【０００６】そこで本発明は、Al合金配線のパターニン
グに際してのエッチング工程においてAl合金配線の表面
及び基板面に吸着されるハロゲン分子をほぼ完全に除去
する方法を提供し、上記Al-Cu 若しくはAl-Ti-Cu等のAl
合金配線のコロジョンによる断線を防止することを目的
とする。
グに際してのエッチング工程においてAl合金配線の表面
及び基板面に吸着されるハロゲン分子をほぼ完全に除去
する方法を提供し、上記Al-Cu 若しくはAl-Ti-Cu等のAl
合金配線のコロジョンによる断線を防止することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、Al若
しくはその合金の薄膜を、レジストをマスクにし、ハロ
ゲン系のガスを用いたドライエッチング手段によりパタ
ーニングした後、該Al若しくはその合金薄膜パターン上
のレジストを、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル
類、ケトン類の中の少なくとも１種類のガスを添加した
アッシングガスを用いてアッシング除去する工程を有す
る本発明による半導体装置の製造方法により達成され
る。
しくはその合金の薄膜を、レジストをマスクにし、ハロ
ゲン系のガスを用いたドライエッチング手段によりパタ
ーニングした後、該Al若しくはその合金薄膜パターン上
のレジストを、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル
類、ケトン類の中の少なくとも１種類のガスを添加した
アッシングガスを用いてアッシング除去する工程を有す
る本発明による半導体装置の製造方法により達成され
る。
【０００８】
【作用】即ち本発明の方法においては、Al若しくはAl合
金配線パターン形成の際のエッチングマスクに用いたレ
ジストを除去するアッシングガス中にカルボン酸類、ア
ルデヒド類、エーテル類、ケトン類の中の少なくとも１
種類のガスを添加し、レジストアッシングに際してのプ
ラズマ処理において、上記添加ガスをプラズマ解離させ
て水素(H) 、炭素(C) 、酸素(O) 、水素化炭素（CHx ）
等の極性基を発生させ、これらの極性基との化学結合に
よって、配線パターンや基板の表面に吸着されている極
性の強いハロゲン系のガス分子例えばCl分子を引出し、
この化学結合で主として生成ずる塩酸(HCl) や塩化アル
キル(RCl) 等のガス状のハロゲン化合物を、アッシング
ガスと共に真空引きすることにより除去する。
金配線パターン形成の際のエッチングマスクに用いたレ
ジストを除去するアッシングガス中にカルボン酸類、ア
ルデヒド類、エーテル類、ケトン類の中の少なくとも１
種類のガスを添加し、レジストアッシングに際してのプ
ラズマ処理において、上記添加ガスをプラズマ解離させ
て水素(H) 、炭素(C) 、酸素(O) 、水素化炭素（CHx ）
等の極性基を発生させ、これらの極性基との化学結合に
よって、配線パターンや基板の表面に吸着されている極
性の強いハロゲン系のガス分子例えばCl分子を引出し、
この化学結合で主として生成ずる塩酸(HCl) や塩化アル
キル(RCl) 等のガス状のハロゲン化合物を、アッシング
ガスと共に真空引きすることにより除去する。
【０００９】このように、本発明の方法においては、配
線パターニング後にAl若しくはAl合金配線の表面及び基
板面に吸着されているハロゲン系分子例えばClを化学結
合により吸着面から引き離し、それを真空引きによって
除去するので、上記Cl等の吸着ハロゲン分子の除去はほ
ぼ完全になされる。
線パターニング後にAl若しくはAl合金配線の表面及び基
板面に吸着されているハロゲン系分子例えばClを化学結
合により吸着面から引き離し、それを真空引きによって
除去するので、上記Cl等の吸着ハロゲン分子の除去はほ
ぼ完全になされる。
【００１０】従って、本発明によれば、製造工程中或い
は製品の使用中ににおけるAl若しくはAl合金配線のコロ
ジョンによる断線は、ほぼ完全に防止される。
は製品の使用中ににおけるAl若しくはAl合金配線のコロ
ジョンによる断線は、ほぼ完全に防止される。
【００１１】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明の方法の一実施例の工程断面図、
図２は実施例に用いたアッシング装置の模式断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
明する。図１は本発明の方法の一実施例の工程断面図、
図２は実施例に用いたアッシング装置の模式断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
【００１２】図１(a) 参照 本発明の方法により例えばAl-2%Cu 合金配線を有する半
導体装置を形成するには、半導体素子（図示せず）が形
成されている半導体基板１上にＰＳＧ等からなる層間絶
縁膜２を形成し、この層間絶縁膜２に下層とのコンタク
ト窓（図示せず）を形成した後、この層間絶縁膜２上
に、通常通りスパッタ法等により配線材料の例えば厚さ
１μｍ程度のAl-2%Cu 合金膜３を形成し、次いで、この
Al-1%Cu 合金膜３上に通常のフォトリソグラフィ手段に
より配線のパターン形状に対応する形状を有するレジス
トパターン４を形成する。
導体装置を形成するには、半導体素子（図示せず）が形
成されている半導体基板１上にＰＳＧ等からなる層間絶
縁膜２を形成し、この層間絶縁膜２に下層とのコンタク
ト窓（図示せず）を形成した後、この層間絶縁膜２上
に、通常通りスパッタ法等により配線材料の例えば厚さ
１μｍ程度のAl-2%Cu 合金膜３を形成し、次いで、この
Al-1%Cu 合金膜３上に通常のフォトリソグラフィ手段に
より配線のパターン形状に対応する形状を有するレジス
トパターン４を形成する。
【００１３】図１(b) 参照 次いで、通常通り、上記レジストパターン４をマスクに
し、ハロゲン系のガス例えばBCl3とCl2 との混合ガスを
エッチングガスに用いるリアクティブイオンエッチング
（RIE ）処理により前記Al-2%Cu 合金膜３をパターニン
グし、Al-2%Cu合金配線パターン3Lを形成する。なお、
このエッチングにおいて、Al-2%Cu 合金配線パターン3L
やレジストパターン４及び層間絶縁膜２の表面にはCl
（分子或いはイオン）５が多量に吸着される。
し、ハロゲン系のガス例えばBCl3とCl2 との混合ガスを
エッチングガスに用いるリアクティブイオンエッチング
（RIE ）処理により前記Al-2%Cu 合金膜３をパターニン
グし、Al-2%Cu合金配線パターン3Lを形成する。なお、
このエッチングにおいて、Al-2%Cu 合金配線パターン3L
やレジストパターン４及び層間絶縁膜２の表面にはCl
（分子或いはイオン）５が多量に吸着される。
【００１４】図１(c) 参照 次いで、通常通りアッシング手段によってレジストパタ
ーン４の除去を行うが、この際、本発明の方法において
は、従来用いていた例えば（O2＋8%CF4)の混合ガス 800
sccmに５sccm程度のカルボン酸類のガス例えば酢酸(CH3
COOH) ガスを添加したアッシングガス６を用い、アッシ
ング装置内のガス圧を例えば 0.5〜１Torr程度に保って
レジストのアッシング処理を行う。このアッシングには
例えば図２の模式断面図に示すような、平行平板型のア
ッシング装置が用いられる。なお図２において、31はア
ッシング容器、32はターゲット電極、33は対向電極、34
はガス供給管、35はガス吹き出し口、36は真空排気口、
37は電極支軸、38は絶縁体、39は高周波電源(13.56MH
z)、40はコンデンサ、41は接地部、42は被処理基板、６
は前記CH3COOH を添加したアッシングガスを示す。ここ
で、ターゲット電極32と対向電極33管の距離ｄは70mmと
した。また、アッシング容器31、ターゲット電極32、対
向電極33、ガス供給管34、電極支柱37は導体で形成され
ている。
ーン４の除去を行うが、この際、本発明の方法において
は、従来用いていた例えば（O2＋8%CF4)の混合ガス 800
sccmに５sccm程度のカルボン酸類のガス例えば酢酸(CH3
COOH) ガスを添加したアッシングガス６を用い、アッシ
ング装置内のガス圧を例えば 0.5〜１Torr程度に保って
レジストのアッシング処理を行う。このアッシングには
例えば図２の模式断面図に示すような、平行平板型のア
ッシング装置が用いられる。なお図２において、31はア
ッシング容器、32はターゲット電極、33は対向電極、34
はガス供給管、35はガス吹き出し口、36は真空排気口、
37は電極支軸、38は絶縁体、39は高周波電源(13.56MH
z)、40はコンデンサ、41は接地部、42は被処理基板、６
は前記CH3COOH を添加したアッシングガスを示す。ここ
で、ターゲット電極32と対向電極33管の距離ｄは70mmと
した。また、アッシング容器31、ターゲット電極32、対
向電極33、ガス供給管34、電極支柱37は導体で形成され
ている。
【００１５】そして、ターゲット電極32と対向電極33と
の間に 13.56MHz 、 350〜400W程度の高周波パワーを印
加し、上記電極32、33間にプラズマを発生せしめ、この
プラズマにより励起されたO2ガス及びCF4 ガスによりレ
ジストのアッシング除去がなされる。そしてこの際、同
時にプラズマにより前記CH3COOH ガスが分解励起されて
形成された水素イオン(H+ ) 及びCH3COO+ 基がAl-2%Cu
合金配線パターン3Lやレジストパターン４及び層間絶縁
膜２の表面に吸着されているCl- と結合してガス上のHC
l 及びCH3COCl となって吸着部から引き離され、アッシ
ングガスと共に真空排気口36から吸引除去される。
の間に 13.56MHz 、 350〜400W程度の高周波パワーを印
加し、上記電極32、33間にプラズマを発生せしめ、この
プラズマにより励起されたO2ガス及びCF4 ガスによりレ
ジストのアッシング除去がなされる。そしてこの際、同
時にプラズマにより前記CH3COOH ガスが分解励起されて
形成された水素イオン(H+ ) 及びCH3COO+ 基がAl-2%Cu
合金配線パターン3Lやレジストパターン４及び層間絶縁
膜２の表面に吸着されているCl- と結合してガス上のHC
l 及びCH3COCl となって吸着部から引き離され、アッシ
ングガスと共に真空排気口36から吸引除去される。
【００１６】なお、前記エッチングに用いた装置と上記
アッシング装置とは気密室を介して連結されていて、真
空中（厳密には減圧中）においてエッチングを完了した
試料は、真空中を通過し外気に触れないでアッシング装
置内へ移されるのが望ましい。これは移動中にコロジョ
ンを発生させないためである。
アッシング装置とは気密室を介して連結されていて、真
空中（厳密には減圧中）においてエッチングを完了した
試料は、真空中を通過し外気に触れないでアッシング装
置内へ移されるのが望ましい。これは移動中にコロジョ
ンを発生させないためである。
【００１７】図１(d) 参照 この図は、上記のようにして、レジストパターン４のア
ッシング除去が完了するとともに、層間絶縁膜２及びそ
の上に形成されたAl-2%Cu 合金配線パターン3Lの表面に
吸着されていたClが除去された後の状態を示す。
ッシング除去が完了するとともに、層間絶縁膜２及びそ
の上に形成されたAl-2%Cu 合金配線パターン3Lの表面に
吸着されていたClが除去された後の状態を示す。
【００１８】図１(e) 参照 次いで、上記Al-2%Cu 合金配線パターン3Lの形成面上に
例えばＰＳＧ膜及び窒化珪素(Si3N4) 膜等からなる被覆
絶縁膜７を形成してAl-2%Cu 合金配線を有する半導体装
置は完成する。
例えばＰＳＧ膜及び窒化珪素(Si3N4) 膜等からなる被覆
絶縁膜７を形成してAl-2%Cu 合金配線を有する半導体装
置は完成する。
【００１９】上記実施例に示したように本発明の方法に
おいては、エッチングに際して配線や絶縁膜の表面に吸
着された極性の強いClは、レジストのアッシングガスに
添加したCH3COOH ガスがアッシングに際してのプラズマ
処理により分解励起して生成される極性の強い H+ やCH
3COO+ 基との化学結合によって吸着面から引き離されて
ほぼ完全に除去される。従って、40℃、湿度100%におけ
る高湿度放置試験において、従来１〜２日で発生してい
たコロジョンによる断線は、１〜２ヵ月を経てもその発
生が皆無であった。なお、吸着ハロゲンの除去処理を全
然行わないものは、１〜３時間で殆どのものがコロジョ
ンにより断線する。
おいては、エッチングに際して配線や絶縁膜の表面に吸
着された極性の強いClは、レジストのアッシングガスに
添加したCH3COOH ガスがアッシングに際してのプラズマ
処理により分解励起して生成される極性の強い H+ やCH
3COO+ 基との化学結合によって吸着面から引き離されて
ほぼ完全に除去される。従って、40℃、湿度100%におけ
る高湿度放置試験において、従来１〜２日で発生してい
たコロジョンによる断線は、１〜２ヵ月を経てもその発
生が皆無であった。なお、吸着ハロゲンの除去処理を全
然行わないものは、１〜３時間で殆どのものがコロジョ
ンにより断線する。
【００２０】上記実施例においては、吸着ハロゲンの除
去用にアッシングガスに添加するガスにカルボン酸類の
中のCH3COOH を用いたが、蟻酸(HCOOH) 等他のカルボン
酸（R-COOH) のガスを用いても同様の効果が得られる。
去用にアッシングガスに添加するガスにカルボン酸類の
中のCH3COOH を用いたが、蟻酸(HCOOH) 等他のカルボン
酸（R-COOH) のガスを用いても同様の効果が得られる。
【００２１】また、カルボン酸類に限らず、ホルムアル
デヒド(HCHO)、アセトアルデヒド(CH3CHO)等のアルデヒ
ド(R-CHO) 類、ジメチルエーテル(CH3OCH3) 、ジエチル
エーテル(C2H5OC2H5) 等のエーテル( R-OR′) 類、或い
はアセトン((CH3)2CO)等のケトン( R-CO-R′) 類のガス
を添加ガスに用いても、同様の効果を奏する。これは、
それらの添加ガスが、実施例同様に、プラズマ分解によ
って極性の強い H+ やCHx を生成することによる。
デヒド(HCHO)、アセトアルデヒド(CH3CHO)等のアルデヒ
ド(R-CHO) 類、ジメチルエーテル(CH3OCH3) 、ジエチル
エーテル(C2H5OC2H5) 等のエーテル( R-OR′) 類、或い
はアセトン((CH3)2CO)等のケトン( R-CO-R′) 類のガス
を添加ガスに用いても、同様の効果を奏する。これは、
それらの添加ガスが、実施例同様に、プラズマ分解によ
って極性の強い H+ やCHx を生成することによる。
【００２２】また上記効果は、Al-Cu 合金に限らずAl-T
i-Cu合金等他のAl合金、或いは純Alを配線に用いる場合
にも同様に得られる。
i-Cu合金等他のAl合金、或いは純Alを配線に用いる場合
にも同様に得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明のように本発明の方法によれ
ば、Al-Cu 合金、Al-Ti-Cu合金等のAl合金配線のコロジ
ョンによる断線が防止される。従って本発明は、上記Al
合金を用いマイグレーションを防止して高集積化が図ら
れる半導体装置の製造歩留り及び信頼性の向上に寄与す
るところが大きい。
ば、Al-Cu 合金、Al-Ti-Cu合金等のAl合金配線のコロジ
ョンによる断線が防止される。従って本発明は、上記Al
合金を用いマイグレーションを防止して高集積化が図ら
れる半導体装置の製造歩留り及び信頼性の向上に寄与す
るところが大きい。
【図１】 本発明の方法の一実施例の工程断面図
【図２】 実施例に用いたアッシング装置の模式断面図
１ 半導体基板 ２ 層間絶縁膜 ３ Al-2%Cu 合金膜 3L Al-1%Cu 合金配線パターン ４ レジストパターン ５ Cl（分子或いはイオン） ６ CH3COOH を添加したアッシングガス ７ 被覆絶縁膜 31 アッシング容器 32 ターゲット電極 33 対向電極 34 ガス供給管 35 ガス吹き出し口 36 真空排気口 37 電極支軸 38 絶縁体 39 高周波電源(13.56MHz) 40はコンデンサ 41 接地部 42 被処理基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム若しくはその合金の薄膜
を、レジストをマスクにし、ハロゲン系のガスを用いた
ドライエッチング手段によりパターニングした後、 該アルミニウム若しくはその合金薄膜パターン上のレジ
ストを、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル類、ケ
トン類の中の少なくとも１種類のガスを添加したアッシ
ングガスを用いてアッシング除去する工程を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235045A JPH0684840A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235045A JPH0684840A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684840A true JPH0684840A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16980270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4235045A Withdrawn JPH0684840A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684840A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153708A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
| WO2005106936A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Ebara Corporation | 基板の処理装置 |
| US8377216B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-02-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235045A patent/JPH0684840A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153708A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Nec Corp | エッチング装置およびエッチング方法 |
| WO2005106936A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Ebara Corporation | 基板の処理装置 |
| JPWO2005106936A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2008-07-31 | 株式会社荏原製作所 | 基板の処理装置 |
| JP4590402B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-12-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板の処理装置 |
| US8377216B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-02-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |