JPH0686670B2 - 放電化学反応装置 - Google Patents
放電化学反応装置Info
- Publication number
- JPH0686670B2 JPH0686670B2 JP62090086A JP9008687A JPH0686670B2 JP H0686670 B2 JPH0686670 B2 JP H0686670B2 JP 62090086 A JP62090086 A JP 62090086A JP 9008687 A JP9008687 A JP 9008687A JP H0686670 B2 JPH0686670 B2 JP H0686670B2
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- Japan
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- vacuum container
- magnetic field
- electrode
- space
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Links
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、真空中で放電により化学反応を起こさせて、
被処理物表面に薄膜を作成したり、エッチングを行なっ
たりする放電化学反応装置に関する。
被処理物表面に薄膜を作成したり、エッチングを行なっ
たりする放電化学反応装置に関する。
（従来の技術） 真空中における放電化学反応を利用し薄膜を作ったりエ
ッチングを行なったりする放電化学反応装置では、電界
にほぼ直交する方向に磁界を印加して放電のプラズマ密
度を高くし、化学反応を高速化し、より低圧、低温で、
より純度の高い薄膜を作成したり、より高速に質の良い
エッチングを行なうことが可能となることはよく知られ
ている。（特公昭59−15982号公報参照） またこのとき、被処理物表面における薄膜の作成あるい
はエッチングを均一化するには、前記印加磁界を交番磁
界にしたり、回転磁界とするのが有効であることも知ら
れている。（特開昭61−86942号公報参照） （発明が解決しようとする問題点） 従来の磁界発生方法は、二つの電極の一方または両方の
裏面に永久磁石若しくは電磁石を配置するか、真空容器
の外側に大きい励磁コイルを対向障立させて両者の間の
磁界の中に前記二つの電極に囲まれた空間が含まれるよ
うにするかの何れかの方法を採用している。
ッチングを行なったりする放電化学反応装置では、電界
にほぼ直交する方向に磁界を印加して放電のプラズマ密
度を高くし、化学反応を高速化し、より低圧、低温で、
より純度の高い薄膜を作成したり、より高速に質の良い
エッチングを行なうことが可能となることはよく知られ
ている。（特公昭59−15982号公報参照） またこのとき、被処理物表面における薄膜の作成あるい
はエッチングを均一化するには、前記印加磁界を交番磁
界にしたり、回転磁界とするのが有効であることも知ら
れている。（特開昭61−86942号公報参照） （発明が解決しようとする問題点） 従来の磁界発生方法は、二つの電極の一方または両方の
裏面に永久磁石若しくは電磁石を配置するか、真空容器
の外側に大きい励磁コイルを対向障立させて両者の間の
磁界の中に前記二つの電極に囲まれた空間が含まれるよ
うにするかの何れかの方法を採用している。
しかし、電極の裏面に永久磁石若しくは電磁石を配置す
る方法では、磁力線は電極表面と交差して出入りするこ
とになるため、「電極表面に平行」で且つ「一様即ち均
一な」磁界というのは到底得られない。一方、真空容器
の外側に大きい励磁コイルを対向障立させる方法は、被
処理物の表面積が大きくなると真空容器も大きくなり、
かなり高い磁束密度をその表面全体に均一に分布させよ
うとすると、磁界発生用の電磁石または電磁コイルの直
径はどうしても大きくなり、また対向する磁極間の距離
も大きく離れてしまうので、励磁電流も増加することに
なり、装置全体の大型化、大電力化は免がれない、とい
う欠点がある。
る方法では、磁力線は電極表面と交差して出入りするこ
とになるため、「電極表面に平行」で且つ「一様即ち均
一な」磁界というのは到底得られない。一方、真空容器
の外側に大きい励磁コイルを対向障立させる方法は、被
処理物の表面積が大きくなると真空容器も大きくなり、
かなり高い磁束密度をその表面全体に均一に分布させよ
うとすると、磁界発生用の電磁石または電磁コイルの直
径はどうしても大きくなり、また対向する磁極間の距離
も大きく離れてしまうので、励磁電流も増加することに
なり、装置全体の大型化、大電力化は免がれない、とい
う欠点がある。
また近時は大量の被処理物を処理するため装置が大型化
する傾向にあるが、このときどうしても真空容器内に導
入されたガスに分布の不均一を生じ、そのため薄膜堆積
またはエッチングに部分的な遅速を生ずることになり、
その対策が望まれている。
する傾向にあるが、このときどうしても真空容器内に導
入されたガスに分布の不均一を生じ、そのため薄膜堆積
またはエッチングに部分的な遅速を生ずることになり、
その対策が望まれている。
（発明の目的） この発明は、磁界発生に電力を必要とせず、装置の小型
化を可能にし、且つ被処理物表面に平行な方向に理想的
な形状の回転磁界を発生することの出来る、高効率で均
一性に秀れた放電化学反応装置の提供を目的とする。
化を可能にし、且つ被処理物表面に平行な方向に理想的
な形状の回転磁界を発生することの出来る、高効率で均
一性に秀れた放電化学反応装置の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段） この発明は、真空容器、該真空容器に気体を導入する手
段、該真空容器を排気する手段、該真空容器内の圧力を
調整する手段、該真空容器内に設置された電極及び対向
電極、該電極及び対向電極の間の空間に電界を生ぜしめ
てその空間に放電プラズマを起こさせる手段、前記電界
にほぼ直角の方向の磁界を発生する磁界発生手段を備え
る放電化学反応装置において、該磁界発生手段が、該電
極の中心軸に向かってその磁極を対向させて該中心軸に
交差する磁路を有し、且つ該中心軸又は該中心軸から偏
心した軸を回転軸として真空容器内の前記電極と対向電
極の間の空間に回転可能に配置されて該空間において前
記気体を攪拌することが可能な永久磁石であるような放
電化学反応装置によって前記目的を達成してものであ
る。
段、該真空容器を排気する手段、該真空容器内の圧力を
調整する手段、該真空容器内に設置された電極及び対向
電極、該電極及び対向電極の間の空間に電界を生ぜしめ
てその空間に放電プラズマを起こさせる手段、前記電界
にほぼ直角の方向の磁界を発生する磁界発生手段を備え
る放電化学反応装置において、該磁界発生手段が、該電
極の中心軸に向かってその磁極を対向させて該中心軸に
交差する磁路を有し、且つ該中心軸又は該中心軸から偏
心した軸を回転軸として真空容器内の前記電極と対向電
極の間の空間に回転可能に配置されて該空間において前
記気体を攪拌することが可能な永久磁石であるような放
電化学反応装置によって前記目的を達成してものであ
る。
（作用） 磁極間距離を極小にして磁界発生の効率を高め、磁界発
生装置を小型化し、回転する永久磁石は真空容器内のガ
スを攪拌してその分布を均一化する。
生装置を小型化し、回転する永久磁石は真空容器内のガ
スを攪拌してその分布を均一化する。
（実施例） 次に、この発明を図面を用い、実施例により説明する。
第１図（正面断面図）はこの発明の第１の実施例であ
り、真空容器１には、真空容器１を排気する手段２と、
真空容器１に気体を導入する手段３、真空容器１内の圧
力を調整する手段４が接続されている。真空容器１の内
部に設置した電極５および対向電極６には、交流（高周
波やマイクロ波でもよい）又は直流の電源７を接続して
電界Ｅが加えられている。
り、真空容器１には、真空容器１を排気する手段２と、
真空容器１に気体を導入する手段３、真空容器１内の圧
力を調整する手段４が接続されている。真空容器１の内
部に設置した電極５および対向電極６には、交流（高周
波やマイクロ波でもよい）又は直流の電源７を接続して
電界Ｅが加えられている。
更に、その電界とほぼ直交する磁界Ｂを設けるように、
前記両電極に挟まれた空間をNS極で挟むような永久磁石
８が設けられており、且つこの永久磁石８を、電極５の
表面の中央に立てた垂線即ち中心線を回転軸として回転
させる回転手段９（例えば、電動機）が真空容器内に設
けられている。電極５の上には被処理物である基板10が
載置されている。
前記両電極に挟まれた空間をNS極で挟むような永久磁石
８が設けられており、且つこの永久磁石８を、電極５の
表面の中央に立てた垂線即ち中心線を回転軸として回転
させる回転手段９（例えば、電動機）が真空容器内に設
けられている。電極５の上には被処理物である基板10が
載置されている。
電源７から電力が両電極に印加されたとき、これら電界
と磁界によって放電はかなり低い圧力状態でも高密度に
発生することになり、高速でしかも良質の表面処理が可
能となるが、特に、本発明の場合は、磁界の強さとその
良好な均一性が、処理の均一度を極めて高いものにし、
更に均整のとれた電界と磁界の直交形状は、トレンチエ
ッチングなどの加工で加工精度を高める効果を生ずる。
と磁界によって放電はかなり低い圧力状態でも高密度に
発生することになり、高速でしかも良質の表面処理が可
能となるが、特に、本発明の場合は、磁界の強さとその
良好な均一性が、処理の均一度を極めて高いものにし、
更に均整のとれた電界と磁界の直交形状は、トレンチエ
ッチングなどの加工で加工精度を高める効果を生ずる。
第２図は、本発明の第２の実施例の同様の図であり、各
部材の名称，符号は第１図と同様である。第１図と異な
るところは、この場合は永久磁石８の回転軸が、電極５
の中心軸からみるとやや偏心して設けられており、この
偏心によって基板10の表面で、時間的に見た平均的な磁
界の強さが、第１の実施例の装置よりも一層均一化され
るように考慮されている。真空容器内のガスの攪拌力も
高まる。
部材の名称，符号は第１図と同様である。第１図と異な
るところは、この場合は永久磁石８の回転軸が、電極５
の中心軸からみるとやや偏心して設けられており、この
偏心によって基板10の表面で、時間的に見た平均的な磁
界の強さが、第１の実施例の装置よりも一層均一化され
るように考慮されている。真空容器内のガスの攪拌力も
高まる。
（発明の効果） この発明は、磁界発生に電力を要せず、装置の小型化を
可能にし、且つ被処理物表面に平行な方向に理想的な形
状の回転磁界を発生することの出来る、高効率で均一性
に秀れたの放電化学反応装置を提供する効果がある。
可能にし、且つ被処理物表面に平行な方向に理想的な形
状の回転磁界を発生することの出来る、高効率で均一性
に秀れたの放電化学反応装置を提供する効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の正面断面図。 第２図は本発明の第２の実施例の正面断面図。 １……真空容器、２……真空容器を排気する手段、３…
…真空容器に気体を導入する手段、４……真空容器内の
圧力を調整する手段、５……電極、６……対向電極、７
……電源、８……永久磁石、９……回転手段、10……被
処理物の基板、Ｅ……電界、Ｂ……磁界。
…真空容器に気体を導入する手段、４……真空容器内の
圧力を調整する手段、５……電極、６……対向電極、７
……電源、８……永久磁石、９……回転手段、10……被
処理物の基板、Ｅ……電界、Ｂ……磁界。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−87884（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−187336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−18638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−55569（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器、該真空容器に気体を導入する手
段、該真空容器を排気する手段、該真空容器内の圧力を
調整する手段、該真空容器内に設置された電極及び対向
電極、該電極及び対向電極の間の空間に電界を生ぜしめ
てその空間に放電プラズマを起こさせる手段、前記電界
にほぼ直角の方向に磁界を発生する磁界発生手段を備え
る放電化学反応装置において、該磁界発生手段が、該電
極の中心軸に向かってその磁極を対向させて該中心軸に
交差する磁路を有し、且つ該中心軸又は該中心軸から偏
心した軸を回転軸として真空容器内の前記電極と対向電
極の間の空間に回転可能に配置されて該空間において前
記気体を攪拌することが可能な永久磁石であることを特
徴とする放電化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090086A JPH0686670B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 放電化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62090086A JPH0686670B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 放電化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255383A JPS63255383A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH0686670B2 true JPH0686670B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=13988714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62090086A Expired - Lifetime JPH0686670B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 放電化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0686670B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3099920B2 (ja) * | 1992-05-12 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 平行平板型反応性イオンエッチング装置 |
| SE521904C2 (sv) * | 1999-11-26 | 2003-12-16 | Ladislav Bardos | Anordning för hybridplasmabehandling |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59591B2 (ja) * | 1981-09-26 | 1984-01-07 | 富士通株式会社 | プラズマエツチング方法 |
| JPS5918638A (ja) * | 1982-07-22 | 1984-01-31 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS61187336A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置とエッチング方法 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62090086A patent/JPH0686670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63255383A (ja) | 1988-10-21 |
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Legal Events
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