JPH0687085A - セラミック基板の分割方法 - Google Patents
セラミック基板の分割方法Info
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- JPH0687085A JPH0687085A JP4266796A JP26679692A JPH0687085A JP H0687085 A JPH0687085 A JP H0687085A JP 4266796 A JP4266796 A JP 4266796A JP 26679692 A JP26679692 A JP 26679692A JP H0687085 A JPH0687085 A JP H0687085A
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- JP
- Japan
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- ceramic substrate
- laser beam
- irradiation
- dividing
- irradiation interval
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目 的】 スクライブ溝に沿ってセラミック基板を分
割する際に、バリや突出部が小さく、機械的強度の強い
セラミック基板の分割方法を提供する。 【構 成】 セラミック基板の分割方法は、レーザー光
線を断続的にセラミック基板に照射して溶融跡からなる
スクライブ溝を形成し、このスクライブ溝に沿ってセラ
ミック基板を分割する。この時のレーザー光線の照射
は、スクライブ溝を形成する仮想分割線どうしが交叉す
る部分の近傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、前
記交叉部分から離れた位置で、レーザー光線の照射間隔
を粗にする。また、レーザー光線の照射は、前記仮想分
割線どうしが交叉する部分およびセラミック基板端の近
傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、その他の部分
で、レーザー光線の照射間隔を粗にする。
割する際に、バリや突出部が小さく、機械的強度の強い
セラミック基板の分割方法を提供する。 【構 成】 セラミック基板の分割方法は、レーザー光
線を断続的にセラミック基板に照射して溶融跡からなる
スクライブ溝を形成し、このスクライブ溝に沿ってセラ
ミック基板を分割する。この時のレーザー光線の照射
は、スクライブ溝を形成する仮想分割線どうしが交叉す
る部分の近傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、前
記交叉部分から離れた位置で、レーザー光線の照射間隔
を粗にする。また、レーザー光線の照射は、前記仮想分
割線どうしが交叉する部分およびセラミック基板端の近
傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、その他の部分
で、レーザー光線の照射間隔を粗にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一枚のセラミック基板
を複数に分割するためにレーザースクライブ加工方法を
用いたセラミック基板の分割方法に関するものである。
を複数に分割するためにレーザースクライブ加工方法を
用いたセラミック基板の分割方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２を参照しつつ従来例におけるセラミ
ック基板をレーザースクライブ加工によって分割する方
法を説明する。図２は連続したスクライブ溝によってセ
ラミック基板を分割する従来例を説明するための図であ
る。図２において、セラミック基板１１は、たとえばア
ルミナ、あるいはチタン酸バリウム等を主成分としてい
る。そして、このセラミック基板１１は、所望の大きさ
に分割するためにレーザースクライブ加工が施される。
すなわち、セラミック基板１１には、図示されていない
レーザー光線が断続的で間隔を密にして照射されること
によって、連続したスクライブ溝１２が形成される。
ック基板をレーザースクライブ加工によって分割する方
法を説明する。図２は連続したスクライブ溝によってセ
ラミック基板を分割する従来例を説明するための図であ
る。図２において、セラミック基板１１は、たとえばア
ルミナ、あるいはチタン酸バリウム等を主成分としてい
る。そして、このセラミック基板１１は、所望の大きさ
に分割するためにレーザースクライブ加工が施される。
すなわち、セラミック基板１１には、図示されていない
レーザー光線が断続的で間隔を密にして照射されること
によって、連続したスクライブ溝１２が形成される。
【０００３】たとえば、厚膜回路基板を作製する場合、
前記スクライブ溝１２が形成されたセラミック基板１１
上には、配線用の導体パターン、電極、厚膜抵抗体、ガ
ラス被膜等がスクリーン印刷法によって形成される。そ
の後、チップ型回路部品は、前記セラミック基板１１の
所定位置にはんだを介して載置され、リフロー処理によ
ってはんだ付けされる。チップ型回路部品が実装された
後、セラミック基板１１は、前記スクライブ溝１２に沿
って分割されることによって、モジュール単体１１−
１、１１−２、１１−３、１１−４が形成される。
前記スクライブ溝１２が形成されたセラミック基板１１
上には、配線用の導体パターン、電極、厚膜抵抗体、ガ
ラス被膜等がスクリーン印刷法によって形成される。そ
の後、チップ型回路部品は、前記セラミック基板１１の
所定位置にはんだを介して載置され、リフロー処理によ
ってはんだ付けされる。チップ型回路部品が実装された
後、セラミック基板１１は、前記スクライブ溝１２に沿
って分割されることによって、モジュール単体１１−
１、１１−２、１１−３、１１−４が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３は図２のスクライ
ブ溝に沿って分割されたセラミック基板を説明するため
の図である。図３にはスクライブ溝に沿って分割された
内の二枚のセラミック基板１１−１、１１−２が示され
ている。セラミック基板１１には、レーザー光線が照射
され、その熱によりセラミック基板１１の一部を溶融す
ることによってスクライブ溝１２が形成される。そし
て、図２に示すように連続したスクライブ溝１２に沿っ
て分割すると、図３に示すように、セラミック基板１１
−１は、スクライブ溝１２に沿って基板端面に細かい凹
凸部からなるバリ１３が形成される。特に、図３に示す
ように、スクライブ溝１２の交叉する部分１４には、凹
凸部１５ができるため、セラミック基板１１の外形寸法
が変わるという問題を有した。また、図３に示すような
バリ１３を少なくするために、レーザー光線をセラミッ
ク基板１１に密に照射すると、スクリーン印刷等の製造
工程におけるセラミック基板１１の機械的強度が低下す
る。たとえば、図２に示すように密度の高いレーザー光
線が断続的に照射されて連続のスクライブ溝１２が形成
されたセラミック基板１１は、スクリーン印刷あるいは
その他の加工工程の途中で、スクライブ溝１２に沿って
割れてしまうという事故が発生した。
ブ溝に沿って分割されたセラミック基板を説明するため
の図である。図３にはスクライブ溝に沿って分割された
内の二枚のセラミック基板１１−１、１１−２が示され
ている。セラミック基板１１には、レーザー光線が照射
され、その熱によりセラミック基板１１の一部を溶融す
ることによってスクライブ溝１２が形成される。そし
て、図２に示すように連続したスクライブ溝１２に沿っ
て分割すると、図３に示すように、セラミック基板１１
−１は、スクライブ溝１２に沿って基板端面に細かい凹
凸部からなるバリ１３が形成される。特に、図３に示す
ように、スクライブ溝１２の交叉する部分１４には、凹
凸部１５ができるため、セラミック基板１１の外形寸法
が変わるという問題を有した。また、図３に示すような
バリ１３を少なくするために、レーザー光線をセラミッ
ク基板１１に密に照射すると、スクリーン印刷等の製造
工程におけるセラミック基板１１の機械的強度が低下す
る。たとえば、図２に示すように密度の高いレーザー光
線が断続的に照射されて連続のスクライブ溝１２が形成
されたセラミック基板１１は、スクリーン印刷あるいは
その他の加工工程の途中で、スクライブ溝１２に沿って
割れてしまうという事故が発生した。
【０００５】図４は断続したレーザースポットによって
形成されたスクライブ溝に沿ってセラミック基板を分割
する他の従来例を説明するための図である。図４に示す
スクライブ溝１６は、レーザー光線の照射間隔を粗にし
て、断続した溶融跡を形成する。このように断続した溶
融跡のスクライブ溝１６、１６′を備えたセラミック基
板１１は、スクリーン印刷工程等における機械的強度が
強く、各種工程中にスクライブ溝１６、１６′に沿って
割れることがない。しかし、このように、断続的な溶融
跡にすると、セラミック基板１１は、分割の際に発生す
るバリ１３や仮想分割線の交叉部における凹凸部１５が
大きくなる。したがって、レーザー光線による溶融でス
クライブ溝を形成する場合、レーザー光線の照射間隔を
密にすれば機械的強度が低下し、粗にすればバリ１３や
凹凸部１５が大きくなる。
形成されたスクライブ溝に沿ってセラミック基板を分割
する他の従来例を説明するための図である。図４に示す
スクライブ溝１６は、レーザー光線の照射間隔を粗にし
て、断続した溶融跡を形成する。このように断続した溶
融跡のスクライブ溝１６、１６′を備えたセラミック基
板１１は、スクリーン印刷工程等における機械的強度が
強く、各種工程中にスクライブ溝１６、１６′に沿って
割れることがない。しかし、このように、断続的な溶融
跡にすると、セラミック基板１１は、分割の際に発生す
るバリ１３や仮想分割線の交叉部における凹凸部１５が
大きくなる。したがって、レーザー光線による溶融でス
クライブ溝を形成する場合、レーザー光線の照射間隔を
密にすれば機械的強度が低下し、粗にすればバリ１３や
凹凸部１５が大きくなる。
【０００６】本発明は、上記のような矛盾する課題を解
決するためのもので、スクライブ溝に沿ってセラミック
基板を分割する際に発生するバリや、仮想分割線の交叉
部における凹凸部が小さく、機械的強度の強いセラミッ
ク基板の分割方法を提供することを目的とする。
決するためのもので、スクライブ溝に沿ってセラミック
基板を分割する際に発生するバリや、仮想分割線の交叉
部における凹凸部が小さく、機械的強度の強いセラミッ
ク基板の分割方法を提供することを目的とする。
【０００７】
（第１発明）前記目的を達成するために、本発明のセラ
ミック基板の分割方法は、レーザー光線を断続的にセラ
ミック基板（図１の１）に照射して溶融跡からなるスク
ライブ溝（図１の４、５）を形成し、このスクライブ溝
（４、５）に沿って分割するものであって、スクライブ
溝（４、５）を形成する仮想分割線どうしが交叉する部
分の近傍（図１（イ）の３）では、レーザー光線の照射
間隔を密にし、前記交叉部分から離れた位置では、レー
ザー光線の照射間隔を粗にすることを特徴とする。
ミック基板の分割方法は、レーザー光線を断続的にセラ
ミック基板（図１の１）に照射して溶融跡からなるスク
ライブ溝（図１の４、５）を形成し、このスクライブ溝
（４、５）に沿って分割するものであって、スクライブ
溝（４、５）を形成する仮想分割線どうしが交叉する部
分の近傍（図１（イ）の３）では、レーザー光線の照射
間隔を密にし、前記交叉部分から離れた位置では、レー
ザー光線の照射間隔を粗にすることを特徴とする。
【０００８】（第２発明）本発明のセラミック基板の分
割方法は、前記仮想分割線どうしが交叉する部分（３）
およびセラミック基板端（図１の２）の近傍では、レー
ザー光線の照射間隔を密にし、その他の部分では、レー
ザー光線の照射間隔を粗にすることを特徴とする。
割方法は、前記仮想分割線どうしが交叉する部分（３）
およびセラミック基板端（図１の２）の近傍では、レー
ザー光線の照射間隔を密にし、その他の部分では、レー
ザー光線の照射間隔を粗にすることを特徴とする。
【０００９】
（第１発明）レーザー光線による溶融跡でスクライブ溝
を形成する場合、レーザー光線の照射を密にすればスク
リーン印刷を行なう工程中に機械的強度が低下し、粗に
すればバリ１３や仮想分割線の交叉部における凹凸部１
５が大きくなるという矛盾を解決するために、レーザー
光線の照射間隔を種々変えて、セラミック基板を分割し
た際のセラミック基板における分割部分の形状を観察し
た。そして、セラミック基板の分割方法は、スクライブ
溝を形成する仮想分割線どうしが交叉する部分の近傍
で、レーザー光線の照射間隔を密にし、前記交叉部分か
ら離れた位置で、レーザー光線の照射間隔を粗にした場
合、セラミック基板の分割部分に発生するバリや仮想分
割線の交叉部における凹凸部が小さいことを発見した。
を形成する場合、レーザー光線の照射を密にすればスク
リーン印刷を行なう工程中に機械的強度が低下し、粗に
すればバリ１３や仮想分割線の交叉部における凹凸部１
５が大きくなるという矛盾を解決するために、レーザー
光線の照射間隔を種々変えて、セラミック基板を分割し
た際のセラミック基板における分割部分の形状を観察し
た。そして、セラミック基板の分割方法は、スクライブ
溝を形成する仮想分割線どうしが交叉する部分の近傍
で、レーザー光線の照射間隔を密にし、前記交叉部分か
ら離れた位置で、レーザー光線の照射間隔を粗にした場
合、セラミック基板の分割部分に発生するバリや仮想分
割線の交叉部における凹凸部が小さいことを発見した。
【００１０】（第２発明）また、レーザー光線の照射間
隔を種々変えて、セラミック基板を分割する際のセラミ
ック基板における分割部分の形状を観察した結果、前記
仮想分割線どうしが交叉する部分およびセラミック基板
端の近傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、その他
の部分では、レーザー光線の照射間隔を粗にした場合、
セラミック基板の分割部分に発生するバリや仮想分割線
の交叉部における凹凸部が小さいことを発見した。
隔を種々変えて、セラミック基板を分割する際のセラミ
ック基板における分割部分の形状を観察した結果、前記
仮想分割線どうしが交叉する部分およびセラミック基板
端の近傍で、レーザー光線の照射間隔を密にし、その他
の部分では、レーザー光線の照射間隔を粗にした場合、
セラミック基板の分割部分に発生するバリや仮想分割線
の交叉部における凹凸部が小さいことを発見した。
【００１１】
【実 施 例】図１（イ）は本発明の一実施例であるセ
ラミック基板を分割する際の分割方法の概略を説明する
ための図である。図１（ロ）は図１（イ）におけるＡ−
Ａ′断面図である。なお、図１（イ）および（ロ）は実
施例における実際の寸法と比例していない。図１（イ）
および（ロ）において、セラミック基板１は、たとえば
アルミナ、あるいはチタン酸バリウム等を主成分とした
ものからなる。そして、このセラミック基板１は、所望
の大きさに分割するためにレーザースクライブ加工が施
される。すなわち、図示されていないレーザー光線を断
続的に照射することによって、スクライブ溝４および５
が形成される。
ラミック基板を分割する際の分割方法の概略を説明する
ための図である。図１（ロ）は図１（イ）におけるＡ−
Ａ′断面図である。なお、図１（イ）および（ロ）は実
施例における実際の寸法と比例していない。図１（イ）
および（ロ）において、セラミック基板１は、たとえば
アルミナ、あるいはチタン酸バリウム等を主成分とした
ものからなる。そして、このセラミック基板１は、所望
の大きさに分割するためにレーザースクライブ加工が施
される。すなわち、図示されていないレーザー光線を断
続的に照射することによって、スクライブ溝４および５
が形成される。
【００１２】たとえば、大きさ４０ｍｍ×５０ｍｍ×６
３５μｍのセラミック基板１を４分割するために、レー
ザー光線が照射された。レーザー光線は、その照射間隔
を２５０μｍピッチから２０μｍピッチの間を１０μｍ
ピッチずつ変えてセラミック基板１の仮想分割線に沿っ
て照射された。この時、大きさ４０ｍｍ×５０ｍｍ×６
３５μｍのセラミック基板１は、９６％アルミナを使用
し、炭酸ガスレーザーの出力を５０Ｗにした場合、レー
ザー光線の一回の照射によって、直径および深さが約１
５０μｍのスポット状に溶融された。したがって、連続
的なスクライブ溝４は、レーザー光線の照射ピッチを１
５０μｍ以下にした時、また、断続的なスクライブ溝５
は、上記ピッチを１５０μｍ以上にした時それぞれ形成
される。
３５μｍのセラミック基板１を４分割するために、レー
ザー光線が照射された。レーザー光線は、その照射間隔
を２５０μｍピッチから２０μｍピッチの間を１０μｍ
ピッチずつ変えてセラミック基板１の仮想分割線に沿っ
て照射された。この時、大きさ４０ｍｍ×５０ｍｍ×６
３５μｍのセラミック基板１は、９６％アルミナを使用
し、炭酸ガスレーザーの出力を５０Ｗにした場合、レー
ザー光線の一回の照射によって、直径および深さが約１
５０μｍのスポット状に溶融された。したがって、連続
的なスクライブ溝４は、レーザー光線の照射ピッチを１
５０μｍ以下にした時、また、断続的なスクライブ溝５
は、上記ピッチを１５０μｍ以上にした時それぞれ形成
される。
【００１３】上記レーザー光線のセラミック基板１に対
する照射ピッチを変える実験を繰替えし、１枚のセラミ
ック基板１を４分割した際の各破断面のバリ寸法を測定
した結果、次のようなことが判った。すなわち、セラミ
ック基板端２および／または仮想分割線の交叉する近傍
３を、たとえば２ｍｍの範囲でレーザー光線を５０μｍ
ピッチで照射した場合、バリ１３および凹凸部１５を一
番小さくすることができた。また、上記部分以外では、
レーザー光線の照射ピッチを２００μｍにした場合一番
良い結果が得られた。
する照射ピッチを変える実験を繰替えし、１枚のセラミ
ック基板１を４分割した際の各破断面のバリ寸法を測定
した結果、次のようなことが判った。すなわち、セラミ
ック基板端２および／または仮想分割線の交叉する近傍
３を、たとえば２ｍｍの範囲でレーザー光線を５０μｍ
ピッチで照射した場合、バリ１３および凹凸部１５を一
番小さくすることができた。また、上記部分以外では、
レーザー光線の照射ピッチを２００μｍにした場合一番
良い結果が得られた。
【００１４】上記セラミック基板１とレーザー光線を使
用して、セラミック基板端２および／または仮想分割線
の交叉する近傍３を、たとえば２ｍｍの範囲でレーザー
光線を５０μｍピッチで照射した時の条件で４０個の試
料について分割後の各破断面を測定した結果、バリ寸法
の最大値は、１００μｍであった。これに対して、レー
ザー光線の照射ピッチを全て２００μｍとした場合の各
破断面のバリ１３は、最大値が２５０μｍであった。
用して、セラミック基板端２および／または仮想分割線
の交叉する近傍３を、たとえば２ｍｍの範囲でレーザー
光線を５０μｍピッチで照射した時の条件で４０個の試
料について分割後の各破断面を測定した結果、バリ寸法
の最大値は、１００μｍであった。これに対して、レー
ザー光線の照射ピッチを全て２００μｍとした場合の各
破断面のバリ１３は、最大値が２５０μｍであった。
【００１５】以上のようにしてスクライブ溝４および５
が形成されたセラミック基板１上には、配線用の導体パ
ターン、電極、厚膜抵抗体、ガラス被膜等がスクリーン
印刷法によって形成される。その後、チップ型回路部品
は、前記セラミック基板１の所定位置にはんだを介して
載置され、リフロー処理によってはんだ付けされる。そ
の後、セラミック基板１は、前記スクライブ溝４および
５に沿って分割されることによって、モジュール単体と
なる。
が形成されたセラミック基板１上には、配線用の導体パ
ターン、電極、厚膜抵抗体、ガラス被膜等がスクリーン
印刷法によって形成される。その後、チップ型回路部品
は、前記セラミック基板１の所定位置にはんだを介して
載置され、リフロー処理によってはんだ付けされる。そ
の後、セラミック基板１は、前記スクライブ溝４および
５に沿って分割されることによって、モジュール単体と
なる。
【００１６】以上、本発明の実施例を詳述したが、本発
明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、
特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することがな
ければ、種々の設計変更を行うことが可能である。たと
えば、セラミック基板の材質およびレーザー光線の種類
およびそのスポット径が適宜選択できることはいうまで
もない。
明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、
特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することがな
ければ、種々の設計変更を行うことが可能である。たと
えば、セラミック基板の材質およびレーザー光線の種類
およびそのスポット径が適宜選択できることはいうまで
もない。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、レーザー光線の照射ピ
ッチを適宜変えることによって、セラミック基板を分割
する際に発生するバリ、あるいは仮想分割線の交叉部に
おける凹凸部を最小寸法に抑えることができた。また、
本発明のような方法を採ると、セラミック基板にスクラ
イブ溝を形成した後にスクリーン印刷等の製造工程を施
す際にセラミック基板が割れるという事故が発生しな
い。
ッチを適宜変えることによって、セラミック基板を分割
する際に発生するバリ、あるいは仮想分割線の交叉部に
おける凹凸部を最小寸法に抑えることができた。また、
本発明のような方法を採ると、セラミック基板にスクラ
イブ溝を形成した後にスクリーン印刷等の製造工程を施
す際にセラミック基板が割れるという事故が発生しな
い。
【図１】図１（イ）は本発明の一実施例であるセラミッ
ク基板を分割する際の分割方法の概略を説明するための
図である。図１（ロ）は図１（イ）におけるＡ−Ａ′断
面図である。
ク基板を分割する際の分割方法の概略を説明するための
図である。図１（ロ）は図１（イ）におけるＡ−Ａ′断
面図である。
【図２】連続したスクライブ溝によってセラミック基板
を分割する従来例を説明するための図である。
を分割する従来例を説明するための図である。
【図３】図２のスクライブ溝に沿って分割された１枚の
セラミック基板を説明するための図である。
セラミック基板を説明するための図である。
【図４】断続したレーザースポットによって形成された
スクライブ溝に沿ってセラミック基板を分割する他の従
来例を説明するための図である。
スクライブ溝に沿ってセラミック基板を分割する他の従
来例を説明するための図である。
１・・・セラミック基板 ２・・・セラミック基板端 ３・・・仮想分割線の交叉する近傍 ４・・・連続的スクライブ溝 ５・・・断続的スクライブ溝 １３・・・バリ １４・・・仮想分割線の交叉部 １５・・・凹凸部
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザー光線を断続的にセラミック基板
に照射して溶融跡からなるスクライブ溝を形成し、この
スクライブ溝に沿って分割するセラミック基板の分割方
法において、 スクライブ溝を形成する仮想分割線どうしが交叉する部
分の近傍では、レーザー光線の照射間隔を密にし、前記
交叉部分から離れた位置では、レーザー光線の照射間隔
を粗にすることを特徴とするセラミック基板の分割方
法。 - 【請求項２】 前記仮想分割線どうしが交叉する部分お
よびセラミック基板端の近傍では、レーザー光線の照射
間隔を密にし、その他の部分では、レーザー光線の照射
間隔を粗にすることを特徴とする請求項１記載のセラミ
ック基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266796A JPH0687085A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4266796A JPH0687085A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687085A true JPH0687085A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17435809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4266796A Pending JPH0687085A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | セラミック基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687085A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4823288A (en) * | 1986-05-20 | 1989-04-18 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Document processor |
| US6881128B1 (en) | 1998-07-10 | 2005-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramics base plate and method for producing the same |
| JP2005294523A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック回路基板の製造方法 |
| JP2008004871A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
| JP2008296431A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Kitagawa Ind Co Ltd | セラミックシート |
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