JPH0688977A - ２次非線形光学材料およびその製造方法 - Google Patents
２次非線形光学材料およびその製造方法Info
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- JPH0688977A JPH0688977A JP10965993A JP10965993A JPH0688977A JP H0688977 A JPH0688977 A JP H0688977A JP 10965993 A JP10965993 A JP 10965993A JP 10965993 A JP10965993 A JP 10965993A JP H0688977 A JPH0688977 A JP H0688977A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルム形成用の高分子溶液中のゲル成分の
発生を抑え、光学的に均一なフィルムを形成しやすい２
次非線形材料およびその製造方法を提供することを目的
とする。 【構成】 本発明は、式（Ｃ−１）で表される化合物成
分の少なくとも１種類以上と、式（Ｃ−２）または（Ｃ
−２）で表される化合物成分の少なくとも１種類以上
が、共に高分子鎖に結合していることを特徴とする、２
次非線形光学材料およびその製造方法を提供する。 【化１】 ［式中、π1からπn、π’1、π’2およびπ''1は各
々、π電子共役系の環状化合物を示し；Ｘ1からＸn-1、
Ｘ’1、Ｙ1からＹn-1、Ｙ’1は各々、ＣＨ、Ｎあるいは
Ｎ→Ｏを示し；Ａ1、Ａ2およびＡ3は各々、電子吸引基
を示し；Ｄ1、Ｄ2およびＤ3は各々、電子供与基を示
し；ｎは、３以上の整数である。］
発生を抑え、光学的に均一なフィルムを形成しやすい２
次非線形材料およびその製造方法を提供することを目的
とする。 【構成】 本発明は、式（Ｃ−１）で表される化合物成
分の少なくとも１種類以上と、式（Ｃ−２）または（Ｃ
−２）で表される化合物成分の少なくとも１種類以上
が、共に高分子鎖に結合していることを特徴とする、２
次非線形光学材料およびその製造方法を提供する。 【化１】 ［式中、π1からπn、π’1、π’2およびπ''1は各
々、π電子共役系の環状化合物を示し；Ｘ1からＸn-1、
Ｘ’1、Ｙ1からＹn-1、Ｙ’1は各々、ＣＨ、Ｎあるいは
Ｎ→Ｏを示し；Ａ1、Ａ2およびＡ3は各々、電子吸引基
を示し；Ｄ1、Ｄ2およびＤ3は各々、電子供与基を示
し；ｎは、３以上の整数である。］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機非線形光学材料に
関し、さらに詳細には新規な２次非線形光学材料および
その製造方法に関するものである。
関し、さらに詳細には新規な２次非線形光学材料および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近
年、大きな２次非線形光学特性を有する色素材料を含有
した透明高分子を分極処理した材料（以下、ポールドポ
リマーと呼ぶ）が、光変調素子、波長変換素子や電界セ
ンサプローブ用の材料として注目されている。ポールド
ポリマーの化学構造は、大きな２次分子感受率（色素分
子固有の２非線形光学特性）を有する色素が高分子鎖に
高濃度に化学結合しているものが望ましく、色素材料は
電子吸引基と電子供与基を有する共役π電子系が一般的
である。具体的には、ポリメチルメタクリレートの主鎖
にアゾ色素（文献：K. D. Singerら, Appl. Phys. Let
t., 53巻, 1800 (1988)参照）やスチルベン色素（文
献：G. R. Mohlmannら, Synthetic Metals, 37巻, 207
(1989)参照）を結合したものについて２次非線形光学特
性を測定した報告がなされており、２次非線形光学定数
が色素含有量と共に増大することが知られている。ま
た、２次分子感受率を増大させる試みが行われており、
電子吸引基と電子供与基を有する長いπ電子共役鎖から
なる色素分子が、大きな２次分子感受率を有することが
報告されている（文献：J. L. Oudarら, J. Chem. Phy
s., 67巻, 446 (1977)参照）。具体的には３個の芳香環
がアゾ基を介して共役系を形成する色素において、２個
の芳香環からなるアゾ色素やスチルベン色素よりも大き
な２次分子感受率が得られている（文献：M. Amanoら,
J. Appl. Phys., 68, 6024 (1990)参照）。
年、大きな２次非線形光学特性を有する色素材料を含有
した透明高分子を分極処理した材料（以下、ポールドポ
リマーと呼ぶ）が、光変調素子、波長変換素子や電界セ
ンサプローブ用の材料として注目されている。ポールド
ポリマーの化学構造は、大きな２次分子感受率（色素分
子固有の２非線形光学特性）を有する色素が高分子鎖に
高濃度に化学結合しているものが望ましく、色素材料は
電子吸引基と電子供与基を有する共役π電子系が一般的
である。具体的には、ポリメチルメタクリレートの主鎖
にアゾ色素（文献：K. D. Singerら, Appl. Phys. Let
t., 53巻, 1800 (1988)参照）やスチルベン色素（文
献：G. R. Mohlmannら, Synthetic Metals, 37巻, 207
(1989)参照）を結合したものについて２次非線形光学特
性を測定した報告がなされており、２次非線形光学定数
が色素含有量と共に増大することが知られている。ま
た、２次分子感受率を増大させる試みが行われており、
電子吸引基と電子供与基を有する長いπ電子共役鎖から
なる色素分子が、大きな２次分子感受率を有することが
報告されている（文献：J. L. Oudarら, J. Chem. Phy
s., 67巻, 446 (1977)参照）。具体的には３個の芳香環
がアゾ基を介して共役系を形成する色素において、２個
の芳香環からなるアゾ色素やスチルベン色素よりも大き
な２次分子感受率が得られている（文献：M. Amanoら,
J. Appl. Phys., 68, 6024 (1990)参照）。
【０００３】しかしながら、大きな２次分子感受率を有
する共役した芳香環数の多い、すなわち長いπ共役鎖か
らなる色素が高濃度に結合しているポールドポリマーに
おいては、光学的に均一なフィルム形成性、光透過性が
低下するという欠点があった。これはディップ法やスピ
ンコート法に用いるフィルム形成用高分子溶液がゲル化
しやすく、光学的に均一なフィルム形成が困難なためで
ある。
する共役した芳香環数の多い、すなわち長いπ共役鎖か
らなる色素が高濃度に結合しているポールドポリマーに
おいては、光学的に均一なフィルム形成性、光透過性が
低下するという欠点があった。これはディップ法やスピ
ンコート法に用いるフィルム形成用高分子溶液がゲル化
しやすく、光学的に均一なフィルム形成が困難なためで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の問題点に
鑑みてなされたもので、フィルム形成用の高分子溶液中
のゲル成分の発生を抑え、光学的に均一なフィルムを形
成しやすい２次非線形材料およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
鑑みてなされたもので、フィルム形成用の高分子溶液中
のゲル成分の発生を抑え、光学的に均一なフィルムを形
成しやすい２次非線形材料およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】上記目的を達成するため、本発明による２
次非線形光学材料は、式（Ｃ−１）で表される化合物成
分の少なくとも１種類以上と、式（Ｃ−２）または（Ｃ
−２）’で表される化合物成分の少なくとも１種類以上
が、共に高分子鎖に結合していることを特徴とする。
次非線形光学材料は、式（Ｃ−１）で表される化合物成
分の少なくとも１種類以上と、式（Ｃ−２）または（Ｃ
−２）’で表される化合物成分の少なくとも１種類以上
が、共に高分子鎖に結合していることを特徴とする。
【化１２】 ［式中、π1からπn、π’1、π’2およびπ''1は各
々、π電子共役系の環状化合物を示し；Ｘ1からＸn-1、
Ｘ’1、Ｙ1からＹn-1、Ｙ’1は各々、ＣＨ、Ｎあるいは
Ｎ→Ｏを示し；Ａ1、Ａ2およびＡ3は各々、電子吸引基
を示し；Ｄ1、Ｄ2およびＤ3は各々、電子供与基を示
し；ｎは、３以上の整数である。］また、本発明によれ
ば、重水素で置換されてもよい、（Ｎ−エチル）アニリ
ノエチルメタクリレート誘導体、（ｍ＋ｎ）モル部と、
重水素で置換されてもよいメチルメタクリレート誘導
体、（ｌ）モル部とを重合して、数平均分子量１０，０
００から１００，０００の共重合体とし、次いで、
（ｍ）モル部以上の式（Ｃ−１６）で表される化合物
と、（ｎ）モル部以上の式（Ｃ−１７）で表される化合
物とを各々、ジアゾニウム塩とし、次いで、これらジア
ゾニウム塩と前記共重合体とをジアゾカップリングさせ
ることを特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法が
提供される。
々、π電子共役系の環状化合物を示し；Ｘ1からＸn-1、
Ｘ’1、Ｙ1からＹn-1、Ｙ’1は各々、ＣＨ、Ｎあるいは
Ｎ→Ｏを示し；Ａ1、Ａ2およびＡ3は各々、電子吸引基
を示し；Ｄ1、Ｄ2およびＤ3は各々、電子供与基を示
し；ｎは、３以上の整数である。］また、本発明によれ
ば、重水素で置換されてもよい、（Ｎ−エチル）アニリ
ノエチルメタクリレート誘導体、（ｍ＋ｎ）モル部と、
重水素で置換されてもよいメチルメタクリレート誘導
体、（ｌ）モル部とを重合して、数平均分子量１０，０
００から１００，０００の共重合体とし、次いで、
（ｍ）モル部以上の式（Ｃ−１６）で表される化合物
と、（ｎ）モル部以上の式（Ｃ−１７）で表される化合
物とを各々、ジアゾニウム塩とし、次いで、これらジア
ゾニウム塩と前記共重合体とをジアゾカップリングさせ
ることを特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法が
提供される。
【化１３】
【０００６】本発明では、光学的に均一なフィルムを形
成することを目的に高分子溶液中のゲル成分を減少さ
せ、溶液中の分子サイズを小さくすること、ならびに、
２次非線形光学成分同志の会合の可能性を減ずることを
試みている。もっとも、これらの２つの課題は、分子量
の低減化と長いπ共役鎖を有する大きなサイズの２次非
線形光学成分の存在量を減少させることにより達成でき
る。つまり、溶液中の分子サイズの低減化は、分子量の
低減化によっても、長いπ共役鎖を有する大きなサイズ
の２次非線形光学成分の存在量を減少させることによっ
ても実現できる。また、２次非線形光学成分同志の会合
の可能性を減ずるには、長いπ共役鎖を有する大きなサ
イズの２次非線形光学成分の単位体積当りの存在量を減
少させることによって実現できる。しかしながら、分子
量の低減化は、フィルム形成性、フィルムの機械特性さ
らには２次非線形光学特性の経時安定性を劣化させ、２
次非線形光学成分の減少は２次非線形光学効果の低下を
もたらしてしまう。
成することを目的に高分子溶液中のゲル成分を減少さ
せ、溶液中の分子サイズを小さくすること、ならびに、
２次非線形光学成分同志の会合の可能性を減ずることを
試みている。もっとも、これらの２つの課題は、分子量
の低減化と長いπ共役鎖を有する大きなサイズの２次非
線形光学成分の存在量を減少させることにより達成でき
る。つまり、溶液中の分子サイズの低減化は、分子量の
低減化によっても、長いπ共役鎖を有する大きなサイズ
の２次非線形光学成分の存在量を減少させることによっ
ても実現できる。また、２次非線形光学成分同志の会合
の可能性を減ずるには、長いπ共役鎖を有する大きなサ
イズの２次非線形光学成分の単位体積当りの存在量を減
少させることによって実現できる。しかしながら、分子
量の低減化は、フィルム形成性、フィルムの機械特性さ
らには２次非線形光学特性の経時安定性を劣化させ、２
次非線形光学成分の減少は２次非線形光学効果の低下を
もたらしてしまう。
【０００７】そこで、分子量を著しく低下させることな
く、高分子溶液中の分子サイズを適当に低減化し、か
つ、２次光非線形性の低下を防ぐ材料を発明するに至っ
た。つまり、大きな２次分子感受率を有する３個以上の
共役したπ電子共役環からなる１以上の式（Ｃ−１）で
示される非線形光学成分（長鎖成分）と、１個のπ電子
共役環または２個の共役したπ電子共役環からなる１以
上の式（Ｃ−２）または（Ｃ−２）’で示される非線形
光学成分（短鎖成分）が共に高分子主鎖に結合している
共重合体構造を特徴とする材料である。短鎖成分は、溶
液中の分子サイズを長鎖成分のみからなる場合に比べ、
分子量を低下させることなく低減化し、その結果、ゲル
化防止に役立つ。また、短鎖成分は、長鎖成分同志の会
合を抑える点からも、ゲル化抑制に役立つことができ
る。さらに、短鎖成分は、長鎖成分よりも２次分子感受
率は小さいものの、これがない場合に比べ２次非線形光
学特性の低下は著しく抑えられる。
く、高分子溶液中の分子サイズを適当に低減化し、か
つ、２次光非線形性の低下を防ぐ材料を発明するに至っ
た。つまり、大きな２次分子感受率を有する３個以上の
共役したπ電子共役環からなる１以上の式（Ｃ−１）で
示される非線形光学成分（長鎖成分）と、１個のπ電子
共役環または２個の共役したπ電子共役環からなる１以
上の式（Ｃ−２）または（Ｃ−２）’で示される非線形
光学成分（短鎖成分）が共に高分子主鎖に結合している
共重合体構造を特徴とする材料である。短鎖成分は、溶
液中の分子サイズを長鎖成分のみからなる場合に比べ、
分子量を低下させることなく低減化し、その結果、ゲル
化防止に役立つ。また、短鎖成分は、長鎖成分同志の会
合を抑える点からも、ゲル化抑制に役立つことができ
る。さらに、短鎖成分は、長鎖成分よりも２次分子感受
率は小さいものの、これがない場合に比べ２次非線形光
学特性の低下は著しく抑えられる。
【０００８】つまり、本発明にかかる材料は、フィルム
形成性、フィルムの機械特性、２次非線形光学特性の経
時安定性を劣化させることなく、また、２次非線形光学
効果の著しい低下をもたらすことなく、高分子溶液中の
分子サイズを適当に低減化し、溶液中のゲル成分の発生
を抑え、従って、光学的に均一なフィルムを形成しやす
い特徴を有する。ここでフィルム形成用高分子溶液の溶
媒としてはテトラヒドロフラン、塩化ベンゼン、メチル
イソブチルケトン、メチルエチルケトン、酢酸セルソル
ブ、クロロホルム、塩化メチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等が使用される。
形成性、フィルムの機械特性、２次非線形光学特性の経
時安定性を劣化させることなく、また、２次非線形光学
効果の著しい低下をもたらすことなく、高分子溶液中の
分子サイズを適当に低減化し、溶液中のゲル成分の発生
を抑え、従って、光学的に均一なフィルムを形成しやす
い特徴を有する。ここでフィルム形成用高分子溶液の溶
媒としてはテトラヒドロフラン、塩化ベンゼン、メチル
イソブチルケトン、メチルエチルケトン、酢酸セルソル
ブ、クロロホルム、塩化メチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等が使用される。
【０００９】ここで、本発明にかかる材料の高分子構造
は、ポリシロキサン、ポリメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアク
リレート、ポリスチレン、ポリカーボナート、ポリエー
テルまたはこれらの誘導体および／またはこれらの共重
合体等であり非線形光学成分は高分子主鎖に結合してい
る。
は、ポリシロキサン、ポリメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアク
リレート、ポリスチレン、ポリカーボナート、ポリエー
テルまたはこれらの誘導体および／またはこれらの共重
合体等であり非線形光学成分は高分子主鎖に結合してい
る。
【００１０】また、本発明の材料は、上述したように、
電子吸引基と、電子供与基を有する。電子吸引基として
は−ＮＯ2、−ＣＮ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ3、−ＣＨ
Ｏ、−ＣＯＮＨ2、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）2、−Ｃ（ＣＮ）
＝Ｃ（ＣＮ）2、ハロゲン等であり、電子供与基として
は−ＳＨ、−ＳＲq、−ＯＨ、−ＯＲr、−ＮＨ2、−Ｎ
ＲsＲt等が挙げられる。Ｒq〜Ｒtは、−（ＣＨ2）n'Ｏ
Ｈ、−（ＣＨ2）n''ＮＨ2、−（ＣＨ2）n'''ＳＨ（ただ
し、ｎ’，ｎ''およびｎ'''は各々、整数である）、ア
ルキル基、これらの重水素化物、水素、重水素のような
官能基である。ただし、電子供与基を介して高分子鎖に
結合する場合にはＲq、ＲrおよびＲs、Ｒtのいずれかに
は、末端に−ＯＨ、−ＮＨ2、−ＳＨが結合しているこ
とが望ましい。
電子吸引基と、電子供与基を有する。電子吸引基として
は−ＮＯ2、−ＣＮ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ3、−ＣＨ
Ｏ、−ＣＯＮＨ2、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）2、−Ｃ（ＣＮ）
＝Ｃ（ＣＮ）2、ハロゲン等であり、電子供与基として
は−ＳＨ、−ＳＲq、−ＯＨ、−ＯＲr、−ＮＨ2、−Ｎ
ＲsＲt等が挙げられる。Ｒq〜Ｒtは、−（ＣＨ2）n'Ｏ
Ｈ、−（ＣＨ2）n''ＮＨ2、−（ＣＨ2）n'''ＳＨ（ただ
し、ｎ’，ｎ''およびｎ'''は各々、整数である）、ア
ルキル基、これらの重水素化物、水素、重水素のような
官能基である。ただし、電子供与基を介して高分子鎖に
結合する場合にはＲq、ＲrおよびＲs、Ｒtのいずれかに
は、末端に−ＯＨ、−ＮＨ2、−ＳＨが結合しているこ
とが望ましい。
【００１１】
【実施例】本発明によれば、前記化合物成分（Ｃ−１）
が、下記の式（Ｃ−３）〜（Ｃ−５）で表される化合物
から選択され、前記化合物成分（Ｃ−２）が、下記の式
（Ｃ−６）〜（Ｃ−８）で表される化合物から選択され
る、２次非線形光学材料が提供される。
が、下記の式（Ｃ−３）〜（Ｃ−５）で表される化合物
から選択され、前記化合物成分（Ｃ−２）が、下記の式
（Ｃ−６）〜（Ｃ−８）で表される化合物から選択され
る、２次非線形光学材料が提供される。
【化１４】
【化１５】 ［式中、Ｒ''00〜Ｒ''50は各々、−ＣＨ2(ＣＨ2)hＣＨ2
−（ここでｈは０または整数である）で表され、重水素
で置換されてもよいアルキレン基を示し、Ｒ’0〜Ｒ’5
は各々、−ＣiＨ2i（ここでｉは整数である）で表さ
れ、重水素で置換されてもよいアルキレン基、−ＣＨ
2(ＣＨ2)h'ＣＨ2−（ここでｈ’は０または整数であ
る）で表され、重水素で置換されてもよいアルキレン
基、アルキル基、重水素化アルキル基、置換アルキル
基、重水素化置換アルキル基、水素、重水素またはハロ
ゲンのいずれかを示し、Ｒ01〜Ｒ54は各々、アルキル
基、重水素化アルキル基、置換アルキル基、重水素化置
換アルキル基、水素、重水素またはハロゲンのいずれか
を示し、Ｂ1〜Ｂ6は各々、電子吸引基を示す。］
−（ここでｈは０または整数である）で表され、重水素
で置換されてもよいアルキレン基を示し、Ｒ’0〜Ｒ’5
は各々、−ＣiＨ2i（ここでｉは整数である）で表さ
れ、重水素で置換されてもよいアルキレン基、−ＣＨ
2(ＣＨ2)h'ＣＨ2−（ここでｈ’は０または整数であ
る）で表され、重水素で置換されてもよいアルキレン
基、アルキル基、重水素化アルキル基、置換アルキル
基、重水素化置換アルキル基、水素、重水素またはハロ
ゲンのいずれかを示し、Ｒ01〜Ｒ54は各々、アルキル
基、重水素化アルキル基、置換アルキル基、重水素化置
換アルキル基、水素、重水素またはハロゲンのいずれか
を示し、Ｂ1〜Ｂ6は各々、電子吸引基を示す。］
【００１２】また、下記の式（Ｃ−９）、（Ｃ−１
０）、および（Ｃ−１１）で表される、３種の構造単位
からなる、２次非線形光学材料が提供される。
０）、および（Ｃ−１１）で表される、３種の構造単位
からなる、２次非線形光学材料が提供される。
【化１６】 ［式中、Ｒa〜Ｒcは各々、アルキル基、重水素化アルキ
ル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル基、水
素、重水素、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フ
ェニル基、重水素化置換フェニル基、またはハロゲンの
いずれかを示し、Ｒdは、フェニル基、重水素化フェニ
ル基、置換フェニル基、重水素化置換フェニル基、ハロ
ゲン、−ＣＯＯＲe、−ＣＯＮＲfＲgのいずれか（ただ
し、Ｒe、ＲfおよびＲgは各々、アルキル基、重水素化
アルキル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル
基、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フェニル
基、重水素化置換フェニル基のいずれかを示し、Ｒj、
ＲkおよびＲPは各々、−ＣＨ2−または−ＣＤ2−で表さ
れる基を示す）を示す。］
ル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル基、水
素、重水素、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フ
ェニル基、重水素化置換フェニル基、またはハロゲンの
いずれかを示し、Ｒdは、フェニル基、重水素化フェニ
ル基、置換フェニル基、重水素化置換フェニル基、ハロ
ゲン、−ＣＯＯＲe、−ＣＯＮＲfＲgのいずれか（ただ
し、Ｒe、ＲfおよびＲgは各々、アルキル基、重水素化
アルキル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル
基、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フェニル
基、重水素化置換フェニル基のいずれかを示し、Ｒj、
ＲkおよびＲPは各々、−ＣＨ2−または−ＣＤ2−で表さ
れる基を示す）を示す。］
【００１３】また、下記の式（Ｃ−１２）で表される、
３種の構造単位がランダム共重合している、数平均分子
量１０，０００から１００，０００の、２次非線形光学
材料は、
３種の構造単位がランダム共重合している、数平均分子
量１０，０００から１００，０００の、２次非線形光学
材料は、
【化１７】 ［式中、ｌ0、ｍ0、ｎ0の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 光スイッチ、光変調器、光波長変換器、高速ＩＣ診断、
プリント配線診断等２次光非線形性を利用する全ての用
途に用いることができるが、特に、ＥＯサンプリング法
による高速ＩＣ診断、プリント配線診断に適する。
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 光スイッチ、光変調器、光波長変換器、高速ＩＣ診断、
プリント配線診断等２次光非線形性を利用する全ての用
途に用いることができるが、特に、ＥＯサンプリング法
による高速ＩＣ診断、プリント配線診断に適する。
【００１４】さらに本発明は、下記の式（Ｃ−１３）で
表される化合物（ｍ1＋ｎ1）モル部と、下記の式（Ｃ−
１４）で表される化合物（ｌ1）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−１５）とし、次いで、（ｍ1）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ1）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−１５）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法に関する。
表される化合物（ｍ1＋ｎ1）モル部と、下記の式（Ｃ−
１４）で表される化合物（ｌ1）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−１５）とし、次いで、（ｍ1）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ1）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−１５）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法に関する。
【化１８】
【００１５】なお、下記の式（Ｃ−１８）で表される、
３種の構造単位がランダム共重合している、数平均分子
量１０，０００から１００，０００の、２次非線形光学
材料は、
３種の構造単位がランダム共重合している、数平均分子
量１０，０００から１００，０００の、２次非線形光学
材料は、
【化１９】 ［式中、ｌ2、ｍ2、ｎ2の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 分子内の水素の一部が重水素に置換されており、波長
１．３μｍ付近での吸収損失が著しく低いことが予想さ
れる。本材料は、光スイッチ、光変調器、光波長変換
器、高速ＩＣ診断、プリント配線診断等２次光非線形性
を利用する全ての用途に用いることができるが、特に、
光通信システム中の光導波路部品材料（特に電気光学効
果を有する光導波路として）として使用することができ
る。
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 分子内の水素の一部が重水素に置換されており、波長
１．３μｍ付近での吸収損失が著しく低いことが予想さ
れる。本材料は、光スイッチ、光変調器、光波長変換
器、高速ＩＣ診断、プリント配線診断等２次光非線形性
を利用する全ての用途に用いることができるが、特に、
光通信システム中の光導波路部品材料（特に電気光学効
果を有する光導波路として）として使用することができ
る。
【００１６】また、本発明は、下記の式（Ｃ−１３）で
表される化合物（ｍ3＋ｎ3）モル部と、下記の式（Ｃ−
１９）で表される化合物（ｌ3）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−２０）とし、次いで、（ｍ3）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ3）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−２０）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法を提供す
る。
表される化合物（ｍ3＋ｎ3）モル部と、下記の式（Ｃ−
１９）で表される化合物（ｌ3）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−２０）とし、次いで、（ｍ3）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ3）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−２０）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法を提供す
る。
【化２０】
【００１７】下記の式（Ｃ−２１）で表される、３種の
構造単位がランダム共重合している、数平均分子量１
０，０００から１００，０００の、２次非線形光学材料
は、
構造単位がランダム共重合している、数平均分子量１
０，０００から１００，０００の、２次非線形光学材料
は、
【化２１】 ［式中、ｌ4、ｍ4、ｎ4の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 分子内の水素の一部が重水素に置換されており、波長
１．３μｍ付近での吸収損失が著しく低いことが予想さ
れる。本材料は、光スイッチ、光変調器、光波長変換
器、高速ＩＣ診断、プリント配線診断等２次光非線形性
を利用する全ての用途に用いることができるが、特に、
光通信システム中の光導波路部品材料（特に電気光学効
果を有する光導波路として）として使用することができ
る。
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ 分子内の水素の一部が重水素に置換されており、波長
１．３μｍ付近での吸収損失が著しく低いことが予想さ
れる。本材料は、光スイッチ、光変調器、光波長変換
器、高速ＩＣ診断、プリント配線診断等２次光非線形性
を利用する全ての用途に用いることができるが、特に、
光通信システム中の光導波路部品材料（特に電気光学効
果を有する光導波路として）として使用することができ
る。
【００１８】さらに本発明は、下記の式（Ｃ−２２）で
表される化合物（ｍ5＋ｎ5）モル部と、下記の式（Ｃ−
１９）で表される化合物（ｌ5）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−２３）とし、次いで、（ｍ5）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ5）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−２３）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法を提供す
る。
表される化合物（ｍ5＋ｎ5）モル部と、下記の式（Ｃ−
１９）で表される化合物（ｌ5）モル部とを、重合し
て、数平均分子量１０，０００から１００，０００の共
重合体（Ｃ−２３）とし、次いで、（ｍ5）モル部以上
の式（Ｃ−１６）で表される化合物と、（ｎ5）モル部
以上の式（Ｃ−１７）で表される化合物とを各々、ジア
ゾニウム塩とし、次いで、これらジアゾニウム塩と共重
合体（Ｃ−２３）とをジアゾカップリングさせることを
特徴とする、２次非線形光学材料の製造方法を提供す
る。
【化２２】
【００１９】２次非線形光学効果発現にあたっては、分
極処理が必要である。分極処理は、試料の軟化状態もし
くは流動状態において、試料に電極を装着し直流電圧を
印加するか、コロナ放電による帯電電荷を利用すること
ができる。試料の固化は、冷却による場合や高分子の熱
硬化による場合があるが、いずれも、電場印加状態また
は帯電状態で行うことが望ましい。尚、本発明に係る材
料は、３次光非線形材料としても用いることが期待でき
る。この際には、分極処理操作は必ずしも要求されな
い。
極処理が必要である。分極処理は、試料の軟化状態もし
くは流動状態において、試料に電極を装着し直流電圧を
印加するか、コロナ放電による帯電電荷を利用すること
ができる。試料の固化は、冷却による場合や高分子の熱
硬化による場合があるが、いずれも、電場印加状態また
は帯電状態で行うことが望ましい。尚、本発明に係る材
料は、３次光非線形材料としても用いることが期待でき
る。この際には、分極処理操作は必ずしも要求されな
い。
【００２０】実施例１ 式（Ｃ−２４）で表される材料を合成した。
【化２３】
【００２１】合成方法を以下に示す。
【化２４】
【化２５】
【００２２】化合物（Ｃ−２６）の合成 （Ｎ−エチル）アニリノエタノール（１５７ｇ）をモレ
キュラーシーブで１昼夜乾燥したテトロヒドロフラン
（１０００ｃｃ）中に溶解し、さらに、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。これをモレキュラーシーブで乾燥し
たトリエチルアミン（３６０ｇ）とともに、塩化カルシ
ウム管、滴下ロートと還流管を取り付けた３０００ｃｃ
の３口フラスコに入れ、撹拌しながら安定剤入りのメタ
クリル酸クロリド（１００ｇ）を１時間以上かけて滴下
し、さらに、室温下で２４時間反応し、ついで、１時間
加熱還流した。反応後、反応混合物を２０００ｃｃの水
と混合し、過剰のトリエチルアミンを塩酸で中和した。
さらに、ここから、生成物を２０００ｃｃのジエチルエ
ーテルで抽出した。抽出液は炭酸水素ナトリウム水溶
液、ついで蒸留水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、
エーテルを留去して生成物（Ｃ−２５）を得た。つぎ
に、化合物（Ｃ−２５）（２９ｇ）をメチルメタクリレ
ート（７１ｇ）と混合し、開始剤としてこれらの０．１
モル％に相当する、アゾビスイソブチロニトリル（０．
１４ｇ）と、連鎖移動剤として０．４４μｌのｔ−ブチ
ルメルカブタンを加え、アンプル中で凍結−脱気−溶解
を３回以上繰り返すことにより溶存酸素を除き、真空に
封入した。これを、６５℃で２４時間重合させた。反応
後、重合体を酢酸（５０００ｃｃ）に溶解し、溶解しな
い成分は瀘過したのち、メタノール（２５０００ｃｃ）
から再沈澱し、化合物（Ｃ−２６）を得た。化合物（Ｃ
−２６）中のメチルメタクリレート存在比はＮＭＲ測定
より８５モル％であった。数平均分子量は７５，０００
であった。
キュラーシーブで１昼夜乾燥したテトロヒドロフラン
（１０００ｃｃ）中に溶解し、さらに、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥した。これをモレキュラーシーブで乾燥し
たトリエチルアミン（３６０ｇ）とともに、塩化カルシ
ウム管、滴下ロートと還流管を取り付けた３０００ｃｃ
の３口フラスコに入れ、撹拌しながら安定剤入りのメタ
クリル酸クロリド（１００ｇ）を１時間以上かけて滴下
し、さらに、室温下で２４時間反応し、ついで、１時間
加熱還流した。反応後、反応混合物を２０００ｃｃの水
と混合し、過剰のトリエチルアミンを塩酸で中和した。
さらに、ここから、生成物を２０００ｃｃのジエチルエ
ーテルで抽出した。抽出液は炭酸水素ナトリウム水溶
液、ついで蒸留水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、
エーテルを留去して生成物（Ｃ−２５）を得た。つぎ
に、化合物（Ｃ−２５）（２９ｇ）をメチルメタクリレ
ート（７１ｇ）と混合し、開始剤としてこれらの０．１
モル％に相当する、アゾビスイソブチロニトリル（０．
１４ｇ）と、連鎖移動剤として０．４４μｌのｔ−ブチ
ルメルカブタンを加え、アンプル中で凍結−脱気−溶解
を３回以上繰り返すことにより溶存酸素を除き、真空に
封入した。これを、６５℃で２４時間重合させた。反応
後、重合体を酢酸（５０００ｃｃ）に溶解し、溶解しな
い成分は瀘過したのち、メタノール（２５０００ｃｃ）
から再沈澱し、化合物（Ｃ−２６）を得た。化合物（Ｃ
−２６）中のメチルメタクリレート存在比はＮＭＲ測定
より８５モル％であった。数平均分子量は７５，０００
であった。
【００２３】化合物（Ｃ−２７）の合成 ｐ−アミノベンズアルデヒドモノマー（東京化成）（２
０ｇ）（ホモポリマー５０％含有）、マロノニトリル
（東京化成）（５．５ｇ）および無水エタノール（モレ
キュラーシーブで乾燥したもの）（５００ｃｃ）を塩化
カルシウム管、滴下ロートおよび還流管を取り付けた３
口フラスコに入れ、撹拌して懸濁液を得た。ここに、ピ
ベリジン（東京化成）（２．０ｃｃ）を酢酸（７ｃｃ）
に溶かした溶液を滴下した。さらに２時間加熱還流し
た。反応後にエタノールを留去し、反応物をジエチルエ
ーテルで抽出した。なお、エーテルに溶けない部分は取
り除いた（未反応成分）。エーテル抽出成分をエタノー
ルから再結晶し、化合物（Ｃ−２７）を得た（収率３８
％）。
０ｇ）（ホモポリマー５０％含有）、マロノニトリル
（東京化成）（５．５ｇ）および無水エタノール（モレ
キュラーシーブで乾燥したもの）（５００ｃｃ）を塩化
カルシウム管、滴下ロートおよび還流管を取り付けた３
口フラスコに入れ、撹拌して懸濁液を得た。ここに、ピ
ベリジン（東京化成）（２．０ｃｃ）を酢酸（７ｃｃ）
に溶かした溶液を滴下した。さらに２時間加熱還流し
た。反応後にエタノールを留去し、反応物をジエチルエ
ーテルで抽出した。なお、エーテルに溶けない部分は取
り除いた（未反応成分）。エーテル抽出成分をエタノー
ルから再結晶し、化合物（Ｃ−２７）を得た（収率３８
％）。
【００２４】化合物（Ｃ−２８）の合成 化合物（Ｃ−２７）（２０ｇ）を、酢酸（５００ｃｃ）
にプロピオン酸（５０ｃｃ）を加えたものに加熱溶解
し、更に５℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナトリウム
（８．９ｇ）を１００ｃｃの硫酸に発熱しないよう徐々
に加え溶解した。これを化合物（Ｃ−２７）の溶液に、
液温が１０℃を越えないように注意しながら滴下し、
（Ｃ−２８）を得た。反応後は５℃以下に冷却し保存し
た。
にプロピオン酸（５０ｃｃ）を加えたものに加熱溶解
し、更に５℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナトリウム
（８．９ｇ）を１００ｃｃの硫酸に発熱しないよう徐々
に加え溶解した。これを化合物（Ｃ−２７）の溶液に、
液温が１０℃を越えないように注意しながら滴下し、
（Ｃ−２８）を得た。反応後は５℃以下に冷却し保存し
た。
【００２５】化合物（Ｃ−２９）の合成 上記、化合物（Ｃ−２８）の反応液を５℃程度に冷却し
ながら、ここに３，５−キシリジン（１６ｇ）と硝酸ナ
トリウム３水和物（３００ｇ）を加えた。反応後は、直
ちに濃赤色に着色した。反応液は１５℃程度で数時間撹
拌した後、室温下で、さらに、１２時間反応した。反応
後、２０００ｃｃの水を加え、反応生成物を沈澱させ
た。この沈澱を真空乾燥器で充分に乾燥し、さらに、シ
リカゲルカラム（塩化メチレンで流出）を用いて精製し
た。
ながら、ここに３，５−キシリジン（１６ｇ）と硝酸ナ
トリウム３水和物（３００ｇ）を加えた。反応後は、直
ちに濃赤色に着色した。反応液は１５℃程度で数時間撹
拌した後、室温下で、さらに、１２時間反応した。反応
後、２０００ｃｃの水を加え、反応生成物を沈澱させ
た。この沈澱を真空乾燥器で充分に乾燥し、さらに、シ
リカゲルカラム（塩化メチレンで流出）を用いて精製し
た。
【００２６】化合物（Ｃ−３０）の合成 化合物（Ｃ−２９）（２．１ｇ）を、酢酸（１００ｃ
ｃ）にプロピオン酸（１０ｃｃ）を加えたものに加熱溶
解し、さらに、５℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナト
リウム（０．５３ｇ）を２０ｃｃの硫酸に発熱に注意し
ながら徐々に加え溶解した。これを、化合物（Ｃ−２
９）の溶液中に、液温が１０℃を越えないように注意し
ながら滴下し、化合物（Ｃ−３０）を得た。反応液は５
℃以下に冷却し保存した。 化合物（Ｃ−２４）の合成 化合物（Ｃ−２６）（１７ｇ）を酢酸（５００ｃｃ）に
溶解し１５℃以下に保つ。ここに、化合物（Ｃ−３０）
の溶液と化合物（Ｃ−２７）（２．４ｇ）を原料とし
て、化合物（Ｃ−２８）の合成方法に準じて合成した化
合物（Ｃ−２８）の溶液を加え、さらに、酢酸ナトリウ
ム水和物（１５０ｇ）を加え、２４時間室温で撹拌し
た。反応後、固形物を瀘過し、瀘液をメタノール（５０
００ｃｃ）から再沈澱した。沈澱は再び酢酸（５００ｃ
ｃ）に溶解し、不溶物を瀘過し、瀘液を水（５０００ｃ
ｃ）から再沈澱し、高分子化合物（Ｃ−２４）を得た。
ｃ）にプロピオン酸（１０ｃｃ）を加えたものに加熱溶
解し、さらに、５℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナト
リウム（０．５３ｇ）を２０ｃｃの硫酸に発熱に注意し
ながら徐々に加え溶解した。これを、化合物（Ｃ−２
９）の溶液中に、液温が１０℃を越えないように注意し
ながら滴下し、化合物（Ｃ−３０）を得た。反応液は５
℃以下に冷却し保存した。 化合物（Ｃ−２４）の合成 化合物（Ｃ−２６）（１７ｇ）を酢酸（５００ｃｃ）に
溶解し１５℃以下に保つ。ここに、化合物（Ｃ−３０）
の溶液と化合物（Ｃ−２７）（２．４ｇ）を原料とし
て、化合物（Ｃ−２８）の合成方法に準じて合成した化
合物（Ｃ−２８）の溶液を加え、さらに、酢酸ナトリウ
ム水和物（１５０ｇ）を加え、２４時間室温で撹拌し
た。反応後、固形物を瀘過し、瀘液をメタノール（５０
００ｃｃ）から再沈澱した。沈澱は再び酢酸（５００ｃ
ｃ）に溶解し、不溶物を瀘過し、瀘液を水（５０００ｃ
ｃ）から再沈澱し、高分子化合物（Ｃ−２４）を得た。
【００２７】得られた高分子（Ｃ−２４）は塩化ベンゼ
ンに溶解し２０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶
液のゲル成分は少なく、１．０μｍメッシュのフィルタ
ーで瀘過し（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くこ
とができた。この溶液からは、スピンコート法によって
もドクターブレード法によっても、光学的に均一な２０
μｍ厚以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドク
ターブレード法では、ブレードと基板との間隔により、
また、スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはス
ピンコーターの回転数により調整できた。例えば、１３
％ｗｔ／ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍ／分でスピンコート
すると、１０μｍのフィルムが得られた。
ンに溶解し２０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶
液のゲル成分は少なく、１．０μｍメッシュのフィルタ
ーで瀘過し（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くこ
とができた。この溶液からは、スピンコート法によって
もドクターブレード法によっても、光学的に均一な２０
μｍ厚以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドク
ターブレード法では、ブレードと基板との間隔により、
また、スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはス
ピンコーターの回転数により調整できた。例えば、１３
％ｗｔ／ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍ／分でスピンコート
すると、１０μｍのフィルムが得られた。
【００２８】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４５ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４５ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
【００２９】厚さ１０μｍフィルムでの波長１．３μｍ
における透過率は、９９％以上であった。
における透過率は、９９％以上であった。
【００３０】実施例２ 下記の式（Ｃ−３２）で表される材料を合成した。数平
均分子量は、８０，０００であった。
均分子量は、８０，０００であった。
【化２６】
【００３１】合成法を以下に示す。
【化２７】
【００３２】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、１．０μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートすると、１０
μｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、１．０μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートすると、１０
μｍのフィルムが得られた。
【００３３】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で、１．１ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
１４０℃の雰囲気下で、１．１ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
【００３４】厚さ１０μｍのフィルムでの波長１．３μ
ｍにおける透過率は、９９％以上であった。
ｍにおける透過率は、９９％以上であった。
【００３５】比較例１ 下記の式（Ｃ−３１）に示される材料を合成した。数平
均分子量は８０，０００であった。
均分子量は８０，０００であった。
【化２８】
【００３６】合成は実施例１にならって、化合物（Ｃ−
２６）と化合物（Ｃ−３０）から合成した。この化合物
は塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした所、光学的に均一なフィルムは得られず、厚さ１
０μｍフィルムでの波長１．３μｍでの透過率は７０％
以下であった。
２６）と化合物（Ｃ−３０）から合成した。この化合物
は塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした所、光学的に均一なフィルムは得られず、厚さ１
０μｍフィルムでの波長１．３μｍでの透過率は７０％
以下であった。
【００３７】実施例３ 下記の式（Ｃ−３５）で表される材料を合成した。数平
均分子量は７５，０００であった。
均分子量は７５，０００であった。
【化２９】
【００３８】合成は、実施例１に準じて、以下のように
行った。
行った。
【化３０】
【００３９】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００４０】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
【００４１】厚さ５μｍのフィルムを酸素プラズマエッ
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、
１．３μｍで０．７ｄＢ／ｃｍであった。
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、
１．３μｍで０．７ｄＢ／ｃｍであった。
【００４２】比較例２ 下記の式（Ｃ−３７）で表される化合物を合成した。数
平均分子量は７５，０００であった。
平均分子量は７５，０００であった。
【化３１】
【００４３】合成は実施例３にならった。この化合物は
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく、５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコ
ートした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波
長１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍであった。
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく、５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコ
ートした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波
長１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍであった。
【００４４】実施例４ 下記の式（Ｃ−３８）で表される化合物を合成した。数
平均分子量は７５，０００であった。
平均分子量は７５，０００であった。
【化３２】
【００４５】合成は、以下のように行った。
【化３３】
【化３４】
【００４６】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００４７】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで４０ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
【００４８】厚さ５μｍのフィルムを酸素プラズマエッ
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．３ｄＢ／ｃｍであった。
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．３ｄＢ／ｃｍであった。
【００４９】比較例３ 式（Ｃ−４５）で表される化合物を合成した。数平均分
子量は７５，０００であった。
子量は７５，０００であった。
【化３５】
【００５０】合成は実施例４にならった。この化合物は
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
【００５１】実施例５ 下記の式（Ｃ−４６）で示される化合物を合成した。数
平均分子量は７０，０００であった。
平均分子量は７０，０００であった。
【化３６】
【００５２】合成は、実施例１にならって、下記の式の
化合物を用いて合成した。
化合物を用いて合成した。
【化３７】
【００５３】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００５４】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで５０ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで５０ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
【００５５】厚さ５μｍのフィルムを酸素プラズマエッ
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．５ｄＢ／ｃｍであった。
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．５ｄＢ／ｃｍであった。
【００５６】比較例４ 以下の式（Ｃ−４７）で表される化合物を合成した。数
平均分子量は７０，０００であった。
平均分子量は７０，０００であった。
【化３８】
【００５７】合成は実施例１にならった。この化合物は
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
【００５８】実施例６ 下記の式（Ｃ−４８）で表される化合物を合成した。
【化３９】
【００５９】合成は、実施例１にならって行った。ただ
し、化合物（Ｃ−２９）のかわりに、
し、化合物（Ｃ−２９）のかわりに、
【化４０】 を、また、化合物（Ｃ−２７）のかわりに、４−ニトロ
アンリンをつかった。
アンリンをつかった。
【００６０】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．１μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．１μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００６１】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで３８ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで３８ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
【００６２】厚さ５μｍのフィルムを酸素プラズマエッ
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．３ｄＢ／ｃｍであった。
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．３ｄＢ／ｃｍであった。
【００６３】比較例５ 式（Ｃ−４９）で表される化合物を合成した。
【化４１】
【００６４】合成は実施例６にならった。この化合物は
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく５．０μｍメッシュの
フィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．０
μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコー
トした。実施例３に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
【００６５】実施例７ 式（Ｃ−５０）で表される化合物を合成した。
【化４２】
【００６６】合成は以下のように行った。
【化４３】
【００６７】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し１
８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．１μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１１％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートすると、６μ
ｍのフィルムが得られた。
８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．１μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１１％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートすると、６μ
ｍのフィルムが得られた。
【００６８】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで６１ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。１０μｍ厚のフィルムの波長１．３μｍでの透過率
は、９９％以上であった。
１４０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで６１ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。１０μｍ厚のフィルムの波長１．３μｍでの透過率
は、９９％以上であった。
【００６９】比較例６ 下記の式（Ｃ−５５）で表される化合物を合成した。
【化４４】
【００７０】ｌ12＝０．９、ｎ12＝０．１のとき実施例
７のと同様のフィルムができたか、同条件での分極処理
により１８ｐｍ／Ｖの電気光学定数に留まった。
７のと同様のフィルムができたか、同条件での分極処理
により１８ｐｍ／Ｖの電気光学定数に留まった。
【００７１】また、ｌ12＝０．６、ｎ12＝０．４ではゲ
ル化が起こり、溶液状態にはならなかった。従って、フ
ィルム形成はできなかった。
ル化が起こり、溶液状態にはならなかった。従って、フ
ィルム形成はできなかった。
【００７２】実施例８ 下記の式（Ｃ−５４）で表される化合物を合成した。
【化４５】
【００７３】合成は、以下のように行った。尚、化合物
（Ｃ−５８）は、（Ｃ−３３）の合成に準じて行った。
（Ｃ−５８）は、（Ｃ−３３）の合成に準じて行った。
【化４６】
【化４７】
【００７４】得られた高分子は酢酸セルソルブに溶解し
１８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成
分は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことがで
きた。この溶液からは、スピンコート法によってもドク
ターブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚
以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブ
レード法では、ブレードと基板との間隔により、また、
スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコ
ーターの回転数により調整できた。例えば、１８％ｗｔ
／ｗｔ溶液を６００ｒｐｍでスピンコートすると、２２
μｍのフィルムが得られた。
１８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成
分は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことがで
きた。この溶液からは、スピンコート法によってもドク
ターブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚
以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブ
レード法では、ブレードと基板との間隔により、また、
スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコ
ーターの回転数により調整できた。例えば、１８％ｗｔ
／ｗｔ溶液を６００ｒｐｍでスピンコートすると、２２
μｍのフィルムが得られた。
【００７５】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで７１ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．３μｍで７１ｐｍ／Ｖの電気光学定数
を示した。
【００７６】比較例７ 化合物（Ｃ−５４）において、ｎ13＝０．５、ｍ13＝
０、ｌ13＝９９．５のとき、フィルム形成は、実施例８
と同様に行えたが、同条件下での分極処理では、３０ｐ
ｍ／Ｖの電気光学定数に留まった。
０、ｌ13＝９９．５のとき、フィルム形成は、実施例８
と同様に行えたが、同条件下での分極処理では、３０ｐ
ｍ／Ｖの電気光学定数に留まった。
【００７７】比較例８ 化合物（Ｃ−５４）において、ｎ13＝１５、ｍ13＝０、
ｌ13＝８５のとき、高分子溶液は、ゲル化により形成で
きず、従って、フィルム形成もできなかった。
ｌ13＝８５のとき、高分子溶液は、ゲル化により形成で
きず、従って、フィルム形成もできなかった。
【００７８】実施例９ 以下の式（Ｃ−５９）で表される化合物を合成した。
【化４８】
【００７９】合成は、以下のように行われた。
【化４９】
【化５０】
【化５１】
【００８０】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し２
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
０％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことができ
た。この溶液からは、スピンコート法によってもドクタ
ーブレード法によっても、光学的に均一な２０μｍ厚以
上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブレ
ード法では、ブレードと基板との間隔により、また、ス
ピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコー
ターの回転数により調整できた。例えば、１３％ｗｔ／
ｗｔ溶液を１５００ｒｐｍでスピンコートすると、５μ
ｍのフィルムが得られた。
【００８１】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで３８ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
１４０℃の雰囲気下で２．０ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは１．３μｍで３８ｐｍ／Ｖの電気光学定数を示し
た。
【００８２】厚さ５μｍのフィルムを酸素プラズマエッ
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．２ｄＢ／ｃｍであった。
チング法で加工し、巾５μｍの光導波路とした。この際
エポキシ樹脂をクラッドとした。光導波路の損失は、波
長１．３μｍで０．２ｄＢ／ｃｍであった。
【００８３】比較例９ 下記の式（Ｃ−６４）の合成を行った。
【化５２】
【００８４】合成は実施例９にならった。この化合物は
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく、５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコ
ートした実施例９に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
塩化ベンゼン中でゲル化しやすく、５．０μｍメッシュ
のフィルターでの瀘過も困難であった。従って、１０．
０μｍメッシュのフィルターで瀘過した溶液をスピンコ
ートした実施例９に準じて光導波路を作製した所、波長
１．３μｍで損失は、１０ｄＢ／ｃｍ以上であった。
【００８５】実施例１０ 下記の式（Ｃ−６５）で表される化合物を合成した。
【化５３】
【００８６】合成は、以下のように行った。
【化５４】
【化５５】
【００８７】得られた高分子は塩化ベンゼンに溶解し１
５％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことがで
きた。この溶液からは、スピンコート法によってもドク
ターブレード法によっても、光学的に均一な１０μｍ厚
以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブ
レード法では、ブレードと基板との間隔により、また、
スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコ
ーターの回転数により調整できた。例えば、１０％ｗｔ
／ｗｔ溶液を６００ｒｐｍでスピンコートすると、７μ
ｍのフィルムが得られた。
５％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液のゲル成分
は少なく、０．５μｍメッシュのフィルターで瀘過し
（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除くことがで
きた。この溶液からは、スピンコート法によってもドク
ターブレード法によっても、光学的に均一な１０μｍ厚
以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ドクターブ
レード法では、ブレードと基板との間隔により、また、
スピンコート法では、高分子溶液の濃度またはスピンコ
ーターの回転数により調整できた。例えば、１０％ｗｔ
／ｗｔ溶液を６００ｒｐｍでスピンコートすると、７μ
ｍのフィルムが得られた。
【００８８】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．５５μｍで９０ｐｍ／Ｖの電気光学定
数を示した。１０μｍ厚の当フィルムの波長１．５５μ
ｍでの透過率は９９％以上であった。
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．５５μｍで９０ｐｍ／Ｖの電気光学定
数を示した。１０μｍ厚の当フィルムの波長１．５５μ
ｍでの透過率は９９％以上であった。
【００８９】比較例１０ 実施例１０の化合物において、ｌ14＝６、ｍ14＝０、ｎ
14＝２の時、０．５μｍメッシュでの瀘過は困難であ
り、１０μｍメッシュでの瀘過の結果、１０μｍ厚フィ
ルムの波長１．５５μｍでの透過率は９０％以下であっ
た。
14＝２の時、０．５μｍメッシュでの瀘過は困難であ
り、１０μｍメッシュでの瀘過の結果、１０μｍ厚フィ
ルムの波長１．５５μｍでの透過率は９０％以下であっ
た。
【００９０】実施例１１ 以下の式（Ｃ−７７）で表される化合物を合成した。
【化５６】 合成は、以下のように行った。化合物（Ｃ−８２）は、
化合物（Ｃ−３３）の合成に準じて行われた。
化合物（Ｃ−３３）の合成に準じて行われた。
【化５７】
【００９１】得られた高分子はメチルイソブチルケトン
に溶解し１８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液
のゲル成分は少なく、０．５μｍメッシュのフィルター
で瀘過し（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除く
ことができた。この溶液からは、スピンコート法によっ
てもドクターブレード法によっても、光学的に均一な１
０μｍ厚以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ド
クターブレード法では、ブレードと基板との間隔によ
り、また、スピンコート法では、高分子溶液の濃度また
はスピンコーターの回転数により調整できた。例えば、
１５％ｗｔ／ｗｔ溶液を２０００ｒｐｍでスピンコート
すると、９μｍのフィルムが得られた。
に溶解し１８％ｗｔ／ｗｔ溶液とした。この高分子溶液
のゲル成分は少なく、０．５μｍメッシュのフィルター
で瀘過し（差圧１．５ｋｇ／ｃｍ2）、容易に取り除く
ことができた。この溶液からは、スピンコート法によっ
てもドクターブレード法によっても、光学的に均一な１
０μｍ厚以上のフィルムが得られた。フィルム厚は、ド
クターブレード法では、ブレードと基板との間隔によ
り、また、スピンコート法では、高分子溶液の濃度また
はスピンコーターの回転数により調整できた。例えば、
１５％ｗｔ／ｗｔ溶液を２０００ｒｐｍでスピンコート
すると、９μｍのフィルムが得られた。
【００９２】得られたフィルムの上下に電極を設置し、
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．５５μｍで９６ｐｍ／Ｖの電気光学定
数を示した。当フィルムの１０μｍ厚の波長１．５５μ
ｍでの透過率は９９％以上であった。 比較例１１ 化合物（Ｃ−７７）において、ｍ15＝０、ｌ15＝９０、
ｎ15＝１０の時、スピンコート溶液はゲル化のために得
られず、フィルム形成はできなかった。
１８０℃の雰囲気下で１．５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加
し、電圧を印加した状態で室温まで冷却した。このフィ
ルムは、波長１．５５μｍで９６ｐｍ／Ｖの電気光学定
数を示した。当フィルムの１０μｍ厚の波長１．５５μ
ｍでの透過率は９９％以上であった。 比較例１１ 化合物（Ｃ−７７）において、ｍ15＝０、ｌ15＝９０、
ｎ15＝１０の時、スピンコート溶液はゲル化のために得
られず、フィルム形成はできなかった。
【００９３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる材
料は、従来大きな２次光非線形効果を有してはいたが光
学的に均一なフィルム形成性に乏しかったポールドポリ
マーを、その光非線形効果およびその経時安定性を低下
させることなく光学的に均一なフィルム形成性を高める
ことができるために、大きな２次光非線形効果を有する
ポールドポリマーの適用性を著しく高めることができ
る。
料は、従来大きな２次光非線形効果を有してはいたが光
学的に均一なフィルム形成性に乏しかったポールドポリ
マーを、その光非線形効果およびその経時安定性を低下
させることなく光学的に均一なフィルム形成性を高める
ことができるために、大きな２次光非線形効果を有する
ポールドポリマーの適用性を著しく高めることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｆ 220/36 ＭＭＱ 7242−4Ｊ 220/38 ＭＭＵ 7242−4Ｊ Ｃ０８Ｇ 18/40 ＮＥＲ 8620−4Ｊ 63/685 ＮＮＫ 7107−4Ｊ 64/12 ＮＱＡ 9362−4Ｊ 69/02 ＮＲＢ 9286−4Ｊ 73/10 ＮＴＦ 9285−4Ｊ 77/388 ＮＵＦ 8319−4Ｊ (72)発明者 戒能 俊邦 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 首藤 義人 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 式（Ｃ−１）で表される化合物成分の少
なくとも１種類以上と、式（Ｃ−２）または（Ｃ−
２）’で表される化合物成分の少なくとも１種類以上
が、共に高分子鎖に結合していることを特徴とする、２
次非線形光学材料。 【化１】 ［式中、π1からπn、π’1、π’2およびπ''1は各
々、π電子共役系の環状化合物を示し；Ｘ1からＸn-1、
Ｘ’1、Ｙ1からＹn-1、Ｙ’1は各々、ＣＨ、Ｎあるいは
Ｎ→Ｏを示し；Ａ1、Ａ2およびＡ3は各々、電子吸引基
を示し；Ｄ1、Ｄ2およびＤ3は各々、電子供与基を示
し；ｎは、３以上の整数である。］ - 【請求項２】 前記化合物成分（Ｃ−１）が、下記の式
（Ｃ−３）〜（Ｃ−５）で表される化合物から選択さ
れ、前記化合物成分（Ｃ−２）が、下記の式（Ｃ−６）
〜（Ｃ−８）で表される化合物から選択される、請求項
１に記載の２次非線形光学材料。 【化２】 【化３】 ［式中、Ｒ''00〜Ｒ''50は各々、−ＣＨ2(ＣＨ2)hＣＨ2
−（ここでｈは０または整数である）で表され、重水素
で置換されてもよいアルキレン基を示し、Ｒ’0〜Ｒ’5
は各々、−ＣiＨ2i（ここでｉは整数である）で表さ
れ、重水素で置換されてもよいアルキレン基、−ＣＨ
2(ＣＨ2)h'ＣＨ2−（ここでｈ’は０または整数であ
る）で表され、重水素で置換されてもよいアルキレン
基、アルキル基、重水素化アルキル基、置換アルキル
基、重水素化置換アルキル基、水素、重水素またはハロ
ゲンのいずれかを示し、Ｒ01〜Ｒ54は各々、アルキル
基、重水素化アルキル基、置換アルキル基、重水素化置
換アルキル基、水素、重水素またはハロゲンのいずれか
を示し、Ｂ1〜Ｂ6は各々、電子吸引基を示す。］ - 【請求項３】 下記の式（Ｃ−９）、（Ｃ−１０）、お
よび（Ｃ−１１）で表される、３種の構造単位からな
り、構造単位（Ｃ−１１）が前記化合物成分（Ｃ−１）
を含有し、構造単位（Ｃ−１０）が前記化合物成分（Ｃ
−２）を含有する、請求項１に記載の２次非線形光学材
料。 【化４】 ［式中、Ｒa〜Ｒcは各々、アルキル基、重水素化アルキ
ル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル基、水
素、重水素、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フ
ェニル基、重水素化置換フェニル基、またはハロゲンの
いずれかを示し、Ｒdは、フェニル基、重水素化フェニ
ル基、置換フェニル基、重水素化置換フェニル基、ハロ
ゲン、−ＣＯＯＲe、−ＣＯＮＲfＲgのいずれか（ただ
し、Ｒe、ＲfおよびＲgは各々、アルキル基、重水素化
アルキル基、置換アルキル基、重水素化置換アルキル
基、フェニル基、重水素化フェニル基、置換フェニル
基、重水素化置換フェニル基のいずれかを示し、Ｒj、
ＲkおよびＲPは各々、−ＣＨ2−または−ＣＤ2−で表さ
れる基を示す）を示す。］ - 【請求項４】 下記の式（Ｃ−１２）で表される、３種
の構造単位がランダム共重合している、数平均分子量１
０，０００から１００，０００の、請求項３に記載の２
次非線形光学材料。 【化５】 ［式中、ｌ0、ｍ0、ｎ0の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ - 【請求項５】 重水素で置換されてもよい、（Ｎ−エチ
ル）アニリノエチルメタクリレート誘導体、（ｍ＋ｎ）
モル部と、重水素で置換されてもよいメチルメタクリレ
ート誘導体、（ｌ）モル部とを重合して、数平均分子量
１０，０００から１００，０００の共重合体とし、次い
で、（ｍ）モル部以上の式（Ｃ−１６）で表される化合
物と、（ｎ）モル部以上の式（Ｃ−１７）で表される化
合物とを各々、ジアゾニウム塩とし、次いで、これらジ
アゾニウム塩と前記共重合体とをジアゾカップリングさ
せることを特徴とする、２次非線形光学材料の製造方
法。 【化６】 - 【請求項６】 下記の式（Ｃ−１３）で表される化合物
（ｍ1＋ｎ1）モル部と、下記の式（Ｃ−１４）で表され
る化合物（ｌ1）モル部とを、重合して、数平均分子量
１０，０００から１００，０００の共重合体（Ｃ−１
５）とし、次いで、（ｍ1）モル部以上の式（Ｃ−１
６）で表される化合物と、（ｎ1）モル部以上の式（Ｃ
−１７）で表される化合物とを各々、ジアゾニウム塩と
し、次いで、これらジアゾニウム塩と共重合体（Ｃ−１
５）とをジアゾカップリングさせることを特徴とする、
請求項５に記載の２次非線形光学材料の製造方法。 【化７】 - 【請求項７】 下記の式（Ｃ−１８）で表される、３種
の構造単位がランダム共重合している、数平均分子量１
０，０００から１００，０００の、請求項３に記載の２
次非線形光学材料。 【化８】 ［式中、ｌ2、ｍ2、ｎ2の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ - 【請求項８】 下記の式（Ｃ−１３）で表される化合物
（ｍ3＋ｎ3）モル部と、下記の式（Ｃ−１９）で表され
る化合物（ｌ3）モル部とを、重合して、数平均分子量
１０，０００から１００，０００の共重合体（Ｃ−２
０）とし、次いで、（ｍ3）モル部以上の式（Ｃ−１
６）で表される化合物と、（ｎ3）モル部以上の式（Ｃ
−１７）で表される化合物とを各々、ジアゾニウム塩と
し、次いで、これらジアゾニウム塩と共重合体（Ｃ−２
０）とをジアゾカップリングさせることを特徴とする、
請求項５に記載の２次非線形光学材料の製造方法。 【化９】 - 【請求項９】 下記の式（Ｃ−２１）で表される、３種
の構造単位がランダム共重合している、数平均分子量１
０，０００から１００，０００の、請求項３に記載の２
次非線形光学材料。 【化１０】 ［式中、ｌ4、ｍ4、ｎ4の比率は、それぞれ、８０から
９０モル％、５から１０モル％、および５から１０モル
％の範囲内である。］ - 【請求項１０】 下記の式（Ｃ−２２）で表される化合
物（ｍ5＋ｎ5）モル部と、下記の式（Ｃ−１９）で表さ
れる化合物（ｌ5）モル部とを、重合して、数平均分子
量１０，０００から１００，０００の共重合体（Ｃ−２
３）とし、次いで、（ｍ1）モル部以上の式（Ｃ−１
６）で表される化合物と、（ｎ1）モル部以上の式（Ｃ
−１７）で表される化合物とを各々、ジアゾニウム塩と
し、次いで、これらジアゾニウム塩と共重合体（Ｃ−２
３）とをジアゾカップリングさせることを特徴とする、
請求項５に記載の２次非線形光学材料の製造方法。 【化１１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109659A JP2813627B2 (ja) | 1992-05-18 | 1993-05-11 | ２次非線形光学材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999592 | 1992-05-18 | ||
| JP4-149995 | 1992-05-18 | ||
| JP5109659A JP2813627B2 (ja) | 1992-05-18 | 1993-05-11 | ２次非線形光学材料およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0688977A true JPH0688977A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2813627B2 JP2813627B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5109659A Expired - Lifetime JP2813627B2 (ja) | 1992-05-18 | 1993-05-11 | ２次非線形光学材料およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813627B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006077239A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-03-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光応答性ヘテロ環アゾ化合物とその製造方法並びに光情報記録用媒体 |
| JP2007071973A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光応答性記録材料およびそれを使用する光情報記録材料 |
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| WO2024024154A1 (ja) * | 2022-07-28 | 2024-02-01 | 株式会社村田製作所 | 電気光学ポリマー |
| WO2025018055A1 (ja) * | 2023-07-20 | 2025-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルムおよび光導波路の製造方法 |
| WO2025052951A1 (ja) * | 2023-09-04 | 2025-03-13 | 富士フイルム株式会社 | 電気光学層形成用組成物、電気光学層及び積層体 |
Citations (2)
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| JPH04356030A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機光非線形材料および非線形素子 |
| JPH06172491A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-06-21 | Siemens Ag | 非線形光学特性を有する網状化エポキシ樹脂 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP5109659A patent/JP2813627B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| WO2025052951A1 (ja) * | 2023-09-04 | 2025-03-13 | 富士フイルム株式会社 | 電気光学層形成用組成物、電気光学層及び積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2813627B2 (ja) | 1998-10-22 |
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