JPH0689863A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH0689863A JPH0689863A JP24054592A JP24054592A JPH0689863A JP H0689863 A JPH0689863 A JP H0689863A JP 24054592 A JP24054592 A JP 24054592A JP 24054592 A JP24054592 A JP 24054592A JP H0689863 A JPH0689863 A JP H0689863A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の基体を管状反応器に縦方向に配置し、
排気システムを用い、反応性ガスを前記基体上に熱分解
堆積させる。 【構成】 縦型ＣＶＤ装置を用いて、反応性ガスの熱分
解中に、不活性ガスを同時に導入して、基体表面を酸化
させることなく、かつＬ字管より発生するパーティクル
を抑える。これにより、基体表面にパーティクルを極力
付着しない方法を提供することにより、半導体装置の信
頼性と歩留りを向上することができる。
排気システムを用い、反応性ガスを前記基体上に熱分解
堆積させる。 【構成】 縦型ＣＶＤ装置を用いて、反応性ガスの熱分
解中に、不活性ガスを同時に導入して、基体表面を酸化
させることなく、かつＬ字管より発生するパーティクル
を抑える。これにより、基体表面にパーティクルを極力
付着しない方法を提供することにより、半導体装置の信
頼性と歩留りを向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複数の基体上に薄膜を形
成する方法に関するものである。
成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、複数の基体を管状反応器に横方向
に配置した横型ＣＶＤ装置に変わり縦型ＣＶＤ装置が、
薄膜を減圧状態で熱反応させる、いわゆる、減圧ＣＶＤ
法の主流となってきた。
に配置した横型ＣＶＤ装置に変わり縦型ＣＶＤ装置が、
薄膜を減圧状態で熱反応させる、いわゆる、減圧ＣＶＤ
法の主流となってきた。
【０００３】以下、従来の技術について図２の工程図と
図３の縦型ＣＶＤ装置概要断面図を用いて説明する。
図３の縦型ＣＶＤ装置概要断面図を用いて説明する。
【０００４】図３において、マニーホールド１には複数
のガス導入口２，３が配設されており、これより反応ガ
スが反応器内に導入される。反応器内は石英内管４と石
英外管５により形成されており、ボート６により複数の
基体が固定され、熱反応によりこれら基体の表面に薄膜
が形成される。残余の反応ガスはその後、石英内管４と
石英外管５の間を経由し、排気口７より排気システムに
排気される。又、石英内管４と石英外管５との間にはマ
ニーホールド１よりＬ字管８が接続されており、石英ボ
ート６を反応器内に出し入れする際、このＬ字管８を通
じて窒素を多量に流すことにより、基体表面が酸化され
るのを防止している。
のガス導入口２，３が配設されており、これより反応ガ
スが反応器内に導入される。反応器内は石英内管４と石
英外管５により形成されており、ボート６により複数の
基体が固定され、熱反応によりこれら基体の表面に薄膜
が形成される。残余の反応ガスはその後、石英内管４と
石英外管５の間を経由し、排気口７より排気システムに
排気される。又、石英内管４と石英外管５との間にはマ
ニーホールド１よりＬ字管８が接続されており、石英ボ
ート６を反応器内に出し入れする際、このＬ字管８を通
じて窒素を多量に流すことにより、基体表面が酸化され
るのを防止している。
【０００５】図２に従来技術により薄膜が形成される過
程を示す。石英ボート６を反応管に出し入れする際には
Ｌ字管８及びガス導入口２及び３より窒素を流してお
り、熱分解を起こさせる際にはガス導入口２及び３より
反応ガスのみを流している。又、反応性ガス排気ではＬ
字管８及びガス導入口２及び３共に何もガスは流してい
ない。
程を示す。石英ボート６を反応管に出し入れする際には
Ｌ字管８及びガス導入口２及び３より窒素を流してお
り、熱分解を起こさせる際にはガス導入口２及び３より
反応ガスのみを流している。又、反応性ガス排気ではＬ
字管８及びガス導入口２及び３共に何もガスは流してい
ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、熱分解及び反応性ガス排気の際にＬ字管
８の内部にも、反応性ガスが回り込み、薄膜が形成され
て石英ボート６を反応器内に出し入れする時、Ｌ字管８
より窒素ガスを多量に流すと主に、Ｌ字管８の内面に付
着している薄膜材の剥離物、いわゆるパーティクルが基
体表面に付着するという問題があった。又、窒素ガスを
流さないと、パーティクルは付着しないが、基体表面が
酸化されるという問題があった。
来の方法では、熱分解及び反応性ガス排気の際にＬ字管
８の内部にも、反応性ガスが回り込み、薄膜が形成され
て石英ボート６を反応器内に出し入れする時、Ｌ字管８
より窒素ガスを多量に流すと主に、Ｌ字管８の内面に付
着している薄膜材の剥離物、いわゆるパーティクルが基
体表面に付着するという問題があった。又、窒素ガスを
流さないと、パーティクルは付着しないが、基体表面が
酸化されるという問題があった。
【０００７】本発明は上記課題を解決するもので、基体
表面を酸化させずに、かつＬ字管８より発生するパーテ
ィクルを押え、基体表面にパーティクルを極力付着しな
い薄膜形成方法を提供し、半導体装置の信頼性と歩留り
を向上することを目的とする。
表面を酸化させずに、かつＬ字管８より発生するパーテ
ィクルを押え、基体表面にパーティクルを極力付着しな
い薄膜形成方法を提供し、半導体装置の信頼性と歩留り
を向上することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、薄膜形成過程における熱分解中あるいは
その後の反応性ガス排気の際、Ｌ字管より少量の不活性
ガスを反応器内に流すようにした。
に本発明では、薄膜形成過程における熱分解中あるいは
その後の反応性ガス排気の際、Ｌ字管より少量の不活性
ガスを反応器内に流すようにした。
【０００９】
【作用】上記手段により反応器内に反応性ガスが流れて
きてもＬ字管より不活性ガスを流すことにより、Ｌ字管
内部に反応性ガスが回り込まず、薄膜が形成されないの
で、石英ボートの出し入れの際、Ｌ字管より窒素を流し
ても基体にパーティクルが付着しない。
きてもＬ字管より不活性ガスを流すことにより、Ｌ字管
内部に反応性ガスが回り込まず、薄膜が形成されないの
で、石英ボートの出し入れの際、Ｌ字管より窒素を流し
ても基体にパーティクルが付着しない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１と図３を用い
て窒化珪素膜を形成する場合について説明する。
て窒化珪素膜を形成する場合について説明する。
【００１１】ウェハ搬送過程で、予め洗浄された直径約
１５０cmのシリコンウェハを石英ボート６上に配置す
る。次いでボートロード過程で石英ボート６を反応器内
の石英内管４の中に窒素をＬ字管８から約１０リットル
／分、ガス導入管２及び同３より、それぞれ、約１リッ
トル／分の速度で流しながら、反応器内へ導入した。反
応器内は加熱器９を用いて、約７８０℃の温度設定がな
されている。次いで真空引きＩの過程で反応器内を１０
ミリトール以下に排気し、ガス導入管２及び同３より窒
素を流しながら反応器内を３００ミリトールの圧力で約
３０分間放置し、これを温度安定過程とし、温度安定を
待った。次いで再び、真空引きIIの過程により、反応器
内の窒素を排気し、圧力を１０ミリトール以下に下げ
た。成膜（熱分解）過程では、導入口２よりアンモニア
を７５０cc／分、導入口３よりジクロルシランを７５cc
／分の速度で導入した。この間には、同時にＬ字管８よ
り窒素を約５０cc／分の速度で導入し、反応器内圧力を
約３００ミリトールとし、約５０分後にＬ字管より窒素
を流したまま、アンモニア及びジクロルシランの流れを
止めた。さらに、真空引きIIIの過程で、残余の反応ガ
スを約１５分間排気した後、窒素ガスを停止し、反応器
内をさらに１０ミリトール以下に排気した。次いで真空
排気弁を閉じ、大気圧復帰過程に移り、反応器内をガス
導入口２及び同３より窒素を逆充填し、大気圧力（約７
６０トール）とした。次いで、ボートアンロード過程で
は、石英ボート６を反応器内の石英内管４内に窒素をＬ
字管８から約１０リットル／分、ガス導入管２及び同３
よりそれぞれ約１リットル／分の速度で流しながら取り
出した。そして、ウェハ搬送過程でウェハを石英ボート
６上より取り出し、評価した。これらのウェハには約１
６００Åの窒化珪素膜が堆積しており、約０．３μｍ以
上のパーティクルも１０個以下であることを確認した。
１５０cmのシリコンウェハを石英ボート６上に配置す
る。次いでボートロード過程で石英ボート６を反応器内
の石英内管４の中に窒素をＬ字管８から約１０リットル
／分、ガス導入管２及び同３より、それぞれ、約１リッ
トル／分の速度で流しながら、反応器内へ導入した。反
応器内は加熱器９を用いて、約７８０℃の温度設定がな
されている。次いで真空引きＩの過程で反応器内を１０
ミリトール以下に排気し、ガス導入管２及び同３より窒
素を流しながら反応器内を３００ミリトールの圧力で約
３０分間放置し、これを温度安定過程とし、温度安定を
待った。次いで再び、真空引きIIの過程により、反応器
内の窒素を排気し、圧力を１０ミリトール以下に下げ
た。成膜（熱分解）過程では、導入口２よりアンモニア
を７５０cc／分、導入口３よりジクロルシランを７５cc
／分の速度で導入した。この間には、同時にＬ字管８よ
り窒素を約５０cc／分の速度で導入し、反応器内圧力を
約３００ミリトールとし、約５０分後にＬ字管より窒素
を流したまま、アンモニア及びジクロルシランの流れを
止めた。さらに、真空引きIIIの過程で、残余の反応ガ
スを約１５分間排気した後、窒素ガスを停止し、反応器
内をさらに１０ミリトール以下に排気した。次いで真空
排気弁を閉じ、大気圧復帰過程に移り、反応器内をガス
導入口２及び同３より窒素を逆充填し、大気圧力（約７
６０トール）とした。次いで、ボートアンロード過程で
は、石英ボート６を反応器内の石英内管４内に窒素をＬ
字管８から約１０リットル／分、ガス導入管２及び同３
よりそれぞれ約１リットル／分の速度で流しながら取り
出した。そして、ウェハ搬送過程でウェハを石英ボート
６上より取り出し、評価した。これらのウェハには約１
６００Åの窒化珪素膜が堆積しており、約０．３μｍ以
上のパーティクルも１０個以下であることを確認した。
【００１２】本実施例では、Ｌ字管８より導入するガス
として窒素を用いたが、これに限るわけではなく、ヘリ
ウム、アルゴン等不活性ガスであれば良い。
として窒素を用いたが、これに限るわけではなく、ヘリ
ウム、アルゴン等不活性ガスであれば良い。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明の薄膜形成方法に
よれば、基体表面を酸化することなく、薄膜形成の過程
でパーティクルの混入が低減でき、半導体装置の信頼性
と歩留りを向上することができる。
よれば、基体表面を酸化することなく、薄膜形成の過程
でパーティクルの混入が低減でき、半導体装置の信頼性
と歩留りを向上することができる。
【図１】本発明による薄膜形成過程の概略図
【図２】従来技術による薄膜形成過程の概略図
【図３】縦型ＣＶＤ装置の概要断面図
１ マニーホールド ２ ガス導入口 ３ ガス導入口 ４ 石英内管 ５ 石英外管 ６ 石英ボート ７ 排気口 ８ Ｌ字管 ９ 加熱器
Claims (1)
- 【請求項１】複数の基体を管状反応器に縦方向に配置
し、排気システムを用い、反応性ガスを前記基体上に熱
分解堆積させる薄膜形成過程における前記反応性ガスの
熱分解中または薄膜形成過程における反応性ガス導入終
了後の排気中に不活性ガスを前記管状反応器内に導入す
ることを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24054592A JPH0689863A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24054592A JPH0689863A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689863A true JPH0689863A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17061125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24054592A Pending JPH0689863A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708224A2 (en) | 1994-10-19 | 1996-04-24 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Thread joint for tubes |
| JP2009170827A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24054592A patent/JPH0689863A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708224A2 (en) | 1994-10-19 | 1996-04-24 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Thread joint for tubes |
| US5649725A (en) * | 1994-10-19 | 1997-07-22 | Sumitomo Metal Industries Limited | Thread joint for tube |
| JP2009170827A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
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