JPH0689994A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0689994A JPH0689994A JP4239633A JP23963392A JPH0689994A JP H0689994 A JPH0689994 A JP H0689994A JP 4239633 A JP4239633 A JP 4239633A JP 23963392 A JP23963392 A JP 23963392A JP H0689994 A JPH0689994 A JP H0689994A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ４．５Ｖ以上の駆動電圧においてはＦＰＮが
発生しないような固体撮像装置を製造する方法を提供す
る。 【構成】 半導体基板１の表面にＰ型ウェル領域を形成
した後、該Ｐ型ウェル領域にチャネル領域３を形成す
る。次に、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶縁膜５を介して
第１層の多結晶シリコン膜をパターニングすることによ
り第１ゲート電極６を形成する。次に、第１ゲート電極
６をマスクとしてチャネル領域３の信号電荷転送方向に
対する逆方向の上方からイオン注入をすることにより、
チャネル領域３における第２ゲート電極７の下側の領域
にＮ- 型の不純物濃度調整領域３ａを形成する。次に、
チャネル領域３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結
晶シリコン膜をパターニングして第２ゲート電極７を形
成する。
発生しないような固体撮像装置を製造する方法を提供す
る。 【構成】 半導体基板１の表面にＰ型ウェル領域を形成
した後、該Ｐ型ウェル領域にチャネル領域３を形成す
る。次に、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶縁膜５を介して
第１層の多結晶シリコン膜をパターニングすることによ
り第１ゲート電極６を形成する。次に、第１ゲート電極
６をマスクとしてチャネル領域３の信号電荷転送方向に
対する逆方向の上方からイオン注入をすることにより、
チャネル領域３における第２ゲート電極７の下側の領域
にＮ- 型の不純物濃度調整領域３ａを形成する。次に、
チャネル領域３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結
晶シリコン膜をパターニングして第２ゲート電極７を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光量に応じて信号
電荷を発生する光電変換部と、該光電変換部に発生した
信号電荷を順次転送するＣＣＤ（Charge Coupled De
vice）よりなる電荷転送部とを有する固体撮像装置の製
造方法に関し、特に固定パターンノイズの発生を低減す
ることができる固体撮像装置の製造方法に関する。
電荷を発生する光電変換部と、該光電変換部に発生した
信号電荷を順次転送するＣＣＤ（Charge Coupled De
vice）よりなる電荷転送部とを有する固体撮像装置の製
造方法に関し、特に固定パターンノイズの発生を低減す
ることができる固体撮像装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カメラ一体型ＶＴＲに搭載されている固
体撮像装置に対する特性への要望は、年々厳しくなって
きており、その中の一つとして、水平ＣＣＤに起因する
固定パターンノイズ（Fixed Pattern Noise ）（以
下、ＦＰＮと略する。）の低減が挙げられる。ＦＰＮの
発生は水平ＣＣＤの製造方法と関係すると考えられる。
体撮像装置に対する特性への要望は、年々厳しくなって
きており、その中の一つとして、水平ＣＣＤに起因する
固定パターンノイズ（Fixed Pattern Noise ）（以
下、ＦＰＮと略する。）の低減が挙げられる。ＦＰＮの
発生は水平ＣＣＤの製造方法と関係すると考えられる。
【０００３】図２及び図３は従来の固体撮像装置の製造
方法における水平ＣＣＤの製造工程を示しており、図２
（ａ）〜（ｃ）は各製造工程を示す断面図、図３（ａ）
は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線の断面図、図３（ｂ）は
図２（ｂ）におけるＢ−Ｂ線の断面図、図３（ｃ）は図
２（ｃ）における断面図である。
方法における水平ＣＣＤの製造工程を示しており、図２
（ａ）〜（ｃ）は各製造工程を示す断面図、図３（ａ）
は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線の断面図、図３（ｂ）は
図２（ｂ）におけるＢ−Ｂ線の断面図、図３（ｃ）は図
２（ｃ）における断面図である。
【０００４】同図において、１はＮ型の半導体基板、２
は半導体基板１上に形成されたＰ型ウェル領域、３はＰ
型ウェル領域２上に形成されたＮ型拡散層よりなるチャ
ネル領域であって、該チャネル領域３は、Ｐ型ウェル領
域２上に形成され、入射光量に応じた信号電荷を発生す
る光電変換部（図示は省略している。）に発生した信号
電荷を水平方向へ転送する水平方向電荷転送部（ＨＣＤ
Ｄ）を構成している。また、同図において、４はＰ型ウ
ェル領域２に形成されたＰ型拡散層よりなる分離領域、
５は絶縁膜、６は多結晶シリコン膜よりなる第１ゲート
電極、７は多結晶シリコン膜よりなる第２ゲート電極で
ある。尚、図２において、白抜き矢印は水平方向電荷転
送部における信号電荷の転送方向を示し、ＶＣＤＤは垂
直方向電荷転送部を示している。
は半導体基板１上に形成されたＰ型ウェル領域、３はＰ
型ウェル領域２上に形成されたＮ型拡散層よりなるチャ
ネル領域であって、該チャネル領域３は、Ｐ型ウェル領
域２上に形成され、入射光量に応じた信号電荷を発生す
る光電変換部（図示は省略している。）に発生した信号
電荷を水平方向へ転送する水平方向電荷転送部（ＨＣＤ
Ｄ）を構成している。また、同図において、４はＰ型ウ
ェル領域２に形成されたＰ型拡散層よりなる分離領域、
５は絶縁膜、６は多結晶シリコン膜よりなる第１ゲート
電極、７は多結晶シリコン膜よりなる第２ゲート電極で
ある。尚、図２において、白抜き矢印は水平方向電荷転
送部における信号電荷の転送方向を示し、ＶＣＤＤは垂
直方向電荷転送部を示している。
【０００５】まず、図２及び図３の（ａ）に示すように
半導体基板１にＰ型ウェル領域２を形成すると共に、該
Ｐ型ウェル領域２に上記光電変換部及びチャネル領域３
をそれぞれ形成した後、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶縁
膜５を介して第１層の多結晶シリコン膜をパターニング
することにより第１ゲート電極６を形成する。
半導体基板１にＰ型ウェル領域２を形成すると共に、該
Ｐ型ウェル領域２に上記光電変換部及びチャネル領域３
をそれぞれ形成した後、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶縁
膜５を介して第１層の多結晶シリコン膜をパターニング
することにより第１ゲート電極６を形成する。
【０００６】次に、図２及び図３の（ｂ）の矢印（イ）
に示すように、第１ゲート電極６をマスクとしてチャネ
ル領域３に対してイオン注入をすることにより、チャネ
ル領域３における第１ゲート電極６の下側以外の領域つ
まり第２ゲート電極７の下側の領域にＮ- 型の不純物濃
度調整領域３ａを形成する。この場合、イオン注入は、
第１ゲート電極６の側辺に対する平面的な角θが０°で
あり、半導体基板１の表面に対して垂直な垂線となす角
δが７°になるような方向から行われる。すなわち、イ
オン注入は、チャネル領域３の信号電荷転送方向に対し
て直交する方向の上方から行われる。
に示すように、第１ゲート電極６をマスクとしてチャネ
ル領域３に対してイオン注入をすることにより、チャネ
ル領域３における第１ゲート電極６の下側以外の領域つ
まり第２ゲート電極７の下側の領域にＮ- 型の不純物濃
度調整領域３ａを形成する。この場合、イオン注入は、
第１ゲート電極６の側辺に対する平面的な角θが０°で
あり、半導体基板１の表面に対して垂直な垂線となす角
δが７°になるような方向から行われる。すなわち、イ
オン注入は、チャネル領域３の信号電荷転送方向に対し
て直交する方向の上方から行われる。
【０００７】次に、図２及び図３の（ｃ）に示すよう
に、不純物濃度調整領域３ａが形成されたチャネル領域
３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結晶シリコン膜
をパターニングして第２ゲート電極７を形成する。
に、不純物濃度調整領域３ａが形成されたチャネル領域
３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結晶シリコン膜
をパターニングして第２ゲート電極７を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにイオン注入をして不純物濃度調整領域３ａを形成
することにより固体撮像装置の水平ＣＣＤを製造する場
合には、固定パターンノイズ（ＦＰＮ）が発生するとい
う問題がある。
ようにイオン注入をして不純物濃度調整領域３ａを形成
することにより固体撮像装置の水平ＣＣＤを製造する場
合には、固定パターンノイズ（ＦＰＮ）が発生するとい
う問題がある。
【０００９】このＦＰＮの発生は、チャネル領域３にお
ける第１ゲート電極６の下側部分に電荷の溜まりとなる
ポテンシャルのこぶが発生することが原因であり、水平
ＣＣＤの駆動電圧が下がるとＦＰＮは発生し易くなる。
水平ＣＣＤはＣＭＯＳドライバーにより駆動されるた
め、４．５Ｖ以上の駆動電圧においては、ＦＰＮが発生
しないことが必要である。
ける第１ゲート電極６の下側部分に電荷の溜まりとなる
ポテンシャルのこぶが発生することが原因であり、水平
ＣＣＤの駆動電圧が下がるとＦＰＮは発生し易くなる。
水平ＣＣＤはＣＭＯＳドライバーにより駆動されるた
め、４．５Ｖ以上の駆動電圧においては、ＦＰＮが発生
しないことが必要である。
【００１０】図４は、従来の方法でイオン注入をするこ
とにより水平ＣＣＤを製造した場合において、水平ＣＣ
Ｄの駆動電圧を下げていったときにＦＰＮが発生する電
圧であるＦＰＮ発生電圧を測定した結果を示しており、
ＦＰＮ発生電圧が４．５Ｖ以上のものが全体の９０％で
あり、良品率は１０％であって、歩留りは非常に低いと
いう問題がある。
とにより水平ＣＣＤを製造した場合において、水平ＣＣ
Ｄの駆動電圧を下げていったときにＦＰＮが発生する電
圧であるＦＰＮ発生電圧を測定した結果を示しており、
ＦＰＮ発生電圧が４．５Ｖ以上のものが全体の９０％で
あり、良品率は１０％であって、歩留りは非常に低いと
いう問題がある。
【００１１】上記に鑑み、本発明は、４．５Ｖ以上の駆
動電圧においてはＦＰＮが発生しないような固体撮像装
置を製造する方法を提供することを目的とする。
動電圧においてはＦＰＮが発生しないような固体撮像装
置を製造する方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、水平方向電荷
転送部にイオン注入をして不純物濃度調整領域を形成す
る工程におけるイオン注入を水平方向電荷転送部の信号
電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なうと、４．
５Ｖ以上の駆動電圧においてはＦＰＮが発生しないとい
う知見に基づいてなされたものであって、具体的に本発
明が講じた解決手段は、半導体基板上に、入射光量に応
じた信号電荷を発生する光電変換部及び該光電変換部に
発生した信号電荷を水平方向へ転送する水平方向電荷転
送部をそれぞれ形成する工程と、上記水平方向電荷転送
部の上側に該水平方向電荷転送部に信号電荷を転送せし
めるための下層の第１ゲート電極を形成する工程と、該
第１ゲート電極をマスクとして上記水平方向電荷転送部
にイオン注入をすることにより該水平方向電荷転送部に
不純物濃度調整領域を形成する工程と、上記水平方向電
荷転送部における不純物濃度調整領域の上側に該水平方
向電荷転送部に信号電荷を転送せしめるための上層の第
２ゲート電極を形成する工程とを有する固体撮像装置の
製造方法を前提とし、上記不純物濃度調整領域を形成す
る工程におけるイオン注入を、上記水平方向電荷転送部
の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なう構
成とするものである。
転送部にイオン注入をして不純物濃度調整領域を形成す
る工程におけるイオン注入を水平方向電荷転送部の信号
電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なうと、４．
５Ｖ以上の駆動電圧においてはＦＰＮが発生しないとい
う知見に基づいてなされたものであって、具体的に本発
明が講じた解決手段は、半導体基板上に、入射光量に応
じた信号電荷を発生する光電変換部及び該光電変換部に
発生した信号電荷を水平方向へ転送する水平方向電荷転
送部をそれぞれ形成する工程と、上記水平方向電荷転送
部の上側に該水平方向電荷転送部に信号電荷を転送せし
めるための下層の第１ゲート電極を形成する工程と、該
第１ゲート電極をマスクとして上記水平方向電荷転送部
にイオン注入をすることにより該水平方向電荷転送部に
不純物濃度調整領域を形成する工程と、上記水平方向電
荷転送部における不純物濃度調整領域の上側に該水平方
向電荷転送部に信号電荷を転送せしめるための上層の第
２ゲート電極を形成する工程とを有する固体撮像装置の
製造方法を前提とし、上記不純物濃度調整領域を形成す
る工程におけるイオン注入を、上記水平方向電荷転送部
の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なう構
成とするものである。
【００１３】
【作用】上記の構成により、イオン注入を水平方向電荷
転送部の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行
なうため、水平方向電荷転送部における第１ゲート電極
の下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶが
できないので、４．５Ｖ以上の駆動電圧ではＦＰＮが発
生しない。
転送部の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行
なうため、水平方向電荷転送部における第１ゲート電極
の下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶが
できないので、４．５Ｖ以上の駆動電圧ではＦＰＮが発
生しない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る固体撮像装置
の製造方法について図面を参照しながら説明する。
の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１は上記製造方法における水平ＣＣＤの
製造工程を示しており、図１（ａ）〜（ｃ）は各製造工
程を示す断面図である。また、図３（ａ）は図１（ａ）
におけるＡ−Ａ線の断面図、図３（ｂ）は図１（ｂ）に
おけるＢ−Ｂ線の断面図、図３（ｃ）は図１（ｃ）にお
ける断面図でもある。つまり、図３（ａ）〜（ｃ）は図
１及び図２における（ａ）〜（ｃ）の共通の断面図であ
る。
製造工程を示しており、図１（ａ）〜（ｃ）は各製造工
程を示す断面図である。また、図３（ａ）は図１（ａ）
におけるＡ−Ａ線の断面図、図３（ｂ）は図１（ｂ）に
おけるＢ−Ｂ線の断面図、図３（ｃ）は図１（ｃ）にお
ける断面図でもある。つまり、図３（ａ）〜（ｃ）は図
１及び図２における（ａ）〜（ｃ）の共通の断面図であ
る。
【００１６】Ｎ型の半導体基板１、Ｐ型ウェル領域２、
チャネル領域３、分離領域４、絶縁膜５、第１ゲート電
極６、第２ゲート電極７については、従来の製造方法に
より得られる固体撮像装置と同様であるので、同じ符号
を付すことにより詳細な説明は省略する。また、図１に
おいても、白抜き矢印は水平方向電荷転送部における信
号電荷の転送方向を示し、ＶＣＤＤは垂直方向電荷転送
部を示している。
チャネル領域３、分離領域４、絶縁膜５、第１ゲート電
極６、第２ゲート電極７については、従来の製造方法に
より得られる固体撮像装置と同様であるので、同じ符号
を付すことにより詳細な説明は省略する。また、図１に
おいても、白抜き矢印は水平方向電荷転送部における信
号電荷の転送方向を示し、ＶＣＤＤは垂直方向電荷転送
部を示している。
【００１７】まず、図１及び図３の（ａ）に示すように
半導体基板１にＰ型ウェル領域２を形成すると共に、該
Ｐ型ウェル領域２上に上記光電変換部及びチャネル領域
３をそれぞれ形成した後、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶
縁膜５を介して第１層の多結晶シリコン膜をパターニン
グすることにより第１ゲート電極６を形成する。
半導体基板１にＰ型ウェル領域２を形成すると共に、該
Ｐ型ウェル領域２上に上記光電変換部及びチャネル領域
３をそれぞれ形成した後、Ｐ型ウェル領域２の上側に絶
縁膜５を介して第１層の多結晶シリコン膜をパターニン
グすることにより第１ゲート電極６を形成する。
【００１８】次に、図１及び図３の（ｂ）の矢印（イ）
に示すように、第１ゲート電極６をマスクとしてチャネ
ル領域３に対してイオン注入をすることにより、チャネ
ル領域３における第２ゲート電極７の下側の領域にＮ-
型の不純物濃度調整領域３ａを形成する。この場合、イ
オン注入は、図１（ｂ）に示すように第１ゲート電極６
の側辺に対する平面的な角θが７０°〜１１０°であ
り、図３（ｂ）に示すように半導体基板１の表面に対し
て垂直な垂線となす角δが５°〜９°になるような方向
から行なう。すなわち、イオン注入は、チャネル領域３
の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なう。
に示すように、第１ゲート電極６をマスクとしてチャネ
ル領域３に対してイオン注入をすることにより、チャネ
ル領域３における第２ゲート電極７の下側の領域にＮ-
型の不純物濃度調整領域３ａを形成する。この場合、イ
オン注入は、図１（ｂ）に示すように第１ゲート電極６
の側辺に対する平面的な角θが７０°〜１１０°であ
り、図３（ｂ）に示すように半導体基板１の表面に対し
て垂直な垂線となす角δが５°〜９°になるような方向
から行なう。すなわち、イオン注入は、チャネル領域３
の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から行なう。
【００１９】次に、図２及び図３の（ｃ）に示すよう
に、不純物濃度調整領域３ａが形成されたチャネル領域
３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結晶シリコンを
パターニングして第２ゲート電極７を形成する。
に、不純物濃度調整領域３ａが形成されたチャネル領域
３の上側に絶縁膜５を介して第２層の多結晶シリコンを
パターニングして第２ゲート電極７を形成する。
【００２０】上記のように、第１ゲート電極６の側辺に
対する平面的な角θが７０°〜１１０°であり、半導体
基板１の表面に対して垂直な垂線となす角δが５°〜９
°になるような方向からイオン注入をすると、４．５Ｖ
以上の駆動電圧では固定パターンノイズ（ＦＰＮ）の発
生がない。その理由は、上記のような角度でイオン注入
をすると、チャネル領域３における第１ゲート電極６の
下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶが発
生する事態が抑制されるからである。
対する平面的な角θが７０°〜１１０°であり、半導体
基板１の表面に対して垂直な垂線となす角δが５°〜９
°になるような方向からイオン注入をすると、４．５Ｖ
以上の駆動電圧では固定パターンノイズ（ＦＰＮ）の発
生がない。その理由は、上記のような角度でイオン注入
をすると、チャネル領域３における第１ゲート電極６の
下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶが発
生する事態が抑制されるからである。
【００２１】図５は、注入角θを７０゜、９０゜及び１
１０゜にとってイオン注入をすることにより不純物濃度
調整領域３ａが形成された固体撮像装置において、水平
ＣＣＤの駆動電圧を下げていきＦＰＮが発生したときの
電圧をＦＰＮ発生電圧として測定した結果を示してお
り、ＦＰＮ発生電圧は４．５Ｖ以上においては０％であ
った。すなわち、本実施例によると良品率は１００％で
あった。
１０゜にとってイオン注入をすることにより不純物濃度
調整領域３ａが形成された固体撮像装置において、水平
ＣＣＤの駆動電圧を下げていきＦＰＮが発生したときの
電圧をＦＰＮ発生電圧として測定した結果を示してお
り、ＦＰＮ発生電圧は４．５Ｖ以上においては０％であ
った。すなわち、本実施例によると良品率は１００％で
あった。
【００２２】図６は、注入角θを０゜から３６０゜まで
の範囲で変化させたときに、ＦＰＮ発生電圧が４．５Ｖ
以下の固体撮像装置を得ることができる率（良品率）を
まとめたものであり、注入角θが７０゜から１１０゜ま
での範囲であれば良品率は１００％であるが、注入角θ
が０゜から７０°までの範囲内である場合及び注入角θ
が１１０゜から３６０゜の範囲内である場合には、良品
率は１００％ではなく、大きく低下している。
の範囲で変化させたときに、ＦＰＮ発生電圧が４．５Ｖ
以下の固体撮像装置を得ることができる率（良品率）を
まとめたものであり、注入角θが７０゜から１１０゜ま
での範囲であれば良品率は１００％であるが、注入角θ
が０゜から７０°までの範囲内である場合及び注入角θ
が１１０゜から３６０゜の範囲内である場合には、良品
率は１００％ではなく、大きく低下している。
【００２３】なお、上記のデータは、従来例と同様の注
入加速電圧及び注入量によりイオン注入をした結果であ
るが、注入加速電圧及び注入量を変化させると、ＦＰＮ
の良品率が１００％となる注入角θも変化する。
入加速電圧及び注入量によりイオン注入をした結果であ
るが、注入加速電圧及び注入量を変化させると、ＦＰＮ
の良品率が１００％となる注入角θも変化する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る固体
撮像装置の製造方法によると、イオン注入を水平方向電
荷転送部の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から
行なうため、水平方向電荷転送部における第１ゲート電
極の下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶ
ができないので、４．５Ｖ以上の駆動電圧ではＦＰＮが
発生しない。
撮像装置の製造方法によると、イオン注入を水平方向電
荷転送部の信号電荷転送方向に対する逆方向の上方から
行なうため、水平方向電荷転送部における第１ゲート電
極の下側部分に電荷の溜まりとなるポテンシャルのこぶ
ができないので、４．５Ｖ以上の駆動電圧ではＦＰＮが
発生しない。
【００２５】このため、本発明によると、４．５Ｖ以上
の駆動電圧でＦＰＮが発生しない固体撮像装置を簡易且
つ確実に製造することができ、固体撮像装置の歩留りを
極めて向上させることができる。
の駆動電圧でＦＰＮが発生しない固体撮像装置を簡易且
つ確実に製造することができ、固体撮像装置の歩留りを
極めて向上させることができる。
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例に
係る固体撮像装置の製造方法の各製造工程を示す平面図
である。
係る固体撮像装置の製造方法の各製造工程を示す平面図
である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来の固体撮像装置
の製造方法の各製造工程を示す平面図である。
の製造方法の各製造工程を示す平面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図１及び図
２におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線の断面図であ
る。
２におけるＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線の断面図であ
る。
【図４】従来の固体撮像装置の製造方法により得られる
固体撮像装置のＦＰＮ発生電圧の分布を示す図である。
固体撮像装置のＦＰＮ発生電圧の分布を示す図である。
【図５】本発明の一実施例に係る固体撮像装置の製造方
法により得られる固体撮像装置において、イオン注入の
注入角とＦＰＮ発生電圧との関係を示す図である。
法により得られる固体撮像装置において、イオン注入の
注入角とＦＰＮ発生電圧との関係を示す図である。
【図６】本発明に至る過程おいて行なったイオン注入の
注入角とＦＰＮに対する良品率との関係を調べた図であ
る。
注入角とＦＰＮに対する良品率との関係を調べた図であ
る。
１ 半導体基板 ２ Ｐ型ウェル領域 ３ チャネル領域（水平方向電荷転送部） ３ａ 不純物濃度調整領域 ４ 分離領域 ５ 絶縁膜 ６ 第１ゲート電極 ７ 第２ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 晶二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、入射光量に応じた信号
電荷を発生する光電変換部及び該光電変換部に発生した
信号電荷を水平方向へ転送する水平方向電荷転送部をそ
れぞれ形成する工程と、上記水平方向電荷転送部の上側
に該水平方向電荷転送部に信号電荷を転送せしめるため
の下層の第１ゲート電極を形成する工程と、該第１ゲー
ト電極をマスクとして上記水平方向電荷転送部にイオン
注入をすることにより該水平方向電荷転送部に不純物濃
度調整領域を形成する工程と、上記水平方向電荷転送部
における不純物濃度調整領域の上側に該水平方向電荷転
送部に信号電荷を転送せしめるための上層の第２ゲート
電極を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法
において、上記不純物濃度調整領域を形成する工程にお
けるイオン注入は、上記水平方向電荷転送部の信号電荷
転送方向に対する逆方向の上方から行なうことを特徴と
する固体撮造装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4239633A JPH0689994A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4239633A JPH0689994A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689994A true JPH0689994A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17047620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4239633A Pending JPH0689994A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689994A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133962A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04155842A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP4239633A patent/JPH0689994A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133962A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH04155842A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-28 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971014 |