JPH0690441B2 - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH0690441B2 JPH0690441B2 JP60277751A JP27775185A JPH0690441B2 JP H0690441 B2 JPH0690441 B2 JP H0690441B2 JP 60277751 A JP60277751 A JP 60277751A JP 27775185 A JP27775185 A JP 27775185A JP H0690441 B2 JPH0690441 B2 JP H0690441B2
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- JP
- Japan
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- naphthoquinonediazide
- cresol
- photoresist composition
- positive photoresist
- compound containing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は一般に幅射線に感応するポジ型フオトレジスト
組成物に関するものであり、詳しくはアルカリ可溶性樹
脂及び1,2−ナフトキシンジアジド基を含む化合物から
生るポジ型フオトレジスト組成物の改良に関するもので
ある。
組成物に関するものであり、詳しくはアルカリ可溶性樹
脂及び1,2−ナフトキシンジアジド基を含む化合物から
生るポジ型フオトレジスト組成物の改良に関するもので
ある。
（従来の技術） 集積回路の高集積度化は年々加速度的に進み、現在では
集積度10万以上のいわゆる超LSIの時代となり、1.5μｍ
ルールさらには1.0μｍルールの設計の時代になつてい
る。それに伴いフオトリソグラフイー技術に対する要求
も年々厳しくなつて来ている。このフオトリソグラフイ
ー技術に於て、従来使用されてきたレジストはその大部
分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤としてビスア
ジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである。
しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤により解像
力に限度があり、３μｍ以上の解像力を得ることは難し
い。
集積度10万以上のいわゆる超LSIの時代となり、1.5μｍ
ルールさらには1.0μｍルールの設計の時代になつてい
る。それに伴いフオトリソグラフイー技術に対する要求
も年々厳しくなつて来ている。このフオトリソグラフイ
ー技術に於て、従来使用されてきたレジストはその大部
分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤としてビスア
ジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである。
しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤により解像
力に限度があり、３μｍ以上の解像力を得ることは難し
い。
上記要求に応える事が出来るのはポジ型フオトレジスト
である。ポジ型フオトレジスト組成物はアルカリ可溶性
の樹脂を感光性物質、一般には置換されたナフトキノン
ジアジド基を含む化合物ともに含むものである。ナフト
キノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸収
し、カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在する水分
と反応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液の
アルカリ水に溶解する現象を応用している。
である。ポジ型フオトレジスト組成物はアルカリ可溶性
の樹脂を感光性物質、一般には置換されたナフトキノン
ジアジド基を含む化合物ともに含むものである。ナフト
キノンジアジドは照射時に下式のように紫外線を吸収
し、カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在する水分
と反応してインデンカルボン酸と成り、これが現像液の
アルカリ水に溶解する現象を応用している。
このようにポジ型フオトレジストは、現像液としてアル
カリ水溶液を用いるのでネガ型の場合と異なりレジスト
が膨潤せず、従つて解像力を高めることが可能なのであ
る。
カリ水溶液を用いるのでネガ型の場合と異なりレジスト
が膨潤せず、従つて解像力を高めることが可能なのであ
る。
このようにポジ型フオトレジストは、ネガ型レジストと
比較すれば一般に非膨潤、高解像力を特徴とするレジス
トとして登場し２μｍルールの超LSI使用されてきた。
比較すれば一般に非膨潤、高解像力を特徴とするレジス
トとして登場し２μｍルールの超LSI使用されてきた。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら超LSIの設計ルールが1.5μｍさらには1.0
μｍルールとさらに微細化されるに従つて従来のポジ型
フオトレジストでは解像力が物足りなくなり、さらには
エツチング法としてリアクチブイオンエツチング法（以
下RIE法と略す）が一般化されるにしたがい従来のポジ
型フオトレジストでは耐熱性並びに耐RIE性が不十分で
あることが明らかとなり上記問題点を克服したレジスト
の出現が望まれていた。
μｍルールとさらに微細化されるに従つて従来のポジ型
フオトレジストでは解像力が物足りなくなり、さらには
エツチング法としてリアクチブイオンエツチング法（以
下RIE法と略す）が一般化されるにしたがい従来のポジ
型フオトレジストでは耐熱性並びに耐RIE性が不十分で
あることが明らかとなり上記問題点を克服したレジスト
の出現が望まれていた。
（問題点を解決する手段） 本発明者等は特にこの点に留意し鋭意検討を進めた結果
アルカリ可溶性樹脂及び1,2−ナフトキノンジアジド化
合物を含む化合物から成るポジ型フオトレジスト組成物
に於て、ナフトキノンジアジド基の含有率がある範囲に
あると解像力、耐熱性、耐RIE性が総てすぐれたレジス
トを与えることを見出し本発明に到達したものである。
アルカリ可溶性樹脂及び1,2−ナフトキノンジアジド化
合物を含む化合物から成るポジ型フオトレジスト組成物
に於て、ナフトキノンジアジド基の含有率がある範囲に
あると解像力、耐熱性、耐RIE性が総てすぐれたレジス
トを与えることを見出し本発明に到達したものである。
すなわち本発明の要旨は、アルカリ可溶性樹脂及び1,2
−ナフトキノンアジド基を含む化合物から成るポジ型フ
オトレジスト組成物に於て、該アルカリ可溶性樹脂が
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの
異性体の一つから成る混合物とフォルムアルデヒドから
得られるノボラック樹脂であり、 該1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物が1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸或いは1,2−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸と、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンとのエステルの１種もしくは複
数種であり、 全固形物に対する1,2−ナフトキノンジアジド基の割
合が、0.7ミリ当量/g以上1.5ミリ当量/g以下ことを特徴
とするポジ型フオトレジスト組成物に存する。
−ナフトキノンアジド基を含む化合物から成るポジ型フ
オトレジスト組成物に於て、該アルカリ可溶性樹脂が
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノールの
異性体の一つから成る混合物とフォルムアルデヒドから
得られるノボラック樹脂であり、 該1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物が1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸或いは1,2−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸と、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンとのエステルの１種もしくは複
数種であり、 全固形物に対する1,2−ナフトキノンジアジド基の割
合が、0.7ミリ当量/g以上1.5ミリ当量/g以下ことを特徴
とするポジ型フオトレジスト組成物に存する。
以下本発明を説明するに、本発明のアルカリ可溶性樹脂
はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノール
の異性体の一つから成る混合物とフオルムアルデヒドか
ら得られるノボラツク樹脂が用いられる。
はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、及びキシレノール
の異性体の一つから成る混合物とフオルムアルデヒドか
ら得られるノボラツク樹脂が用いられる。
特に望ましくはｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、及び
キシレンールの任意の１つの異性体好ましくは2,5−異
性体の第１図に示された三角座標の斜線の部分に当ては
まる組成の混合物とフオルムアルデヒドから得られるノ
ボラツク樹脂が用いられる。
キシレンールの任意の１つの異性体好ましくは2,5−異
性体の第１図に示された三角座標の斜線の部分に当ては
まる組成の混合物とフオルムアルデヒドから得られるノ
ボラツク樹脂が用いられる。
これ等の樹脂はフエノール類とアルデヒドの混合物を酸
触媒で縮合させる公知の方法に依つて容易に得ることが
出来る。該アルカリ可溶性樹脂は、ゲルパーミエーシヨ
ンクロマトグラフイーを用いポリスチレン換算値をもつ
て分子量としたときの重量平均分子量が1,000〜30,00
0、好ましくは1,500〜20,000、さらに好ましくは2,000
〜15,000の範囲のものが使用される。
触媒で縮合させる公知の方法に依つて容易に得ることが
出来る。該アルカリ可溶性樹脂は、ゲルパーミエーシヨ
ンクロマトグラフイーを用いポリスチレン換算値をもつ
て分子量としたときの重量平均分子量が1,000〜30,00
0、好ましくは1,500〜20,000、さらに好ましくは2,000
〜15,000の範囲のものが使用される。
1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物としては、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンと、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸或いは1,2−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸とのエステルの１種もしく
は複数種が用いられる。
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンと、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸或いは1,2−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸とのエステルの１種もしく
は複数種が用いられる。
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンのエステル化率があ
まりに低いと見掛けの感度は上昇するものの未露光部の
現像後の残膜率の低下が見られるので30％以上、好まし
くは55％以上で使用するのが望ましい。
−テトラヒドロキシベンゾフェノンのエステル化率があ
まりに低いと見掛けの感度は上昇するものの未露光部の
現像後の残膜率の低下が見られるので30％以上、好まし
くは55％以上で使用するのが望ましい。
このような感光剤は2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン或いは2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、或
いは1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸の酸
塩化物を塩基の存在下に反応させる公知の方法に依つて
容易に得ることが出来る。
ノン或いは2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、或
いは1,2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸の酸
塩化物を塩基の存在下に反応させる公知の方法に依つて
容易に得ることが出来る。
1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物とアルカリ
可溶性樹脂との比率、更に詳しくは全固形物中の1,2−
ナフトキノンジアジド基の占める割合はレジストの性能
を決める上で極めて重要であり、本発明の骨子を成すも
のである。全固形物中の1,2−ナフトキノンジアジド基
の占める割合を現わす指標として全固形物中1g中に含ま
れる1,2−ナフトキノンジアジド基のミリ当量を以て現
わす事とし、1,2−ナフトキノンジアジド基を略号Ｑで
現わす事が多いので、Ｑ率とよぶことにする。
可溶性樹脂との比率、更に詳しくは全固形物中の1,2−
ナフトキノンジアジド基の占める割合はレジストの性能
を決める上で極めて重要であり、本発明の骨子を成すも
のである。全固形物中の1,2−ナフトキノンジアジド基
の占める割合を現わす指標として全固形物中1g中に含ま
れる1,2−ナフトキノンジアジド基のミリ当量を以て現
わす事とし、1,2−ナフトキノンジアジド基を略号Ｑで
現わす事が多いので、Ｑ率とよぶことにする。
Ｑ率はレジストの感度、解像力、未露光部の現像後の残
膜率、耐熱性、耐RIE性等の性能と密接な関係にあり感
度以外の性能はＱ率を上げる事によつて向上する。特に
耐熱性、耐RIE性は著しく向上する。本発明者等はＱ率
の最適値を得るべく鋭意検討を重ねた結果Ｑ率の範囲と
して0.7〜1.5ミリ当量/gを見い出した。
膜率、耐熱性、耐RIE性等の性能と密接な関係にあり感
度以外の性能はＱ率を上げる事によつて向上する。特に
耐熱性、耐RIE性は著しく向上する。本発明者等はＱ率
の最適値を得るべく鋭意検討を重ねた結果Ｑ率の範囲と
して0.7〜1.5ミリ当量/gを見い出した。
Ｑ率がこれ以下であると耐熱性、耐RIE性に劣り、解像
力、未露光部の現像後の残膜率も十分でない。Ｑ率がこ
れ以上であると感度が極端に低くなりまた塗膜性も低下
する。
力、未露光部の現像後の残膜率も十分でない。Ｑ率がこ
れ以上であると感度が極端に低くなりまた塗膜性も低下
する。
アルカリ可溶性樹脂及び1,2−ナフトキノンジアジド基
を含む化合物から成るポジ型フオトレジスト組成物で従
来知られているものとして例えば特開昭52-51931、特開
昭58-17112、特開昭59-165053、特開昭60-57339、特開
昭60-164740等があるが、それらの開示された実施例か
らＱ率の算出の可能なものについて計算してみると特開
昭52-51931では0.52〜0.62、特開昭58-17112では0.43〜
0.58、特開昭59-165053では0.57〜0.64等いずれも0.7以
下である。
を含む化合物から成るポジ型フオトレジスト組成物で従
来知られているものとして例えば特開昭52-51931、特開
昭58-17112、特開昭59-165053、特開昭60-57339、特開
昭60-164740等があるが、それらの開示された実施例か
らＱ率の算出の可能なものについて計算してみると特開
昭52-51931では0.52〜0.62、特開昭58-17112では0.43〜
0.58、特開昭59-165053では0.57〜0.64等いずれも0.7以
下である。
通常はこれらを適当な溶媒に溶解して用いる。溶媒とし
ては該感光剤、該樹脂に対して、十分な溶解度を持ち、
良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は無いが、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロ
ソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセテート等
のエステル系の溶媒、又はジメチルフオルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性
溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳香族炭化
水素を添加したもの等が上げられる。
ては該感光剤、該樹脂に対して、十分な溶解度を持ち、
良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限は無いが、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロ
ソルブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセテート等
のエステル系の溶媒、又はジメチルフオルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性
溶媒、或いはこれらの混合溶媒、或いは更に芳香族炭化
水素を添加したもの等が上げられる。
上記レジスト組成物を公知の方法により、基板に塗布
後、所定のパターンに露光し、現像することにより良好
なレジスト像を得る事が出来る。
後、所定のパターンに露光し、現像することにより良好
なレジスト像を得る事が出来る。
本発明のポジ型フオトレジスト組成物の現像液には、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水
などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、
メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級アン
モニウム塩若しくはこれにアルコール、界面活性剤等を
添加した物を使用することができる。
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水
などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、
メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級アン
モニウム塩若しくはこれにアルコール、界面活性剤等を
添加した物を使用することができる。
本発明のポジ型フオトレジスト組成物は超LSIの製造の
みならず一般のIC製造用、さらにはマスク製作用、ある
いはオフセツト印刷用としても有用である。
みならず一般のIC製造用、さらにはマスク製作用、ある
いはオフセツト印刷用としても有用である。
次に具体例を挙げて本発明を更にくわしく説明するが、
本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例により何等
制約は受けないことは申すまでも無い。
本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例により何等
制約は受けないことは申すまでも無い。
（合成例1:樹脂Ａ（第一表参照）） メタクレゾール300mmole、パラクレゾール200mmole、及
び2,5−キシレノール300mmoleの混合物を攪拌下100℃に
加熱。内温が約95℃で一定に成つた後37％ホルマリン水
溶液52mlにしゆう酸40mmoleをとかした溶液を20分で滴
下、滴下後、95℃で６時間反応させる。反応終了後、バ
ス温を徐々に上げながら水及び未反応モノマーを留去
（最終液温160℃、最終圧20mmHg）。生成物を放冷、86g
のノボラツク樹脂を得た。
び2,5−キシレノール300mmoleの混合物を攪拌下100℃に
加熱。内温が約95℃で一定に成つた後37％ホルマリン水
溶液52mlにしゆう酸40mmoleをとかした溶液を20分で滴
下、滴下後、95℃で６時間反応させる。反応終了後、バ
ス温を徐々に上げながら水及び未反応モノマーを留去
（最終液温160℃、最終圧20mmHg）。生成物を放冷、86g
のノボラツク樹脂を得た。
このノボラツク樹脂の重量平均分子量をゲルパーミエー
シヨンクロマトグラフイーにより測定したところポリス
チレン換算値で3480であつた。
シヨンクロマトグラフイーにより測定したところポリス
チレン換算値で3480であつた。
（合成例２、３） 合成例１と同様の手法により樹脂Ｂ、樹脂Ｃ（表１参
照）を合成した。
照）を合成した。
（実施例１） 合成例１で合成したノボラツク樹脂3.0gと2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸のエステル化物（エステル化
率75％）1.37g（Ｑ率1.00ミリ当量/g）をエチルセロソ
ルブアセテート9.5mlに溶解し0.2μｍのテフロン製ろ紙
（住友電工（株）製）を用いて精密ろ過してフオトレジ
スト組成物を調製する。
テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸のエステル化物（エステル化
率75％）1.37g（Ｑ率1.00ミリ当量/g）をエチルセロソ
ルブアセテート9.5mlに溶解し0.2μｍのテフロン製ろ紙
（住友電工（株）製）を用いて精密ろ過してフオトレジ
スト組成物を調製する。
このフオトレジスト組成物を４インチのシリコンウエー
ハー上に1.5μｍの厚さにスピンコーテイング装置（ミ
カサ（株）製/H−２型）を用いて塗布し90℃、30分のプ
リベークの後、縮小投影露光機（キヤノン（株）製、FP
A−141型）を用いて解像力テスト用マスクを使用して露
光しテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38
％水溶液で１分間、25℃で現像する。
ハー上に1.5μｍの厚さにスピンコーテイング装置（ミ
カサ（株）製/H−２型）を用いて塗布し90℃、30分のプ
リベークの後、縮小投影露光機（キヤノン（株）製、FP
A−141型）を用いて解像力テスト用マスクを使用して露
光しテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38
％水溶液で１分間、25℃で現像する。
感度は2.0μｍのマスクパターンを再現する露光エネル
ギーの逆数の相対値を以て定義し、残膜率は未露光部の
膜厚の現像前後の比の百分率で現わした。解像力はレジ
ストの断面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察し（×10,
000）解像出来る最小のライン＆スペースで現わした。
また耐熱性は種種の温度でポストベークした後レジスト
の断面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察し（×10,00
0）レジストフローが始まる寸前の温度で表示する。結
果を表１に纏める。
ギーの逆数の相対値を以て定義し、残膜率は未露光部の
膜厚の現像前後の比の百分率で現わした。解像力はレジ
ストの断面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察し（×10,
000）解像出来る最小のライン＆スペースで現わした。
また耐熱性は種種の温度でポストベークした後レジスト
の断面を走査型電子顕微鏡（SEM）で観察し（×10,00
0）レジストフローが始まる寸前の温度で表示する。結
果を表１に纏める。
（実施例２〜５） 実施例１と同様に調液、評価を行つた。結果を表１にま
とめる。
とめる。
（比較例１〜３） 実施例１と同様にして調液、評価を行つた。結果を表１
に纏める。
に纏める。
バインダー樹脂 A:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝3/2/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂Mw3,500 B:m−クレゾール/p−クレゾール（＝3/2）フオルムアル
デヒドノボラツク樹脂Mw＝12,000 C:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝1/1.8/1）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂、Mw
＝4180 D:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝3/4/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂 E:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝4/3/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂 感光剤 X:2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル。エス
テル化率75％ Y:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル。エステル化
率98％ Z:ケルセチンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル。エステル化率100％ （発明の効果） 本発明の組成物によれば解像力、耐熱性等の諸特性に勝
れたフオトレジストが得られ、超LSI等の開発に大変好
適に用い得るものである。
（＝3/2/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂Mw3,500 B:m−クレゾール/p−クレゾール（＝3/2）フオルムアル
デヒドノボラツク樹脂Mw＝12,000 C:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝1/1.8/1）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂、Mw
＝4180 D:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝3/4/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂 E:m−クレゾール/p−クレゾール/2,5−キシレノール
（＝4/3/3）フオルムアルデヒドノボラツク樹脂 感光剤 X:2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフエノンの1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル。エス
テル化率75％ Y:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノンの1,2−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル。エステル化
率98％ Z:ケルセチンの1,2−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホン酸エステル。エステル化率100％ （発明の効果） 本発明の組成物によれば解像力、耐熱性等の諸特性に勝
れたフオトレジストが得られ、超LSI等の開発に大変好
適に用い得るものである。
第１図は本発明に用いるノボラック樹脂を得るに好適な
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノールの好適
混合割合を示す三角座標である。
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノールの好適
混合割合を示す三角座標である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 泰弘 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 田中 千絵 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−158440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−164740（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−57339（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂及び1,2−ナフトキノ
ンジアジド基を含む化合物から成るポジ型フォトレジス
ト組成物に於て、 該アルカリ可溶性樹脂がｍ−クレゾール、ｐ−クレゾ
ール、及びキシレノールの異性体の一つから成る混合物
とフォルムアルデヒドから得られるノボラック樹脂であ
り、 該1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物が2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン或いは2,3,4,4′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸或いは1,2−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸とのエステルの１種もしくは複数
種であり、 全固形物に対する1,2−ナフトキノンジアジド基の割
合が、0.7ミリ当量/g以上1.5ミリ当量/g以下 であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項２】該アルカル可溶性樹脂がｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、及びキシレノールの任意の１つの異性
体の第一図に示された三角座標の斜線の部分の当てはま
る組成の混合物とフォルムアルデヒドから得られるノボ
ラック樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第一
項記載のポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項３】該1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化
合物のエステル化率（エステル化率とは全ヒドロキシ基
に対するエステル化されたヒドロキシ基の百分率を以て
定義する。）が55％以上であることを特徴とする特許請
求の範囲第一項記載のポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277751A JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277751A JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136637A JPS62136637A (ja) | 1987-06-19 |
| JPH0690441B2 true JPH0690441B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17587822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60277751A Expired - Lifetime JPH0690441B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690441B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS59162542A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPH0648381B2 (ja) * | 1984-01-26 | 1994-06-22 | 三菱化成株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60162249A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60277751A patent/JPH0690441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62136637A (ja) | 1987-06-19 |
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