JPH069128U - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH069128U JPH069128U JP5278492U JP5278492U JPH069128U JP H069128 U JPH069128 U JP H069128U JP 5278492 U JP5278492 U JP 5278492U JP 5278492 U JP5278492 U JP 5278492U JP H069128 U JPH069128 U JP H069128U
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- JP
- Japan
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- movable part
- static electricity
- semiconductor manufacturing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】可動部の静電気の帯電を防止し、パーティクル
の付着によるウェーハの汚染を防止すると共にウェーハ
に形成した回路、素子の静電破壊を防止する。 【構成】半導体製造装置１の内部所要位置にイオン化電
極３，４を設け、空気イオンを発生させる様構成し、空
気イオンを発生させることで可動部周囲の空気の導電性
を増大させ、滞留した静電気の移動を容易にし、可動部
の帯電を防止する。
の付着によるウェーハの汚染を防止すると共にウェーハ
に形成した回路、素子の静電破壊を防止する。 【構成】半導体製造装置１の内部所要位置にイオン化電
極３，４を設け、空気イオンを発生させる様構成し、空
気イオンを発生させることで可動部周囲の空気の導電性
を増大させ、滞留した静電気の移動を容易にし、可動部
の帯電を防止する。
Description
【０００１】
本考案は半導体製造装置、特に除塵、静電気の除去を行い、品質の向上、信頼 性の向上を図った半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
従来、半導体製造装置はクリーンルームに設置され、更に半導体製造装置内部 に設けられたクリーンユニットで除塵された清浄な雰囲気で各種処理がなされて いるが、装置内部の静電気の除去については特に対策は施されていなかった。
【０００３】
ところが、近年半導体素子の高密度化が進むにつれて製造処理中のパーティク ルによる汚染は製品品質に大きな影響を与えており、製造処理雰囲気は益々高清 浄化が進められている。ところが、ウェーハの搬送等、装置内部には可動部があ り、該可動部が動作することで、静電気が発生し可動部の各所に静電気が滞留す る。静電気が滞留するとパーティクルを吸着し、吸着したパーティクルによって ウェーハが汚染されるという事態も考えられる。更に、半導体製造装置はクリー ンルーム内に設置され、雰囲気空気はクリーンユニットで除塵されるが、雰囲気 空気がクリーンユニットを通過する際に空気中の空気イオンも除去され、前記滞 留した静電気は空気中を移動し難くなり、益々静電気が可動部に帯電しやすい状 況となっている。可動部が静電気を帯電した状態で、ウェーハのハンドリング等 を行った場合、他可動部とウェーハ間で静電気の放電が生じ、ウェーハに形成し た回路を損傷する可能性があるという問題がある。
【０００４】 本考案は斯かる実情に鑑み、除塵を更に高度に進めると共に可動部に静電気の 帯電を防止し、静電破壊を防止しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】 本考案は、内部所要位置にイオン化電極を設け、空気イオンを発生させる様構 成したことを特徴とするものである。
【０００６】
空気イオンを発生させることで可動部周囲の空気の導電性を増大させ、滞留し た静電気の移動を容易にし、可動部の帯電を防止する。
【０００７】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【０００８】 図１は空気イオン化装置を具備する半導体製造装置１を示しており、該空気イ オン化装置２は、印加された高電圧によりコロナ放電をし、周囲の空気をイオン 化するイオン化電極３，４と印加電圧の制御を行う制御部５を有しており、前記 イオン化電極３，４を可動部（特に図示しないが例えばウェーハ移載機）の近傍 、或は近傍で且空気の流れに関して上流側に配設する。
【０００９】 前記イオン化電極３，４に高電圧を印加し、コロナ放電をし、該コロナ放電に よって空気イオンを発生させる。空気イオンの発生により空気自体の導電性が高 まり、可動部の帯電した静電気の除電が促進される。
【００１０】 図２は、可動部動作回数と帯電状態を示すものである。
【００１１】 図２中、Ａは空気イオン化装置２を具備しない装置の可動部の帯電状態を示し 、Ｂは空気イオン化装置２により空気イオンを発生させ供給した帯電状態を示す ものである。
【００１２】 図２で示される様に、Ａは可動部が動作する度に帯電の電荷が増大するのに対 して、Ｂは動作しても殆ど帯電しないということが分かる。
【００１３】 尚、イオン化電極３，４は１つ或は３つ以上であっても良く、更に設置箇所の 変更も可能であることは言う迄もない。
【００１４】
以上述べた如く本考案によれば、可動部の静電気の滞留を防止し得、ウェーハ のパーテイクルによる汚染を防止し得ると共にウェーハに形成した回路の静電破 壊を防止でき製品の品質、信頼性を向上させることができる。
【図１】本考案の一実施例の説明図である。
【図２】本実施例の作用を示す線図である。
１ 半導体製造装置 ２ 空気イオン化装置 ３ イオン化電極 ４ イオン化電極 ５ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 泉 昭一郎 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)考案者 鈴木 増雄 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 内部所要位置にイオン化電極を設け、空
気イオンを発生させる様構成したことを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278492U JPH069128U (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5278492U JPH069128U (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH069128U true JPH069128U (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=12924473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5278492U Pending JPH069128U (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069128U (ja) |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP5278492U patent/JPH069128U/ja active Pending
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